JPH0572751A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 耐摩耗性、耐久性の高い電子写真感光体を提
供する。 【構成】 導電性支持体上に電荷発生層と電荷移動層を
順次積層した感光体において、電荷移動層が、二層から
なり、最表面移動層の樹脂結合剤がポリアリレ―ト又は
ポリカ―ボネ―ト、最深電荷移動層の樹脂結合剤がポリ
ビニルカルバゾ―ル、その誘導体又はポリスチレンのう
ち何れかであり、電荷移動物質は下記の一般式で表わさ
れる。 （式中Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は置換又は未置換のフェ
ニル基、ピフェニル基などを、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａ
ｒ^６、Ａｒ^７は置換又は未置換のフェニル基を、Ａｒ^８
はアリーレン基を、Ａｒ^９、Ａｒ^１０、Ａｒ^１１、Ａｒ
^１３、Ａｒ^１４、Ａｒ^１５、Ａｒ^１６、Ａｒ^１７はアリ
ール基を、Ａｒ^１２はフェニレン基を表す。また、
Ｒ^１、Ｒ^２は水素、アルキル基などを、Ｒ^３はフェニル
基またはアルキル基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真用感光体、特に
高い感度と高い耐久性の電子写真用感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真複写機に使用される感光
体として、低価格、生産性及び無公害等の利点を有する
有機系の感光材料を用いたものが普及し始めている。有
機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾ―ル
（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ―ＴＮＦ
（２，４，７−トリニトロフルオレノン）に代表される
電荷移動錯体、フタロシアニン−バインダ―に代表され
る顔料分散型、電荷発生物質と電荷移動物質とを組み合
わせて用いる機能分離型の感光体等が知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。

【０００３】この様な機能分離型の高感度感光体をカ―
ルソン方式の電子写真複写機に用いる場合には、感光体
表面に帯電させた後露光によって静電潜像を形成し、そ
の静電潜像を帯電着色粉（トナ―）によって現像し、次
いでその可視像を紙等に転写、定着させる。同時に感光
体は付着トナ―の除去や除電、表面の清浄化（クリ―ニ
ング）が施され、長期に亘って反復使用される。従っ
て、電子写真用感光体としては、帯電性及び感度が良好
で更に暗減衰が小さい等の電子写真的特性は勿論である
が、加えて繰り返し使用での耐擦性、耐摩耗性等の機械
的特性や耐温度性、耐湿度性、コロナ放電時に発生する
オゾン、窒素酸化物、露光時の紫外線、コロナ放電発光
での紫外線等への耐性においても特性が安定しているこ
とが要求される。しかし、支持体上に電荷発生層及び電
荷移動層を順次積層した従来の感光体は電荷移動層が低
分子の電荷移動物質を高分子の樹脂バインダ―で結着す
ることにより形成しているので、機械的強度特性と電子
写真的特性とを両立させることが必ずしも充分でなく、
感度の高い組成又は樹脂バインダ―種では感光体の反復
使用時にクリ―ニングブラシ及び／又はクリ―ニングブ
レ―ドの摺擦等によって感光体表面に傷が生じたり、表
面が摩耗したりし、また、耐摩耗性の高い組成又は樹脂
バインダ―種では感度が低い又は残留電位上昇等の電子
写真的特性が満足出来なかった。

【０００４】上述の欠点に対して、例えば、特開昭５５
−１５７７４８号公報及び特開昭５８−１０５２３４号
公報に記載の機械的強度を改良する為に、ＣＴＬ上に特
定のＣＴＭを含有した保護層を設ける。特開昭５９−７
９５５号公報、及び６１−１７９４５号公報に記載の最
表層電荷移動層（ＣＴＬ−２）に摺擦傷が生ずるのを改
良するために、ジメチルポリシロキサンを有するシリコ
―ン樹脂、及びポリカ―ボネ―ト樹脂を用いて電荷移動
物質（ＣＴＭ）を溶出させ得る溶媒でスプレ―塗工す
る。特開昭６０−１２５５１号公報に記載の摩擦による
傷の発生及びＣＴＭの耐コロナ性を改良するために、Ｃ
ＴＬを多層化し、最深電荷移動層（ＣＴＬ−１）中のＣ
ＴＭ配合量をＣＴＬ−２よりも多くしている。特開昭６
０−１２５５２号公報に記載の電荷発生層（ＣＧＬ）と
ＣＴＬとの密着性を改良するために、ＣＧＬとＣＴＬと
の間に熱可塑性ポリエステルカ―ボネ―ト単独層もしく
は、ＣＧＭ或はＣＴＭを添加した熱硬化性ポリエステル
カ―ボネ―トから成る中間層を設ける。特開昭６０−８
７３３１号、特開昭６０−１４３３４６号公報に記載の
摩擦による傷の発生及びＣＴＭの耐コロナ性を改良する
ために、ＣＴＬを電荷移動可能な中間層を介して２層に
分けＣＴＬ−２のＣＴＭ／ＲをＣＴＬ−１よりも小さく
している。特開昭６２−２７２２８２号公報に記載の耐
摩耗性を改良するために、ＣＴＬ上にポリカ―ボネ―ト
系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン及びＣＴＭ（ヒド
ラゾン系化合物）から成る保護層をもうける。特開平２
−１６０２４７号公報に記載の機械的強度及び感光層へ
のオゾンの侵入を改良するために、ＣＴＬを多層化しＣ
ＴＬ−１のＣＴＭ／Ｒ比をＣＴＬ−２のそれよりも大き
くし、かつＣＴＬ−２の樹脂バインダ―が特定のポリカ
―ボネ―トから成る。特開平２−１６１４４９号公報に
記載の耐久性向上の為に、ポリエ―テルイミドを主成分
とする保護層を設けた。ポリエ―テルイミドを主成分と
する保護層を設けた。特開平２−１７８６７２号公報に
記載の繰り返し使用での残留電位が低くかつ、高感度と
する為に、ＣＴＬとＣＧＬとの間にアミン系化合物を含
有させて、キャリアの分離及び注入を促進する中間層を
設けた感光体、また、特開平３−３３７５１号公報に記
載の接触帯電プロセスに用いる感光体のメモリー現象を
生じさせないために、ＣＴＬを２層とし、ＣＴＬ−２よ
りもＣＴＬ−１中のＣＴＭの酸化電位が高い感光体等が
提案された。また、ＣＴＬが樹脂バインダ―としてポリ
アリレ―ト樹脂を含有する記載は、特開昭５７−３０８
４１号、特開昭５７−６１０２２号、特開昭６１−５３
６４７号、特開昭６１−５５６６３号、特開昭６１−２
３８０６１号、特開昭６２−１３５８４０号、特開昭６
２−１３９５５７号、特開昭６２−１６０４５９号、特
開昭６２−２０５３５８号、特開昭６２−２１５９６０
号及び特開昭６３−４０１６６号等で知られている。し
かしながら、これらの提案は感度及び耐久性の両方を充
分には満足していないばかりか、近年、増々、高感度を
維持しながらの耐久性に対する要望が高まっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実情に鑑みてなされたものであって、その目的は繰り
返し使用においても高感度を維持し、かつ耐摩耗性が良
好で、従って耐久性の高い電子写真用感光体を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば導電性支
持体上に少なくとも電荷発生層（ＣＧＬ）及び電荷移動
層（ＣＴＬ）を順次積層した感光体においてＣＴＬが電
荷移動物質（ＣＴＭ）と樹脂バインダ―（Ｒ）とを主成
分とする複数の層より成り、最表面電荷移動層（ＣＴＬ
−２）はＲがポリアリレ―ト樹脂又はポリカ―ボネ―ト
樹脂を主成分とし、その組成比（ＣＴＭ／Ｒ比）が重量
比で１／９以上４／５以下であり、ＣＧＬに接する最深
電荷移動層（ＣＴＬ−１）はＲがポリビニルカルバゾ―
ル又はその誘導体又はポリスチレン樹脂のうちの何れか
を主成分とし、そのＣＴＭ／Ｒ比が４／５以上９／１以
下である電子写真用感光体が提供される。本発明におけ
るＣＴＬ−２のＲであるポリアリレ―ト樹脂およびポリ
カ―ボネ―ト樹脂は、その高い耐摩耗性がＲを構成する
モノマ―単位の極性官能基同志の電気的な吸引力によっ
ている。しかし、これらの樹脂はＣＴＬとして必要な電
気的特性、ＣＧＬからの電荷注入性、ＣＴＬ内での電荷
移動性などに悪影響をおよぼす。これらの影響はポリア
リレ―ト樹脂のエステル結合にあるカルボニル基やポリ
カ―ボネ―トのカ―ボネ―ト結合がＣＴＭの電荷移動サ
イトの電子密度を乱すためと思われる。また、大量のＣ
ＴＭを安定して含有させることがむずかしい。

【０００７】本発明におけるＣＴＬ−１のＲであるポリ
ビニルカルバゾ―ル又はその誘導体はモノマ―単位の極
性が小さくまた、ポリスチレンはモノマ―単位に極性の
官能基が無いためにＣＴＭの電荷移動サイトの電子密度
を乱さず、ＣＧＬからの電荷注入性、ＣＴＬ内での電荷
移動性等に悪影響を及ぼすことが無く、また、大量のＣ
ＴＭを安定して含有させることができる。従って、本発
明のＣＴＬ−１は高い感度を得ることができる。しか
し、ポリビニルカルバゾ―ル又はその誘導体及びポリス
チレンはＣＴＬとして必要な高い耐摩耗性をうることが
極めて困難である。これらの特徴を有効に発現させるた
めに、本発明の感光体はＣＴＬの機能を分離している。
ＣＴＬ−１はＲがポリビニルカルバゾ―ル又はその誘導
体又はポリスチレン樹脂のうち何れかを主成分とし、か
つ、その組成比（ＣＴＭ／Ｒ比）を重量比で４／５以上
９／１以下とすることによって高感度を維持し、ＣＴＬ
−２はＲがポリアリレ―ト樹脂又はポリカ―ボネ―ト樹
脂を主成分とし、かつ、そのＣＴＭ／Ｒ比を１／９以上
４／５以下とすることによってさらに耐摩耗性を良好に
維持できる。

【０００８】ＣＴＬ−１の膜厚は１から５０μｍ、ＣＴ
Ｌ−２の膜厚は１から５０μｍが好ましく、ＣＴＬ−１
からＣＴＬ−２までのＣＴＬ全層の好ましい膜厚は５か
ら１００μｍである。また、ＣＴＬ−１からＣＴＬ−２
へのキャリア移動を良好にするためＣＴＬ−１とＣＴＬ
−２とのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が同じか、また
は、ＣＴＬ−１の方がＩｐが大きい場合には、上記の効
果をより一層高めることができる。また、ＣＴＬ−１に
含有させるＣＴＭとして下記一般式―１）、―２）、ま
た、―３）で表される化合物を、また、ＣＴＬ−２に含
有させるＣＴＭとして下記一般式―４）または―５）で
表される化合物を用いた場合には上記の効果をより一層
高めることができる。

【０００９】

【化６】 （Ａｒ¹，Ａｒ²，Ａｒ³は置換又は未置換のフェニル
基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、或はピ
レニル基を表し、置換基としてはアルキル基又はアルコ
キシル基を用いる。）

【化７】 （Ａｒ⁴，Ａｒ⁵，Ａｒ⁶，Ａｒ⁷は置換又は未置換のフェ
ニル基を表し、置換基としてはアルキル基又はアルコキ
シル基を用いる。Ａｒ⁸は置換又は未置換のアリ―レン
基を表わす。）

【００１０】

【化８】 （Ａｒ⁹，Ａｒ¹⁰，Ａｒ¹¹は置換又は未置換のアリ―ル
基を表し、Ａｒ¹²は置換又は未置換のフェニレン基を表
し、Ｒ¹及びＲ²は水素、アルキル基、置換又は未置換の
フェニル基を表す。置換基としてはアルキル基又はアル
コキシ基を用いる。又、Ａｒ¹⁰とＲ²とは環を形成して
もよい。）

【化９】 （Ａｒ¹³，Ａｒ¹⁴，Ａ¹⁵は置換又は未置換のアリ―ル基
を表す。）

【００１１】

【化１０】 （Ａｒ¹⁶，Ａｒ¹⁷は置換又は未置換のアリ―ル基を表
し、Ｒ3 は置換又は未置換のフェニル基又はアルキル基
を表す。）

【００１２】

【化１１】

【００１３】

【化１２】

【００１４】

【化１３】

【００１５】

【化１４】

【００１６】

【化１５】

【００１７】本発明のＣＴＬ−１に用いるポリビニルカ
ルバゾ―ルの誘導体とはポリビニルカルバゾ―ルのカル
バゾ―ル環の水素を塩素、臭素等のハロゲン元素で置換
したものを言う。本発明のＣＴＬ−２に用いるポリアリ
―ト樹脂は分子量１万以上が好ましく、より好ましい分
子量の範囲は２万から１０万である。分子量が２万以下
では耐摩耗性が得られにくく、また、分子量１０万以上
では高粘度化のために感光体の作製が困難となる。ポリ
アリレ―ト樹脂は下記一般式−Ａ）とフタル酸、イソフ
タル酸、又は／及びテレフタル酸（酸無水物又は酸クロ
ライドを用いることもできる。）との縮合反応で合成す
ることができる。

【００１８】

【化１６】 （Ｒ³及びＲ⁴は各々水素、アルキル基、フルオロアルキ
ル基、アルキル置換基を有しても良いフェニル基を表
し、Ｒ³とＲ⁴とは結合して環を形成しても良い。また、
Ｘ₁，Ｘ₂，Ｘ₃，Ｘ₄は水素、アルキル基、フェニル基又
はハロゲン原子を表す。）具体例を示すと、例えば

【００１９】

【化１７】

【００２０】

【化１８】

【００２１】同じく、本発明のＣＴＬ−２に用いるポリ
カ―ボネ―トは分子量１万以上が好ましく、より好まし
い分子量の範囲は３万から１０万である。分子量が３万
以下では耐摩耗性が得られにくく、また、分子量１０万
以上では高粘度化の為に感光体の作成が困難となる。ポ
リカ―ボネ―トにはＡタイプ、Ｚタイプなどいろいろあ
るが具体例を示すと、例えば

【００２２】 化合物Ｎｏ 化合物名 ＰＣ−１ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニルカ―ボネ― ト） ＰＣ−２ ポリ［１，１−シクロヘキサンビス（４−フェニル）カ―ボ ネ―ト］ ＰＣ−３ ポリ［４，４’−イソプロピリデンビス（２−メチルフェニ ル）カ―ボネ―ト］ ＰＣ−４ ポリ（ジフェニルメタンビス−４−フェニルカ―ボネ―ト） ＰＣ−５ ポリ［２，２−（３−メチルブタン）ビス−４−フェニルカ ―ボネ―ト］ ＰＣ−６ ポリ［２，２−（３，３−ジメチルブタン）ビス−４−フェ ニルカ―ボネ―ト］ ＰＣ−７ ポリ｛１，１−［１−（１−ナフチル）］ビス−４−フェニ ルカ―ボネ―ト｝ ＰＣ−８ ポリ［２，２−（４−メチルペンタン）ビス−４−フェニル カ―ボネ―ト］ ＰＣ−９ ポリ［４，４´−（２−ノルボニリデン）ジフェニルカ―ボ ネ―ト］ ＰＣ−１０ ポリ［４，４´−（ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダン −５−イリデン）ジフェニルカ―ボネ―ト］ ＰＣ−１１ ポリ［４，４´−メチレンビス（２−メチルフェニル）カ― ボネ―ト］ ＰＣ−１２ ポリ［４，４´−イソプロピリデンビス（２，６−ジメチル フェニル）カ―ボネ―ト］ ＰＣ−１３ ポリ（３，３´−エチレンジオキシフェニルチオカ―ボネ― ト） ＰＣ−１４ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニルチオカ―ボネ ―ト） ＰＣ−１５ ポリ（２，２−ブタンビス−４−フェニルカ―ボネ―ト） ＰＣ−１６ ポリ［α，α，α´，α´−テトラメチル−ｐ−キシレンビ ス（４−フェニルカ―ボネ―ト）］ ＰＣ−１７ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジ―１−ナフチルカ―ボ ネ―ト） ＰＣ−１８ ポリ（フェノ―ルフタレンカ―ボネ―ト） ＰＣ−１９ ポリ（２−メチル−１，３−フェニレンカ―ボネ―ト） ＰＣ−２０ ポリ（１，１−ビス−２−ナフチルカ―ボネ―ト） ＰＣ−２１ ポリ［４，４´−イソプロピリデンビス（２−フェニルフェ ニル）カ―ボネ―ト］ ＰＣ−２２ ポリ（ヘキサフルオロイソプロピリデンジ−４−フェニル カ―ボネ―ト） ＰＣ−２３ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニル−コ−４，４ ´−イソプロピリデンジシクロヘキシルカ―ボネ―ト） ＰＣ−２４ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニル−コ−１，４ −シクロヘキシル−ジメチルカ―ボネ―ト） ＰＣ−２５ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニルカ―ボネ―ト −コーテレフタレート） ＰＣ−２６ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニルカ―ボネ―ト ブロック−エチレンオキサイド） ＰＣ−２７ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニルカ―ボネ―ト ブロック−テトラメチレンオキサイド） ＰＣ−２８ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニルカ―ボネ―ト −コ−１，４−フェニレンカ―ボネ―ト） ＰＣ−２９ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニル−コ−ジフェ ニルカ―ボネ―ト） ＰＣ−３０ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニル−コ−４，４ ´−オキシジフェニルカ―ボネ―ト） ＰＣ−３１ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニル−コ−４，４ ´−カルボニルジフェニルカ―ボネ―ト） ＰＣ−３２ ポリ（４，４´−イソプロピリデンジフェニル−コ−４，４ ´−エチレンジフェニルカ―ボネ―ト） ＰＣ−３３ ポリ［４，４´−イソプロピレンジフェニル−コ―スルホニ ルビス（４−フェニル）カ―ボネ―ト］

【００２３】導電性支持体としては、体積抵抗が１０¹⁰
Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウ
ム、チタン、ニッケル、クロム、ニクロム、ハステロ
イ、パラジウム、マグネシウム、亜鉛、銅、金、白金な
どの金属および合金、酸化錫、酸化インジウム、酸化ア
ンチモンなどの金属酸化物を、蒸着又はスパッタリング
又は樹脂バインダ―中に分散して塗工することにより、
フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙などに被
覆したもの、前記の金属又は金属酸化物又は導電性カ―
ボンをフィルム状もしくは円筒状のプラスチック中に分
散含有させたもの或はアルミニウム、アルミニウム合
金、鉄、ニッケル、ニッケル合金、ステンレス合金、チ
タン合金等の板およびそれらをＤ．Ｉ．，Ｉ．Ｉ．，押
し出し、引き抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上
げ、研磨等で表面処理した管等を使用することができ
る。

【００２４】電荷発生層は、電荷発生物質を主材料とし
た層で必要に応じて樹脂バインダ―を用いることもあ
る。樹脂バインダ―としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカ
―ボネ―ト、ポリアリレ―ト樹脂、ポリスルホン樹脂、
フェノキシ樹脂、シリコ―ン樹脂、アクリル樹脂、ブチ
ラ―ル樹脂、ホルマ―ル樹脂、アセタ―ル樹脂、ポリ酢
酸ビニル、酢酸セルロ―ス、ニトロ化セルロ―ス、ポリ
ビニルケトン、ポリスチレン、ポリビニルカルバゾ―
ル、ポリアクリルアミド、ポリイミド等が用いられる。

【００２５】電荷発生物質としては、ポルフィリン環を
有するフタロシアニン系顔料、アズレニウム系顔料、ス
クアリック系顔料、アンスアンスロン等の縮合多環キノ
ン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、カルバゾ
―ル骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号
公報に記載）、スチリルスチルベン骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５３−１３８２２９号公報に記載）、ジベン
ゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１
７２８号公報に記載）、オキサジアゾ―ル骨格を有する
アゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フ
ルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８
３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ
顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチ
リルオキサジアゾ―ル骨格を有するアゾ顔料（特開昭５
４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾ―ル
骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３４号公報
に記載）、カルバゾ―ル骨格を有するトリアゾ顔料（特
開昭５７−１９５７６５号公報、同５７−１９５７６８
号公報に記載）等の有機顔料、結晶セレンの微粉末顔料
等を単独で、または複数の顔料を混合して使用すること
ができる。

【００２６】電荷発生層の樹脂バインダ―は、電荷発生
物質１００重量部に対して０から１００重量部用いるの
が適当であり、好ましくは０から５０重量部である。電
荷発生層の膜厚は０．０１から５μｍ程度であり、好ま
しくは０．１から２μｍである。本発明において電荷移
動層（ＣＴＬ−１およびＣＴＬ−２）中に可塑剤、レベ
リング剤やヒンダ―ドアミン、ヒンダ―ドフェノ―ル、
ハイドロキノン系化合物等の耐オゾン性の添加物を添加
してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレ―ト、ジ
オクチルフタレ―ト、メタタ―フェニル等一般の樹脂の
可塑剤として使用されているものが使用でき、その使用
量は樹脂バインダ―に対して０から３０重量％程度が適
当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ―ン
オイル、メチルフェニルシリコ―ンオイル等のシリコ―
ンオイル類が使用され、その使用量は樹脂バインダ―に
対して０から１重量％程度が適当である。耐オゾン性の
添加物の添加量はＣＴＬに対して０から５重量％が適当
である。また、耐摩耗性および耐オゾン性をさらに向上
させるために、ＣＴＬ−２の上に被覆層又は保護層を設
けることも可能であり、更には導電性支持体と電荷発生
層との間に接着性を向上させるための接着層または帯電
性を向上させる為の電荷注入防止層を設けることも可能
である。

【００２７】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例Ａ−Ｉ ８０ｍｍφのアルミニウムドラム上にアルコ―ル可溶性
ナイロン（商品名：ＣＭ８０００、東レ社製）を約０．
２μｍの下引層として形成し、その上に下記化学式（化
１９）のアゾ顔料のシクロヘキサノン分散液を浸漬塗工
及び加熱乾燥して約０．１μｍの電荷発生層を形成し
た。

【００２８】

【化１９】

【００２９】次に電荷発生層の上にＣＴＬ−１をジクロ
ルメタン溶液で浸漬塗工及び加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の
上にＣＴＬ−２のシクロヘキサノン／テトラヒドロフラ
ン混合溶媒溶液をスプレ―塗工及び加熱乾燥して、実施
例及び比較例の電子写真用感光体を作製した。なお、比
較例Ａ−Ｉ−４から比較例Ａ−Ｉ−７はＣＴＬ−２を設
けなかった。また、用いたポリアリレ―ト樹脂はＰＡ−
１，−２，−３，−４で、その粘度平均分子量は各々３
万、３万、４万、２万であった。各々の感光体を−８０
０Ｖに帯電させ、２８５６°Ｋのタングステンランプで
露光して、表面電位が−８０Ｖに減衰するまでの必要露
光量を感度として求めた。その結果を表Ａ−Ｉ−１に示
す。

【００３０】また、（株）リコ―製複写機ＦＴ４８２０
を用いて１０万枚の繰り返し複写テストを行い、複写テ
スト前後の感光層膜厚を過電流式膜厚計で測定した。結
果を表Ａ−Ｉ−２に示す。実施例Ａ−Ｉ−２，３，７，
９及び１０は１０万枚コピ―後も良好な画像を維持して
いたが、実施例Ａ−Ｉ−８は３万枚コピー後の画像は良
好であったが１０万枚コピー後画像はコントラストが低
下していた。比較例Ａ−Ｉ−１，２，４及び７は感光層
の摩耗が著しく、１万枚コピー後には所々にアルミニウ
ムドラムの導電性支持体表面が表れていた。なお、各々
のＣＴＭのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）は理研計器
（株）製のＡＣ−１を用いてＣＴＭ／ＰＶＣ＝１／１で
測定し、Ｄ−１，５，９，１０，１１，１４，１５は各
々５．４，５．４，５．５，５．５，５．４，５．４，
５．２ｅＶであった。

【００３１】

【表１】

【００３２】

【表２】 表Ａ−Ｉ−２

【００３３】実施例Ａ−ＩＩ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＬ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作製した。なお、比較例Ａ−ＩＩ−４から比較例
Ａ−ＩＩ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、用い
たポリアリレート樹脂はＰＡ−１，−２，−３，−４
で、その粘度平均分子量は各々３万，３万，４万，２万
であった。各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２８
５６°Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位が
−８０Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求め
た。その結果を表Ａ−ＩＩ−１に示す。

【００３４】また、（株）リコ―製複写機ＦＴ４８２０
を用いて１０万枚の繰り返し複写テストを行い、複写テ
スト前後の感光層膜厚を渦電流式膜厚計で測定した。結
果を表Ａ−ＩＩ−２に示す。実施例Ａ−ＩＩ−２，３，
７，９及び１０は１０万枚コピ―後も良好な画像を維持
していたが、実施例Ａ−ＩＩ−８は３万枚コピ―後の画
像は良好であったが１０万枚コピ―後の画像はコントラ
ストが低下していた。比較例Ａ−ＩＩ−１，２，４及び
７は感光層の摩耗が著しく、３万枚コピ―後には所々に
アルミニウムドラムの導電性支持体表面が現われてい
た。尚、各々のＣＴＭのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）
は理研計器（株）製のＡＣ−１を用いてＣＴＭ／ＰＡ−
１＝１／１で測定し、Ｄ−１，５，９，１０，１１，１
４，１５は各々５．４，５．４，５．５，５．５，５．
４，５．４，５．２ｅＶであった。

【００３５】

【表３】

【００３６】

【表４】

【００３７】実施例Ａ−ＩＩＩ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＬ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作製した。なお、比較例Ａ−ＩＩＩ−４から比較
例Ａ−ＩＩＩ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、
用いたポリカ―ボネ―トはＰＣ−１，−２，−３，−４
で、その粘度平均分子量は各々４万，５万，４万，４万
であった。各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２８
５６°Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位が
−８０Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求め
た。その結果を表Ａ−ＩＩＩ−１に示す。

【００３８】また、（株）リコ―製複写機ＦＴ４８２０
を用いて１０万枚の繰り返し複写テストを行い、複写テ
スト前後の感光層膜厚を渦電流式膜厚計で測定した。結
果を表Ａ−ＩＩＩ−２に示す。実施例Ａ−ＩＩＩ−２，
３，７，９，１０及び１１は１０万枚コピ―後も良好な
画像を維持していたが、実施例Ａ−ＩＩＩ−８は３万枚
コピ―後の画像は良好であったが１０万枚コピ―後の画
像はコントラストが低下していた。比較例Ａ−ＩＩＩ−
１，２，４及び７は感光層の摩耗が著しく、３万枚コピ
―後には所々にアルミニウムドラムの導電性支持体表面
が現われていた。尚、各々のＣＴＭのイオン化ポテンシ
ャル（Ｉｐ）は理研計器（株）製のＡＣ−１を用いてＣ
ＴＭ／ＰＣ−１＝１／１で測定し、Ｄ−１，５，９，１
０，１１，１４，１５，１６，１７は各々５．４，５．
４，５．５，５．５，５．４，５．４，５．０，５．
２，４．９ｅＶであった。

【００３９】

【表５】

【００４０】

【表６】

【００４１】実施例Ａ−ＩＶ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＶ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作製した。なお、比較例Ａ−ＩＶ−４から比較例
Ａ−ＩＶ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、用い
たポリカ―ボネ―トはＰＣ−１，−２，−３，−４で、
その粘度平均分子量は各々４万，５万，４万，４万であ
った。各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２８５６
°Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位が−８
０Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求めた。
その結果を表Ａ−ＩＶ−１に示す。また、（株）リコ―
製複写機ＦＴ４８２０を用いて１０万枚の繰り返し複写
テストを行い、複写テスト前後の感光層膜厚を渦電流式
膜厚計で測定した。結果を表Ａ−ＩＶ−２に示す。

【００４２】実施例Ａ−ＩＶ−２，３，７，９，１０及
び１１は１０万枚コピ―後も良好な画像を維持していた
が、実施例Ａ−ＩＶ−８は３万枚コピ―後の画像は良好
であったが１０万枚コピ―後の画像はコントラストが低
下していた。比較例Ａ−ＩＶ−１，２，４及び７は感光
層の摩耗が著しく、３万枚コピ―後には所々にアルミニ
ウムドラムの導電性支持体表面が現われていた。尚、各
々のＣＴＭのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）は理研計器
（株）製のＡＣ−１を用いてＣＴＭ／ＰＣ−１＝１／１
で測定し、Ｄ−１，５，９，１０，１１，１４，１５，
１６，１７は各々５．４，５．４，５．５，５．５，
５．４，５．４，５．０，５．２，４．９ｅＶであっ
た。

【００４３】

【表７】

【００４４】

【表８】

【００４５】実施例Ｂ−Ｉ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＬ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作成した。なお、比較例Ｂ−Ｉ−４から比較例Ｂ
−Ｉ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、用いたポ
リアリレ―ト樹脂はＰＡ−１，−２，−３，−４で、そ
の粘度平均分子量は各々３万，３万，４万，２万であっ
た。

【００４６】各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２
８５６°Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位
が−８０Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求
めた。その結果を表Ｂ−Ｉ−１に示す。また、（株）リ
コ―製複写機ＦＴ４８２０を用いて１０万枚の繰り返し
複写テストを行い、複写テスト前後の感光層膜厚を渦電
流式膜厚計で測定した。結果を表Ｂ−Ｉ−２に示す。実
施例Ｂ−Ｉ−２，３，７，９及び１０は１０万枚コピ―
後も良好な画像を維持していたが、実施例Ｂ−Ｉ−８は
３万枚コピ―後の画像は良好であったが１０万枚コピ―
後の画像はコントラストが低下していた。比較例Ｂ−Ｉ
−１，２，４及び７は感光層の摩耗が著しく、１万枚コ
ピ―後には所々にアルミニウムドラムの導電性支持体表
面が現われていた。尚、各々のＣＴＭのイオン化ポテン
シャル（Ｉｐ）は理研計器（株）製のＡＣ−１を用いて
ＣＴＭ／ＰＶＣｚ＝１／１で測定し、Ｄ−１，５，９，
１０，１１，１４，１５は各々５．４，５．４，５．
５，５．５，５．４，５．４，５．２ｅＶであった。

【００４７】

【表９】

【００４８】

【表１０】

【００４９】実施例Ｂ−ＩＩ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＬ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作製した。なお、比較例Ｂ−ＩＩ−４から比較例
Ｂ−ＩＩ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、用い
たポリアリレ―ト樹脂はＰＡ−１，−２，−３，−４
で、その粘度平均分子量は各々３万，３万，４万，２万
であった。各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２８
５６°Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位が
−８０Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求め
た。その結果を表Ｂ−ＩＩ−１に示す。

【００５０】また、（株）リコ―製複写機ＦＴ４８２０
を用いて１０万枚の繰り返し複写テストを行い、複写テ
スト前後の感光層膜厚を渦電流式膜厚計で測定した。結
果を表Ｂ−ＩＩ−２に示す。実施例Ｂ−ＩＩ−２，３，
７，９，及び１０は１０万枚コピ―後も良好な画像を維
持していたが、実施例Ｂ−ＩＩ−８は３万枚コピ―後の
画像は良好であったが１０万枚コピ―後の画像はコント
ラストが低下していた。比較例Ｂ−ＩＩ−１，２，４及
び７は感光層の摩耗が著しく、３万枚コピ―後には所々
にアルミニウムドラムの導電性支持体表面が現われてい
た。尚、各々のＣＴＭのイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）
は理研計器（株）製のＡＣ−１を用いてＣＴＭ／ＰＡ−
１＝１／１で測定し、Ｄ−１，５，９，１０，１１，１
４，１５は各々５．４，５．４，５．５，５．５，５．
４，５．４，５．２ｅＶであった。

【００５１】

【表１１】

【００５２】

【表１２】

【００５３】実施例Ｂ−ＩＩＩ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＬ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作製した。なお、比較例Ｂ−ＩＩＩ−４から比較
例Ｂ−ＩＩＩ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、
用いたポリカボネ―トはＰＣ−１，−２，−３，−４
で、その粘度平均分子量は各々４万，５万，４万，４万
であった。各々のＣＴＭのイオン化ボテンシャル（Ｉ
ｐ）は理研計器（株）製のＡＣ−１を用いてＣＴＭ／Ｐ
Ｃ−１＝１／１で測定し、Ｄ−１，５，９，１０，１
１，１４，１５は各々５．４，５．４，５．５，５．
５，５．４，５．４，５．２ｅＶであった。

【００５４】各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２
８５６°Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位
が−８０Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求
めた。その結果を表Ｂ−ＩＩＩ−１に示す。また、
（株）リコ―製複写機ＦＴ４８２０を用いて１０万枚の
繰り返し複写テストを行い、複写テスト前後の感光層膜
厚を渦電流式膜厚計で測定した。その結果を表Ｂ−ＩＩ
Ｉ−２に示す。実施例Ｂ−ＩＩＩ−２，３，７，９，１
１及び１２は１０万枚コピ―後も良好な画像を維持して
いたが、実施例Ｂ−ＩＩＩ−８は３万枚コピ―後の画像
は良好であったが１０万枚コピ―後の画像はコントラス
トが低下していた。比較例Ｂ−ＩＩＩ−１，２，４及び
７は感光層の摩耗が著しく、１万枚コピ―後には所々に
アルミニウムドラムの導電性支持体表面が現われてい
た。

【００５５】

【表１３】

【００５６】

【表１４】

【００５７】実施例Ｂ−ＩＶ 実施例Ａ−Ｉと同じアルミニウムドラム上にＡ−Ｉと同
じ条件で、同じ電荷発生層を形成した。次に電荷発生層
の上にＣＴＬ−１をジクロルメタン溶液で浸漬塗工及び
加熱乾燥し、ＣＴＬ−１の上にＣＴＬ−２のシクロヘキ
サノン／テトラヒドロフラン混合溶媒溶液をスプレ―塗
工及び加熱乾燥して、実施例及び比較例の電子写真用感
光体を作製した。なお、比較例Ｂ−ＩＶ−４から比較例
Ｂ−ＩＶ−７はＣＴＬ−２を設けなかった。また、用い
たポリカボネ―トはＰＣ−１，−２，−３，−４で、そ
の粘度平均分子量は各々４万，５万，４万，４万であっ
た。各々の感光体を−８００Ｖに帯電させ、２８５６°
Ｋのタングステンランプで露光して、表面電位が−８０
Ｖに減衰するまでの必要露光量を感度として求めた。そ
の結果を表Ｂ−ＩＶ−１に示す。

【００５８】また、（株）リコ―製複写機ＦＴ４８２０
を用いて１０万枚の繰り返し複写テストを行い、複写テ
スト前後の感光層膜厚を渦電流式膜厚計で測定した。そ
の結果を表Ｂ−ＩＶ−２に示す。実施例Ｂ−ＩＶ−２，
３，７，９，１１及び１２は１０万枚コピ―後も良好な
画像を維持していたが、実施例Ｂ−ＩＶ−８は３万枚コ
ピ―後の画像は良好であったが１０万枚コピ―後の画像
はコントラストが低下していた。比較例Ｂ−ＩＶ−１，
２，４及び７は感光層の摩耗が著しく、３万枚コピ―後
には所々にアルミニウムドラムの導電性支持体表面が現
われていた。尚、各々のＣＴＭのイオン化ポテンシャル
（Ｉｐ）は理研計器（株）製のＡＣ−１を用いてＣＴＭ
／ＰＣ−１＝１／１で測定し、Ｄ−１，５，９，１０，
１１，１４，１５は各々５．４，５．４，５．５，５．
５，５．４，５．４，５．２ｅＶであった。

【００５９】

【表１５】

【００６０】

【表１６】

【００６１】

【発明の効果】本発明の電子写真用感光体は前記の構成
からなり、最表面電荷移動層は樹脂バインダ―がポリア
リレ―ト樹脂又はポリカ―ボネ―ト樹脂を主成分とし、
一般式４）又は５）で表わされるその電荷移動物質と樹
脂バインダ―との重量比が１／９以上４／５以下であ
り、電荷発生層に接する最深電荷移動層は樹脂バインダ
―がポリビニルカルバゾ―ル又はその誘導体又はポリス
チレン樹脂のうち何れかを主成分とし、一般式１）〜
３）で表わされるその電荷移動物質と樹脂バインダ―と
の重量比が４／５以上９／１以下としたことから、高感
度であるとともに耐摩耗性も良好であり、繰り返し使用
後においても良好な帯電性を維持し、従って、繰り返し
使用後においてもコントラストの良好なコピ―画像が得
られるという顕著な作用効果を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/06 ３２２ 8305−2Ｈ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層
   及び電荷移動層を順次積層した感光体において、電荷移
   動層が電荷移動物質（ＣＴＭ）と樹脂バインダ―（Ｒ）
   を主成分とする複数の層より成り、最表面電荷移動層は
   Ｒがポリアリレ―ト樹脂又はポリカ―ボネ―ト樹脂を主
   成分とし、その組成比（ＣＴＭ／Ｒ比）が重量比で１／
   ９以上４／５以下であり、電荷発生層に接する最深電荷
   移動層はＲがポリビニルカルバゾ―ル樹脂又はその誘導
   体又はポリスチレン樹脂のうちの何れかを主成分とし、
   そのＣＴＭ／Ｒ比が４／５以上９／１以下であることを
   特徴とする電子写真用感光体。
2. 【請求項２】 最深電荷移動層がＣＴＭとして下記一般
   式―１）、―２）、および―３）で表される化合物のう
   ちの何れかを含有し、最表面電荷移動層がＣＴＭとして
   下記一般式―４）または―５）で表される化合物を含有
   することを特徴とする請求項１に記載の電子写真用感光
   体。 【化１】 （Ａｒ¹，Ａｒ²，Ａｒ³は置換又は未置換のフェニル
   基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、或はピ
   レニル基を表し、置換基としてはアルキル基又はアルコ
   キシル基を用いる。） 【化２】 （Ａｒ⁴，Ａｒ⁵，Ａｒ⁶，Ａｒ⁷は置換又は未置換のフェ
   ニル基を表し、置換基としてはアルキル基又はアルコキ
   シル基を用いる。Ａｒ⁸は置換又は未置換のアリ―レン
   基を表わす。） 【化３】 （Ａｒ⁹，Ａｒ¹⁰，Ａｒ¹¹は置換又は未置換のアリ―ル
   基を表し、Ａｒ¹²は置換又は未置換のフェニレン基を表
   し、Ｒ¹及びＲ²は水素、アルキル基、置換又は未置換の
   フェニル基を表す。置換基としてはアルキル基又はアル
   コキシ基を用いる。又、Ａｒ¹⁰とＲ²とは環を形成して
   もよい。） 【化４】 （Ａｒ¹³，Ａｒ¹⁴，Ａ¹⁵は置換又は未置換のアリ―ル基
   を表す。） 【化５】 （Ａｒ¹⁶，Ａｒ¹⁷は置換又は未置換のアリ―ル基を表
   し、Ｒ³は置換又は未置換のフェニル基又はアルキル基
   を表す。）