JPH0576028B2 - - Google Patents
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- JPH0576028B2 JPH0576028B2 JP58009922A JP992283A JPH0576028B2 JP H0576028 B2 JPH0576028 B2 JP H0576028B2 JP 58009922 A JP58009922 A JP 58009922A JP 992283 A JP992283 A JP 992283A JP H0576028 B2 JPH0576028 B2 JP H0576028B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/043—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material with means for controlling illumination or exposure
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は画像形成装置に係り、さらに詳しくは
光ビーム走査型画像形成装置に関するものであ
る。
光ビーム走査型画像形成装置に関するものであ
る。
従来技術
レーザビームプリンタ等の光ビーム走査型画像
形成装置においては、安定した良質の画像を得る
ためにレーザビーム等のオン、オフによりそれぞ
れ感光体上に明部電位、暗部電位を形成し、それ
ぞれの電位をセンサで検出し、検出値に応じてレ
ーザビーム等の出力あるいは帯電器の高圧出力を
制御し、目標の明部電位あるいは暗部電位に収束
させる方法がとられている。
形成装置においては、安定した良質の画像を得る
ためにレーザビーム等のオン、オフによりそれぞ
れ感光体上に明部電位、暗部電位を形成し、それ
ぞれの電位をセンサで検出し、検出値に応じてレ
ーザビーム等の出力あるいは帯電器の高圧出力を
制御し、目標の明部電位あるいは暗部電位に収束
させる方法がとられている。
このような表面電位の制御方法を採用すると次
に述べるような問題点があつた。
に述べるような問題点があつた。
すなわち、上記の表面電位の制御後、実際に画
像出力を与えた場合最適のレーザ光強度、あるい
はパルス幅（以下レーザ光強度等と言う）および
帯電条件と異なる場合があつた。
像出力を与えた場合最適のレーザ光強度、あるい
はパルス幅（以下レーザ光強度等と言う）および
帯電条件と異なる場合があつた。
この現象を第１図および第２図を用いて説明す
る。
る。
第１図Ａは、感光体の非現像部（背景部）をレ
ーザビームにより走査露光するバツクグラウンド
スキヤン方式において、斜線で示したレーザーオ
ンとレーザーオフの間隔を変化させて感光体面を
走査露光する際のレーザ光強度分布を示してい
る。
ーザビームにより走査露光するバツクグラウンド
スキヤン方式において、斜線で示したレーザーオ
ンとレーザーオフの間隔を変化させて感光体面を
走査露光する際のレーザ光強度分布を示してい
る。
また、第１図Ｂには第１図Ａに示したレーザ光
強度分布の感光体面に対応する静電潜像コントラ
ストを現わしている。
強度分布の感光体面に対応する静電潜像コントラ
ストを現わしている。
この第１図Ｂに示すようにドツト密度あるいは
線密度（以下ドツト密度と言う）が大きくなると
潜像電位のコントラストが低下する。
線密度（以下ドツト密度と言う）が大きくなると
潜像電位のコントラストが低下する。
一方、第２図はドツト密度に対する画像濃度の
関係を示すものである。第２図に示す様に、バツ
クグラウンド露光の場合、ビームスポツトの密
度、即ちドツト密度の増加に伴なつて濃度が低下
する。図において、符号Ａで示す実線の曲線はレ
ーザ光の出力が適正値に対して過大の4.5mWの
場合で、曲線Ｂはレーザ光の出力が適正な3mW
の場合である。両者の帯電条件は一定である。
関係を示すものである。第２図に示す様に、バツ
クグラウンド露光の場合、ビームスポツトの密
度、即ちドツト密度の増加に伴なつて濃度が低下
する。図において、符号Ａで示す実線の曲線はレ
ーザ光の出力が適正値に対して過大の4.5mWの
場合で、曲線Ｂはレーザ光の出力が適正な3mW
の場合である。両者の帯電条件は一定である。
第２図に示す様にレーザ光の出力が過大となる
と、ドツト密度がある値から濃度が飽和する現象
が起きる。これは、レーザ光の強度はスポツト中
心を最大値とするガウス分布を持つが、スポツト
の密度が高い場合、スポツト間がつながつてしま
うことがある。特にレーザ強度が高い場合にはス
ポツト間に黒ドツトが表れなくなつてしまう為で
ある。
と、ドツト密度がある値から濃度が飽和する現象
が起きる。これは、レーザ光の強度はスポツト中
心を最大値とするガウス分布を持つが、スポツト
の密度が高い場合、スポツト間がつながつてしま
うことがある。特にレーザ強度が高い場合にはス
ポツト間に黒ドツトが表れなくなつてしまう為で
ある。
また、第３図に示す様に、レーザ光量が大とな
るとレーザ光量と表面電位との関係も飽和してし
まう。
るとレーザ光量と表面電位との関係も飽和してし
まう。
従つて、例えば面積階調法により、４×４のマ
トリクスで０／16〜16／16の17段階の階調が表現
できたとしても、レーザ光の強度が高過ぎる為
に、０／16〜12／16程度しか表現できないことに
なる。
トリクスで０／16〜16／16の17段階の階調が表現
できたとしても、レーザ光の強度が高過ぎる為
に、０／16〜12／16程度しか表現できないことに
なる。
しかし、前述のごとき従来の電位制御方法では
明部と暗部の電位に基づいて制御を行つているの
で、中間濃度に影響を与えるレーザ光強度を正確
に制御することは困難であつた。
明部と暗部の電位に基づいて制御を行つているの
で、中間濃度に影響を与えるレーザ光強度を正確
に制御することは困難であつた。
目 的
本発明は、以上のような従来の欠点を除去する
もので、感光体に対するレーザ光照射を適切に制
御することにより、画像の鮮鋭度および中間調の
再現性を向上させ、良好な画質を得られる画像形
成装置を提供することを目的とする。
もので、感光体に対するレーザ光照射を適切に制
御することにより、画像の鮮鋭度および中間調の
再現性を向上させ、良好な画質を得られる画像形
成装置を提供することを目的とする。
実施例
以下、図面に示す実施例に基いて本発明の詳細
を説明する。
を説明する。
第４図Ａは本発明の電位制御に用いる潜像パタ
ーンを説明するもので、電位制御時、装置に内蔵
されているパターンジエネレータにより感光ドラ
ムの回転方向に斜線で示す中間調部分Ａと白地部
Ｂの繰返しのパターンが形成される。ＡおよびＢ
の部分の幅は、たとえば60mm程度である。
ーンを説明するもので、電位制御時、装置に内蔵
されているパターンジエネレータにより感光ドラ
ムの回転方向に斜線で示す中間調部分Ａと白地部
Ｂの繰返しのパターンが形成される。ＡおよびＢ
の部分の幅は、たとえば60mm程度である。
一方、第４図Ｂ〜Ｄは中間調部分Ａを構成する
それぞれ４×４のドツトマトリツクスからなる微
小面積のドツトパターンの一部を示すもので、Ｂ
はレーザビームの走査中レーザ出力をオン（符号
Ｌで示す）オフ（符号Ｄで示す）して格子状パタ
ーンを形成したもので、ドツト密度は、たとえば
16ドツト／mmである。Ｄ部は暗部電位、Ｌ部は明
部電位に相当する。
それぞれ４×４のドツトマトリツクスからなる微
小面積のドツトパターンの一部を示すもので、Ｂ
はレーザビームの走査中レーザ出力をオン（符号
Ｌで示す）オフ（符号Ｄで示す）して格子状パタ
ーンを形成したもので、ドツト密度は、たとえば
16ドツト／mmである。Ｄ部は暗部電位、Ｌ部は明
部電位に相当する。
また第４図Ｃは第４図Ｂに示したレーザ出力オ
フの代わりにレーザ出力を弱くして出力させたも
ので、その部分を符号Ｈで示し、レーザ出力オン
の部分を符号Ｌで示してある。Ｈの部分は前述し
たＤ，Ｌの部分の中間の電位である。
フの代わりにレーザ出力を弱くして出力させたも
ので、その部分を符号Ｈで示し、レーザ出力オン
の部分を符号Ｌで示してある。Ｈの部分は前述し
たＤ，Ｌの部分の中間の電位である。
また、第４図Ｄは第４図Ｂに示したレーザ出力
オフのパルス幅を1/2としたもので、オフの部分
を符号Ｄで示し、オンの部分を符号Ｌで示してあ
る。
オフのパルス幅を1/2としたもので、オフの部分
を符号Ｄで示し、オンの部分を符号Ｌで示してあ
る。
第４図Ｂ〜Ｄいずれのパターンも現像後は中間
調濃度を現わす。
調濃度を現わす。
なお第４図Ｂ〜Ｄはドツト配置の幾つかの例を
示したもので、もちろん他の多くの変形例が考え
られる。特にデイザ法を用いた場合には中間調部
分Ａのドツトパターンはドツト配置、ドツト面積
率、ドツト１個の電位等数々の設定が行なわれ
る。
示したもので、もちろん他の多くの変形例が考え
られる。特にデイザ法を用いた場合には中間調部
分Ａのドツトパターンはドツト配置、ドツト面積
率、ドツト１個の電位等数々の設定が行なわれ
る。
一方、第５図は本発明を適用する複写装置の一
実施例を示す。
実施例を示す。
図において符号１で示すものはレーザ制御ユニ
ツトで、これに入力された電気信号は変調された
レーザ光として出力され、走査ミラー２とｆ−θ
レンズ３により感光ドラム４の長手方向に沿つて
走査する。感光ドラム４は図中時計方向に回転し
レーザビームを２次元的に走査することを可能と
している。
ツトで、これに入力された電気信号は変調された
レーザ光として出力され、走査ミラー２とｆ−θ
レンズ３により感光ドラム４の長手方向に沿つて
走査する。感光ドラム４は図中時計方向に回転し
レーザビームを２次元的に走査することを可能と
している。
感光ドラム４は有機光導電体を用い、AC除電
器５により感光体表面の電位を均一化した後、帯
電器６により（−）帯電を行ない、しかる後レー
ザ・ビーム露光を行なつて感光体に静電潜像を形
成する。
器５により感光体表面の電位を均一化した後、帯
電器６により（−）帯電を行ない、しかる後レー
ザ・ビーム露光を行なつて感光体に静電潜像を形
成する。
次に静電潜像は現像装置９によつて可視化さ
れ、転写帯電器１０によつて転写紙１１上に転写
され、定着器１２によつて定着される。転写され
ないで感光ドラム４上に残つたトナーはクリーナ
１３により補集される。
れ、転写帯電器１０によつて転写紙１１上に転写
され、定着器１２によつて定着される。転写され
ないで感光ドラム４上に残つたトナーはクリーナ
１３により補集される。
一方、表面電位計のプローブ１４はレーザビー
ム露光後の位置で感光ドラム４の表面に近接して
設けられており、表面電位制御時に感光ドラム４
上に形成される第４図に示したような潜像パター
ンの電位検出を行なう。
ム露光後の位置で感光ドラム４の表面に近接して
設けられており、表面電位制御時に感光ドラム４
上に形成される第４図に示したような潜像パター
ンの電位検出を行なう。
検出された電位はアナログ値であるため、これ
をデジタル信号に変換して電位制御用マイクロコ
ンピユータに入力し、その制御出力は再度アナロ
グ値に変換され、レーザ制御ユニツト１および高
圧制御ユニツト１５に入力され、レーザ光強度及
び帯電器６の帯電々流が制御される。
をデジタル信号に変換して電位制御用マイクロコ
ンピユータに入力し、その制御出力は再度アナロ
グ値に変換され、レーザ制御ユニツト１および高
圧制御ユニツト１５に入力され、レーザ光強度及
び帯電器６の帯電々流が制御される。
一方、第６図Ａ〜Ｃは本発明による電位検出を
説明するための模式図で、第６図Ａは第４図Ａに
示したＡの領域を露光するレーザ光強度分布を示
し、第６図Ｂは感光ドラムに対し、第６図Ａの分
布を有するレーザビーム露光を行なつた場合の潜
像パターンを示す。また、第６図Ｃは第６図Ｂに
示した潜像パターンをプローブ１４により相対的
に走査した場合の検出出力を示す。
説明するための模式図で、第６図Ａは第４図Ａに
示したＡの領域を露光するレーザ光強度分布を示
し、第６図Ｂは感光ドラムに対し、第６図Ａの分
布を有するレーザビーム露光を行なつた場合の潜
像パターンを示す。また、第６図Ｃは第６図Ｂに
示した潜像パターンをプローブ１４により相対的
に走査した場合の検出出力を示す。
第６図Ｃに示すようにプローブ１４は第６図Ｂ
の非露光部の電位を個々に検出せずに、非露光部
の電位を平均値あるいは平均値より小さい値の一
定値として検出する。
の非露光部の電位を個々に検出せずに、非露光部
の電位を平均値あるいは平均値より小さい値の一
定値として検出する。
例えば、広い面積のレーザ出力オフの部分およ
びオンの部分の電位がそれぞれ−750V，−170V
のとき、第４図Ｂのドツトパターンで、ドツト密
度を16ドツト／mmとした場合の検出平均電位は−
380Vである。
びオンの部分の電位がそれぞれ−750V，−170V
のとき、第４図Ｂのドツトパターンで、ドツト密
度を16ドツト／mmとした場合の検出平均電位は−
380Vである。
もちろん、この検出値の滑らかさは潜像パター
ンのドツト密度、プロープ１４の応答速度によつ
ても変り得るが、１ドツト／mm以下のドツト密度
であれば容易に潜像電位の略平均値の検出が可能
となるように表面電位計のプローブの応答速度を
調整することができる。
ンのドツト密度、プロープ１４の応答速度によつ
ても変り得るが、１ドツト／mm以下のドツト密度
であれば容易に潜像電位の略平均値の検出が可能
となるように表面電位計のプローブの応答速度を
調整することができる。
このようにしてプロープ１４は第４図Ａに示す
Ａ領域の略平均電位とＢ領域の露光部電位を交互
に測定し、その測定値は前述したように電位制御
用マイクロコンピユータに入力される。
Ａ領域の略平均電位とＢ領域の露光部電位を交互
に測定し、その測定値は前述したように電位制御
用マイクロコンピユータに入力される。
この電位制御用のマイクロコンピユータは電位
測定値が目標値に収束するように所定の制御式に
従つて演算を行なう。演算結果の信号はＤ／Ａコ
ンバータを通り、高圧制御ユニツト及びレーザ制
御ユニツト１内のレーザー出力制御回路に供給さ
れ、帯電器６の帯電電流及びレーザ光強度が制御
される。もちろん、レーザ光強度の制御に代え
て、レーザ出力をオンオフするパルス幅を制御し
ても良い。
測定値が目標値に収束するように所定の制御式に
従つて演算を行なう。演算結果の信号はＤ／Ａコ
ンバータを通り、高圧制御ユニツト及びレーザ制
御ユニツト１内のレーザー出力制御回路に供給さ
れ、帯電器６の帯電電流及びレーザ光強度が制御
される。もちろん、レーザ光強度の制御に代え
て、レーザ出力をオンオフするパルス幅を制御し
ても良い。
この制御は顕画像の露光に先立つて行なわれる
が、その制御動作を第７図のフローチヤート図に
従つて説明する。
が、その制御動作を第７図のフローチヤート図に
従つて説明する。
まず、電位制御がスタートすると、感光ドラム
４の前回転によりステツプS1において残留電位
のクリーニングが行なわれる。
４の前回転によりステツプS1において残留電位
のクリーニングが行なわれる。
続いてステツプS2に進み、初期値の帯電電流
及びレーザ光強度により、第４図Ａに示したよう
な静電潜像が感光ドラム上に形成され、プローブ
１４により第４図Ａに示すＡ領域の略平均電位
VAが測定され、続いてステツプS3においてＢ領
域である明部の電位VBを測定する。
及びレーザ光強度により、第４図Ａに示したよう
な静電潜像が感光ドラム上に形成され、プローブ
１４により第４図Ａに示すＡ領域の略平均電位
VAが測定され、続いてステツプS3においてＢ領
域である明部の電位VBを測定する。
続いてステツプS4に進み、測定された第１の
表面電位VA、および第２の表面電位VBと目標
値VAO，VBOとの差が許容値であるC1，C2内であ
るか否かが判定される。すなわち、｜VA−VAO｜
≦C1で、かつ｜VB−VBO｜≦C2であるか否かが判
定される。
表面電位VA、および第２の表面電位VBと目標
値VAO，VBOとの差が許容値であるC1，C2内であ
るか否かが判定される。すなわち、｜VA−VAO｜
≦C1で、かつ｜VB−VBO｜≦C2であるか否かが判
定される。
結果が否定判定である場合にはステツプS5に
進み、帯電器６の帯電電流I1を制御式ΔI1＝α1
ΔVA＋α2ΔVBに従つて制御し、続いてステツプ
S6において半導体レーザーの駆動電流I2を制御式
ΔI2＝β1ΔVA＋β2ΔVBに従つて制御する。そして
ステツプS2に戻り、以上の動作を繰り返す。
進み、帯電器６の帯電電流I1を制御式ΔI1＝α1
ΔVA＋α2ΔVBに従つて制御し、続いてステツプ
S6において半導体レーザーの駆動電流I2を制御式
ΔI2＝β1ΔVA＋β2ΔVBに従つて制御する。そして
ステツプS2に戻り、以上の動作を繰り返す。
また、ステツプS4において肯定判定となれば、
制御ループが完成し、電位制御動作は修了する。
制御ループが完成し、電位制御動作は修了する。
このようにしてVAとVBの表面電位を所定値に
定めるように帯電器６の帯電電流I1及び半導体レ
ーザの駆動電流I2が設定され、この設定されたI1
及びI2のもとでレーザビーム走査による原稿のプ
リント画像が得られる。
定めるように帯電器６の帯電電流I1及び半導体レ
ーザの駆動電流I2が設定され、この設定されたI1
及びI2のもとでレーザビーム走査による原稿のプ
リント画像が得られる。
なお、前述した制御式の係数α1，α2，β1，β2は
それぞれの関係式における関数の傾きを示す。
それぞれの関係式における関数の傾きを示す。
また、I1及びI2は所定電流に達したらそれ以上
は増加しないようにリミツター回路が働き、高圧
電源あるいは半導体レーザーを保護するように構
成されている。
は増加しないようにリミツター回路が働き、高圧
電源あるいは半導体レーザーを保護するように構
成されている。
以上のような構成のもとに、第４図ＡのＡ領域
（第４図Ｂのドツトパターンでドツト密度は16ド
ツト／mm）に対する電位制御目標値を−380VB
領域に対する電位制御目標値を−170Vにして電
位制御を行なつた。電位制御後のＡ領域及びＢ領
域の電位はほゞ目標値に収束した暗部（レーザオ
フ）の電位は−720V〜−800Vの範囲にばらつい
た。しかし、この暗部電位のばらつきは、現像後
の画像濃度にほとんど影響を与えなかつた。これ
は現像特性の高い電位で飽和する傾向があるため
である。
（第４図Ｂのドツトパターンでドツト密度は16ド
ツト／mm）に対する電位制御目標値を−380VB
領域に対する電位制御目標値を−170Vにして電
位制御を行なつた。電位制御後のＡ領域及びＢ領
域の電位はほゞ目標値に収束した暗部（レーザオ
フ）の電位は−720V〜−800Vの範囲にばらつい
た。しかし、この暗部電位のばらつきは、現像後
の画像濃度にほとんど影響を与えなかつた。これ
は現像特性の高い電位で飽和する傾向があるため
である。
これに対し、従来方法により明部、暗部の電位
制御目標値をそれぞれ−170V，−750Vとして電
位制御を行なつた。電位制御後のＡ領域（第４図
Ｂのドツトパターンでドツト密度16ドツト／mm）
の電位は−320V〜−400Vの範囲にばらついた。
そして、現像後の画像は鮮鋭度が低く、中間調の
再現性が悪かつた。また電位制御を行なつても一
定の中間調画像濃度が得られなかつた。尚、本実
施例では、感光体上の表面電位を検出したがこれ
に限られるものではない。例えば、現像後の画像
濃度を検出する様構成してもよい。
制御目標値をそれぞれ−170V，−750Vとして電
位制御を行なつた。電位制御後のＡ領域（第４図
Ｂのドツトパターンでドツト密度16ドツト／mm）
の電位は−320V〜−400Vの範囲にばらついた。
そして、現像後の画像は鮮鋭度が低く、中間調の
再現性が悪かつた。また電位制御を行なつても一
定の中間調画像濃度が得られなかつた。尚、本実
施例では、感光体上の表面電位を検出したがこれ
に限られるものではない。例えば、現像後の画像
濃度を検出する様構成してもよい。
効 果
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、感光体上の微小面積内の光ビームの照射、非
照射部分の比率に応じて中間濃度を表す画像形成
装置において、光ビームの照射、非照射部分が感
光体上に一様に混在する中間濃度部分の第１の表
面電位と、光ビームが照射された感光体の第２の
表面電位を検出し、第１、第２の表面電位の検出
出力に基づいて光ビームの光強度あるいは発光パ
ルス幅を制御する構成を採用しているので、階調
に大きな影響を与える中間濃度部分、明部部分の
表面電位を安定に保つことが可能となり、もつて
中間調の再現性を向上させ、良好な画質が得られ
るという優れた画像形成装置を提供することが可
能となる。
ば、感光体上の微小面積内の光ビームの照射、非
照射部分の比率に応じて中間濃度を表す画像形成
装置において、光ビームの照射、非照射部分が感
光体上に一様に混在する中間濃度部分の第１の表
面電位と、光ビームが照射された感光体の第２の
表面電位を検出し、第１、第２の表面電位の検出
出力に基づいて光ビームの光強度あるいは発光パ
ルス幅を制御する構成を採用しているので、階調
に大きな影響を与える中間濃度部分、明部部分の
表面電位を安定に保つことが可能となり、もつて
中間調の再現性を向上させ、良好な画質が得られ
るという優れた画像形成装置を提供することが可
能となる。
第１図Ａは走査距離とレーザビーム強度の関係
を示す線図、第１図Ｂは走査距離と電位コントラ
ストの関係を示す線図、第２図はドツト密度と画
像濃度との関係を示す線図、第３図はレーザ露光
量と感光ドラム表面電位の関係を示す線図、第４
図以下は本発明の一実施例を説明するもので、第
４図Ａは潜像パターンの説明図、第４図Ｂ〜Ｄは
中間調部分のドツト配置パターンの異なつた例を
示す説明図、第５図は本発明が適用される複写装
置の概略構成図、第６図Ａは走査距離とレーザビ
ーム強度との関係を示す線図、第６図Ｂは走査距
離と表面電位との関係を示す線図、第６図Ｃは走
査距離と潜像パターンの電位計プローブによる検
出出力との関係を示す線図、第７図は制御動作を
説明するフローチヤート図である。 １……レーザー制御ユニツト、４……感光ドラ
ム、５……AC除電器、６……帯電器、９……現
像装置、１０……転写帯電器、１１……転写紙、
１２……定着器、１４……電位計プローブ。
を示す線図、第１図Ｂは走査距離と電位コントラ
ストの関係を示す線図、第２図はドツト密度と画
像濃度との関係を示す線図、第３図はレーザ露光
量と感光ドラム表面電位の関係を示す線図、第４
図以下は本発明の一実施例を説明するもので、第
４図Ａは潜像パターンの説明図、第４図Ｂ〜Ｄは
中間調部分のドツト配置パターンの異なつた例を
示す説明図、第５図は本発明が適用される複写装
置の概略構成図、第６図Ａは走査距離とレーザビ
ーム強度との関係を示す線図、第６図Ｂは走査距
離と表面電位との関係を示す線図、第６図Ｃは走
査距離と潜像パターンの電位計プローブによる検
出出力との関係を示す線図、第７図は制御動作を
説明するフローチヤート図である。 １……レーザー制御ユニツト、４……感光ドラ
ム、５……AC除電器、６……帯電器、９……現
像装置、１０……転写帯電器、１１……転写紙、
１２……定着器、１４……電位計プローブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 感光体と、 前記感光体上に光ビームを照射する照射手段
と、 中間調画像の再現を可能とすべく、前記感光体
上の微小面積内の光ビームの照射、非照射部分の
比率に応じて中間濃度を表す画像信号を変調信号
として入力して前記照射手段を変調する変調手段
と、 前記感光体の表面電位を検出する検出手段と、 前記検出手段の出力に基づいて前記光ビームの
光強度あるいは発光パルス幅を制御する制御手段
を有し、 前記検出手段は光ビームの照射、非照射部分が
前記感光体上に一様に混在する中間濃度部分の第
１の表面電位と、光ビームが照射された感光体上
の明部部分の第２の表面電位を検出し、 前記制御手段は前記第１、第２の表面電位の検
出出力に基づいて前記光ビームの光強度あるいは
発光パルス幅を制御することを特徴とする画像形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009922A JPS59136754A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009922A JPS59136754A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136754A JPS59136754A (ja) | 1984-08-06 |
| JPH0576028B2 true JPH0576028B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=11733577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58009922A Granted JPS59136754A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59136754A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106250U (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | ||
| JPH043312Y2 (ja) * | 1985-12-25 | 1992-02-03 | ||
| JP2562019B2 (ja) * | 1986-12-10 | 1996-12-11 | キヤノン株式会社 | 画像記録装置 |
| JP2713578B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1998-02-16 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
| DE3807121A1 (de) * | 1988-03-04 | 1989-09-14 | Siemens Ag | Elektrofotografische druckeinrichtung mit geregeltem elektrofotografischen prozess |
| JP2685799B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1997-12-03 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
| JP3009179B2 (ja) * | 1990-04-16 | 2000-02-14 | 株式会社日立製作所 | 静電記録装置及び静電潜像測定装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106129A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Canon Inc | Recording electrostatic device |
| JPS55159468A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Toner concentration control method of developer in electrophotographic type recorder |
| JPS56164353A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Fuji Xerox Co Ltd | Image density detector of electrophotographic copying machine |
| JPS5859464A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-08 | Fujitsu Ltd | 静電型印刷装置の印字濃度制御方法 |
| JPS58115453A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 電子写真装置 |
-
1983
- 1983-01-26 JP JP58009922A patent/JPS59136754A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106129A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Canon Inc | Recording electrostatic device |
| JPS55159468A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Toner concentration control method of developer in electrophotographic type recorder |
| JPS56164353A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Fuji Xerox Co Ltd | Image density detector of electrophotographic copying machine |
| JPS5859464A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-08 | Fujitsu Ltd | 静電型印刷装置の印字濃度制御方法 |
| JPS58115453A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 電子写真装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59136754A (ja) | 1984-08-06 |
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