JPH057873B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH057873B2 JPH057873B2 JP22506285A JP22506285A JPH057873B2 JP H057873 B2 JPH057873 B2 JP H057873B2 JP 22506285 A JP22506285 A JP 22506285A JP 22506285 A JP22506285 A JP 22506285A JP H057873 B2 JPH057873 B2 JP H057873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phototriax
- resin
- die
- optical coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子と受光素子が対向配置され
た光結合素子に関するもので、素子部に印加され
る誘導ノイズの影響の低減に関するものである。
た光結合素子に関するもので、素子部に印加され
る誘導ノイズの影響の低減に関するものである。
従来、LEDを発光素子、ラテラル型フオトト
ライアツクを受光素子とを対向させ、透光性樹脂
で発光側と受光側を一体化し、その後、遮光性樹
脂でモールド成形し、全体を被うD1P型（デユワ
ルイン・パツケージ型）６ピンの第２図に示す構
造となつている。
ライアツクを受光素子とを対向させ、透光性樹脂
で発光側と受光側を一体化し、その後、遮光性樹
脂でモールド成形し、全体を被うD1P型（デユワ
ルイン・パツケージ型）６ピンの第２図に示す構
造となつている。
受光素子のフオトトライアツク７は、リードフ
レーム５にダイボンデイングされ、出力端子であ
るＴ１，Ｔ２端子となるリード４，６はそれぞれ
ワイヤーボンデイングにより、フオトトライアツ
ク７と接続されている。そのため、リード５は実
使用に際して使用されない端子であり、フオトト
ライアツク７を支持した状態で樹脂封止するため
に使用されその後は不要となる端子であり、モー
ルド後、モールド樹脂の外部に導出状態となるこ
の端子に誘導ノイズが印加されると、フオトトラ
イアツクが誤動作してしまうことがある問題点が
あつた。
レーム５にダイボンデイングされ、出力端子であ
るＴ１，Ｔ２端子となるリード４，６はそれぞれ
ワイヤーボンデイングにより、フオトトライアツ
ク７と接続されている。そのため、リード５は実
使用に際して使用されない端子であり、フオトト
ライアツク７を支持した状態で樹脂封止するため
に使用されその後は不要となる端子であり、モー
ルド後、モールド樹脂の外部に導出状態となるこ
の端子に誘導ノイズが印加されると、フオトトラ
イアツクが誤動作してしまうことがある問題点が
あつた。
従来の光結合素子は、フオトトライアツクが、
ダイボンドされる端子が外部からの誘導ノイズか
を受け、誤動作するという問題があつた。
ダイボンドされる端子が外部からの誘導ノイズか
を受け、誤動作するという問題があつた。
この発明は、上記のような問題点を改善するた
めなされたもので、外部からの誘導ノイズの影響
を受けない光結合素子を得ることを目的とする。
めなされたもので、外部からの誘導ノイズの影響
を受けない光結合素子を得ることを目的とする。
この発明による光結合素子は、フオトトライア
ツクをダイボンデイングしたリードを、透光性樹
脂で発光側と受光側を一体化した後切断し、その
後遮光性樹脂でモールド成形し、リードの切断面
を含め全体を被う構造にしたものである。
ツクをダイボンデイングしたリードを、透光性樹
脂で発光側と受光側を一体化した後切断し、その
後遮光性樹脂でモールド成形し、リードの切断面
を含め全体を被う構造にしたものである。
この構造により、フオトトライアツクをダイボ
ンデイングしたリードは、モールド樹脂内にあ
り、モールド樹脂の外部には導出させないことに
より、外部からの誘導ノイズの影響を受けず、フ
オトトライアツクが誤動作することはない。
ンデイングしたリードは、モールド樹脂内にあ
り、モールド樹脂の外部には導出させないことに
より、外部からの誘導ノイズの影響を受けず、フ
オトトライアツクが誤動作することはない。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図において、７はラテラル型フオトトラ
イアツクで、発光素子８と対向するようリード５
にダイボンデイングされ、フオトトライアツク７
の出力端子Ｔ１，Ｔ２電極はワイヤーボンデイン
グによりリード４，６に接続されている。リード
５は透光性樹脂９で、発光側と受光側を一体化し
た後切断し、その後遮光性樹脂１０でモールド成
形し、リード５の切断面を含め全体を被うことに
より、リード５が外部端子として出ていない構造
とする。
る。第１図において、７はラテラル型フオトトラ
イアツクで、発光素子８と対向するようリード５
にダイボンデイングされ、フオトトライアツク７
の出力端子Ｔ１，Ｔ２電極はワイヤーボンデイン
グによりリード４，６に接続されている。リード
５は透光性樹脂９で、発光側と受光側を一体化し
た後切断し、その後遮光性樹脂１０でモールド成
形し、リード５の切断面を含め全体を被うことに
より、リード５が外部端子として出ていない構造
とする。
このように、フオトトライアツク７をダイボン
デイングしたリードフレーム５をモールド樹脂で
被い、外部端子として出さない構造を用いること
により、受光側の端子はＴ１，Ｔ２端子のみとな
り、外部からの誘導ノイズがリード端子５から入
ることはなくなり、フオトトライアツク７が誤動
作をすることはくすなり、外部からの誘導ノイズ
の影響を受けない光結合素子を得ることができ
る。
デイングしたリードフレーム５をモールド樹脂で
被い、外部端子として出さない構造を用いること
により、受光側の端子はＴ１，Ｔ２端子のみとな
り、外部からの誘導ノイズがリード端子５から入
ることはなくなり、フオトトライアツク７が誤動
作をすることはくすなり、外部からの誘導ノイズ
の影響を受けない光結合素子を得ることができ
る。
また、上記実施例では受光素子としてラテラル
構造のフオトトライアツク７を用いた場合につい
て説明したが、受光素子としてラテラル構造のフ
オトサイリスタ等、ダイボンデイングする端子が
実使用に際し、電気的に非接続端子となるような
構造の素子についても、上記実施例と同様の効果
を奏する。
構造のフオトトライアツク７を用いた場合につい
て説明したが、受光素子としてラテラル構造のフ
オトサイリスタ等、ダイボンデイングする端子が
実使用に際し、電気的に非接続端子となるような
構造の素子についても、上記実施例と同様の効果
を奏する。
以上のように、この発明によれば実使用に際
し、電気的に非接続受光素子をダイボンデイング
したリードをモールド樹脂で被い、外部端子とし
ない構造としたので、外部からの誘導ノイズの影
響を受けない光結合素子が得られる効果がある。
し、電気的に非接続受光素子をダイボンデイング
したリードをモールド樹脂で被い、外部端子とし
ない構造としたので、外部からの誘導ノイズの影
響を受けない光結合素子が得られる効果がある。
第１図は、この発明の一実施例による光結合素
子の平面図及び断面図。第２図は、従来の光結合
素子の平面図及び断面図である。 １，２，３，４，５，６……リード、７……受
光素子（フオトトライアツク）、８……発光素子
（LED）、９……透光性樹脂、１０……遮光性樹
脂。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
子の平面図及び断面図。第２図は、従来の光結合
素子の平面図及び断面図である。 １，２，３，４，５，６……リード、７……受
光素子（フオトトライアツク）、８……発光素子
（LED）、９……透光性樹脂、１０……遮光性樹
脂。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ 二重モールド構造の光結合素子において、前
記受光素子をダイボンデイングしたリードを、モ
ールド樹脂で被い、外部に導出させない構造とす
ることを特徴とする光結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225062A JPS6284575A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225062A JPS6284575A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 光結合素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284575A JPS6284575A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH057873B2 true JPH057873B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16823437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225062A Granted JPS6284575A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284575A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193346A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP60225062A patent/JPS6284575A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193346A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284575A (ja) | 1987-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61123288A (ja) | 固体撮像デバイス | |
| KR940007588B1 (ko) | 반도체 광전변환장치 | |
| JP3193780B2 (ja) | 反射型光結合装置の製造方法 | |
| JPH057873B2 (ja) | ||
| JPH0453001Y2 (ja) | ||
| JP3418664B2 (ja) | 複数型光結合素子及びその製造方法 | |
| JPH01191481A (ja) | 受光素子 | |
| JPS63127556A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2958228B2 (ja) | 透過型光結合装置 | |
| JPH04354386A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0651001Y2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPS62154667A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0364076A (ja) | 透明モールドパッケージ | |
| JPH0582059U (ja) | 光結合装置 | |
| JPH01152664A (ja) | 受光素子内蔵集積回路 | |
| JPH0745969Y2 (ja) | 光結合装置 | |
| JPS61222384A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03128955U (ja) | ||
| JPH0349403Y2 (ja) | ||
| JPH04245487A (ja) | 光信号モジュール | |
| JPS6041735Y2 (ja) | 半導体光センサ | |
| JPS6339956U (ja) | ||
| JPS607018U (ja) | 反射光検出器 | |
| JPH02136343U (ja) | ||
| JPS6367789A (ja) | インタラプタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |