JPH0570282A - 単結晶引き上げ装置 - Google Patents
単結晶引き上げ装置Info
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- JPH0570282A JPH0570282A JP23029491A JP23029491A JPH0570282A JP H0570282 A JPH0570282 A JP H0570282A JP 23029491 A JP23029491 A JP 23029491A JP 23029491 A JP23029491 A JP 23029491A JP H0570282 A JPH0570282 A JP H0570282A
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- Japan
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- crucible
- pulling
- central part
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 単結晶原料を溶融させるるつぼ１１と、該る
つぼ１１に周設された加熱手段１３と、前記るつぼ１１
を所定の速度で回転させる回転軸２８と、前記るつぼ１
１内の溶融液１６から単結晶２１を成長させながら引き
上げる引き上げ具１５とを備えた単結晶引き上げ装置１
０において、前記るつぼ１１の底面中央部がるつぼ１１
の開口部に向かって突出した凸形状１１ａとなっている
単結晶引き上げ装置。 【効果】 石英るつぼ１１中央部がヒータ１３から離れ
ることとなり、単結晶２１引き上げ時に単結晶２１中央
部の冷却を従来のものより早めることができる。従っ
て、問題となっていた単結晶２１中央部と周辺部との温
度差をなくすことができ、半径方向についての結晶性を
均質にすることができるとともに、ウェハ面内での酸素
析出量がほぼ一定となるため、電気的特性の安定したデ
バイスを作製することができる。
つぼ１１に周設された加熱手段１３と、前記るつぼ１１
を所定の速度で回転させる回転軸２８と、前記るつぼ１
１内の溶融液１６から単結晶２１を成長させながら引き
上げる引き上げ具１５とを備えた単結晶引き上げ装置１
０において、前記るつぼ１１の底面中央部がるつぼ１１
の開口部に向かって突出した凸形状１１ａとなっている
単結晶引き上げ装置。 【効果】 石英るつぼ１１中央部がヒータ１３から離れ
ることとなり、単結晶２１引き上げ時に単結晶２１中央
部の冷却を従来のものより早めることができる。従っ
て、問題となっていた単結晶２１中央部と周辺部との温
度差をなくすことができ、半径方向についての結晶性を
均質にすることができるとともに、ウェハ面内での酸素
析出量がほぼ一定となるため、電気的特性の安定したデ
バイスを作製することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単結晶引き上げ装置、よ
り詳しくはＬＳＩ等の回路素子の基板として用いられる
シリコン単結晶を成長させる単結晶引き上げ装置に関す
る。
り詳しくはＬＳＩ等の回路素子の基板として用いられる
シリコン単結晶を成長させる単結晶引き上げ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
ＬＳＩ等の回路素子用基板として用いられている単結晶
シリコン基板の大部分は石英るつぼ内のシリコン溶融液
から回転させながら引上げるチョクラルスキー法（ＣＺ
法）と呼ばれる引き上げ方法によって形成されている。
ＬＳＩ等の回路素子用基板として用いられている単結晶
シリコン基板の大部分は石英るつぼ内のシリコン溶融液
から回転させながら引上げるチョクラルスキー法（ＣＺ
法）と呼ばれる引き上げ方法によって形成されている。
【０００３】図５は従来のＣＺ法で使用される単結晶引
き上げ装置３０の概略を示した模式的断面図であり、図
中２２は成長炉を示している。成長炉２２はメインチャ
ンバー２３とプルチャンバー２４とを備え、メインチャ
ンバー２３とプルチャンバー２４との間にはシャッタ２
５が介装されている。メインチャンバー２３内には有底
円筒状の石英製の内層容器である石英るつぼ３１が配設
されており、この石英るつぼ３１の外側には同じく有底
円筒状の黒鉛製の外層容器であるグラファイトるつぼ１
２が配設され、回転軸２８を中心にして回転させられる
ように構成されている。また、グラファイトるつぼ１２
の外側にはヒータ１３が同心円筒状に配設されており、
石英るつぼ３１、グラファイトるつぼ１２及びヒータ１
３は熱シールド１４で覆われている。また、石英るつぼ
３１内にはこのヒータ１３により溶融された原料となる
溶融液１６が充填されており、プルチャンバー２４の上
方からは石英るつぼ３１の中心軸上に引き上げ具１５が
吊設され、この引き上げ具１５の先端には種ホルダ２０
が配設されて種結晶（図示せず）が取り付けられてい
る。さらにプルチャンバー２４の上部にはアルゴンガス
等を供給するためのガス供給管２６が接続されており、
またプルチャンバー２４の下方真空配管１７が接続され
ている。さらにメインチャンバー２３の底面にはガス排
出口２７が形成され、また、メインチャンバー２３の上
部には覗き窓１９が形成されており、さらに覗き窓１９
の上方には溶融液１６表面の温度を測定するための光温
計１８が配設されている。
き上げ装置３０の概略を示した模式的断面図であり、図
中２２は成長炉を示している。成長炉２２はメインチャ
ンバー２３とプルチャンバー２４とを備え、メインチャ
ンバー２３とプルチャンバー２４との間にはシャッタ２
５が介装されている。メインチャンバー２３内には有底
円筒状の石英製の内層容器である石英るつぼ３１が配設
されており、この石英るつぼ３１の外側には同じく有底
円筒状の黒鉛製の外層容器であるグラファイトるつぼ１
２が配設され、回転軸２８を中心にして回転させられる
ように構成されている。また、グラファイトるつぼ１２
の外側にはヒータ１３が同心円筒状に配設されており、
石英るつぼ３１、グラファイトるつぼ１２及びヒータ１
３は熱シールド１４で覆われている。また、石英るつぼ
３１内にはこのヒータ１３により溶融された原料となる
溶融液１６が充填されており、プルチャンバー２４の上
方からは石英るつぼ３１の中心軸上に引き上げ具１５が
吊設され、この引き上げ具１５の先端には種ホルダ２０
が配設されて種結晶（図示せず）が取り付けられてい
る。さらにプルチャンバー２４の上部にはアルゴンガス
等を供給するためのガス供給管２６が接続されており、
またプルチャンバー２４の下方真空配管１７が接続され
ている。さらにメインチャンバー２３の底面にはガス排
出口２７が形成され、また、メインチャンバー２３の上
部には覗き窓１９が形成されており、さらに覗き窓１９
の上方には溶融液１６表面の温度を測定するための光温
計１８が配設されている。
【０００４】単結晶４１を成長させる際には、種結晶を
溶融液１６の表面に接触させて引き上げ具１５を引き上
げていく。
溶融液１６の表面に接触させて引き上げ具１５を引き上
げていく。
【０００５】単結晶４１をこの単結晶引き上げ装置３０
を用いて成長させる場合、石英るつぼ３１自身がシリコ
ン溶融液１６に溶解して酸素を溶出する。この酸素は固
液界面からシリコンインゴット中に約２×１０18ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3 の密度を持って取り込まれる。
を用いて成長させる場合、石英るつぼ３１自身がシリコ
ン溶融液１６に溶解して酸素を溶出する。この酸素は固
液界面からシリコンインゴット中に約２×１０18ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3 の密度を持って取り込まれる。
【０００６】一方、シリコン中の酸素の固溶度は例えば
１０００℃の時、約３×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 であ
り、それより低温では更に小さな値となる。そのため、
シリコンインゴット内に含有される酸素は常に過飽和と
なっており、インゴット引き上げ中に酸素はＳｉＯX と
いう組成で析出することとなる。
１０００℃の時、約３×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 であ
り、それより低温では更に小さな値となる。そのため、
シリコンインゴット内に含有される酸素は常に過飽和と
なっており、インゴット引き上げ中に酸素はＳｉＯX と
いう組成で析出することとなる。
【０００７】図５の単結晶引上げ装置３０を用いて単結
晶４１を成長させて得られるシリコンインゴットは、図
６に示したように、インゴットの中心部と周辺部とでは
異なる冷却曲線を有し、半径方向について異なる冷却過
程を経ることがわかる。特にインゴット中心部は周辺部
より数十度温度が高い。このため、このインゴットを横
割りにして得られたシリコンウェハは半径方向について
結晶性が異なることになる。この引き上げ直後の状態で
のウェハの半径方向についての結晶性の差はその後のＬ
ＳＩ製造工程における熱処理での酸素析出に影響を及ぼ
すため、ウェハ半径方向について、酸化膜耐圧の不良等
が分布を有して出現する。つまり、ウェハ面内での結晶
性が不均質であることに起因してデバイス等が不良品と
なるという課題があった。
晶４１を成長させて得られるシリコンインゴットは、図
６に示したように、インゴットの中心部と周辺部とでは
異なる冷却曲線を有し、半径方向について異なる冷却過
程を経ることがわかる。特にインゴット中心部は周辺部
より数十度温度が高い。このため、このインゴットを横
割りにして得られたシリコンウェハは半径方向について
結晶性が異なることになる。この引き上げ直後の状態で
のウェハの半径方向についての結晶性の差はその後のＬ
ＳＩ製造工程における熱処理での酸素析出に影響を及ぼ
すため、ウェハ半径方向について、酸化膜耐圧の不良等
が分布を有して出現する。つまり、ウェハ面内での結晶
性が不均質であることに起因してデバイス等が不良品と
なるという課題があった。
【０００８】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、半径方向にについて均質な結晶性を有す
るシリコン単結晶を成長させることができるような単結
晶引き上げ装置を提供することを目的としている。
ものであって、半径方向にについて均質な結晶性を有す
るシリコン単結晶を成長させることができるような単結
晶引き上げ装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係わる単結晶引き上げ装置は、単結晶原料を
溶融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱
手段と、前記るつぼを所定の速度で回転させる回転手段
と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら
引き上げる引き上げ手段とを備えた単結晶引き上げ装置
において、前記るつぼの底面中央部が前記るつぼの開口
部に伺って突出した凸形状となっていることを特徴とし
ている。
に本発明に係わる単結晶引き上げ装置は、単結晶原料を
溶融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱
手段と、前記るつぼを所定の速度で回転させる回転手段
と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら
引き上げる引き上げ手段とを備えた単結晶引き上げ装置
において、前記るつぼの底面中央部が前記るつぼの開口
部に伺って突出した凸形状となっていることを特徴とし
ている。
【００１０】
【作用】上記した構成によれば、前記るつぼの底面中央
部が前記るつぼの開口部に向かって突出した凸形状とな
っているので、前記るつぼの底面中央部は前記加熱手段
から離れることとなるため、単結晶引き上げ時に通常は
前記単結晶の周辺部より温度の高い中央部の冷却を従来
のものより早めることとなる。従って、問題となってい
た前記単結晶の中央部と周辺部との温度差がなくなり、
半径方向についての結晶性が均質となる。
部が前記るつぼの開口部に向かって突出した凸形状とな
っているので、前記るつぼの底面中央部は前記加熱手段
から離れることとなるため、単結晶引き上げ時に通常は
前記単結晶の周辺部より温度の高い中央部の冷却を従来
のものより早めることとなる。従って、問題となってい
た前記単結晶の中央部と周辺部との温度差がなくなり、
半径方向についての結晶性が均質となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る単結晶引き上げ装置の実
施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機
能を有する構成部品には同一符号を付すこととする。図
１はＣＺ法で使用される単結晶引き上げ装置１０の概略
を示した模式的断面図であり、図中２２は成長炉を示し
ている。成長炉２２はメインチャンバー２３とプルチャ
ンバー２４とを備え、メインチャンバー２３とプルチャ
ンバー２４との間にはシャッタ２５が介装されている。
メインチャンバー２３内には有底円筒状の石英製の内層
容器である石英るつぼ１１が配設されており、この石英
るつぼ１１の底面中央部は開口部に向かって突出した凸
形状１１ａとなっている。また、この石英るつぼ１１の
外側には同じく有底円筒状の黒鉛製の外層容器であるグ
ラファイトるつぼ１２が配設され、これら石英るつぼ１
１及びグラファイトるつぼ１２は回転軸２８を中心にし
回転させられるように構成されている。また、グラファ
イトるつぼ１２の外側にはヒータ１３が同心円筒状に配
設されており、石英るつぼ１１、グラファイトるつぼ１
２及びヒータ１３は熱シールド１４で覆われている。ま
た、石英るつぼ１１内にはこのヒータ１３により溶融さ
れた原料となる溶融液１６が充填されており、プルチャ
ンバー２４の上方からは石英るつぼ１１の中心軸上に引
き上げ具１５が吊設され、この引き上げ具１５の先端に
は種ホルダ２０が配設されて種結晶（図示せず）が取り
付けられている。さらにプルチャンバー２４の上部には
アルゴンガス等を供給するためのガス供給管２６が接続
されており、またプルチャンバー２４の下方には真空配
管１７が接続されている。さらにメインチャンバー２３
の底面にはガス排出口２７が形成され、また、メインチ
ャンバー２３の上部には覗き窓１９が形成されており、
さらに覗き窓１９の下方には溶融液１６表面の温度を測
定するための光温計１８が配設されている。
施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機
能を有する構成部品には同一符号を付すこととする。図
１はＣＺ法で使用される単結晶引き上げ装置１０の概略
を示した模式的断面図であり、図中２２は成長炉を示し
ている。成長炉２２はメインチャンバー２３とプルチャ
ンバー２４とを備え、メインチャンバー２３とプルチャ
ンバー２４との間にはシャッタ２５が介装されている。
メインチャンバー２３内には有底円筒状の石英製の内層
容器である石英るつぼ１１が配設されており、この石英
るつぼ１１の底面中央部は開口部に向かって突出した凸
形状１１ａとなっている。また、この石英るつぼ１１の
外側には同じく有底円筒状の黒鉛製の外層容器であるグ
ラファイトるつぼ１２が配設され、これら石英るつぼ１
１及びグラファイトるつぼ１２は回転軸２８を中心にし
回転させられるように構成されている。また、グラファ
イトるつぼ１２の外側にはヒータ１３が同心円筒状に配
設されており、石英るつぼ１１、グラファイトるつぼ１
２及びヒータ１３は熱シールド１４で覆われている。ま
た、石英るつぼ１１内にはこのヒータ１３により溶融さ
れた原料となる溶融液１６が充填されており、プルチャ
ンバー２４の上方からは石英るつぼ１１の中心軸上に引
き上げ具１５が吊設され、この引き上げ具１５の先端に
は種ホルダ２０が配設されて種結晶（図示せず）が取り
付けられている。さらにプルチャンバー２４の上部には
アルゴンガス等を供給するためのガス供給管２６が接続
されており、またプルチャンバー２４の下方には真空配
管１７が接続されている。さらにメインチャンバー２３
の底面にはガス排出口２７が形成され、また、メインチ
ャンバー２３の上部には覗き窓１９が形成されており、
さらに覗き窓１９の下方には溶融液１６表面の温度を測
定するための光温計１８が配設されている。
【００１２】単結晶２１を成長させる際には、種結晶を
溶融液１６の表面に接触させて引き上げ具１５を引き上
げていく。
溶融液１６の表面に接触させて引き上げ具１５を引き上
げていく。
【００１３】上記した単結晶引き上げ装置１０を用いて
単結晶２１を成長させて得られたシリコンインゴットの
中心部及び周辺部における冷却曲線を図２に示す。図中
Ａ及びＢはそれぞれインゴットの中心部及び周辺部を示
している。
単結晶２１を成長させて得られたシリコンインゴットの
中心部及び周辺部における冷却曲線を図２に示す。図中
Ａ及びＢはそれぞれインゴットの中心部及び周辺部を示
している。
【００１４】図２より明らかなように、上記した単結晶
引き上げ装置１０を用いた場合、インゴットの中心部及
び周辺部の冷却曲線はほぼ一致している。つまり、イン
ゴット中央部の冷却が従来のものより早められているこ
とが分かる。
引き上げ装置１０を用いた場合、インゴットの中心部及
び周辺部の冷却曲線はほぼ一致している。つまり、イン
ゴット中央部の冷却が従来のものより早められているこ
とが分かる。
【００１５】また、上記した単結晶引き上げ装置１０を
用いた場合の単結晶２１引き上げ直後の格子間酸素濃度
Ｉｎ［Ｏi ］と７００℃で４時間熱処理した後にさらに
１０００℃で１６時間熱処理した後の格子間酸素濃度
［Ｏi ］のウェハ面内分布を図３に示す。なお、図３に
おいて、Ｉｎ［Ｏi ］の値から［Ｏi ］の値を差し引い
た量が酸素析出量に対応することとなる。比較例として
従来の標準的な石英るつぼを用いることによって作製し
たシリコンウェハの単結晶４１引き上げ直後の格子間酸
素濃度Ｉｎ［Ｏi ］と７００℃で４時間熱処理した後に
さらに１０００℃で１６時間熱処理した後の格子間酸素
濃度［Ｏi ］のウェハ面内分布を図４に示す。図３及び
図４より明らかなように、凸形状１１ａが形成された石
英るつぼ１１を用いて作製したシリコンウェハは、ウェ
ハ面内で酸素析出量がほぼ均一であり、このことはウェ
ハの結晶性が半径方向で均質であることを示している。
一方、従来の石英るつぼ３１を用いて作製したシリコン
ウェハは、ウェハ中心部と周辺部とで酸素析出量が大き
く異なっており、ウェハの結晶性が半径方向で不均質で
あることが分かる。
用いた場合の単結晶２１引き上げ直後の格子間酸素濃度
Ｉｎ［Ｏi ］と７００℃で４時間熱処理した後にさらに
１０００℃で１６時間熱処理した後の格子間酸素濃度
［Ｏi ］のウェハ面内分布を図３に示す。なお、図３に
おいて、Ｉｎ［Ｏi ］の値から［Ｏi ］の値を差し引い
た量が酸素析出量に対応することとなる。比較例として
従来の標準的な石英るつぼを用いることによって作製し
たシリコンウェハの単結晶４１引き上げ直後の格子間酸
素濃度Ｉｎ［Ｏi ］と７００℃で４時間熱処理した後に
さらに１０００℃で１６時間熱処理した後の格子間酸素
濃度［Ｏi ］のウェハ面内分布を図４に示す。図３及び
図４より明らかなように、凸形状１１ａが形成された石
英るつぼ１１を用いて作製したシリコンウェハは、ウェ
ハ面内で酸素析出量がほぼ均一であり、このことはウェ
ハの結晶性が半径方向で均質であることを示している。
一方、従来の石英るつぼ３１を用いて作製したシリコン
ウェハは、ウェハ中心部と周辺部とで酸素析出量が大き
く異なっており、ウェハの結晶性が半径方向で不均質で
あることが分かる。
【００１６】このように上記実施例に係る単結晶引き上
げ装置１０においては、石英るつぼ１１底面中央部に凸
形状１１ａを有することにより、石英るつぼ１１中央部
がヒータ１３から離れることとなり、引き上げ時にイン
ゴット中央部の冷却を早めることができ、そのため、イ
ンゴット中央部と周辺部の温度差をほとんどなくすこと
ができる。従って、このインゴットから得られたシリコ
ンウェハは、ウェハ面内全面での酸素析出量がほぼ一定
であり、半径方向に均質な結晶を得ることができ、デバ
イスの電気的特性を安定的なものとすることができる。
げ装置１０においては、石英るつぼ１１底面中央部に凸
形状１１ａを有することにより、石英るつぼ１１中央部
がヒータ１３から離れることとなり、引き上げ時にイン
ゴット中央部の冷却を早めることができ、そのため、イ
ンゴット中央部と周辺部の温度差をほとんどなくすこと
ができる。従って、このインゴットから得られたシリコ
ンウェハは、ウェハ面内全面での酸素析出量がほぼ一定
であり、半径方向に均質な結晶を得ることができ、デバ
イスの電気的特性を安定的なものとすることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る単結晶
引き上げ装置にあっては、るつぼの底面中央部が前記る
つぼの開口部に向かって突出した凸形状となっているの
で、前記るつぼ中央部は加熱手段から離れることとな
り、単結晶引き上げ時に通常は前記単結晶の周辺部より
温度の高い中央部の冷却を従来のものより早めることが
できる。従って、問題となっていた前記単結晶の中央部
と周辺部との温度差をなくすことができ、半径方向につ
いての結晶性を均質にすることができるとともに、ウェ
ハ面内での酸素析出量がほぼ一定となるため、電気的特
性の安定したデバイスを作製することができる。
引き上げ装置にあっては、るつぼの底面中央部が前記る
つぼの開口部に向かって突出した凸形状となっているの
で、前記るつぼ中央部は加熱手段から離れることとな
り、単結晶引き上げ時に通常は前記単結晶の周辺部より
温度の高い中央部の冷却を従来のものより早めることが
できる。従って、問題となっていた前記単結晶の中央部
と周辺部との温度差をなくすことができ、半径方向につ
いての結晶性を均質にすることができるとともに、ウェ
ハ面内での酸素析出量がほぼ一定となるため、電気的特
性の安定したデバイスを作製することができる。
【図１】本発明に係る単結晶引き上げ装置の実施例を示
した概略断面図である。
した概略断面図である。
【図２】インゴット中心部及び周辺部における冷却曲線
を示したグラフである。
を示したグラフである。
【図３】シリコンウェハの熱処理前後における格子間酸
素濃度のウェハ面内分布を示すグラフである。
素濃度のウェハ面内分布を示すグラフである。
【図４】従来の単結晶引き上げ装置を用いて作製したシ
リコンウェハの熱処理前後における格子間酸素濃度のウ
ェハ面内分布を示すグラフである。
リコンウェハの熱処理前後における格子間酸素濃度のウ
ェハ面内分布を示すグラフである。
【図５】従来の単結晶引き上げ装置を示した概略断面図
である。
である。
【図６】インゴット中心部及び周辺部における冷却曲線
を示したグラフである。
を示したグラフである。
１０ 単結晶引き上げ装置 １１ 石英るつぼ １１ａ 凸形状 １２ グラファイトるつぼ １３ ヒータ（加熱手段） １５ 引き上げ具（引き上げ手段） １６ 溶融液 ２１ 単結晶 ２８ 回転軸（回転手段）
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶原料を溶融させるるつぼと、該る
つぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼを所定
の速度で回転させる回転手段と、前記るつぼ内の溶融液
から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ手段と
を備えた単結晶引き上げ装置において、前記るつぼの底
面中央部が前記るつぼの開口部に向かって突出した凸形
状となっていることを特徴とする単結晶引き上げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23029491A JPH0570282A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 単結晶引き上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23029491A JPH0570282A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 単結晶引き上げ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570282A true JPH0570282A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16905569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23029491A Pending JPH0570282A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 単結晶引き上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570282A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005206448A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Siltronic Japan Corp | シリコン結晶育成用るつぼ及びシリコン結晶の育成方法 |
| JP2013147407A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ、その酸素析出量の面内均一性評価方法、シリコン単結晶の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP23029491A patent/JPH0570282A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005206448A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Siltronic Japan Corp | シリコン結晶育成用るつぼ及びシリコン結晶の育成方法 |
| JP4597619B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-12-15 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン結晶育成用るつぼ及びシリコン結晶の育成方法 |
| JP2013147407A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ、その酸素析出量の面内均一性評価方法、シリコン単結晶の製造方法 |
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