JPH0570214B2 - - Google Patents
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- JPH0570214B2 JPH0570214B2 JP8943885A JP8943885A JPH0570214B2 JP H0570214 B2 JPH0570214 B2 JP H0570214B2 JP 8943885 A JP8943885 A JP 8943885A JP 8943885 A JP8943885 A JP 8943885A JP H0570214 B2 JPH0570214 B2 JP H0570214B2
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- electroformed layer
- polishing
- glass
- plate
- stamper
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンパクトデイスク(CD),レーザ
ーデイスク(LD),光メモリーデイクス等の光メ
モリー用デイスク基板の製造において必要となる
マスタースタンパの製造方法に関する。更に詳し
くはマスタースタンパの製造工程のNi電鋳層の
裏面研摩に関する。
ーデイスク(LD),光メモリーデイクス等の光メ
モリー用デイスク基板の製造において必要となる
マスタースタンパの製造方法に関する。更に詳し
くはマスタースタンパの製造工程のNi電鋳層の
裏面研摩に関する。
本発明は光メモリー用マスタースタンパ製造の
Ni電鋳スタンパの裏面研摩工程において、Ni電
鋳層を信号用ピツト付ガラス原板に直接張り付け
た状態で裏面研摩することにより、作業の安定化
による歩留りアツプ、及び工程数の減少によるス
タンパのコストダウンを図つたものである。
Ni電鋳スタンパの裏面研摩工程において、Ni電
鋳層を信号用ピツト付ガラス原板に直接張り付け
た状態で裏面研摩することにより、作業の安定化
による歩留りアツプ、及び工程数の減少によるス
タンパのコストダウンを図つたものである。
従来の光メモリー用マスタースタンパ製造にお
けるNi電鋳層の裏面研摩方法は、Ni電鋳層を信
号用ピツト付ガラス原板からはがして、Ni電鋳
層単体の形で裏面を研摩していた。
けるNi電鋳層の裏面研摩方法は、Ni電鋳層を信
号用ピツト付ガラス原板からはがして、Ni電鋳
層単体の形で裏面を研摩していた。
しかし、前述の従来技術ではNi電鋳層の単体
の形で裏面研摩を行なうので、研摩の際に信号用
ピツトが転写された表面を傷つけないように保護
膜を形成してやらなければならないこと、及び研
摩に際し研摩治具に固定するのに一般的には両面
接着テープを用いており、研摩後Ni電鋳層を研
摩治具からはがすのに変形しないように取り扱い
に非常に注意しなければならず、スタンパ製造工
程の中でも、品質及び工数の点で問題点のある工
程である。
の形で裏面研摩を行なうので、研摩の際に信号用
ピツトが転写された表面を傷つけないように保護
膜を形成してやらなければならないこと、及び研
摩に際し研摩治具に固定するのに一般的には両面
接着テープを用いており、研摩後Ni電鋳層を研
摩治具からはがすのに変形しないように取り扱い
に非常に注意しなければならず、スタンパ製造工
程の中でも、品質及び工数の点で問題点のある工
程である。
そこで本発明はこのような問題点を解決するも
ので、その目的とするところは裏面研摩作業が簡
素化された工程で品質よくできる製造方法を提供
するものである。
ので、その目的とするところは裏面研摩作業が簡
素化された工程で品質よくできる製造方法を提供
するものである。
本発明の光メモリー用マスタースタンパの裏面
研摩方法は、ガラス原板に直接張り付けた状態で
裏面研摩することを特徴とする。
研摩方法は、ガラス原板に直接張り付けた状態で
裏面研摩することを特徴とする。
第1図は本発明の実施例におけるNi電鋳より
のスタンパ構造を示す断面図であつて、その特徴
を詳しく説明する。
のスタンパ構造を示す断面図であつて、その特徴
を詳しく説明する。
信号ピツト付ガラス原板1はレジストで光メモ
リーとしての信号ピツトが形成されている。
リーとしての信号ピツトが形成されている。
ガラス原板に信号ピツトを形成する工程をCD
用のマスタースタンパの場合を簡単に説明する。
まず、表面粗さが0.02Sに仕上げられたφ200mm,
厚みが10±0.005mmのガラス原板にポジレジスト
をスピンコート法で1100Åの厚みで形成し、次に
レザーカツテングM/Cを用いて、所望とする信
号ピツト形状にレザー光を照射し露光する。次に
アルカリ現像液で現像するとガラス原板に信号用
ピツトが形成される。
用のマスタースタンパの場合を簡単に説明する。
まず、表面粗さが0.02Sに仕上げられたφ200mm,
厚みが10±0.005mmのガラス原板にポジレジスト
をスピンコート法で1100Åの厚みで形成し、次に
レザーカツテングM/Cを用いて、所望とする信
号ピツト形状にレザー光を照射し露光する。次に
アルカリ現像液で現像するとガラス原板に信号用
ピツトが形成される。
上記信号用ピツト付ガラス原板1にNi電鋳層
3を形成するために、導体化皮膜を形成する。導
体化皮膜は信号用ピツト付ガラス原板の側面まで
形成させる。導体化皮膜の厚みは1000Å位であ
る。導体化皮膜は一般にはNiが用いられる。
3を形成するために、導体化皮膜を形成する。導
体化皮膜は信号用ピツト付ガラス原板の側面まで
形成させる。導体化皮膜の厚みは1000Å位であ
る。導体化皮膜は一般にはNiが用いられる。
皮膜形成方法としては、Wet方式,Dry方式が
ある。Wet方式は無電解Niメツキが採用できる。
Dry方式はスパツタ方式が望ましい。
ある。Wet方式は無電解Niメツキが採用できる。
Dry方式はスパツタ方式が望ましい。
次に、導体化処理層2が形成されている全面に
Niメツキを施す。その時のメツキ厚みは5μ以上
の厚みにメツキする。望ましくは10μ程度が良
い。このNiメツキ層は信号用ピツト付ガラス原
板の側面までめつきされる。
Niメツキを施す。その時のメツキ厚みは5μ以上
の厚みにメツキする。望ましくは10μ程度が良
い。このNiメツキ層は信号用ピツト付ガラス原
板の側面までめつきされる。
次に、Ni電鋳層を形成する。Ni電鋳層の厚み
は300μ程度が望ましい。
は300μ程度が望ましい。
このNi電鋳層の形成に際して、被メツキ物
(陰極)とNi極板(陽極)の間にじやま板を設け
てメツキする。じやま板の形状は必要とするスタ
ンパの径と大体同じ位の大きさの穴のあいたプラ
スチツク板を用いるのが一般的である。
(陰極)とNi極板(陽極)の間にじやま板を設け
てメツキする。じやま板の形状は必要とするスタ
ンパの径と大体同じ位の大きさの穴のあいたプラ
スチツク板を用いるのが一般的である。
このじやま板の目的は、Ni電鋳層の厚みバラ
ツキを10μ以内におさえるためと、信号用ピツト
付ガラス原板の側面及び外周部のメツキ折出をお
さえるために行なう。
ツキを10μ以内におさえるためと、信号用ピツト
付ガラス原板の側面及び外周部のメツキ折出をお
さえるために行なう。
Ni電鋳層を形成するために用いられるメツキ
液組成,条件を示す。
液組成,条件を示す。
スルフアミン酸ニツケル 450g/
臭化ニツケル 10 〃
硼 酸 30 〃
ピツト防止剤 5c.c./
PH 4.0〜4.5
浴 温 度 50〜55℃
上記条件で、信号用ピツト付ガラス原板に電鋳
層を形成する際に、ガラス基板の材質,厚みに配
慮しなければならない。
層を形成する際に、ガラス基板の材質,厚みに配
慮しなければならない。
というのはNi電鋳メツキの温度が50℃で作業す
るので、Ni電鋳後室温に戻したときガラス原板
とNi電鋳層の熱膨張係数の違いによつてガラス
原板が変形しないようにすること及びNi電鋳層
のメツキ応力によつてガラス原板が変形しないよ
うにすることが重要である。もし、ガラス原板が
変形すると次の工程のNi電鋳層の裏面研摩に際
し支障をきたす。
るので、Ni電鋳後室温に戻したときガラス原板
とNi電鋳層の熱膨張係数の違いによつてガラス
原板が変形しないようにすること及びNi電鋳層
のメツキ応力によつてガラス原板が変形しないよ
うにすることが重要である。もし、ガラス原板が
変形すると次の工程のNi電鋳層の裏面研摩に際
し支障をきたす。
上記変形を起さないためのガラス基板の条件と
しては、青板ガラスの場合はガラス厚みが10mm以
上、強化ガラスを用いた場合は6mm以上の厚みが
必要である。
しては、青板ガラスの場合はガラス厚みが10mm以
上、強化ガラスを用いた場合は6mm以上の厚みが
必要である。
次に、第1図に示された信号用ピツト付ガラス
原板1に形成されたNi電鋳層の裏面を市販のポ
リツシングM/Cを用いて表面粗さが0.1〜0.04S
の範囲に研摩する。
原板1に形成されたNi電鋳層の裏面を市販のポ
リツシングM/Cを用いて表面粗さが0.1〜0.04S
の範囲に研摩する。
この裏面研摩は、Ni電鋳層が信号用ピツトは
ガラス原板についてままで研摩する。
ガラス原板についてままで研摩する。
この研摩に際し、最初につけたNiめつき層は
信号用ピツト付ガラス原板の側面まで形成されて
いるので、信号用ピツト付ガラス原板からNi電
鋳層がはがれないで研摩できる。
信号用ピツト付ガラス原板の側面まで形成されて
いるので、信号用ピツト付ガラス原板からNi電
鋳層がはがれないで研摩できる。
次に、信号用ピツト付ガラス原板からNi電鋳
層をはがし、所望の寸法に内外径加工するとマス
タースタンパが完成する。
層をはがし、所望の寸法に内外径加工するとマス
タースタンパが完成する。
内,外径加工は一般にはプレス抜きまたは切削
によつて加工される。
によつて加工される。
以上述べたように本発明によれば、Ni電鋳層
の裏面研摩において信号用ピツト付ガラス原板に
張り付けた状態で裏面研摩することにより、裏面
研摩作業が簡単に、しかも安定して可能になり、
従来法と較べて歩留りの向上と工程数の減少によ
るスタンパのコストダウンを図ることができる。
の裏面研摩において信号用ピツト付ガラス原板に
張り付けた状態で裏面研摩することにより、裏面
研摩作業が簡単に、しかも安定して可能になり、
従来法と較べて歩留りの向上と工程数の減少によ
るスタンパのコストダウンを図ることができる。
第1図は本発明の信号用ピツト付ガラス原板に
Ni電鋳層が形成された断面図を示す。第2図は
従来のピツト付ガラス原板にNi電鋳層が形成さ
れた断面図を示す。
Ni電鋳層が形成された断面図を示す。第2図は
従来のピツト付ガラス原板にNi電鋳層が形成さ
れた断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Ni電鋳層を信号用ピツト付ガラス原板に直
接張り付けた状態で裏面研摩することを特徴とす
る光メモリー用マスタースタンパの裏面研摩方
法。 2 特許請求の範囲第1項において、Ni電鋳層
を厚みが5μから電鋳スタンパの厚み以下の範囲
でガラス原板の側面まで形成させたことを特徴と
する光メモリー用マスタースタンパの裏面研摩方
法。 3 特許請求の範囲第1項において、ガラス原板
の強度が、Ni電鋳層のメツキ応力に耐えうる材
質、厚みにしたことを特徴とする光メモリー用マ
スタースタンパの裏面研摩方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8943885A JPS61248248A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光メモリ−用マスタ−スタンパの裏面研摩方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8943885A JPS61248248A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光メモリ−用マスタ−スタンパの裏面研摩方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25902896A Division JPH09231624A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 光ディスク用マスタースタンパの裏面研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61248248A JPS61248248A (ja) | 1986-11-05 |
JPH0570214B2 true JPH0570214B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=13970680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8943885A Granted JPS61248248A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 光メモリ−用マスタ−スタンパの裏面研摩方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61248248A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0646462B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1994-06-15 | ダイセル化学工業株式会社 | 光デイスク成形用スタンパ−とその製造法 |
JPH07106539B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1995-11-15 | キヤノン株式会社 | スタンパ−研磨方法 |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP8943885A patent/JPS61248248A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61248248A (ja) | 1986-11-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |