JP2735741B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、チョクラルスキー法
によってシリコン単結晶を製造するに際し、スワール等
の微小欠陥の発生を抑止し、またＯＳＦの発生を防止抑
制することができるシリコン単結晶棒の製造方法に関す
るものである。
によってシリコン単結晶を製造するに際し、スワール等
の微小欠陥の発生を抑止し、またＯＳＦの発生を防止抑
制することができるシリコン単結晶棒の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法でシリコン単結晶棒
を製造する場合を説明すると、引上室（金属製チャンバ
ー）のほぼ中央に黒鉛サセプタに保持された石英るつぼ
を設け、黒鉛サセプタの底部中央を回転・上下自在の支
持軸で下方より支持する。石英るつぼの中に原料の多結
晶シリコンを装填し、該多結晶シリコンを保温体で囲繞
された黒鉛ヒータにより加熱、溶融して溶融体とする。
引上室の天井中央には開口部を有し、これに接続したサ
ブチャンバーの中を通って先端に種結晶を保持した回転
・上下自在の引上軸を降下し、溶融体に浸漬した後引上
軸及び石英るつぼを回転しながら種結晶を引き上げる
と、その下に単結晶棒を成長させることができる。この
間、アルゴンガス等の保護ガスをサブチャンバーの上部
より導入し、引上室の下部にある排出口より排出する。
を製造する場合を説明すると、引上室（金属製チャンバ
ー）のほぼ中央に黒鉛サセプタに保持された石英るつぼ
を設け、黒鉛サセプタの底部中央を回転・上下自在の支
持軸で下方より支持する。石英るつぼの中に原料の多結
晶シリコンを装填し、該多結晶シリコンを保温体で囲繞
された黒鉛ヒータにより加熱、溶融して溶融体とする。
引上室の天井中央には開口部を有し、これに接続したサ
ブチャンバーの中を通って先端に種結晶を保持した回転
・上下自在の引上軸を降下し、溶融体に浸漬した後引上
軸及び石英るつぼを回転しながら種結晶を引き上げる
と、その下に単結晶棒を成長させることができる。この
間、アルゴンガス等の保護ガスをサブチャンバーの上部
より導入し、引上室の下部にある排出口より排出する。
【０００３】導入する保護ガスはきわめて高純度である
が、引上室内において石英るつぼとシリコン溶融体とが
反応して生成したＳｉＯ蒸気を含む。このＳｉＯ蒸気の
大部分は排出口より引上室外に排出されるが、一部は石
英るつぼの上端縁や引上室内壁にそれぞれアモルファス
凝集体となって付着する。これが引き上げる単結晶棒と
溶融体表面の周辺とに発生する乱流によって導かれ、単
結晶棒と溶融体との界面近くに落下して単結晶棒の有転
位化や多結晶化の原因となっていた。
が、引上室内において石英るつぼとシリコン溶融体とが
反応して生成したＳｉＯ蒸気を含む。このＳｉＯ蒸気の
大部分は排出口より引上室外に排出されるが、一部は石
英るつぼの上端縁や引上室内壁にそれぞれアモルファス
凝集体となって付着する。これが引き上げる単結晶棒と
溶融体表面の周辺とに発生する乱流によって導かれ、単
結晶棒と溶融体との界面近くに落下して単結晶棒の有転
位化や多結晶化の原因となっていた。
【０００４】また、黒鉛サセプタ、黒鉛ヒータ、保温体
（黒鉛フェルト）等の素材に含まれ、空焼きによっても
除去し得なかった吸蔵酸素や水分が高温に加熱されたこ
れらの炭素質材と反応してＣＯやＣＯ2 ガスを生成し、
引上室の排気置換が不充分なために引上室内に滞留して
いる不純物ガスと共に、前記乱流に導かれて溶融体表面
に還流接触し、単結晶シリコン棒中の炭素等の不純物濃
度を高め、この単結晶棒より作ったウェーハの集積回路
素子の特性を劣化させる原因となっていた。
（黒鉛フェルト）等の素材に含まれ、空焼きによっても
除去し得なかった吸蔵酸素や水分が高温に加熱されたこ
れらの炭素質材と反応してＣＯやＣＯ2 ガスを生成し、
引上室の排気置換が不充分なために引上室内に滞留して
いる不純物ガスと共に、前記乱流に導かれて溶融体表面
に還流接触し、単結晶シリコン棒中の炭素等の不純物濃
度を高め、この単結晶棒より作ったウェーハの集積回路
素子の特性を劣化させる原因となっていた。
【０００５】そして、シリコン単結晶基板上に集積回路
素子を高密度で形成する場合は、熱酸化処理工程によっ
て基板表面にＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fau
lt:以下ＯＳＦという）スワール欠陥（Swirl Defect)
その他の微小欠陥が形成され易く、電子回路素子の特性
を劣化させ、製品収率を著しく低下させるが、従来のチ
ョクラルスキー法による単結晶の製造においては、これ
らの欠陥の発生を抑制することは困難であった。
素子を高密度で形成する場合は、熱酸化処理工程によっ
て基板表面にＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fau
lt:以下ＯＳＦという）スワール欠陥（Swirl Defect)
その他の微小欠陥が形成され易く、電子回路素子の特性
を劣化させ、製品収率を著しく低下させるが、従来のチ
ョクラルスキー法による単結晶の製造においては、これ
らの欠陥の発生を抑制することは困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題点に鑑みてなされたもので、引上げ単結晶
棒を同軸に囲繞した円筒を設けこの円筒内に保護ガスを
導入するようにした装置を用い、引上室内の圧力を５０
０ｍｂａｒ以下に設定し、かつ保護ガスの単位面積当り
の流量が０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上として単結晶
棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒に所定
の熱処理を加えることにより、単結晶内部の微小欠陥の
発生を抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制する
ことができるようにしたシリコン単結晶の製造方法を提
供することを目的とする。
来技術の問題点に鑑みてなされたもので、引上げ単結晶
棒を同軸に囲繞した円筒を設けこの円筒内に保護ガスを
導入するようにした装置を用い、引上室内の圧力を５０
０ｍｂａｒ以下に設定し、かつ保護ガスの単位面積当り
の流量が０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上として単結晶
棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒に所定
の熱処理を加えることにより、単結晶内部の微小欠陥の
発生を抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制する
ことができるようにしたシリコン単結晶の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明のシリコン単結晶の製造方法において
は、引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設けこの円筒
内に保護ガスを導入するようにしたチョクラルスキー法
によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、引上室内
の圧力を５００ｍｂａｒ以下に設定し、かつ該円筒内の
保護ガスの単位面積当りの流量を単結晶棒引上状態で
０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上として単結晶棒を引上
げ成長させ、この成長完了した単結晶棒を成長完了後直
ちに５０〜３００℃の雰囲気温度領域に少なくとも９０
分保持するようにしたものである。
ために、本発明のシリコン単結晶の製造方法において
は、引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設けこの円筒
内に保護ガスを導入するようにしたチョクラルスキー法
によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、引上室内
の圧力を５００ｍｂａｒ以下に設定し、かつ該円筒内の
保護ガスの単位面積当りの流量を単結晶棒引上状態で
０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上として単結晶棒を引上
げ成長させ、この成長完了した単結晶棒を成長完了後直
ちに５０〜３００℃の雰囲気温度領域に少なくとも９０
分保持するようにしたものである。
【０００８】上記した引上室内の圧力としては、５００
ｍｂａｒ以下、好ましくは１００〜１５０ｍｂａｒとす
ることが必要であり、５００ｍｂａｒを超えると微小欠
陥を抑制することができず本発明の目的を達成すること
ができない。
ｍｂａｒ以下、好ましくは１００〜１５０ｍｂａｒとす
ることが必要であり、５００ｍｂａｒを超えると微小欠
陥を抑制することができず本発明の目的を達成すること
ができない。
【０００９】上記した保護ガスの単位面積当りの流量が
単結晶棒引上状態で０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上、
好ましくは０．２５〜１．００ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 とす
ることが必要であり、０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 に満
たないとやはり微小欠陥を抑制することができず、本発
明の目的を達成することができない。
単結晶棒引上状態で０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上、
好ましくは０．２５〜１．００ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 とす
ることが必要であり、０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 に満
たないとやはり微小欠陥を抑制することができず、本発
明の目的を達成することができない。
【００１０】上記した円筒内の保護ガスの流量を０．２
５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上とする手段としては、従来の
円筒の内径を狭めて保護ガスの絶対流量は従来と同様と
し、又は従来の円筒をそのまま使用し保護ガスの絶対流
量を増加させてもよい。
５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上とする手段としては、従来の
円筒の内径を狭めて保護ガスの絶対流量は従来と同様と
し、又は従来の円筒をそのまま使用し保護ガスの絶対流
量を増加させてもよい。
【００１１】
【作用】本発明方法に従って引上作業を行うには、従来
と同様に石英ルツボに原料の多結晶シリコンを装填し、
引上室を排気し、保護ガスを導入口より導入し、排出口
より排出して引上室内を保護ガス雰囲気に置換する。こ
のとき、引上室の圧力は５００ｍｂａｒ以下とする。つ
いで、黒鉛ヒータに所定電流を流して原料を加熱し溶融
体とした後、引上軸を下降しその下端に保持した種結晶
を一旦溶融体に浸漬し、その支持軸、引上軸を回転しな
がら、種結晶を引き上げると、その下端に単結晶棒が成
長する。
と同様に石英ルツボに原料の多結晶シリコンを装填し、
引上室を排気し、保護ガスを導入口より導入し、排出口
より排出して引上室内を保護ガス雰囲気に置換する。こ
のとき、引上室の圧力は５００ｍｂａｒ以下とする。つ
いで、黒鉛ヒータに所定電流を流して原料を加熱し溶融
体とした後、引上軸を下降しその下端に保持した種結晶
を一旦溶融体に浸漬し、その支持軸、引上軸を回転しな
がら、種結晶を引き上げると、その下端に単結晶棒が成
長する。
【００１２】この単結晶の成長過程において、本発明で
は、円筒内の保護ガスの流量を０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃ
ｍ2 以上と規定しているから、単結晶内部の微小欠陥を
効果的に抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制す
ることができるものである。
は、円筒内の保護ガスの流量を０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃ
ｍ2 以上と規定しているから、単結晶内部の微小欠陥を
効果的に抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制す
ることができるものである。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明方法に用いる装置の一例を添
付図面に基づいて説明する。図１において、２は本発明
に係わるシリコン単結晶の製造装置で、引上室４内の中
央に黒鉛サセプター６に保持された石英ルツボ８が設け
られている。該黒鉛サセプター６は底部中央を回転、上
下自在の支持軸１０によって下方より支持される。引上
室４は天井中央に開口部１２を有し、サブチャンバー１
４内に回転、上下動自在の引上軸１６を備えている。前
記開口部１２の縁には、一端を気密に結合し他端を溶融
体１８に向かって垂下する円筒２０が設けられている。
該円筒２０の下端には折り返して外上方に向かって拡開
するカラー２１が形成されている。このカラー２１は必
須の構成ではなく、取りつけなくともよい。
付図面に基づいて説明する。図１において、２は本発明
に係わるシリコン単結晶の製造装置で、引上室４内の中
央に黒鉛サセプター６に保持された石英ルツボ８が設け
られている。該黒鉛サセプター６は底部中央を回転、上
下自在の支持軸１０によって下方より支持される。引上
室４は天井中央に開口部１２を有し、サブチャンバー１
４内に回転、上下動自在の引上軸１６を備えている。前
記開口部１２の縁には、一端を気密に結合し他端を溶融
体１８に向かって垂下する円筒２０が設けられている。
該円筒２０の下端には折り返して外上方に向かって拡開
するカラー２１が形成されている。このカラー２１は必
須の構成ではなく、取りつけなくともよい。
【００１４】該サブチャンバー１４の上方には保護ガス
導入口２２が設けられており、引上室４の底部には排出
口２４が開口している。なお、２５は引上室４の上部に
設けられた観察用窓、Ｈは黒鉛ヒータ、Ｋは保温体であ
る。
導入口２２が設けられており、引上室４の底部には排出
口２４が開口している。なお、２５は引上室４の上部に
設けられた観察用窓、Ｈは黒鉛ヒータ、Ｋは保温体であ
る。
【００１５】図１に示した装置の特徴的構成は、円筒２
０の内径が従来装置の円筒の内径に比べて狭められてい
ることである。図示の例では、円筒２０の側壁の肉厚を
従来よりも厚くして円筒の内径が狭められている。この
円筒２０の内径を狭める手段は、図示の例に限定される
ことはなく、円筒２０の径を最初から小さい径として製
造することも勿論可能である。
０の内径が従来装置の円筒の内径に比べて狭められてい
ることである。図示の例では、円筒２０の側壁の肉厚を
従来よりも厚くして円筒の内径が狭められている。この
円筒２０の内径を狭める手段は、図示の例に限定される
ことはなく、円筒２０の径を最初から小さい径として製
造することも勿論可能である。
【００１６】上記した円筒２０の内径を狭める理由は、
円筒内の保護ガスの流量を容易に０．２５ｌ／ｍｉｎ・
ｃｍ2 以上とするためであるが、円筒２０の内径は従来
と同様として狭めることなく保護ガスの絶対流量を増加
することも可能である。
円筒内の保護ガスの流量を容易に０．２５ｌ／ｍｉｎ・
ｃｍ2 以上とするためであるが、円筒２０の内径は従来
と同様として狭めることなく保護ガスの絶対流量を増加
することも可能である。
【００１７】上述した構成により、その単結晶引上の作
用を説明する。まず石英ルツボ８に原料の多結晶シリコ
ンを装填し、引上室４を排気し、保護ガスを導入口２２
より導入し、排出口２４より排出して引上室内を保護ガ
ス雰囲気に置換する。このとき、引上室の圧力は５００
ｍｂａｒ以下とする。ついで、黒鉛ヒータＨに所定電流
を流して原料を加熱し溶融体１８とした後、引上軸１６
を下降しその下端に保持した種結晶Ｓを一旦溶融体１８
に浸漬し、その支持軸１０、引上軸１６を回転しなが
ら、種結晶Ｓを引き上げると、その下端に単結晶棒Ｇが
成長する。
用を説明する。まず石英ルツボ８に原料の多結晶シリコ
ンを装填し、引上室４を排気し、保護ガスを導入口２２
より導入し、排出口２４より排出して引上室内を保護ガ
ス雰囲気に置換する。このとき、引上室の圧力は５００
ｍｂａｒ以下とする。ついで、黒鉛ヒータＨに所定電流
を流して原料を加熱し溶融体１８とした後、引上軸１６
を下降しその下端に保持した種結晶Ｓを一旦溶融体１８
に浸漬し、その支持軸１０、引上軸１６を回転しなが
ら、種結晶Ｓを引き上げると、その下端に単結晶棒Ｇが
成長する。
【００１８】この単結晶の成長過程において、本発明で
は、円筒内の保護ガスの流量を０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃ
ｍ2 以上と規定しているから、単結晶内部の微小欠陥を
効果的に抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制す
ることができるものである。
は、円筒内の保護ガスの流量を０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃ
ｍ2 以上と規定しているから、単結晶内部の微小欠陥を
効果的に抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制す
ることができるものである。
【００１９】以下さらに、本発明方法を実施例を挙げて
説明する。 実施例１ 前記した図１に示した装置を用い、引上室内の圧力１０
０ｍｂａｒ、円筒内の保護ガスの流量０．４ｌ／ｍｉｎ
・ｃｍ2 の条件で６インチφ、Ｎ型＜１００＞の単結晶
インゴットを引上速度１．２ｍｍ／ｍｉｎで引き上げ
た。
説明する。 実施例１ 前記した図１に示した装置を用い、引上室内の圧力１０
０ｍｂａｒ、円筒内の保護ガスの流量０．４ｌ／ｍｉｎ
・ｃｍ2 の条件で６インチφ、Ｎ型＜１００＞の単結晶
インゴットを引上速度１．２ｍｍ／ｍｉｎで引き上げ
た。
【００２０】この成長完了したインゴットを直ちにサブ
チャンバー内に巻き上げた。このときのインゴットの冷
却パターンを図２に示す。即ち、約２７０℃の雰囲気温
度領域内に巻き上げ９０分保持した。図２において、チ
ャンバー内雰囲気温度はインゴットの中央部分に対応す
る雰囲気領域の温度を測定して示した。
チャンバー内に巻き上げた。このときのインゴットの冷
却パターンを図２に示す。即ち、約２７０℃の雰囲気温
度領域内に巻き上げ９０分保持した。図２において、チ
ャンバー内雰囲気温度はインゴットの中央部分に対応す
る雰囲気領域の温度を測定して示した。
【００２１】単結晶インゴットを２ｍｍ厚にスライス
し、これを８００℃から１２００℃に温度勾配１０℃／
ｍｉｎで昇温し、１２００℃においてｗｅｔＯ2 の状態
で１００分間維持し、次いで温度勾配１．５℃／ｍｉｎ
で８００℃に降温した。この後、弗酸により酸化膜を除
去し、セコ・エッチング液中に２分間浸してセコ・エッ
チングを行い、光学顕微鏡でＯＳＦ密度を測定した。図
３の結果からＯＳＦの発生が抑制されていることが確認
できた。
し、これを８００℃から１２００℃に温度勾配１０℃／
ｍｉｎで昇温し、１２００℃においてｗｅｔＯ2 の状態
で１００分間維持し、次いで温度勾配１．５℃／ｍｉｎ
で８００℃に降温した。この後、弗酸により酸化膜を除
去し、セコ・エッチング液中に２分間浸してセコ・エッ
チングを行い、光学顕微鏡でＯＳＦ密度を測定した。図
３の結果からＯＳＦの発生が抑制されていることが確認
できた。
【００２２】また、スワール２９は次に示す処理をして
観察した。即ち、上記巻き上げられた単結晶インゴット
からスライスを切出し、これを８００℃から１０００℃
に昇温し、１０００℃においてｗｅｔＯ2 の状態で６５
分間維持し、次いで８００℃に降温した。この後、弗酸
により酸化膜を除去し、セコ・エッチング液中に１５分
間攪拌しながらセコ・エッチングを行い、光学顕微鏡で
スワール２９を観察した。スワール２９は図５に示すよ
うに外周方向に移動していることがわかった。
観察した。即ち、上記巻き上げられた単結晶インゴット
からスライスを切出し、これを８００℃から１０００℃
に昇温し、１０００℃においてｗｅｔＯ2 の状態で６５
分間維持し、次いで８００℃に降温した。この後、弗酸
により酸化膜を除去し、セコ・エッチング液中に１５分
間攪拌しながらセコ・エッチングを行い、光学顕微鏡で
スワール２９を観察した。スワール２９は図５に示すよ
うに外周方向に移動していることがわかった。
【００２３】比較例１ 成長完了し引き上げられたインゴットを一定時間（９０
分）停止させた後サブチャンバー内に巻き上げた。この
ときのインゴットの冷却パターンを実施例１とともに図
２に示す。即ち、引上直後のチャンバー内雰囲気温度７
００℃を９０分保持した。上記した冷却パターンを除い
て、実施例１と同様に処理し、ＯＳＦ密度を測定して、
実施例１とともに図３に示した。図３の結果から、高密
度のＯＳＦが発生していることが確認できた。
分）停止させた後サブチャンバー内に巻き上げた。この
ときのインゴットの冷却パターンを実施例１とともに図
２に示す。即ち、引上直後のチャンバー内雰囲気温度７
００℃を９０分保持した。上記した冷却パターンを除い
て、実施例１と同様に処理し、ＯＳＦ密度を測定して、
実施例１とともに図３に示した。図３の結果から、高密
度のＯＳＦが発生していることが確認できた。
【００２４】また、上記巻き上げられた単結晶インゴッ
トからスライスを切出し、これを実施例１と同様にして
光学顕微鏡で観察したところスワール２９の存在が図５
に示すようにインゴットの内側に存在することが確認で
きた。
トからスライスを切出し、これを実施例１と同様にして
光学顕微鏡で観察したところスワール２９の存在が図５
に示すようにインゴットの内側に存在することが確認で
きた。
【００２５】比較例２ 成長完了し引き上げられたインゴットを２ｍｍ／ｍｉｎ
の上軸速度でサブチャンバー内に巻き上げた。このとき
のインゴットの冷却パターンを実施例１及び比較例１と
ともに図２に示す。即ち、引上直後のチャンバー内雰囲
気温度７００℃を９０分かけて徐々に４００℃に冷却し
た。
の上軸速度でサブチャンバー内に巻き上げた。このとき
のインゴットの冷却パターンを実施例１及び比較例１と
ともに図２に示す。即ち、引上直後のチャンバー内雰囲
気温度７００℃を９０分かけて徐々に４００℃に冷却し
た。
【００２６】上記した冷却パターンを除いて、実施例１
と同様に処理し、ＯＳＦ密度を測定して、実施例１とと
もに図３に示した。図３の結果から、高密度のＯＳＦが
発生していることが確認できた。
と同様に処理し、ＯＳＦ密度を測定して、実施例１とと
もに図３に示した。図３の結果から、高密度のＯＳＦが
発生していることが確認できた。
【００２７】比較例３ 円筒内の保護ガス流量を０．２ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 とし
た以外は実施例１と同様に処理して、ＯＳＦ密度を測定
して、図６に示した。図６の結果から、ＯＳＦが発生し
ていることが確認できた。
た以外は実施例１と同様に処理して、ＯＳＦ密度を測定
して、図６に示した。図６の結果から、ＯＳＦが発生し
ていることが確認できた。
【００２８】比較例４ 円筒内の保護ガス流量を０．２ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 とし
た以外は比較例１と同様に処理して、ＯＳＦ密度を測定
して、図６に示した。図６の結果から、高密度のＯＳＦ
が発生が確認できた。
た以外は比較例１と同様に処理して、ＯＳＦ密度を測定
して、図６に示した。図６の結果から、高密度のＯＳＦ
が発生が確認できた。
【００２９】比較例５ 円筒内の保護ガス流量を０．２ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 とし
た以外は比較例２と同様に処理して、ＯＳＦ密度を測定
して、図６に示した。図６の結果から、高密度のＯＳＦ
の発生が確認できた。
た以外は比較例２と同様に処理して、ＯＳＦ密度を測定
して、図６に示した。図６の結果から、高密度のＯＳＦ
の発生が確認できた。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明は、引上げ単
結晶棒を同軸に囲繞した円筒を設けこの円筒内に保護ガ
スを導入するようにした装置を用い、引上室内の圧力を
５００ｍｂａｒ以下に設定し、かつ保護ガスの単位面積
当りの流量が０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上として単
結晶棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒に
所定の熱処理を加えることにより、単結晶内部の微小欠
陥の発生を抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制
することができるという効果を奏する。
結晶棒を同軸に囲繞した円筒を設けこの円筒内に保護ガ
スを導入するようにした装置を用い、引上室内の圧力を
５００ｍｂａｒ以下に設定し、かつ保護ガスの単位面積
当りの流量が０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2 以上として単
結晶棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒に
所定の熱処理を加えることにより、単結晶内部の微小欠
陥の発生を抑止し、さらにＯＳＦの発生を効果的に抑制
することができるという効果を奏する。
【図１】本発明方法に用いる装置の一実施例を示す縦断
面概略説明図である。
面概略説明図である。
【図２】実施例１及び比較例１及び２の単結晶成長完了
後の冷却パターンを示すグラフである。
後の冷却パターンを示すグラフである。
【図３】実施例１及び比較例１及び２のＯＳＦの発生状
況を示すグラフである。
況を示すグラフである。
【図４】実施例１のウェーハのスワールの発生位置を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】比較例１のウェーハのスワールの発生位置を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】比較例３〜５のＯＳＦの発生状況を示すグラフ
である。
である。
２ シリコン単結晶の製造装置 ４ 引上室 ６ サセプター ８ 石英ルツボ １０ 支持軸 １２ 開口部 １４ サブチャンバー １６ 引上軸 １８ 溶融体 ２０ 円筒 ２５ 観察用窓 Ｈ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−70279（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−141494（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−221773（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−65086（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設
けこの円筒内に保護ガスを導入するようにしたチョクラ
ルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用
い、引上室内の圧力を５００ｍｂａｒ以下に設定し、か
つ該円筒内の保護ガスの単位面積当りの流量を単結晶棒
引上状態で０．２５ｌ／ｍｉｎ・ｃｍ2以上として単結
晶棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒を成
長完了後直ちに５０〜３００℃の雰囲気温度領域に少な
くとも９０分保持するようにしたことを特徴とするシリ
コン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14016792A JP2735741B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14016792A JP2735741B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306191A JPH05306191A (ja) | 1993-11-19 |
| JP2735741B2 true JP2735741B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15262445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14016792A Expired - Lifetime JP2735741B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735741B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP14016792A patent/JP2735741B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05306191A (ja) | 1993-11-19 |
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