JPH057761Y2 - - Google Patents
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- JPH057761Y2 JPH057761Y2 JP1985090163U JP9016385U JPH057761Y2 JP H057761 Y2 JPH057761 Y2 JP H057761Y2 JP 1985090163 U JP1985090163 U JP 1985090163U JP 9016385 U JP9016385 U JP 9016385U JP H057761 Y2 JPH057761 Y2 JP H057761Y2
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- JP
- Japan
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- electrode
- terminal
- isolator
- circulator
- insulating substrate
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- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、マイクロ波帯で非可逆回路素子とし
て動作するアイソレータに係り、とくに直流バイ
アス端子を具備したアイソレータに関する。
て動作するアイソレータに係り、とくに直流バイ
アス端子を具備したアイソレータに関する。
（従来の技術）
一般にアイソレータとしては、サーキユレータ
の３端子のうちの１端子を無反射終端器で終端し
たものが知られている。
の３端子のうちの１端子を無反射終端器で終端し
たものが知られている。
第５図は従来のこの種のアイソレータの外観を
示し、第６図に回路図を示す。これらの図から明
らかなように、外装ケース１内に内蔵されたサー
キユレータ部２の３端子のうちの２端子３Ａ，３
Ｂはケース外に引き出され、１端子３Ｃは外装ケ
ース内部において終端抵抗Ｒ１で終端されてい
る。
示し、第６図に回路図を示す。これらの図から明
らかなように、外装ケース１内に内蔵されたサー
キユレータ部２の３端子のうちの２端子３Ａ，３
Ｂはケース外に引き出され、１端子３Ｃは外装ケ
ース内部において終端抵抗Ｒ１で終端されてい
る。
（考案が解決しようとする問題点）
ところで、衛星放送用ローノイズアンプ（周波
数3.7GHz乃至4.2GHz）において使用するアイソ
レータでは、終端される側の端子に直流バイアス
を印加することによつて、さらに一層のローノイ
ズ化を図ることが検討されている。
数3.7GHz乃至4.2GHz）において使用するアイソ
レータでは、終端される側の端子に直流バイアス
を印加することによつて、さらに一層のローノイ
ズ化を図ることが検討されている。
しかし、第５図及び第６図に示した従来の構成
では、終端されるサーキユレータ部の端子が外部
に引き出されていないので、そのままでは直流バ
イアスをかけることは出来ない。また、単にサー
キユレータ部の端子に導線を接続したのでは、ア
イソレータ特性にかえつて悪影響を及ぼしかねな
い問題があつた。
では、終端されるサーキユレータ部の端子が外部
に引き出されていないので、そのままでは直流バ
イアスをかけることは出来ない。また、単にサー
キユレータ部の端子に導線を接続したのでは、ア
イソレータ特性にかえつて悪影響を及ぼしかねな
い問題があつた。
（問題点を解決するための手段）
本考案は、上記の点に鑑み、アイソレータ特性
に悪影響を及ぼすことなくローノイズ化のための
直流バイアス端子を引き出したアイソレータを提
供しようとするものである。
に悪影響を及ぼすことなくローノイズ化のための
直流バイアス端子を引き出したアイソレータを提
供しようとするものである。
本考案は、サーキユレータ部の３端子のうちの
１端子を直流阻止用コンデンサを介して終端抵抗
に接続し、前記１端子側より直流バイアス端子を
引き出す構成において、 絶縁基板の主面の両端部に第１及び第２の電極
を形成しかつ両電極間に抵抗膜を形成して抵抗素
子を構成し、前記絶縁基板をはさんで前記第２の
電極に対向する如く前記主面の反対面に第３の電
極を形成して高周波バイパス用コンデンサを構成
し、前記絶縁基板を前記第３の電極部分にて導体
スペーサを介し前記サーキユレータ部の接地側導
体部に固定しかつ前記第３の電極を前記接地側導
体部に電気的に接続し、前記第１の電極に前記サ
ーキユレータ部の１端子を接続し、前記第２の電
極に直流バイアス端子を接続することにより、上
記問題点を解決している。
１端子を直流阻止用コンデンサを介して終端抵抗
に接続し、前記１端子側より直流バイアス端子を
引き出す構成において、 絶縁基板の主面の両端部に第１及び第２の電極
を形成しかつ両電極間に抵抗膜を形成して抵抗素
子を構成し、前記絶縁基板をはさんで前記第２の
電極に対向する如く前記主面の反対面に第３の電
極を形成して高周波バイパス用コンデンサを構成
し、前記絶縁基板を前記第３の電極部分にて導体
スペーサを介し前記サーキユレータ部の接地側導
体部に固定しかつ前記第３の電極を前記接地側導
体部に電気的に接続し、前記第１の電極に前記サ
ーキユレータ部の１端子を接続し、前記第２の電
極に直流バイアス端子を接続することにより、上
記問題点を解決している。
（作用）
本考案では、サーキユレータ部の終端される端
子よりインピーダンス素子としての抵抗素子を通
して直流バイアス端子を引き出しているが、イン
ピーダンス素子を通る直流電流はごく小さいので
インピーダンス素子のインピーダンスを終端抵抗
よりもかなり大きく設定することが出来る。この
結果、インピーダンス素子を通る高周波電流を少
なくでき、さらに直流バイアス端子をコンデンサ
で接地側にバイパスしているので直流バイアス端
子に誘起される高周波電圧を実質的に零にでき、
アイソレータ特性への影響を最小限にとどめるこ
とができる。
子よりインピーダンス素子としての抵抗素子を通
して直流バイアス端子を引き出しているが、イン
ピーダンス素子を通る直流電流はごく小さいので
インピーダンス素子のインピーダンスを終端抵抗
よりもかなり大きく設定することが出来る。この
結果、インピーダンス素子を通る高周波電流を少
なくでき、さらに直流バイアス端子をコンデンサ
で接地側にバイパスしているので直流バイアス端
子に誘起される高周波電圧を実質的に零にでき、
アイソレータ特性への影響を最小限にとどめるこ
とができる。
（実施例）
以下、本考案に係るアイソレータの実施例を図
面に従つて説明する。
面に従つて説明する。
第１図及び第２図は本考案の実施例の主要部の
構成を、第３図は実施例の外観を、第４図は実施
例の等価回路をそれぞれ示す。
構成を、第３図は実施例の外観を、第４図は実施
例の等価回路をそれぞれ示す。
これらの図において、接地側導体部としてのシ
ールドケース１０上には第４図に示すサーキユレ
ータ部２の構成が設けられており、このサーキユ
レータ部２の２端子となるストリツプライン１４
Ａ，１４Ｂはシールドケース１０上に設けられ、
また第３図に示すように外装ケース１より突出し
た入力端子１２Ａ及び出力端子１２Ｂにそれぞれ
接続されている。前記サーキユレータ部２の残り
の１端子となるストリツプライン１４Ｃは、第４
図の直流阻止用コンデンサＣ１及び終端抵抗R1
を内蔵した無反射終端器１３に接続されている。
ールドケース１０上には第４図に示すサーキユレ
ータ部２の構成が設けられており、このサーキユ
レータ部２の２端子となるストリツプライン１４
Ａ，１４Ｂはシールドケース１０上に設けられ、
また第３図に示すように外装ケース１より突出し
た入力端子１２Ａ及び出力端子１２Ｂにそれぞれ
接続されている。前記サーキユレータ部２の残り
の１端子となるストリツプライン１４Ｃは、第４
図の直流阻止用コンデンサＣ１及び終端抵抗R1
を内蔵した無反射終端器１３に接続されている。
一方、絶縁基板としてのアルミナ基板１５の上
面には一対の銀電極１６Ａ，１６Ｂが厚膜印刷等
で形成され、かつ両電極１６Ａ，１６Ｂ間に厚膜
印刷等で抵抗膜１７が形成され、これにより抵抗
素子Ｒ２が構成される。また、第２図のようにア
ルミナ基板１５をはさんで前記銀電極１６Ｂと対
向するように基板裏面に銀電極１６Ｃが厚膜印刷
等で形成され、両電極１６Ｂ，１６Ｃ間に高周波
バイパス用コンデンサＣ２が構成される。
面には一対の銀電極１６Ａ，１６Ｂが厚膜印刷等
で形成され、かつ両電極１６Ａ，１６Ｂ間に厚膜
印刷等で抵抗膜１７が形成され、これにより抵抗
素子Ｒ２が構成される。また、第２図のようにア
ルミナ基板１５をはさんで前記銀電極１６Ｂと対
向するように基板裏面に銀電極１６Ｃが厚膜印刷
等で形成され、両電極１６Ｂ，１６Ｃ間に高周波
バイパス用コンデンサＣ２が構成される。
そして、アルミナ基板裏側の銀電極１６Ｃは銅
板等の導体スペーサ１８を介してシールドケース
１０に接続固定される。銀電極１６Ｃとスペーサ
１８との接続ははんだ付け等で、スペーサ１８の
シールドケース１０への固定は例えばアルゼライ
ト（商標）で接着することにより可能である。
板等の導体スペーサ１８を介してシールドケース
１０に接続固定される。銀電極１６Ｃとスペーサ
１８との接続ははんだ付け等で、スペーサ１８の
シールドケース１０への固定は例えばアルゼライ
ト（商標）で接着することにより可能である。
この結果、前記銀電極１６Ｃはシールドケース
１０に電気的に接続される。また、導体スペーサ
１８をアルミナ基板１５に形成された銀電極１６
Ｃとシールドケース１０との間に介在させること
はストリツプライン１４Ｃ接続側の銀電極１６Ａ
とシールドケース１０間に空隙を設けて銀電極１
６Ａとシールドケース１０間の無用な浮遊静電容
量を少なくできる効果がある。
１０に電気的に接続される。また、導体スペーサ
１８をアルミナ基板１５に形成された銀電極１６
Ｃとシールドケース１０との間に介在させること
はストリツプライン１４Ｃ接続側の銀電極１６Ａ
とシールドケース１０間に空隙を設けて銀電極１
６Ａとシールドケース１０間の無用な浮遊静電容
量を少なくできる効果がある。
シールドケース１０上に設置されたアルミナ基
板１５の銀電極１６Ａには前記無反射終端器１３
に接続されたストリツプライン１４Ｃがはんだ等
で接続され、銀電極１６Ｂには外装ケース１より
引き出される直流バイアス端子２０がはんだ等で
接続される。
板１５の銀電極１６Ａには前記無反射終端器１３
に接続されたストリツプライン１４Ｃがはんだ等
で接続され、銀電極１６Ｂには外装ケース１より
引き出される直流バイアス端子２０がはんだ等で
接続される。
衛星放送用ローノイズアンプのように周波数
3.7GHz乃至4.2GHzにおいて使用する場合、上記
実施例では、前記直流阻止用コンデンサＣ１は
3pF位、終端抵抗Ｒ１は50Ω、高周波バイパス用
コンデンサＣ２は2pF位、抵抗素子Ｒ２は800乃
至1.5kΩとした。ただし、抵抗素子Ｒ２は、アイ
ソレータ取り付け側の増幅器の入力インピーダン
スが数MΩあるので、その増幅器の入力インピー
ダンスに影響を与えず、使用周波数において高周
波バイパスコンデンサＣ２のインピーダンスに比
べて大きければよい。直流バイアス端子２０に印
加する直流電圧は0.5V程度であり、直流電流は
数mA以下であるから、電池等の電源から容易に
得ることができる。
3.7GHz乃至4.2GHzにおいて使用する場合、上記
実施例では、前記直流阻止用コンデンサＣ１は
3pF位、終端抵抗Ｒ１は50Ω、高周波バイパス用
コンデンサＣ２は2pF位、抵抗素子Ｒ２は800乃
至1.5kΩとした。ただし、抵抗素子Ｒ２は、アイ
ソレータ取り付け側の増幅器の入力インピーダン
スが数MΩあるので、その増幅器の入力インピー
ダンスに影響を与えず、使用周波数において高周
波バイパスコンデンサＣ２のインピーダンスに比
べて大きければよい。直流バイアス端子２０に印
加する直流電圧は0.5V程度であり、直流電流は
数mA以下であるから、電池等の電源から容易に
得ることができる。
上記実施例の構成によれば、サーキユレータ部
２の終端される端子よりインピーダンス素子とし
ての抵抗素子Ｒ２を通して直流バイアス端子２０
を引き出しているが、抵抗素子Ｒ２を通る直流電
流はごく小さいので抵抗素子Ｒ２のインピーダン
スを終端抵抗Ｒ１よりもかなり大きく設定するこ
とが出来る。この結果、抵抗素子Ｒ２を通る高周
波電流を少なくでき、さらに直流バイアス端子２
０をコンデンサＣ２で接地側にバイパスしている
ので直流バイアス端子２０に誘起される高周波電
圧を実質的に零にできる。すなわち、アイソレー
タ特性への影響を最小限にすることができる。
２の終端される端子よりインピーダンス素子とし
ての抵抗素子Ｒ２を通して直流バイアス端子２０
を引き出しているが、抵抗素子Ｒ２を通る直流電
流はごく小さいので抵抗素子Ｒ２のインピーダン
スを終端抵抗Ｒ１よりもかなり大きく設定するこ
とが出来る。この結果、抵抗素子Ｒ２を通る高周
波電流を少なくでき、さらに直流バイアス端子２
０をコンデンサＣ２で接地側にバイパスしている
ので直流バイアス端子２０に誘起される高周波電
圧を実質的に零にできる。すなわち、アイソレー
タ特性への影響を最小限にすることができる。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案のアイソレータ
は、サーキユレータ部の３端子のうちの１端子を
直流阻止用コンデンサを介して終端抵抗に接続
し、前記１端子側より直流バイアス端子を引き出
す構成において、絶縁基板の主面の両端部に第１
及び第２の電極を形成しかつ両電極間に抵抗膜を
形成して抵抗素子を構成し、前記絶縁基板をはさ
んで前記第２の電極に対向する如く前記主面の反
対面に第３の電極を形成して高周波バイパス用コ
ンデンサを構成し、前記絶縁基板を前記第３の電
極部分にて導体スペーサを介し接地側導体部に接
続固定し、前記１端子より前記抵抗素子を通して
直流バイアス端子を引き出すとともに、該直流バ
イアス端子と前記サーキユレータ部の接地側導体
部との間に前記高周波バイパス用コンデンサを設
けたので、アイソレータ特性に悪影響を及ぼすこ
となく直流バイアス端子を引き出すことができ
る。そして、その直流バイアス端子に直流バイア
スを印加することにより、ローノイズ化を図るこ
とができる。また、抵抗素子及び高周波バイパス
用コンデンサはチツプ状の絶縁基板上に小型に構
成できる。また、前記導体スペーサを前記絶縁基
板に形成された第３の電極と接地側導体部との間
に介在させてストリツプライン接続側の第１の電
極と接地側導体部間に空隙を設けて第１の電極と
接地側導体部間の無用な浮遊静電容量を少なくで
きる。
は、サーキユレータ部の３端子のうちの１端子を
直流阻止用コンデンサを介して終端抵抗に接続
し、前記１端子側より直流バイアス端子を引き出
す構成において、絶縁基板の主面の両端部に第１
及び第２の電極を形成しかつ両電極間に抵抗膜を
形成して抵抗素子を構成し、前記絶縁基板をはさ
んで前記第２の電極に対向する如く前記主面の反
対面に第３の電極を形成して高周波バイパス用コ
ンデンサを構成し、前記絶縁基板を前記第３の電
極部分にて導体スペーサを介し接地側導体部に接
続固定し、前記１端子より前記抵抗素子を通して
直流バイアス端子を引き出すとともに、該直流バ
イアス端子と前記サーキユレータ部の接地側導体
部との間に前記高周波バイパス用コンデンサを設
けたので、アイソレータ特性に悪影響を及ぼすこ
となく直流バイアス端子を引き出すことができ
る。そして、その直流バイアス端子に直流バイア
スを印加することにより、ローノイズ化を図るこ
とができる。また、抵抗素子及び高周波バイパス
用コンデンサはチツプ状の絶縁基板上に小型に構
成できる。また、前記導体スペーサを前記絶縁基
板に形成された第３の電極と接地側導体部との間
に介在させてストリツプライン接続側の第１の電
極と接地側導体部間に空隙を設けて第１の電極と
接地側導体部間の無用な浮遊静電容量を少なくで
きる。
第１図は本考案に係るアイソレータの実施例の
要部構造を示す斜視図、第２図は同拡大正面図、
第３図は実施例の外観を示す斜視図、第４図は同
等価回路図、第５図は従来のアイソレータの外観
を示す斜視図、第６図は同等価回路図である。 １……外装ケース、２……サーキユレータ部、
１０……シールドケース、１３……無反射終端
器、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ……ストリツプライ
ン、１５……アルミナ基板、１７……抵抗膜、２
０……直流バイアス端子、２１……チツプ抵抗
器、Ｃ１……直流阻止用コンデンサ、Ｃ２……高
周波バイパスコンデンサ、Ｒ２……抵抗素子。
要部構造を示す斜視図、第２図は同拡大正面図、
第３図は実施例の外観を示す斜視図、第４図は同
等価回路図、第５図は従来のアイソレータの外観
を示す斜視図、第６図は同等価回路図である。 １……外装ケース、２……サーキユレータ部、
１０……シールドケース、１３……無反射終端
器、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ……ストリツプライ
ン、１５……アルミナ基板、１７……抵抗膜、２
０……直流バイアス端子、２１……チツプ抵抗
器、Ｃ１……直流阻止用コンデンサ、Ｃ２……高
周波バイパスコンデンサ、Ｒ２……抵抗素子。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 サーキユレータ部の３端子のうちの１端子を直
流阻止用コンデンサを介して終端抵抗に接続し、
前記１端子側より直流バイアス端子を引き出すア
イソレータにおいて、 絶縁基板の主面の両端部に第１及び第２の電極
を形成しかつ両電極間に抵抗膜を形成して抵抗素
子を構成し、前記絶縁基板をはさんで前記第２の
電極に対向する如く前記主面の反対面に第３の電
極を形成して高周波バイパス用コンデンサを構成
し、前記絶縁基板を前記第３の電極部分にて導体
スペーサを介し前記サーキユレータ部の接地側導
体部に固定しかつ前記第３の電極を前記接地側導
体部に電気的に接続し、前記第１の電極に前記サ
ーキユレータ部の１端子を接続し、前記第２の電
極に直流バイアス端子を接続することを特徴とす
るアイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985090163U JPH057761Y2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985090163U JPH057761Y2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621404U JPS621404U (ja) | 1987-01-07 |
| JPH057761Y2 true JPH057761Y2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=30644912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985090163U Expired - Lifetime JPH057761Y2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH057761Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236956A (en) * | 1975-09-18 | 1977-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | Circulator type isolator |
| JPS55123221A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Hitachi Metals Ltd | Lumped constant type isolator |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5876202U (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-23 | 株式会社東芝 | マイクロストリツプラインサ−キユレ−タ |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP1985090163U patent/JPH057761Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236956A (en) * | 1975-09-18 | 1977-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | Circulator type isolator |
| JPS55123221A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Hitachi Metals Ltd | Lumped constant type isolator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621404U (ja) | 1987-01-07 |
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