JP2013147407A - シリコン単結晶ウエーハ、その酸素析出量の面内均一性評価方法、シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハに600℃〜700℃の低温熱処理を施した後、750℃〜1050℃の高温熱処理を施した場合に、前記シリコン単結晶ウエーハの直径を10mm以上15mm以下の長さ毎に分割した区間のうち、前記低温熱処理前の酸素濃度と前記高温熱処理後の酸素濃度の差[Op]の最大値[Op]maxと最小値[Op]minとの比[Op]max/[Op]minが1.25以下となる区間が、前記分割された全区間の85%以上を占めるものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。X線トポグラフィーイメージによれば、明瞭な析出酸素のストリエーションパターンは認められず、ウエーハ面内の酸素析出量が均一なシリコン単結晶ウエーハとなる。
【選択図】図1
Description
該シリコン単結晶ウエーハに600℃〜700℃の低温熱処理を施した後、750℃〜1050℃の高温熱処理を施した場合に、
前記シリコン単結晶ウエーハの直径を10mm以上15mm以下の長さ毎に分割した区間のうち、前記低温熱処理前の酸素濃度と前記高温熱処理後の酸素濃度の差[Op]の最大値[Op]maxと最小値[Op]minとの比[Op]max/[Op]minが1.25以下となる区間が、前記分割された全区間の85%以上を占めるものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハを提供する。
シリコン単結晶ウエーハの直径方向の酸素濃度測定を行い、シリコン単結晶ウエーハに600℃〜700℃の低温熱処理と、750℃〜1050℃の高温熱処理とを施し、その後更にシリコン単結晶ウエーハの直径方向の酸素濃度測定を行い、
シリコン単結晶ウエーハの直径を10mm以上15mm以下の長さ毎に分割した区間のうち、低温熱処理前の酸素濃度と高温熱処理後の酸素濃度の差[Op]の最大値[Op]maxと最小値[Op]minの比[Op]max/[Op]minが1.25以下となる区間の、分割された全区間に占める割合によりシリコン単結晶ウエーハの酸素析出量の面内均一性を評価するシリコン単結晶ウエーハの酸素析出量の面内均一性評価方法を提供する。
図4(装置A)の引き上げ装置のメインチャンバー内に設置された口径32インチ(800mm)の石英ルツボ内に、シリコン多結晶原料360kgを充填した。さらに抵抗調整用のボロンドーパントも充填し、ヒーターを用いて加熱し原料を溶融した。そして、MCZ(Magnetic field applied czochralski)法を用い、中心磁場強度3000Gの水平磁場を印加しながら、直径300mm、直胴長さ140cmのP型シリコン単結晶を育成した。その際、引き上げ速度をF(mm/min)、シリコン融点から1400℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をG(℃/mm)で表した時、F/G(mm2/℃・min)のシリコン単結晶の成長方向の変動幅が0.24〜0.27となるようにした。
(3段熱処理条件)
1段目・・・650℃窒素雰囲気中・20分間
2段目・・・800℃・4時間ドライ酸化
3段目・・・1000℃・14時間ドライ酸化処理後冷却
F/G(mm2/℃・min)のシリコン単結晶の成長方向の変動幅が0.24〜0.28となるようにした以外は実施例1と同様にシリコン単結晶を育成した。その後、実施例1と同様に引き上げたシリコン単結晶からスライスしたウエーハを鏡面加工し、上記の3段熱処理を施し、格子間酸素濃度を測定した。結果を表1に示す。
図5の引き上げ装置に、実施例と同様にメインチャンバー内に設置された口径32インチ(800mm)の石英ルツボ内に、シリコン多結晶原料360kgを充填した。さらに抵抗調整用のボロンドーパントも充填し、ヒーターを用いて加熱し原料を溶融した。そして、MCZ法を用い、中心磁場強度3000Gの水平磁場を印加しながら、直径300mm、直胴長さ140cmのP型シリコン単結晶を育成した。その際、F/G(mm2/℃・min)のシリコン単結晶の成長方向の変動幅が0.22〜0.25となるようにした。
Claims (9)
- シリコン単結晶ウエーハであって、
該シリコン単結晶ウエーハに600℃〜700℃の低温熱処理を施した後、750℃〜1050℃の高温熱処理を施した場合に、
前記シリコン単結晶ウエーハの直径を10mm以上15mm以下の長さ毎に分割した区間のうち、前記低温熱処理前の酸素濃度と前記高温熱処理後の酸素濃度の差[Op]の最大値[Op]maxと最小値[Op]minとの比[Op]max/[Op]minが1.25以下となる区間が、前記分割された全区間の85%以上を占めるものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。 - 前記10mm以上15mm以下の長さ毎に分割した区間のうち、前記高温熱処理後の酸素濃度[Oi]の最大値[Oi]maxと最小値[Oi]minとの比[Oi]max/[Oi]minが1.25以下となる区間が、前記分割された全区間の85%以上を占めるものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶ウエーハ。
- 前記区間は、10mm毎に分割した区間であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶ウエーハ。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶ウエーハ上にエピタキシャル層を有するものであることを特徴とするエピタキシャルウエーハ。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶ウエーハによって作製されたものであることを特徴とする貼り合わせ用ウエーハ。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶ウエーハに1100〜1350℃の熱処理を施したものであることを特徴とするアニールウエーハ。
- シリコン単結晶の製造方法であって、
引き上げ速度をF(mm/min)、シリコン融点から1400℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をG(℃/mm)としたときに、F/G(mm2/℃・min)の値の前記シリコン単結晶の成長方向の全てで0.23以上又は0.19以上0.20以下の範囲となるように制御して前記シリコン単結晶を引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - シリコン単結晶ウエーハの酸素析出量の面内均一性を評価する方法であって、
前記シリコン単結晶ウエーハの直径方向の酸素濃度測定を行い、前記シリコン単結晶ウエーハに600℃〜700℃の低温熱処理と、750℃〜1050℃の高温熱処理とを施し、その後更に前記シリコン単結晶ウエーハの直径方向の酸素濃度測定を行い、
前記シリコン単結晶ウエーハの直径を10mm以上15mm以下の長さ毎に分割した区間のうち、前記低温熱処理前の酸素濃度と前記高温熱処理後の酸素濃度の差[Op]の最大値[Op]maxと最小値[Op]minの比[Op]max/[Op]minが1.25以下となる区間の、前記分割された全区間に占める割合により前記シリコン単結晶ウエーハの酸素析出量の面内均一性を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの酸素析出量の面内均一性評価方法。 - 前記区間は10mm毎に分割した区間とし、及び/又は前記低温熱処理前及び前記高温熱処理後の酸素濃度測定は0.5mm間隔のFT−IRスキャン測定で行うことを特徴とする請求項8に記載のシリコン単結晶ウエーハの酸素析出量の面内均一性評価方法。
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