JPH0582031A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH0582031A JPH0582031A JP24351991A JP24351991A JPH0582031A JP H0582031 A JPH0582031 A JP H0582031A JP 24351991 A JP24351991 A JP 24351991A JP 24351991 A JP24351991 A JP 24351991A JP H0582031 A JPH0582031 A JP H0582031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- ceramic stem
- weight
- lead
- magnetron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 陰極リードをモリブデン材料で形成したマグ
ネトロンで、陰極リードとセラミックステムの接合を簡
単でしかも確実に行えるようにして、品質、信頼性を向
上すると共に、安価に製造できるようにする。 【構成】 陰極リードと、セラミックステムのメタライ
ズ部分との接合を、65〜75重量％のＡｇと 0.5〜３重量
％のＮｉと残部をＣｕで組成した３元合金ろう材により
接合固着する。
ネトロンで、陰極リードとセラミックステムの接合を簡
単でしかも確実に行えるようにして、品質、信頼性を向
上すると共に、安価に製造できるようにする。 【構成】 陰極リードと、セラミックステムのメタライ
ズ部分との接合を、65〜75重量％のＡｇと 0.5〜３重量
％のＮｉと残部をＣｕで組成した３元合金ろう材により
接合固着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子レンジなどに用いら
れるマグネトロンに関する。さらに詳しくはマグネトロ
ンの陰極を支持する陰極リードとセラミックステムとの
固着を、容易でかつ確実に形成できるように改良された
マグネトロンに関する。
れるマグネトロンに関する。さらに詳しくはマグネトロ
ンの陰極を支持する陰極リードとセラミックステムとの
固着を、容易でかつ確実に形成できるように改良された
マグネトロンに関する。
【０００２】
【従来の技術】マグネトロンは陽極空胴と、その中心軸
上に配置された陰極と、その陽極と陰極とで囲まれた作
用空間に磁界を印加する磁気回路とで構成され、真空に
して陰極から発した電子の螺旋運動により発振したエネ
ルギーを出力として取り出すものである。この陰極と陽
極のあいだには高電圧が印加されるため、陰極のリード
は陽極と電気的絶縁を保って真空外囲器の外に導出され
なければならない。そのため、この種マグネトロンでは
陰極をセラミックなど電気的絶縁物で保持すると共に、
リード線が真空壁外に導出されている。
上に配置された陰極と、その陽極と陰極とで囲まれた作
用空間に磁界を印加する磁気回路とで構成され、真空に
して陰極から発した電子の螺旋運動により発振したエネ
ルギーを出力として取り出すものである。この陰極と陽
極のあいだには高電圧が印加されるため、陰極のリード
は陽極と電気的絶縁を保って真空外囲器の外に導出され
なければならない。そのため、この種マグネトロンでは
陰極をセラミックなど電気的絶縁物で保持すると共に、
リード線が真空壁外に導出されている。
【０００３】この陰極リードとセラミックステムとの固
着した部分の従来の例を、図３に拡大断面図で示す。図
３で６は陰極リード、８はセラミックステム、９はセラ
ミックステム８に設けた孔、13は陰極リード６の封着金
属板、18はニッケルメッキ層、19は略共晶銀ろうであ
る。
着した部分の従来の例を、図３に拡大断面図で示す。図
３で６は陰極リード、８はセラミックステム、９はセラ
ミックステム８に設けた孔、13は陰極リード６の封着金
属板、18はニッケルメッキ層、19は略共晶銀ろうであ
る。
【０００４】すなわち、この例では陰極リード６の先端
にニッケルメッキ層18を形成し、65〜75重量％のＡｇと
残部がＣｕからなる略共晶銀ろう19を用いて真空中また
は不活性ガス雰囲気中でろう付けされている。この陰極
リード６の先端にニッケルメッキ層18を形成するのは、
陰極リード６が、陰極の高温に耐えうるため、モリブデ
ン材料で形成されており、通常の略共晶銀ろうではモリ
ブデン材料とのぬれ性がよくなく、完全な固着をえられ
ないためである。
にニッケルメッキ層18を形成し、65〜75重量％のＡｇと
残部がＣｕからなる略共晶銀ろう19を用いて真空中また
は不活性ガス雰囲気中でろう付けされている。この陰極
リード６の先端にニッケルメッキ層18を形成するのは、
陰極リード６が、陰極の高温に耐えうるため、モリブデ
ン材料で形成されており、通常の略共晶銀ろうではモリ
ブデン材料とのぬれ性がよくなく、完全な固着をえられ
ないためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、陰極リードの
ろう付け部分にニッケルメッキを施すことは、作業工程
が増えて複雑化すると共に、線状の細い棒の一部にメッ
キをするため、メッキ層の厚さのばらつきが大きく、セ
ラミックステム８の孔９に確実に挿入できるようにする
ためには、孔９の径を大きくして間隙にゆとりを設けな
ければならない。しかし孔９の径が大きいとメッキ層17
の厚さが薄いばあい、孔９と陰極リード６との間隔が大
き過ぎてろう流れが不十分となり、ろう材の量を必要以
上に多くしないとしっかり固着できない、という問題が
ある。
ろう付け部分にニッケルメッキを施すことは、作業工程
が増えて複雑化すると共に、線状の細い棒の一部にメッ
キをするため、メッキ層の厚さのばらつきが大きく、セ
ラミックステム８の孔９に確実に挿入できるようにする
ためには、孔９の径を大きくして間隙にゆとりを設けな
ければならない。しかし孔９の径が大きいとメッキ層17
の厚さが薄いばあい、孔９と陰極リード６との間隔が大
き過ぎてろう流れが不十分となり、ろう材の量を必要以
上に多くしないとしっかり固着できない、という問題が
ある。
【０００６】本発明はこのような状況に鑑みなされたも
ので、作業工程を減らして確実に陰極リードの接合がえ
られる、高品質で生産性の高いマグネトロンを提供する
ことを目的とする。
ので、作業工程を減らして確実に陰極リードの接合がえ
られる、高品質で生産性の高いマグネトロンを提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるマグネトロ
ンは、陰極リードとセラミックステムとの固着を65〜75
重量％のＡｇと 0.5〜３重量％のＮｉと残部がＣｕの組
成でなる３元合金ろう材でろう付け固着することによ
り、予め陰極リードへのニッケルメッキを不要としなが
ら、固着を確実にしたものである。
ンは、陰極リードとセラミックステムとの固着を65〜75
重量％のＡｇと 0.5〜３重量％のＮｉと残部がＣｕの組
成でなる３元合金ろう材でろう付け固着することによ
り、予め陰極リードへのニッケルメッキを不要としなが
ら、固着を確実にしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、陰極リードとセラミックステ
ムとの固着に、従来の略共晶銀ろうに 0.5〜３重量％の
Ｎｉを添加した３元合金ろうを使用しているため、添加
したＮｉはＭｏとの合金化が可能な金属で、Ｍｏとのぬ
れ性が良く、またＡｇやＣｕはＮｉと非常に良くなじ
み、添加したＮｉが仲介役として働き、モリブデン材の
陰極リードを確実に固着できる。
ムとの固着に、従来の略共晶銀ろうに 0.5〜３重量％の
Ｎｉを添加した３元合金ろうを使用しているため、添加
したＮｉはＭｏとの合金化が可能な金属で、Ｍｏとのぬ
れ性が良く、またＡｇやＣｕはＮｉと非常に良くなじ
み、添加したＮｉが仲介役として働き、モリブデン材の
陰極リードを確実に固着できる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の一実施例であるマグネトロン
を一部破断側面図で示す。同図において、１は陽極筒で
内部に複数枚の陽極片２を有し、陽極空胴を形成すると
共に、真空壁の一部を構成している。３は陽極筒１の中
心軸上で、陽極片２に対向する位置に配置された陰極
で、フィラメントを兼ねており、両端に印加された電圧
により加熱して電子を放出する構成になっている。４、
５はそれぞれエンドハットで、陰極３から発した電子が
作用空間内で作用するように陰極３の両端部に配置さ
れ、陰極３の端部がそれぞれ固着されている。この両エ
ンドハット４、５にはそれぞれモリブデン（Ｍｏ）製の
一対の陰極リード６、７が固着され、この陰極リード
６、７はセラミックステム８に形成された孔９、１０に
ろう付けで固着されている。この陰極リード６、７はセ
ラミックステム８を貫通して気密固着された外部リード
11、12に電気的に接続され電極端子として外部に導出さ
れているが、陰極リード６、７を直接セラミックステム
８を貫通させて外部リードを兼ねることもできる。15、
16は陽極筒１の両端部に固着された磁極片で、図示して
ない磁石からの磁束を陽極片２と陰極３のあいだの作用
空間に集中させて磁場を印加するためのもので、17はセ
ラミックステム８と陽極部とを接続して真空壁を形成す
る金属筒である。
を一部破断側面図で示す。同図において、１は陽極筒で
内部に複数枚の陽極片２を有し、陽極空胴を形成すると
共に、真空壁の一部を構成している。３は陽極筒１の中
心軸上で、陽極片２に対向する位置に配置された陰極
で、フィラメントを兼ねており、両端に印加された電圧
により加熱して電子を放出する構成になっている。４、
５はそれぞれエンドハットで、陰極３から発した電子が
作用空間内で作用するように陰極３の両端部に配置さ
れ、陰極３の端部がそれぞれ固着されている。この両エ
ンドハット４、５にはそれぞれモリブデン（Ｍｏ）製の
一対の陰極リード６、７が固着され、この陰極リード
６、７はセラミックステム８に形成された孔９、１０に
ろう付けで固着されている。この陰極リード６、７はセ
ラミックステム８を貫通して気密固着された外部リード
11、12に電気的に接続され電極端子として外部に導出さ
れているが、陰極リード６、７を直接セラミックステム
８を貫通させて外部リードを兼ねることもできる。15、
16は陽極筒１の両端部に固着された磁極片で、図示して
ない磁石からの磁束を陽極片２と陰極３のあいだの作用
空間に集中させて磁場を印加するためのもので、17はセ
ラミックステム８と陽極部とを接続して真空壁を形成す
る金属筒である。
【００１０】この陰極リード６、７とセラミックステム
８との固着は、いずれの陰極リード６、７も同様の方法
で固着されるため、陰極リード６の固着部分の拡大図を
図２に示して説明する。
８との固着は、いずれの陰極リード６、７も同様の方法
で固着されるため、陰極リード６の固着部分の拡大図を
図２に示して説明する。
【００１１】図２において、13は陰極リード６の封着金
属板、14は65〜75重量％のＡｇと0.5 〜３重量％のＮｉ
と残部がＣｕの組成でなる３元合金ろう材である。この
ろう材は従来使用されていた65〜75重量％のＡｇと残部
がＣｕの略共晶銀ろうに代えて 0.5〜３重量％のＮｉを
添加してその分Ｃｕの量を減少させたものである。この
ＮｉはＭｏと合金化が可能な金属であるため、このろう
材を真空炉または還元性雰囲気で溶融するとＮｉがまず
Ｍｏ製の陰極リード６の表面を被覆する形になり、つい
で、ＡｇとＣｕがそのＮｉの表面を覆う形で付着する。
そのため、Ｍｏ製の陰極リード６、７にＮｉメッキを予
め施さなくてもろう流れがよく、確実にろう付けで固着
される。
属板、14は65〜75重量％のＡｇと0.5 〜３重量％のＮｉ
と残部がＣｕの組成でなる３元合金ろう材である。この
ろう材は従来使用されていた65〜75重量％のＡｇと残部
がＣｕの略共晶銀ろうに代えて 0.5〜３重量％のＮｉを
添加してその分Ｃｕの量を減少させたものである。この
ＮｉはＭｏと合金化が可能な金属であるため、このろう
材を真空炉または還元性雰囲気で溶融するとＮｉがまず
Ｍｏ製の陰極リード６の表面を被覆する形になり、つい
で、ＡｇとＣｕがそのＮｉの表面を覆う形で付着する。
そのため、Ｍｏ製の陰極リード６、７にＮｉメッキを予
め施さなくてもろう流れがよく、確実にろう付けで固着
される。
【００１２】この３元合金ろうのＮｉの量は0.5 重量％
より少いと、Ｍｏの表面をＮｉが覆うのに充分でなく、
ろう流れが悪くなり、また３重量％より多いと、固相点
の低下が大となり、他の部分のＡｇ−Ｃｕ系ろう材のろ
う付け条件と同一にできなくなるので好ましくない。従
って 0.5〜３重量％の混合量が好ましいが、さらに好ま
しくは１〜２重量％にするのがよい。
より少いと、Ｍｏの表面をＮｉが覆うのに充分でなく、
ろう流れが悪くなり、また３重量％より多いと、固相点
の低下が大となり、他の部分のＡｇ−Ｃｕ系ろう材のろ
う付け条件と同一にできなくなるので好ましくない。従
って 0.5〜３重量％の混合量が好ましいが、さらに好ま
しくは１〜２重量％にするのがよい。
【００１３】このろう材を使用してマグネトロンを製造
する例について説明する。まず、セラミックステム８の
孔９、10の内面および表面の孔の周囲並びに金属筒17の
固着部分にメタライズを施しておき、陰極リード６、７
の先端に、前述のＮｉが 0.5〜３重量％含有された３元
合金ろう材14で形成されたリングを挿入し、封着金属板
13と共にセラミックステム８のろう付け場所に配置し、
また金属筒17のセラミックステム８との接合部には通常
の略共晶銀ろう材を配置して、たとえば水素炉で 780〜
900℃、60分間の熱処理をすることにより、陰極リード
６、７および金属筒17とセラミックステム８とが固着さ
れる。この陰極リード６、７と外部リード11、12とを電
気的に接続すると共に、陰極リード６、７の他方の先端
にエンドハット４、５をそれぞれろう付けまたは溶接に
より固着し、さらに陰極３の両端部をエンドハット４、
５に溶接で固着して陰極部を形成する。
する例について説明する。まず、セラミックステム８の
孔９、10の内面および表面の孔の周囲並びに金属筒17の
固着部分にメタライズを施しておき、陰極リード６、７
の先端に、前述のＮｉが 0.5〜３重量％含有された３元
合金ろう材14で形成されたリングを挿入し、封着金属板
13と共にセラミックステム８のろう付け場所に配置し、
また金属筒17のセラミックステム８との接合部には通常
の略共晶銀ろう材を配置して、たとえば水素炉で 780〜
900℃、60分間の熱処理をすることにより、陰極リード
６、７および金属筒17とセラミックステム８とが固着さ
れる。この陰極リード６、７と外部リード11、12とを電
気的に接続すると共に、陰極リード６、７の他方の先端
にエンドハット４、５をそれぞれろう付けまたは溶接に
より固着し、さらに陰極３の両端部をエンドハット４、
５に溶接で固着して陰極部を形成する。
【００１４】この陰極部の金属筒17を、予めろう付けな
どにより形成した陽極部の磁極片16に嵌合させて、ろう
付けすることによりマグネトロンを構成することができ
る。
どにより形成した陽極部の磁極片16に嵌合させて、ろう
付けすることによりマグネトロンを構成することができ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｍｏ製の陰極リードとセラミックステムとの接合に65〜
75重量％のＡｇと 0.5〜３重量％のＮｉと残部がＣｕの
３元合金ろう材によりろう付けするようにしたため、陰
極リードに予めＮｉメッキを施す必要がなく工数が削減
されると共に、陰極リードにメッキを施さないため陰極
リードの太さは一定となり、陰極リードのろう付けの品
質が安定する。さらにろう材に添加したＮｉが陰極リー
ドのＭｏ材とよくなじむため一層ろう付けが確実とな
る。
Ｍｏ製の陰極リードとセラミックステムとの接合に65〜
75重量％のＡｇと 0.5〜３重量％のＮｉと残部がＣｕの
３元合金ろう材によりろう付けするようにしたため、陰
極リードに予めＮｉメッキを施す必要がなく工数が削減
されると共に、陰極リードにメッキを施さないため陰極
リードの太さは一定となり、陰極リードのろう付けの品
質が安定する。さらにろう材に添加したＮｉが陰極リー
ドのＭｏ材とよくなじむため一層ろう付けが確実とな
る。
【００１６】その結果工数削減に伴うコストダウンと共
にろう付けが確実で陰極の曲がりなどが発生せず、長時
間の動作に対しても高品質を維持でき、品質、信頼性が
大幅に向上する効果がある。
にろう付けが確実で陰極の曲がりなどが発生せず、長時
間の動作に対しても高品質を維持でき、品質、信頼性が
大幅に向上する効果がある。
【図１】本発明の一実施例にかかるマグネトロンの一部
破断側面図である。
破断側面図である。
【図２】本発明の一実施例である陰極リードとセラミッ
クステムのろう付け部分の断面図である。
クステムのろう付け部分の断面図である。
【図３】従来の陰極リードとセラミックステムとのろう
付け部分の断面図である。
付け部分の断面図である。
１ 陽極筒 ２ 陽極片 ３ 陰極 ６、７ 陰極リード ８ セラミックステム ９、10 孔 14 ３元合金ろう
Claims (1)
- 【請求項１】 内部に複数枚の陽極片を有し真空壁の一
部を形成する陽極筒と、該陽極筒の中心軸部分に配置さ
れた陰極と、該陰極を先端部において支持する陰極リー
ドと、該陰極リードを支持すると共に前記陽極筒の開口
端部を気密封止するセラミックステムとを有するマグネ
トロンであって、前記陰極リードがモリブデン材料で形
成され、前記セラミックステムに65〜75重量％のＡｇと
0.5 〜３重量％のＮｉと残部がＣｕの組成でなる３元合
金ろうにより固着されてなるマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24351991A JPH0582031A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24351991A JPH0582031A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582031A true JPH0582031A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17105117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24351991A Pending JPH0582031A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582031A (ja) |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24351991A patent/JPH0582031A/ja active Pending
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