JPH0573056B2 - - Google Patents
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- JPH0573056B2 JPH0573056B2 JP60156506A JP15650685A JPH0573056B2 JP H0573056 B2 JPH0573056 B2 JP H0573056B2 JP 60156506 A JP60156506 A JP 60156506A JP 15650685 A JP15650685 A JP 15650685A JP H0573056 B2 JPH0573056 B2 JP H0573056B2
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば半導体製造工程の1つであ
るダイボンデイング工程で半導体ペレツトの形状
や不良マークを検出するために用いられるパター
ン認識装置に関する。
るダイボンデイング工程で半導体ペレツトの形状
や不良マークを検出するために用いられるパター
ン認識装置に関する。
ダイボンデイング工程におけるペレツト供給に
際して、たとえばシートに貼り付けられてペレツ
トに分割された半導体ウエハの個々のペレツトを
検出するためにパターン認識装置が用いられてい
る。このパターン認識装置は、第4図に示すよう
に認識対象範囲A内の認識対象となる半導体ペレ
ツト7の形状や、このペレツトの良否判定結果を
その上面中央部に表示するマーク(不良マーク)
8を認識するものであり、従来は第5図に示すよ
うに構成されている。即ち、工業用テレビカメラ
で代表される光電変換部1から取り込まれた前記
認識対象範囲Aの画像信号は、二値化レベル設定
部3からスライスヘベルが与えられ二値化回路2
により二値画像に変換されて画像記憶部4に記憶
される。記憶された画像情報は、制御部6からの
指令に基づきパターン認識処理部5によつて前記
画像記憶部4から取り出され、ここで特定の認識
アルゴリズムにより認識結果が算出される。前記
二値化レベル設定部3のスライスレベルは、前記
制御部6によつて、光電変換部1からの画像信号
が取り込まれる前に予め設定されている。
際して、たとえばシートに貼り付けられてペレツ
トに分割された半導体ウエハの個々のペレツトを
検出するためにパターン認識装置が用いられてい
る。このパターン認識装置は、第4図に示すよう
に認識対象範囲A内の認識対象となる半導体ペレ
ツト7の形状や、このペレツトの良否判定結果を
その上面中央部に表示するマーク(不良マーク)
8を認識するものであり、従来は第5図に示すよ
うに構成されている。即ち、工業用テレビカメラ
で代表される光電変換部1から取り込まれた前記
認識対象範囲Aの画像信号は、二値化レベル設定
部3からスライスヘベルが与えられ二値化回路2
により二値画像に変換されて画像記憶部4に記憶
される。記憶された画像情報は、制御部6からの
指令に基づきパターン認識処理部5によつて前記
画像記憶部4から取り出され、ここで特定の認識
アルゴリズムにより認識結果が算出される。前記
二値化レベル設定部3のスライスレベルは、前記
制御部6によつて、光電変換部1からの画像信号
が取り込まれる前に予め設定されている。
ところで、前記認識対象範囲Aの撮像に際して
照明する必要があるが、認識対象範囲Aが広くな
るとその全領域を均一かつ安定に照明することが
困難である。このことによつて、認識対象範囲A
のほぼ中心位置にある不良マーク8の領域とペレ
ツト7の周辺部とでは照明の明暗差があり、確認
対象範囲Aの全領域の画像信号を単一のスライス
レベルで二値化した場合、上記不良マーク領域、
ペレツト周辺部の双方とも安定した二値画像を得
ることが難しい。即ち、ペレツト7の形状を二値
画像で忠実に実現させようとすると、認識対象範
囲Aの中心位置の照度を比較的大きくする必要が
あり、これに伴つて不良マーク8の認識形状が非
常に小さくなつたり、認識対象の種類によつては
再現できなくなるのが現状である。また、ペレツ
ト7に比べて不良マーク8の照度が明るくなるよ
うな認識対象に対しては、前記従来のパターン認
識装置では一度の認識処理では認識不可能とな
り、現状では認識項目毎にスライスレベルを再設
定して光電変換部1から画像を取り込んで認識処
理を実行している。これによつて、総合認識時間
が長くなり、半導体装置の生産性が低下するとい
う問題がある。
照明する必要があるが、認識対象範囲Aが広くな
るとその全領域を均一かつ安定に照明することが
困難である。このことによつて、認識対象範囲A
のほぼ中心位置にある不良マーク8の領域とペレ
ツト7の周辺部とでは照明の明暗差があり、確認
対象範囲Aの全領域の画像信号を単一のスライス
レベルで二値化した場合、上記不良マーク領域、
ペレツト周辺部の双方とも安定した二値画像を得
ることが難しい。即ち、ペレツト7の形状を二値
画像で忠実に実現させようとすると、認識対象範
囲Aの中心位置の照度を比較的大きくする必要が
あり、これに伴つて不良マーク8の認識形状が非
常に小さくなつたり、認識対象の種類によつては
再現できなくなるのが現状である。また、ペレツ
ト7に比べて不良マーク8の照度が明るくなるよ
うな認識対象に対しては、前記従来のパターン認
識装置では一度の認識処理では認識不可能とな
り、現状では認識項目毎にスライスレベルを再設
定して光電変換部1から画像を取り込んで認識処
理を実行している。これによつて、総合認識時間
が長くなり、半導体装置の生産性が低下するとい
う問題がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
認識対象として広範囲のパターン認識を必要とす
る場合でも、高い信頼性でかつ高速に認識処理を
達成し得るパターン認識装置を提供するものであ
る。
認識対象として広範囲のパターン認識を必要とす
る場合でも、高い信頼性でかつ高速に認識処理を
達成し得るパターン認識装置を提供するものであ
る。
即ち、本発明のパターン認識装置は、パターン
認識対象範囲を照明の明暗差に応じて少なくとも
中央部および周辺部に2区分し、この区分された
各認識対象領域毎に予めスライスレベルを設定
し、前記認識対象範囲の画像信号を取り込み、こ
れを前記領域毎に与えられるスライスレベルによ
り二値化して前記認識対象範囲の全域にわたり連
続して記憶し、この記憶された画像信号を前記領
域毎に各々取り出して前記中央部に対応する認識
対象領域の画像信号から少なくともペレツト上で
の不良マークの有無の確認結果を、並びに前記周
辺部に対応する認識対象領域の画像信号から少な
くともペレツトの位置ずれおよび欠けの認識結果
をそれぞれ得て、各認識結果に基いて認識対象範
囲の全域における最終認識結果を求めるようにし
てなることを特徴とするものである。
認識対象範囲を照明の明暗差に応じて少なくとも
中央部および周辺部に2区分し、この区分された
各認識対象領域毎に予めスライスレベルを設定
し、前記認識対象範囲の画像信号を取り込み、こ
れを前記領域毎に与えられるスライスレベルによ
り二値化して前記認識対象範囲の全域にわたり連
続して記憶し、この記憶された画像信号を前記領
域毎に各々取り出して前記中央部に対応する認識
対象領域の画像信号から少なくともペレツト上で
の不良マークの有無の確認結果を、並びに前記周
辺部に対応する認識対象領域の画像信号から少な
くともペレツトの位置ずれおよび欠けの認識結果
をそれぞれ得て、各認識結果に基いて認識対象範
囲の全域における最終認識結果を求めるようにし
てなることを特徴とするものである。
これによつて、認識対象として広範囲のパター
ン認識を必要とし、認識対象範囲内に大きな明暗
差が生じているような場合でも適切に領域を区分
し、各領域毎に適切なスライスレベルを予め設定
して適切な認識アルゴリズムを用いることによ
り、一度のパターン認識処理で高速にかつ高い信
頼性でパターン認識が可能になる。
ン認識を必要とし、認識対象範囲内に大きな明暗
差が生じているような場合でも適切に領域を区分
し、各領域毎に適切なスライスレベルを予め設定
して適切な認識アルゴリズムを用いることによ
り、一度のパターン認識処理で高速にかつ高い信
頼性でパターン認識が可能になる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は、本発明装置によりパターン認識が行
なわれる認識対象範囲Bを、図中点線で示す境界
線により中央部、周辺部に2区分した場合の各領
域(中央認識領域B1、周辺認識領域B2)と認識
対象範囲B内の半導体ペレツト11、不良マーク
12との位置関係を示している。
なわれる認識対象範囲Bを、図中点線で示す境界
線により中央部、周辺部に2区分した場合の各領
域(中央認識領域B1、周辺認識領域B2)と認識
対象範囲B内の半導体ペレツト11、不良マーク
12との位置関係を示している。
第2図において、20は前記認識対象範囲Bの
画像信号を取り込むための光電変換部であつて、
たとえば同期信号発生部21からの同期信号に基
いて撮像する工業用テレビカメラで代表される。
22は二値欠レベル設定部23から与えられるス
ライスレベルで前記光電変換部20からの画像信
号を二値欠して二値画像に変換する二値化回路で
ある。24は上記二値化回路22からの二値画像
信号を制御部25からの指令に基いて認識対象範
囲Bの全域にわたつて連続的に記憶し、制御部2
5からの指令に基づき記憶画像信号が出される画
像記憶部である。26は上記画像記憶部24から
取り出された画像信号に対して、制御部25から
の指令に基いて、特定の認識アルゴリズムを用い
てパターン認識結果を算出し、それらの認識結果
を比較判定を行なうパターン認識処理部である。
画像信号を取り込むための光電変換部であつて、
たとえば同期信号発生部21からの同期信号に基
いて撮像する工業用テレビカメラで代表される。
22は二値欠レベル設定部23から与えられるス
ライスレベルで前記光電変換部20からの画像信
号を二値欠して二値画像に変換する二値化回路で
ある。24は上記二値化回路22からの二値画像
信号を制御部25からの指令に基いて認識対象範
囲Bの全域にわたつて連続的に記憶し、制御部2
5からの指令に基づき記憶画像信号が出される画
像記憶部である。26は上記画像記憶部24から
取り出された画像信号に対して、制御部25から
の指令に基いて、特定の認識アルゴリズムを用い
てパターン認識結果を算出し、それらの認識結果
を比較判定を行なうパターン認識処理部である。
前記二値化レベル設定部23は、前記認識対象
範囲Bの中央認識領域B1、周辺認識領域B2の各
画像信号に対応してスライスレベルSM,SPを発
生する中央領域レベル設定部231、周辺領域レ
ベル設定部232を有し、上記スライスレベルSM,
SPは予め制御部25により設定される。27は認
識領域選択部であつて、たとえば前記中央認識領
域B1の位置、大きさが制御部25により設定さ
れ、この中央認識領域B1の画像信号期間を前記
同期信号発生部21からの水平同期信号、垂直同
期信号、クロツクパルスに基いて選択する。そし
て、上記中央認識領域B1の画像信号期間には前
記中央領域レベル設定部231のスライスレベル
SMを選択し、その他の期間(前記周辺認識領域
B2の画像信号期間)には前記周辺領域レベル設
定部232のスライスレベルSPを選択するための
スイツチ回路28が二値化回路22のスライスレ
ベル入力側に設けられており、このスイツチ回路
28は上記認識領域選択部27により制御され
る。
範囲Bの中央認識領域B1、周辺認識領域B2の各
画像信号に対応してスライスレベルSM,SPを発
生する中央領域レベル設定部231、周辺領域レ
ベル設定部232を有し、上記スライスレベルSM,
SPは予め制御部25により設定される。27は認
識領域選択部であつて、たとえば前記中央認識領
域B1の位置、大きさが制御部25により設定さ
れ、この中央認識領域B1の画像信号期間を前記
同期信号発生部21からの水平同期信号、垂直同
期信号、クロツクパルスに基いて選択する。そし
て、上記中央認識領域B1の画像信号期間には前
記中央領域レベル設定部231のスライスレベル
SMを選択し、その他の期間(前記周辺認識領域
B2の画像信号期間)には前記周辺領域レベル設
定部232のスライスレベルSPを選択するための
スイツチ回路28が二値化回路22のスライスレ
ベル入力側に設けられており、このスイツチ回路
28は上記認識領域選択部27により制御され
る。
次に、上記パターン認識装置の動作を第3図を
参照して説明する。第1図に示した認識対象範囲
Bの中心を通る水平線(H−H′)位置に対応し
て取り込まれた画像信号がたとえば第3図中に示
すような波形であるものとすれば、前記スライス
レベルSM,SPはたとえば図中に示すようなレベ
ル関係を有するように設定されている。そして、
中央認識領域B1の画像信号はスライスレベルSM
により二値化されて、二値化信号S1が得られ、周
辺認識領域B2の画像信号はスライスレベルSPに
より二値化されて2値化信号S2が得られ、これら
の2値化信号S1,S2が連続することによつて合成
された二値化信号(S1+S2)が得られる。このよ
うにして、認識対象範囲Bの全領域にわたつて連
続して二値化が行なわれ、得られた二値化画像信
号は画像記憶部24に連続的に格納される。格納
された画像信号はパターン認識処理部26に取り
込まれ、中央認識領域B1の二値化画像信号に対
しては、特定の認識アルゴニズムに基いて不良マ
ーク12の形状認識によつて不良マークの有無が
判定される。また、周辺認識領域B2の二値化画
像信号に対しては、特定の認識アルゴリズムに基
いて認識対象範囲B内のペレツト11の相対的位
置ずれの認識、あるいはペレツト11の四隅の欠
け認識が行なわれ、これらの認識結果に基いてペ
レツト位置の補正制御やペレツト形状の良否判定
が行なわれる。そして、パターン認識処理部26
は認識結果を総合的に比較判定して最終認識結果
を得る。
参照して説明する。第1図に示した認識対象範囲
Bの中心を通る水平線(H−H′)位置に対応し
て取り込まれた画像信号がたとえば第3図中に示
すような波形であるものとすれば、前記スライス
レベルSM,SPはたとえば図中に示すようなレベ
ル関係を有するように設定されている。そして、
中央認識領域B1の画像信号はスライスレベルSM
により二値化されて、二値化信号S1が得られ、周
辺認識領域B2の画像信号はスライスレベルSPに
より二値化されて2値化信号S2が得られ、これら
の2値化信号S1,S2が連続することによつて合成
された二値化信号(S1+S2)が得られる。このよ
うにして、認識対象範囲Bの全領域にわたつて連
続して二値化が行なわれ、得られた二値化画像信
号は画像記憶部24に連続的に格納される。格納
された画像信号はパターン認識処理部26に取り
込まれ、中央認識領域B1の二値化画像信号に対
しては、特定の認識アルゴニズムに基いて不良マ
ーク12の形状認識によつて不良マークの有無が
判定される。また、周辺認識領域B2の二値化画
像信号に対しては、特定の認識アルゴリズムに基
いて認識対象範囲B内のペレツト11の相対的位
置ずれの認識、あるいはペレツト11の四隅の欠
け認識が行なわれ、これらの認識結果に基いてペ
レツト位置の補正制御やペレツト形状の良否判定
が行なわれる。そして、パターン認識処理部26
は認識結果を総合的に比較判定して最終認識結果
を得る。
上記したようなパターン認識装置によれば、半
導体ペレツト11が大きくて認識対象範囲Bを広
くとる必要がある場合、認識対象範囲Bの中心部
に位置する不良マーク領域と半導体ペレツト周辺
領域とに照明の明暗差が多少あつたとしても、認
識対象範囲Bを所定の領域に区分(上記例では中
央部と周辺部との2区分であつたが、区分の形
状、個数は限定されない)し、区分された領域毎
に二値画像変換用スライスレベルを適切に予め設
定することによつて、安定した信頼性の高い2値
画像を得ることができる。また、半導体ペレツト
11の表面状態に比べて不良マーク12の照度が
明るいときでも前記各領域毎に独立にスライスレ
ベルを予め設定できるので、従来のような認識項
目毎のスライスレベルの再設定を必要としなくな
り、高速で認識処理を行なうことができる。
導体ペレツト11が大きくて認識対象範囲Bを広
くとる必要がある場合、認識対象範囲Bの中心部
に位置する不良マーク領域と半導体ペレツト周辺
領域とに照明の明暗差が多少あつたとしても、認
識対象範囲Bを所定の領域に区分(上記例では中
央部と周辺部との2区分であつたが、区分の形
状、個数は限定されない)し、区分された領域毎
に二値画像変換用スライスレベルを適切に予め設
定することによつて、安定した信頼性の高い2値
画像を得ることができる。また、半導体ペレツト
11の表面状態に比べて不良マーク12の照度が
明るいときでも前記各領域毎に独立にスライスレ
ベルを予め設定できるので、従来のような認識項
目毎のスライスレベルの再設定を必要としなくな
り、高速で認識処理を行なうことができる。
上述したように本発明のパターン認識装置によ
れば、認識対象範囲を少なくとも2つ以上に区分
し、この区分された領域毎に適切な信号処理、認
識処理を行なつてそれぞれ認識処理結果を算出
し、これに基づき認識対象範囲の全域における最
終認識結果を求めるようにしたものである。これ
によつて、認識対象として広範囲のパターン認識
を必要とする場合でも、高い信頼性でかつ高速に
認識処理を達成することができ、認識対象に対す
る適用範囲が広くなり、たとえば半導体製造工程
に使用した場合には半導体装置の生産性の向上に
多大に寄与できる。
れば、認識対象範囲を少なくとも2つ以上に区分
し、この区分された領域毎に適切な信号処理、認
識処理を行なつてそれぞれ認識処理結果を算出
し、これに基づき認識対象範囲の全域における最
終認識結果を求めるようにしたものである。これ
によつて、認識対象として広範囲のパターン認識
を必要とする場合でも、高い信頼性でかつ高速に
認識処理を達成することができ、認識対象に対す
る適用範囲が広くなり、たとえば半導体製造工程
に使用した場合には半導体装置の生産性の向上に
多大に寄与できる。
第1図は本発明装置の認識対象範囲における認
識対象パターンの一例を示す図、第2図は本発明
のパターン認識装置の一実施例を示すブロツク
図、第3図は第2図の装置の動作説明のために示
す信号波形図、第4図はパターン認識装置の認識
対象範囲における認識対象パターンの一例を示す
図、第5図は従来のパターン認識装置を示すブロ
ツク図である。 B……パターン認識対象範囲、B1……中央認
識対象領域、B2……周辺認識対象領域、SM……
中央領域スライスレベル、SP……周辺領域スライ
スレベル、11……半導体ペレツト、12……不
良マーク、20……光電変換部、22……二値化
回路、23……二値化レベル設定部、231……
中央領域レベル設定部、232……周辺領域レベ
ル設定部、24……画像記憶部、26……パター
ン認識処理部、27……認識領域選択部。
識対象パターンの一例を示す図、第2図は本発明
のパターン認識装置の一実施例を示すブロツク
図、第3図は第2図の装置の動作説明のために示
す信号波形図、第4図はパターン認識装置の認識
対象範囲における認識対象パターンの一例を示す
図、第5図は従来のパターン認識装置を示すブロ
ツク図である。 B……パターン認識対象範囲、B1……中央認
識対象領域、B2……周辺認識対象領域、SM……
中央領域スライスレベル、SP……周辺領域スライ
スレベル、11……半導体ペレツト、12……不
良マーク、20……光電変換部、22……二値化
回路、23……二値化レベル設定部、231……
中央領域レベル設定部、232……周辺領域レベ
ル設定部、24……画像記憶部、26……パター
ン認識処理部、27……認識領域選択部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 パターン認識対象範囲の中央部と周辺部とで
明暗差を生ずるような照明系と、 前記パターン認識対象範囲内に設置された認識
対象としての半導体ペレツトと、 パターン認識対象範囲に対応する画像信号を取
り込む光電変換部と、 前記光電変換部からの画像信号をスライスレベ
ルにより二値化する二値化回路と、 前記パターン認識対象範囲を前記照明の明暗差
に応じて少なくとも中央部および周辺部に2区分
し、これらの各認識対象領域毎に予め設定された
適切なスライスレベルを逐一前記二値化回路に与
える二値化レベル設定部と、 前記二値化回路から出力する二値画像信号を前
記パターン認識対象範囲の全域にわたり連続して
記憶する画像記憶部と、 前記各認識対象領域毎に前記画像記憶部から画
像信号を各々取り出し、前記中央部に対応する認
識対象領域の画像信号から少なくとも前記ペレツ
ト上での不良マークの有無の認識結果を、並びに
前記周辺部に対応する認識対象領域の画像信号か
ら少なくとも前記ペレツトの位置ずれおよび欠け
の認識結果をそれぞれ得て、これらの認識結果に
基いて前記認識対象範囲全域における最終認識結
果を求めるパターン認識処理部と を具備することを特徴とするパターン認識装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60156506A JPS6216538A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | パタ−ン認識装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60156506A JPS6216538A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | パタ−ン認識装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6216538A JPS6216538A (ja) | 1987-01-24 |
JPH0573056B2 true JPH0573056B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=15629248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60156506A Granted JPS6216538A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | パタ−ン認識装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6216538A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3612227B2 (ja) * | 1998-01-07 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 物体抽出装置 |
JP2016076505A (ja) * | 2013-01-23 | 2016-05-12 | 株式会社新川 | ダイボンダおよびダイボンダによる半導体ダイの破損検出方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57130184A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Hitachi Ltd | Optical character reader |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP60156506A patent/JPS6216538A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57130184A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Hitachi Ltd | Optical character reader |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6216538A (ja) | 1987-01-24 |
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