JPH0574827A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH0574827A
JPH0574827A JP23481791A JP23481791A JPH0574827A JP H0574827 A JPH0574827 A JP H0574827A JP 23481791 A JP23481791 A JP 23481791A JP 23481791 A JP23481791 A JP 23481791A JP H0574827 A JPH0574827 A JP H0574827A
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JP
Japan
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semiconductor device
mold
molding
air
porous metal
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JP23481791A
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English (en)
Inventor
Masamichi Fujimoto
雅通 藤本
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Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
Original Assignee
Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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    • B29C45/4005Ejector constructions; Ejector operating mechanisms
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    • B29C45/34Moulds having venting means
    • B29C45/345Moulds having venting means using a porous mould wall or a part thereof, e.g. made of sintered metal

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は半導体装置の製造装置に関し、熱硬
化性樹脂封止型半導体装置の樹脂モールド時に、未充
填、ボイド、ピンホール等の発生を防止可能とした半導
体装置の製造装置を実現することを目的とする。 【構成】 熱硬化性樹脂封止型半導体装置製造用のトラ
ンスファーモールド成型装置のモールド金型において、
上記モールド金型のエジェクトピン15,15′が、そ
の一部又は全部を多孔質金属で形成されて成るように構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関する。詳しくは熱硬化性樹脂封止型半導体装置の製造
工程に於いて、予熱したタブレットをプランジャーにて
圧力をかけ金型内に注入し、半導体チップを樹脂封止さ
せるトランスファー成型装置に関する。
【0002】トランスファー・モールド成型装置は、予
熱したタブレットをプランジャーによってモールド金型
内に注入させ、成形を行っているが、タブレットが成形
中に金型内及びポット内の空気を巻き込んでしまう為、
金型のエアベントでは抜け切れない空気が金型内に残
り、未充填、ピンホール、ボイド等のモールド・パッケ
ージ不良障害を引き起こし、またボイド、ピンホールに
よる捺印不良等の障害を起こしている。従ってこれら障
害の原因を除去することが必要となっている。
【0003】
【従来の技術】図4乃至図8は従来のトランスファー・
モールド成型装置を示す図であり、図4は全体図、図5
は金型の斜視図、図6は金型の合わせ面を示す図、図7
及び図8は金型チェイスを示す図である。
【0004】図4に示す装置において、1はモールドプ
レス、2はプレス制御部、3,4はモールド金型の上型
及び下型、5はトランスファーシリンダ、6はトランス
ファー部、7はプランジャーである。そしてモールド時
は下型4が上昇して上型に密着した状態となり、その状
態でプランジャー7が図示なきタブレットを押圧してキ
ャビティ内に注入するようになっている。
【0005】モールド金型3,4は図5の斜視図及び図
6の平面図に示すように、上型3にはプランジャー7で
押圧されるタブレット(円柱形の樹脂)8を収容するポ
ット9が設けられ、下型と対向する面には多数のキャビ
ティ10と、4本のガイドポスト11が設けられてい
る。また下型4には上型と対向する面にキャビティ10
とカル12とランナー13と4本のガイドポスト11′
が設けられており、該ガイドポスト11′と上型のガイ
ドポスト11とによって上下の型が位置合わせされるよ
うになっている。
【0006】上下のモールド金型3,4のチェイスは図
7及び図8に示すように、上型チェイス14(図7)に
は複数のキャビティ10と複数のエジェクトピン15が
設けられ、該エジェクトピン15はエジェクトピン突き
上げプレート16によってモールド品を押し出すことが
できるようになっている。また下型チェイス14′(図
8)には、ランナー13と、該ランナー13にゲート1
7を介して接続された複数のキャビティ10と、複数の
エジェクトピン15′が設けられ、該エジェクトピン1
5′はエジェクトピン突き上げプレート16′によって
モールド品を押し出すことができるようになっている。
また上下のモールド型のキャビティ10には、その3隅
にエアベント18が設けられている。
【0007】この装置により半導体装置をモールドする
ときは、図9に示すように、半導体チップをダイス付け
及びワイヤボンディングしたリードフレーム19を上型
3と下型4で挟み、ポット9の中の予熱されたタブレッ
ト8をプランジャー7で押圧して該タブレット8をラン
ナー13、ゲート17を経由してキャビティ10に注入
し、リードフレーム19を樹脂モールドするのである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のトランスフ
ァー・モールド成型装置による半導体装置のモールド工
程では、図9に示すように、プランジャー7にてタブレ
ット8を加圧注入する際、金型内の空気の大半はエアベ
ント18から抜けるものの、タブレット8に巻き込ま
れ、抜けきれなかった空気による未充填20、ボイド2
1、ピンホール等が発生する。これらはパッケージを不
良とすると共に、小さなものであっても表面にあれば捺
印不良等の障害となる。
【0009】本発明は、熱硬化性樹脂封止型半導体装置
の樹脂モールド時に、未充填、ボイド、ピンホール等の
発生を防止可能とした半導体装置の製造装置を実現しよ
うとする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置に於いては、熱硬化性樹脂封止型半導体装置製造
用のトランスファーモールド成型装置のモールド金型に
おいて、上記モールド金型のエジェクトピン15,1
5′が、その一部又は全部を多孔質金属で形成されてい
ることを特徴とする。また、それに加えて、上記エジェ
クトピン15,15′は、非多孔質金属で形成された金
属パイプ22の先端に円柱状の多孔質金属23が取付け
られていることを特徴とする。
【0011】また、それに加えて、上記エジェクトピン
15,15′に、キャビティ内のエア吸引用の真空配管
を接続したことを特徴とする。また、それに加えて、上
記エジェクトピン15,15′に成形後の製品にエアブ
ローを行う圧縮空気の配管を接続したことを特徴とす
る。この構成を採ることにより、熱硬化性樹脂封止型半
導体装置の樹脂モールド時に、未充填、ボイド、ピンホ
ール等の発生を防止可能とした半導体装置の製造装置が
得られる。
【0012】
【作用】本発明では、モールド金型のエジェクトピン1
5,15′の一部又は全部を多孔質金属で形成すること
によりキャビティ10内のエアを該多孔質のエジェクト
ピン15,15′を通して外部に逃がすことができ、未
充填、ボイド、ピンホール等の障害を防止することがで
きる。
【0013】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例の要部を示す図
であり、(a)及び(b)はモールド用金型の上型を示
し、(a)は断面図、(b)は(a)図のZの矢視図、
(c)及び(d)はモールド金型の下型を示し、(d)
は断面図、(c)は(d)図のY矢視図である。図1
(a)及び(b)において、3はモールド金型の上型で
あり、10はキャビティ、15はエジェクトピン、18
はエアベントである。また(c)及び(d)図におい
て、4はモールド金型の下型であり、10はキャビテ
ィ、13はランナー、15′はエジェクトピン、17は
ゲート、18はエアベントである。
【0014】本実施例の装置は図4乃至図8で説明した
従来例と同様であるので説明は省略する。本実施例の要
点はエジェクトピン15,15′を、従来は非多孔質金
属で形成していたものを、本実施例では多孔質金属を用
いて形成したことである。多孔質金属は銅合金、ステン
レス等の金属粉を圧縮成型後焼結したものであるが、本
実施例では、樹脂が接着しない銅合金系焼結金属を用い
ることが適している。なお焼結金属は多孔質で、気体及
び液体を透過させることができる。
【0015】このように構成された本実施例は、図2に
示すように、半導体チップを搭載し、ワイヤボンディン
グしたリードフレーム19を上型3及び下型4で挟み、
次いでポット9に挿入したタブレット8をプランジャー
7で加圧することにより、タブレット8はランナー1
3、ゲート17を通ってキャビティ10に注入され、半
導体素子とリードフレームのダイステージ及びインナー
リードを樹脂封止することができる。
【0016】この場合、プランジャー7がタブレット8
を加圧注入するときに、キャビティ10内に残っていた
空気及びタブレットに巻き込まれた空気は、エアベント
18及び多孔質のエジェクトピン15,15′から外部
に排出される。このように排気面積が従来のエアベント
18に多孔質のエジェクトピンが加わるため、従来より
排気し易くなり、その結果未充填、ボイド、ピンホール
等の発生は防止される。
【0017】図3は本発明の第2の実施例を示す図であ
る。本実施例は基本的に前実施例と同様であり、異なる
ところは、同図(a)に示すようにエジェクトピン1
5,15′を、非多孔質の金属パイプ22の先端に長さ
の短い円柱形の多孔質金属23を接合したものとしたこ
とである。
【0018】このように構成された本実施例は、図3
(b)に示すようにして用いることができる。本実施例
のエジェクトピン15,15′(一方のみでも良い)
は、その尾端にエアチューブ24を接続し、さらに切換
バルブ25を介して真空ポンプ26及びコンプレッサー
27を接続する。
【0019】そしてバルブ25を真空ポンプ26の方に
切換えることにより、キャビティ10への樹脂注入時に
キャビティ10内に残った空気を強制的に排気すること
ができ、未充填、ボイド等の発生を防止することができ
る。またバルブ25をコンプレッサー27の方に切換え
ることにより、エジェクトピン15,15′に圧縮空気
を供給し、該エジェクトピンの先端の多孔質金属23か
らエアーを吹き出させ、成形後の成品の冷却、及び多孔
質金属23の目詰まり防止や金型内の樹脂カス等を除去
することがてきる。
【0020】
【発明の効果】本発明に依れば、多孔質金属製エジェク
トピンの使用により、モールド金型内の空気を強制的に
抜くことができ、バッケージの未充填、ボイド、ピンホ
ール等の発生を防止することができ、樹脂封止型半導体
装置の品質向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の要部を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施例の作用を説明するための
図である。
【図3】本発明の第2の実施例を説明するための図であ
る。
【図4】従来のトランスファー・モールド成型装置を示
す全体図である。
【図5】従来のトランスファー・モールド成型装置の金
型を示す斜視図で、(a)は上型、(b)は下型であ
る。
【図6】図5に示す金型の合わせ面を示す図で、(a)
は上型、(b)は下型である。
【図7】図5に示す金型のチェイスを示す図で、(a)
は平面図、(b)は(a)図のb−b線における断面
図、(c)は(a)図のc部拡大図である。
【図8】図5に示す金型のチェイスを示す図で、(a)
は平面図、(b)は(a)図のb−b線における断面
図、(c)は(a)図のc部拡大図である。
【図9】発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。
【符号の説明】
3…上型 4…下型 7…プランジャー 8…タブレット 9…ポット 10…キィビティ 13…ランナー 15,15′…エジェクトピン 17…ゲート 18…エアベント 22…金属パイプ 23…多孔質金属 24…エアチューブ 25…切換バルブ 26…真空ポンプ 27…コンプレッサー

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱硬化性樹脂封止型半導体装置製造用の
    トランスファーモールド成型装置のモールド金型におい
    て、 上記モールド金型のエジェクトピン(15,15′)
    が、その一部又は全部を多孔質金属で形成されているこ
    とを特徴とする半導体装置の製造装置。
  2. 【請求項2】 上記エジェクトピン(15,15′)は
    非多孔質金属で形成された金属パイプ(22)の先端に
    円柱状の多孔質金属(23)が取付けられていることを
    特徴とする請求項1の半導体装置の製造装置。
  3. 【請求項3】 上記エジェクトピン(15,15′)に
    キャビティ内のエア吸引用真空配管を接続したことを特
    徴とする請求項2の半導体装置の製造装置。
  4. 【請求項4】 上記エジェクトピン(15,15′)に
    成形後の製品にエアブローを行う圧縮空気の配管を接続
    したことを特徴とする請求項2の半導体装置の製造装
    置。
JP23481791A 1991-09-13 1991-09-13 半導体装置の製造装置 Pending JPH0574827A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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