JPS6367789A - インタラプタ - Google Patents
インタラプタInfo
- Publication number
- JPS6367789A JPS6367789A JP61213154A JP21315486A JPS6367789A JP S6367789 A JPS6367789 A JP S6367789A JP 61213154 A JP61213154 A JP 61213154A JP 21315486 A JP21315486 A JP 21315486A JP S6367789 A JPS6367789 A JP S6367789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- transmitting resin
- resin
- receiving element
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光結合素子のうちのインタラプタに関する。
従来インタラプタは第４図、第５図に示す通シの２通り
の構造が主であった。第４図に示したものは発光素子４
１と受光素子４４をそれぞれ透光性樹脂４２で成形した
あとケース４３に組込むものであった。又第５図に示す
ものは、透光性樹脂４５で発光素子４６及び受光素子４
７を一体封止するものであった。
の構造が主であった。第４図に示したものは発光素子４
１と受光素子４４をそれぞれ透光性樹脂４２で成形した
あとケース４３に組込むものであった。又第５図に示す
ものは、透光性樹脂４５で発光素子４６及び受光素子４
７を一体封止するものであった。
上述した従来のインタラプタには各々次のような欠点が
ある。第４図に示したインタラプタは（１）製法が複雑
でコストが高い、 （１０全体の寸法が大きく実装上無
駄が多い、０ｉｌ） ＩＪ−ドの位置がケースの形状に
より変わる等の欠点が有る。又第５図に示したインタラ
プタは（１）透光性樹脂が熱に弱いため実装上の制限が
有る。 （ｉｉ）透光性樹脂での一体封止であるため光
の回カ込みが有ＪＯＮ１０ＦＦ時のレベル比が小さく回
路設計が複雑となる等の欠点が有る。
ある。第４図に示したインタラプタは（１）製法が複雑
でコストが高い、 （１０全体の寸法が大きく実装上無
駄が多い、０ｉｌ） ＩＪ−ドの位置がケースの形状に
より変わる等の欠点が有る。又第５図に示したインタラ
プタは（１）透光性樹脂が熱に弱いため実装上の制限が
有る。 （ｉｉ）透光性樹脂での一体封止であるため光
の回カ込みが有ＪＯＮ１０ＦＦ時のレベル比が小さく回
路設計が複雑となる等の欠点が有る。
上述した従来のインタラプタに対し本発明はしやへい板
が入る空間の形成方法において独創的内容を有する。
が入る空間の形成方法において独創的内容を有する。
本発明のインクラックは一枚のリードフレーム上にマウ
ントボンディングされる発光素子と受光素子を有してお
シ、それぞれをトランス７アモールドにて封止する透光
性樹脂とさらにその外側をおおうようにトランスファモ
ールドにて封止される不透光性樹脂を有している、さら
に発光素子と受光素子の中間部は研削し、透光性樹脂が
研削面に露出しておシ光の経路を形成している。
ントボンディングされる発光素子と受光素子を有してお
シ、それぞれをトランス７アモールドにて封止する透光
性樹脂とさらにその外側をおおうようにトランスファモ
ールドにて封止される不透光性樹脂を有している、さら
に発光素子と受光素子の中間部は研削し、透光性樹脂が
研削面に露出しておシ光の経路を形成している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図であシ、第２
図は第１の実施例の横断面図である。発光素子１はＧａ
Ａｓ赤外発光ダイオードであシリード２にマウントされ
ておシ金細線３はリード４にボンディングされている。
図は第１の実施例の横断面図である。発光素子１はＧａ
Ａｓ赤外発光ダイオードであシリード２にマウントされ
ておシ金細線３はリード４にボンディングされている。
受光素子５はシリコンホトトランジスタでろシリ−ドロ
にマウントされており金細線７でリード８にボンディン
グされている。透光性樹脂９はフィラー入りのエポキシ
樹脂であシ発光素子１と受光素子５を１体にトランスフ
ァーモールドで封止されている。不透光性樹脂１０は透
光性樹脂９の外側をおおうようにトランスファモールド
で封止しておシ透光性樹脂９に炭素を混合したＩＣに一
般に使用されるエポキシ樹脂である。し中へい板が入る
空間１１はダイア・モンドブレードにて研削して形成さ
れている。この空間１１を作るとき透光性樹脂９は完全
に分離されている。リードは４本でＤＩＰ 型である。
にマウントされており金細線７でリード８にボンディン
グされている。透光性樹脂９はフィラー入りのエポキシ
樹脂であシ発光素子１と受光素子５を１体にトランスフ
ァーモールドで封止されている。不透光性樹脂１０は透
光性樹脂９の外側をおおうようにトランスファモールド
で封止しておシ透光性樹脂９に炭素を混合したＩＣに一
般に使用されるエポキシ樹脂である。し中へい板が入る
空間１１はダイア・モンドブレードにて研削して形成さ
れている。この空間１１を作るとき透光性樹脂９は完全
に分離されている。リードは４本でＤＩＰ 型である。
第１の実施例の類似例として次の様な例が考えられるの
は言うまでもない。発光素子１としてＧａＰ。
は言うまでもない。発光素子１としてＧａＰ。
ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのＬＥＤを使うこともできる
。
。
受光素子５としてはシリコンホトダイオード 。
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐホトダイオード、シリコンＦＥＴ、
を使うこともできる。透光性樹脂９としては光伝達効率
を向上させるためフィラー無しのエポキシ樹脂を使うこ
ともできる。
を使うこともできる。透光性樹脂９としては光伝達効率
を向上させるためフィラー無しのエポキシ樹脂を使うこ
ともできる。
第３図は第２の実施例の縦断面図である。発光素子１２
は第１の実施例と同じである。受光素子１３はＩＣ化さ
れている。そのためリードが６本のＤＩＰ型である。樹
脂１４．１５は第１の実施例と同じである。空間１６は
第１の例と同様に形成されている。第２の実施例の場合
、受光素子１３としては受光ダイオードとＩＣの組合せ
による出力タイプも考えられ、リードも６本以上とする
ことも可能である。さらに第１．第２の実施例の変形と
してフラットリードタイプのパッケージとすることも容
易に考えられる。
は第１の実施例と同じである。受光素子１３はＩＣ化さ
れている。そのためリードが６本のＤＩＰ型である。樹
脂１４．１５は第１の実施例と同じである。空間１６は
第１の例と同様に形成されている。第２の実施例の場合
、受光素子１３としては受光ダイオードとＩＣの組合せ
による出力タイプも考えられ、リードも６本以上とする
ことも可能である。さらに第１．第２の実施例の変形と
してフラットリードタイプのパッケージとすることも容
易に考えられる。
以上説明したように本発明は２回のトランスファモール
ドで成形するため製法が容易であシ、コストも約１／２
に低減できる。また発光・受光素子を１枚のリードフレ
ーム上にマウント・ボンディングして製造することもコ
スト低減に大きく寄与する。また透光性樹脂部を非常に
小さくすることができるため全体の体積を約１／２〜約
１／３以下に小さくできる。また透光性樹脂を完全に切
シ離すことができることは光の回シ込みにより生じるＯ
ＦＦ 時の光伝達率をほぼ１０＃にすることができる。
ドで成形するため製法が容易であシ、コストも約１／２
に低減できる。また発光・受光素子を１枚のリードフレ
ーム上にマウント・ボンディングして製造することもコ
スト低減に大きく寄与する。また透光性樹脂部を非常に
小さくすることができるため全体の体積を約１／２〜約
１／３以下に小さくできる。また透光性樹脂を完全に切
シ離すことができることは光の回シ込みにより生じるＯ
ＦＦ 時の光伝達率をほぼ１０＃にすることができる。
またリード寸法についてはＤＩＰ型ＩＣの標準寸法２．
■ヒツチとすることができるため実装上有利でありＩＣ
と同様の自動実装機を使うことも可能である。またリー
ドの形状も平面実装も可能なフラットリードとするとと
も容易である。
■ヒツチとすることができるため実装上有利でありＩＣ
と同様の自動実装機を使うことも可能である。またリー
ドの形状も平面実装も可能なフラットリードとするとと
も容易である。
さらに封止樹脂としてエポキシを使用しているため実装
時の耐熱性も２３０℃以上が得られ、耐溶剤性もＩＣ並
となυ実装上非常にメリットが有る。
時の耐熱性も２３０℃以上が得られ、耐溶剤性もＩＣ並
となυ実装上非常にメリットが有る。
以上述べた通り、本発明は従来のインタラプタの欠点を
ことごとく解決する効果が得られた。
ことごとく解決する効果が得られた。
第１図は本発明第１の実施例の縦断面図、第２図は本発
明第１の実施例の横断面図、第３図は本発明第２の実施
例の縦断面図、第４図は従来のインタラプタの縦断面図
、第５図は従来のインタラプタの縦断面図である。 １．１２・・・・・・発光素子、２・・・・・・発光素
子マウントリード、３・・・・・・金細線、４・・・・
・・発光素子ボンディングＩＪ−ド、５・・・・・・受
光素子、６・・・・・・受光素子マウントリード、７・
・・・・・金細線、８・・・・・・受光素子ボンディン
グリード、９．１４・・・・・・透光性樹脂、１０．１
５・・・・・・不透光性樹脂、１１，１６・・・・・・
空間、１３・・・・・・受光ＩＣ，４１，４６・・・・
・・発光素子、４４．４７・・・・・・受光素子、４２
．４５・・・・・・透光性樹脂、４３・・・・・・ケー
ス。
明第１の実施例の横断面図、第３図は本発明第２の実施
例の縦断面図、第４図は従来のインタラプタの縦断面図
、第５図は従来のインタラプタの縦断面図である。 １．１２・・・・・・発光素子、２・・・・・・発光素
子マウントリード、３・・・・・・金細線、４・・・・
・・発光素子ボンディングＩＪ−ド、５・・・・・・受
光素子、６・・・・・・受光素子マウントリード、７・
・・・・・金細線、８・・・・・・受光素子ボンディン
グリード、９．１４・・・・・・透光性樹脂、１０．１
５・・・・・・不透光性樹脂、１１，１６・・・・・・
空間、１３・・・・・・受光ＩＣ，４１，４６・・・・
・・発光素子、４４．４７・・・・・・受光素子、４２
．４５・・・・・・透光性樹脂、４３・・・・・・ケー
ス。
Claims (1)
- 発光素子と、受光素子と、該発光素子と該受光素子とを
封止する透光性樹脂と、該透光性樹脂をおおう不透光性
樹脂とから成るインタラプタにおいて、遮へい板が入る
空間を研削により形成したことを特徴とするインタラプ
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213154A JPS6367789A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | インタラプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213154A JPS6367789A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | インタラプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367789A true JPS6367789A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16634458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213154A Pending JPS6367789A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | インタラプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108653U (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61213154A patent/JPS6367789A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108653U (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7666715B2 (en) | Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for the production thereof | |
| KR101374898B1 (ko) | 계면 분리를 줄인 ｌｅｄ 패키지 | |
| US9209338B2 (en) | Optical device with through-hole cavity | |
| JPH08102553A (ja) | 素子封止型発光デバイス | |
| JPH0730154A (ja) | 光半導体素子及び光半導体チップ組込品 | |
| JPS6367789A (ja) | インタラプタ | |
| JP3638328B2 (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
| JP3809969B2 (ja) | 赤外線送受信モジュールの構造 | |
| JP2013065717A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TW561564B (en) | Flip-chip like light emitting device package | |
| JPS5734375A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS5998564A (ja) | フオトセンサおよびその製造方法 | |
| KR101103336B1 (ko) | 광소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JPS54100678A (en) | Photo coupler | |
| JPS6312181A (ja) | 樹脂封止型半導体光結合装置 | |
| KR20080054083A (ko) | 전면 발광형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPS62290185A (ja) | フオトカプラ | |
| JPS62102548A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6353984A (ja) | フオトカプラパツケ−ジ | |
| JP2004047790A (ja) | 受発光素子及びその製造方法 | |
| JPS6041735Y2 (ja) | 半導体光センサ | |
| JPS60241278A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS59195882A (ja) | インタラプタ | |
| JPS6353983A (ja) | フオトカプラの製法 | |
| JPH057873B2 (ja) |