JPH0646462B2 - 光デイスク成形用スタンパ−とその製造法 - Google Patents
光デイスク成形用スタンパ−とその製造法Info
- Publication number
- JPH0646462B2 JPH0646462B2 JP60159325A JP15932585A JPH0646462B2 JP H0646462 B2 JPH0646462 B2 JP H0646462B2 JP 60159325 A JP60159325 A JP 60159325A JP 15932585 A JP15932585 A JP 15932585A JP H0646462 B2 JPH0646462 B2 JP H0646462B2
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- JP
- Japan
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- nickel
- plating
- layer
- electroless nickel
- bath
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （従来技術） 絶縁物上に金属被膜を形成する際に使用される方法とし
て無電解メッキは周知のものである。しかし、従来の無
電解メッキは絶縁物表面の金属化あるいは導電化を目的
としたものが主であり、得られた無電解メッキ被膜の均
一性には厳密な要求がなされていなかった。
て無電解メッキは周知のものである。しかし、従来の無
電解メッキは絶縁物表面の金属化あるいは導電化を目的
としたものが主であり、得られた無電解メッキ被膜の均
一性には厳密な要求がなされていなかった。
ところが、最近注目を集めている光（磁気）ディスクの
プラスチック製サブストレートを成形、例えば注型、射
出、圧縮成形等で製造する際に使用されるレプリカ金型
いわゆるスタンパーの表面精度には極めて高いものが要
求されている。このスタンパーは一般にガラス原盤にレ
ジストを塗布し、所定パターンに露光−硬化し、未硬化
部分を除去して製作された原盤から電鋳によって製作さ
れるが、このレジスト原盤は絶縁体であるため、電鋳作
業の前に導電層を形成する必要がある。従来、この導電
層は銀鏡反応により形成されてきたが、銀鏡面は化学的
に不安定で、空気中の酸素で酸化を起して粗面化し、物
理的強度も弱いため電鋳後に銀鏡層を取り除かねばなら
ず、その結果スタンパー面の表面精度が低下するという
欠点があった。そのため、電鋳後でも除去する必要のな
い化学的・物理的に安定な銀鏡反応以外による導電膜を
原盤上に無電解メッキにより形成することが強く要求さ
れている。
プラスチック製サブストレートを成形、例えば注型、射
出、圧縮成形等で製造する際に使用されるレプリカ金型
いわゆるスタンパーの表面精度には極めて高いものが要
求されている。このスタンパーは一般にガラス原盤にレ
ジストを塗布し、所定パターンに露光−硬化し、未硬化
部分を除去して製作された原盤から電鋳によって製作さ
れるが、このレジスト原盤は絶縁体であるため、電鋳作
業の前に導電層を形成する必要がある。従来、この導電
層は銀鏡反応により形成されてきたが、銀鏡面は化学的
に不安定で、空気中の酸素で酸化を起して粗面化し、物
理的強度も弱いため電鋳後に銀鏡層を取り除かねばなら
ず、その結果スタンパー面の表面精度が低下するという
欠点があった。そのため、電鋳後でも除去する必要のな
い化学的・物理的に安定な銀鏡反応以外による導電膜を
原盤上に無電解メッキにより形成することが強く要求さ
れている。
（発明の目的） 従って、本発明の目的は銀鏡反応によらずに原盤上に導
電層を形成したプラスチック製光ディスク成形用スタン
パーを提供することにある。
電層を形成したプラスチック製光ディスク成形用スタン
パーを提供することにある。
本発明のさらに他の目的はメッキ後に除去する必要のな
い導電層をニッケル無電解メッキにより形成する方法を
提供することにある。
い導電層をニッケル無電解メッキにより形成する方法を
提供することにある。
（発明の構成） 本発明によるプラスチック製光ディスク成形用スタンパ
ーはサブミクロンオーダーの凹凸情報やトラックを有す
る電鋳用原盤上に無電解ニッケルメッキを行って形成し
た導電層と、この導電層上に電鋳によって形成した電鋳
ニッケル層とによって構成される。
ーはサブミクロンオーダーの凹凸情報やトラックを有す
る電鋳用原盤上に無電解ニッケルメッキを行って形成し
た導電層と、この導電層上に電鋳によって形成した電鋳
ニッケル層とによって構成される。
上記無電解ニッケルメッキの導電層の厚さは一般に８０
０〜１５００Åであり、電鋳ニッケル層の厚さは約３０
０μである。
０〜１５００Åであり、電鋳ニッケル層の厚さは約３０
０μである。
本発明による電鋳ニッケル層とその上に形成された無電
解ニッケルメッキ層とは互いに強固に結合しており、従
来の銀鏡反応によるAgの導電膜とは違って電鋳後導電層
を除去する必要はなく、そのままプラスチック成形用ス
タンパーとして使用可能である。
解ニッケルメッキ層とは互いに強固に結合しており、従
来の銀鏡反応によるAgの導電膜とは違って電鋳後導電層
を除去する必要はなく、そのままプラスチック成形用ス
タンパーとして使用可能である。
さらに、本発明によるスタンパーは成形品へのスタンパ
ー転写性に優れ、且つ無電解ニッケルメッキ層の表面の
硬度が銀鏡反応を用いた場合に比べて格段に優れている
ため、スタンパーの耐久性が大巾に向上する。この理由
は不明であるが、無電解メッキでは還元剤として亜リン
酸塩を用いていることに何らかの関係があるものと考え
られる。すなわち、無電解メッキで形成したニッケル膜
は単なるニッケル単独の電鋳層とは異なってリンを含ん
だち密な膜であり、この膜はスタンパーを射出金型にセ
ットして溶融樹脂を射出成形する際の高温度により極め
て硬度の高い膜になるものと考えられる。さらに、上記
のようなち密な膜であるのでスタンパーの表面平滑性に
も優れているので、このスタンパーから成形したプラス
チックサブストレート上に記録膜を形成して作った光デ
ィスクのＣ／Ｎ比も大巾に向上する。
ー転写性に優れ、且つ無電解ニッケルメッキ層の表面の
硬度が銀鏡反応を用いた場合に比べて格段に優れている
ため、スタンパーの耐久性が大巾に向上する。この理由
は不明であるが、無電解メッキでは還元剤として亜リン
酸塩を用いていることに何らかの関係があるものと考え
られる。すなわち、無電解メッキで形成したニッケル膜
は単なるニッケル単独の電鋳層とは異なってリンを含ん
だち密な膜であり、この膜はスタンパーを射出金型にセ
ットして溶融樹脂を射出成形する際の高温度により極め
て硬度の高い膜になるものと考えられる。さらに、上記
のようなち密な膜であるのでスタンパーの表面平滑性に
も優れているので、このスタンパーから成形したプラス
チックサブストレート上に記録膜を形成して作った光デ
ィスクのＣ／Ｎ比も大巾に向上する。
本発明はさらに上記スタンパーの製造方法に関するもの
でもある。
でもある。
従来一般に、無電解ニッケルメッキに用いられるメッキ
液は可溶性のニッケル塩と、次亜リン酸塩と、pH緩衝液
とを主成分とし、通常は６０℃以上、例えば８０℃に加
温して折出速度を大きくして用いられる。メッキ液の分
解を防止し、緻密なメッキ層を得るためにはメッキ液を
酸性条件にするのが有効である。
液は可溶性のニッケル塩と、次亜リン酸塩と、pH緩衝液
とを主成分とし、通常は６０℃以上、例えば８０℃に加
温して折出速度を大きくして用いられる。メッキ液の分
解を防止し、緻密なメッキ層を得るためにはメッキ液を
酸性条件にするのが有効である。
しかし、メッキ液を酸性条件にすると折出速度が小さく
なり、また折出が均一に開始しないためメッキむらの無
いメッキ層を作ることができない。このことは特に８０
０〜２，０００Å程度の薄いメッキ層を均一に形成する
場合には重大な問題となる。特に、可溶性ニッケル塩と
して塩化ニッケルを用いた場合には均一なニッケル被膜
がメッキ初期段階から得られるが、硫酸ニッケルの場合
には均一なニッケル被膜を得ることができない。この理
由は不明であるが、使用する特級試薬の硫酸ニッケル中
には約２ppm以上のCoが含まれており、これが均一なニ
ッケル被膜の成形に悪影響を与えているものと考えられ
る。
なり、また折出が均一に開始しないためメッキむらの無
いメッキ層を作ることができない。このことは特に８０
０〜２，０００Å程度の薄いメッキ層を均一に形成する
場合には重大な問題となる。特に、可溶性ニッケル塩と
して塩化ニッケルを用いた場合には均一なニッケル被膜
がメッキ初期段階から得られるが、硫酸ニッケルの場合
には均一なニッケル被膜を得ることができない。この理
由は不明であるが、使用する特級試薬の硫酸ニッケル中
には約２ppm以上のCoが含まれており、これが均一なニ
ッケル被膜の成形に悪影響を与えているものと考えられ
る。
すなわち、硫酸ニッケルと塩化ニッケルとから調整した
浴中の不純物濃度（ppm）は原子吸光分析の結果以下の
通りである。
浴中の不純物濃度（ppm）は原子吸光分析の結果以下の
通りである。
硫酸ニッケル浴は塩化ニッケル浴よりも安全性が良いた
め望ましいものであるが、上記不純Coの存在により硫酸
ニッケル浴を用いた場合には均一なメッキ層を建浴時か
ら形成することができない。すなわちCoを２．８ppm含
有する硫酸ニッケル浴の場合には建浴時に被メッキ面積
に対してわずか１５〜２０％しか無電解メッキできず、
メッキ回数を２０回繰り返してCoを消耗しCo含有量が
０．８ppm以下になってやっと上記被メッキ面積の９０
％に無電解メッキができるだけであり、不経済であっ
た。
め望ましいものであるが、上記不純Coの存在により硫酸
ニッケル浴を用いた場合には均一なメッキ層を建浴時か
ら形成することができない。すなわちCoを２．８ppm含
有する硫酸ニッケル浴の場合には建浴時に被メッキ面積
に対してわずか１５〜２０％しか無電解メッキできず、
メッキ回数を２０回繰り返してCoを消耗しCo含有量が
０．８ppm以下になってやっと上記被メッキ面積の９０
％に無電解メッキができるだけであり、不経済であっ
た。
本発明は上記欠点を解決したものであり、凹凸の情報ピ
ットおよび／またはトラックを有する電鋳用原盤上に導
電層を形成後、電鋳によってニッケルメッキ層を形成
し、原盤から上記導電層とニッケル電鋳層とを剥離して
プラスチック製光ディスク成形用スタンパーを製造する
方法において、上記導電層が無電解ニッケルメッキによ
って形成されることを特徴としている。
ットおよび／またはトラックを有する電鋳用原盤上に導
電層を形成後、電鋳によってニッケルメッキ層を形成
し、原盤から上記導電層とニッケル電鋳層とを剥離して
プラスチック製光ディスク成形用スタンパーを製造する
方法において、上記導電層が無電解ニッケルメッキによ
って形成されることを特徴としている。
上記無電解ニッケルメッキは可溶性ニッケル塩と、次亜
リン酸塩と、pH緩衝剤とを主成分とする無電解ニッケル
メッキ浴中に銅イオンを０．１〜４ppm添加した浴中で
行われるのが好ましい。
リン酸塩と、pH緩衝剤とを主成分とする無電解ニッケル
メッキ浴中に銅イオンを０．１〜４ppm添加した浴中で
行われるのが好ましい。
上記浴のpHは酸性領域にし、浴温度が６０℃以下にする
のが好ましい。
のが好ましい。
上記可溶性ニッケル塩としては硫酸塩、塩酸塩、硝酸塩
等の無機塩が一般に用いられるが、硫酸ニッケルに用い
た場合に特に効果的である。上記次亜リン酸塩は還元剤
であり一般にはナトリウム塩が用いられる。上記pH緩衝
剤としては酢酸、クエン酸、コハク酸等の有機酸および
／またはこれらの塩や硫酸、塩酸等の無機酸のアンモニ
ウム塩が用いられ、pH調節剤としては乳酸、ホウ酸等が
用いられる。
等の無機塩が一般に用いられるが、硫酸ニッケルに用い
た場合に特に効果的である。上記次亜リン酸塩は還元剤
であり一般にはナトリウム塩が用いられる。上記pH緩衝
剤としては酢酸、クエン酸、コハク酸等の有機酸および
／またはこれらの塩や硫酸、塩酸等の無機酸のアンモニ
ウム塩が用いられ、pH調節剤としては乳酸、ホウ酸等が
用いられる。
本発明では液安定性、浴液の蒸発による環境汚染の防止
および被メッキ材のアルカリ腐食を防止するために浴の
pHを酸性条件、例えばpH＝６〜４に維持し、比較的低
温、例えば６０℃以下、好ましくは５０〜３０℃で行う
のが好ましい。この点で本発明は従来のメッキ法とは本
質的に相違する。
および被メッキ材のアルカリ腐食を防止するために浴の
pHを酸性条件、例えばpH＝６〜４に維持し、比較的低
温、例えば６０℃以下、好ましくは５０〜３０℃で行う
のが好ましい。この点で本発明は従来のメッキ法とは本
質的に相違する。
上記ニッケル塩の量は浴１に対し金属塩換算で１０〜
６０ｇ／、好ましくは２０〜５０ｇ／であり、次亜
リン酸塩は１０〜３０ｇ／、好ましくは１５〜２０ｇ
／であり、pH緩衝剤は所定pHに浴を安定させるのに必
要な量で、一般には１〜５０ｇ／である。
６０ｇ／、好ましくは２０〜５０ｇ／であり、次亜
リン酸塩は１０〜３０ｇ／、好ましくは１５〜２０ｇ
／であり、pH緩衝剤は所定pHに浴を安定させるのに必
要な量で、一般には１〜５０ｇ／である。
本発明の特徴は上記のニッケル塩、亜リン酸塩、pH緩衝
剤を主成分とする従来のメッキ液に微量の銅イオンを添
加することにあり、この銅イオンの添加量は０．１〜４
ppmであり、好ましくは０．１〜３ppmである。この量が
０．１ppm未満では均一なメッキ層は形成されず、４ppm
を越えても均一な付着層は得られない。
剤を主成分とする従来のメッキ液に微量の銅イオンを添
加することにあり、この銅イオンの添加量は０．１〜４
ppmであり、好ましくは０．１〜３ppmである。この量が
０．１ppm未満では均一なメッキ層は形成されず、４ppm
を越えても均一な付着層は得られない。
無電解ニッケルメッキを行うに当っては通常用いられて
いる前処理行程、すなわち感受化−水洗−活性化−水洗
を行う。感受化は一般に還元性の金属塩、例えば塩化第
１錫と塩酸の水溶液中に浸漬して行うことができ、ま
た、活性化は貴金属塩、例えば塩化パラジウムと塩酸の
水溶液中に浸漬して行うことができる。これら前処理の
終ったレジスト硬化原盤に本発明による無電解メッキ液
を用いて無電解メッキを行う際には浴を攪拌しながら行
うのが好ましい。
いる前処理行程、すなわち感受化−水洗−活性化−水洗
を行う。感受化は一般に還元性の金属塩、例えば塩化第
１錫と塩酸の水溶液中に浸漬して行うことができ、ま
た、活性化は貴金属塩、例えば塩化パラジウムと塩酸の
水溶液中に浸漬して行うことができる。これら前処理の
終ったレジスト硬化原盤に本発明による無電解メッキ液
を用いて無電解メッキを行う際には浴を攪拌しながら行
うのが好ましい。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
実施例 （無電解ニッケルメッキ） レジスト硬化膜を有するテストサンプルを奥野製薬製の
公知脱脂液中に室温で５分間浸漬し、洗浄後、感受化液
（ＳｎＣｌ２とＨＣｌを主体とするもの。奥野製薬製）
に１分間浸漬し、洗浄後、活性化液（ＰｄＣｌ２とＨＣ
ｌを主体とするもの。奥野製薬製）に１分間浸漬し、洗
浄して前処理を行った。次に、以下組成のメッキ浴
（Ｉ）を調整した。
公知脱脂液中に室温で５分間浸漬し、洗浄後、感受化液
（ＳｎＣｌ２とＨＣｌを主体とするもの。奥野製薬製）
に１分間浸漬し、洗浄後、活性化液（ＰｄＣｌ２とＨＣ
ｌを主体とするもの。奥野製薬製）に１分間浸漬し、洗
浄して前処理を行った。次に、以下組成のメッキ浴
（Ｉ）を調整した。
硫酸ニッケル（特級試薬使用） ２６ｇ／ 次亜リン酸ナトリウム ２１ 〃 塩化アンモニウム ３ 〃 酢酸ナトリウム ５ 〃 ホウ酸 １２ 〃 pH ５．５ この浴液の建浴直後の不純物金属の含有量は原子吸光分
析の結果、以下の通りであった。
析の結果、以下の通りであった。
Ｆｅ 検出限界（０．０ppm）以下 Ｚｎ ０．１ppm Ｃｏ ２．８ 〃 Ｃｕ 検出限界以下 このメッキ浴（Ｉ）にＣｕをＣｕＣｌ２の形で表１に示
す濃度で添加後、スターラーで攪拌しながら、４１〜４
３℃の浴温に維持した状態で上記テストサンプルを５分
間浸漬した。得られた無電解ニッケルメッキ膜の厚さは
１，２００〜１，５００Åであった。
す濃度で添加後、スターラーで攪拌しながら、４１〜４
３℃の浴温に維持した状態で上記テストサンプルを５分
間浸漬した。得られた無電解ニッケルメッキ膜の厚さは
１，２００〜１，５００Åであった。
結果を表１に示す。
なお表１中のメッキ効率と均一度は下記の評価法によ
る。
る。
1)メッキ効率 各添加イオンを加えない状態での折出速度（膜厚４００
〜５００Å）１００とした場合の相対値 2)均一度 テストサンプル（７６×２６×１．５mm）の全表面積に
対するメッキ形成層の面積の比率(％)。一例として、第
１図は表１の添加量０の場合のテストサンプルの表面状
態を示す図で、この場合の均一度は２０％であり、第２
図は表１の添加量０．１％の場合の図で、均一度は１０
０％である。
〜５００Å）１００とした場合の相対値 2)均一度 テストサンプル（７６×２６×１．５mm）の全表面積に
対するメッキ形成層の面積の比率(％)。一例として、第
１図は表１の添加量０の場合のテストサンプルの表面状
態を示す図で、この場合の均一度は２０％であり、第２
図は表１の添加量０．１％の場合の図で、均一度は１０
０％である。
表１からわかるように、本発明によるＣｕイオンの添加
により無電解メッキ膜の性状は大巾に向上し、建浴直後
から均一なメッキ膜を得ることができる。
により無電解メッキ膜の性状は大巾に向上し、建浴直後
から均一なメッキ膜を得ることができる。
さらに、本発明のＣｕイオンの効果とＣｏイオン濃度と
の関係を調べるために、建浴時にCoCl2を添加してＣｏ
濃度を上昇させて上記と同じ実験を行ったところ、Ｃｏ
濃度が約８ｐｐｍまでは本発明のＣｕイオン添加により
建浴時から均一度を１００％にすることができた。
の関係を調べるために、建浴時にCoCl2を添加してＣｏ
濃度を上昇させて上記と同じ実験を行ったところ、Ｃｏ
濃度が約８ｐｐｍまでは本発明のＣｕイオン添加により
建浴時から均一度を１００％にすることができた。
なお、本発明によるＣｕイオン添加効果の理由を調べる
ためにイオン化列がＣｕよりも下位のAgをＡｇＣｌの形
でＣｕの代りに添加したが、ほとんど効果はなかった。
ためにイオン化列がＣｕよりも下位のAgをＡｇＣｌの形
でＣｕの代りに添加したが、ほとんど効果はなかった。
（ニッケル電鋳） 上記の方法と同じ手順で、直径３５０mm、中心孔径７．
２mm、厚さ６mmの研摩ガラス盤上にレジストを塗布し、
巾１μのトラック上にＰＣＭ変調レーザー光により信号
ピットを形成したレジスト硬化原盤上に、無電解ニッケ
ルメッキ層を形成した。
２mm、厚さ６mmの研摩ガラス盤上にレジストを塗布し、
巾１μのトラック上にＰＣＭ変調レーザー光により信号
ピットを形成したレジスト硬化原盤上に、無電解ニッケ
ルメッキ層を形成した。
こうして得られた無電ニッケルメッキの導電層を有する
原盤を電鋳溶液に浸漬し、垂直面に対し４５℃の角度を
保ちつつ回転させ、電着面がアノードボックスに対向
し、７cmの間隔を保つように保持して電鋳した。電鋳浴
の組成は以下のとおりである。
原盤を電鋳溶液に浸漬し、垂直面に対し４５℃の角度を
保ちつつ回転させ、電着面がアノードボックスに対向
し、７cmの間隔を保つように保持して電鋳した。電鋳浴
の組成は以下のとおりである。
スルファミン酸ニッケル（四水和物） ４００ｇ／ 塩化ニッケル（六水和物） ５ｇ／ ほ う 酸 ３０ｇ／ ピット防止剤 ０．５ｇ／ 浴温は５０℃で、液全体を１０回／hrのサイクルで０．
４μのメンブレンフィルター貯槽とを通過して循環さ
せ、原盤の中央部へ向って液が噴出するようにした。貯
槽中には電解ニッケルのコルゲートのカソードとアノー
ドバッグを浸漬して０．３Ａ／dm2の弱電流を通電し、
不純物イオンＣａ 、Ｆｅ 、Ｚｎ 、Ｐｂ 等を選択
的に電着させ電鋳浴を精製した。
４μのメンブレンフィルター貯槽とを通過して循環さ
せ、原盤の中央部へ向って液が噴出するようにした。貯
槽中には電解ニッケルのコルゲートのカソードとアノー
ドバッグを浸漬して０．３Ａ／dm2の弱電流を通電し、
不純物イオンＣａ 、Ｆｅ 、Ｚｎ 、Ｐｂ 等を選択
的に電着させ電鋳浴を精製した。
アノードのニッケルには電解ニッケルのペレットを用
い、トータル通電量を２１５Ａ・hrsにして電鋳を行っ
た。
い、トータル通電量を２１５Ａ・hrsにして電鋳を行っ
た。
以上のようにして製作したスタンパーを射出成形機の金
型にセットし、光ディスク用サブストレートを成形した
が、スタンパーの耐久性は従来のニッケル電鋳によるも
のより大巾に向上した。
型にセットし、光ディスク用サブストレートを成形した
が、スタンパーの耐久性は従来のニッケル電鋳によるも
のより大巾に向上した。
第１，２図は表１に示す均一度の評価法の実施例で、第
１図は従来法によるＣｕイオン無添加の場合の無電解ニ
ッケル面の状態を示す写真を模写した図で、ハッチ部分
がメッキ層を示し、この場合の均一度は２０％である。 第２図は本発明によるＣｕイオン添加の場合の第１図と
同様な図で、この場合の均一度は１００％である。
１図は従来法によるＣｕイオン無添加の場合の無電解ニ
ッケル面の状態を示す写真を模写した図で、ハッチ部分
がメッキ層を示し、この場合の均一度は２０％である。 第２図は本発明によるＣｕイオン添加の場合の第１図と
同様な図で、この場合の均一度は１００％である。
Claims (4)
- 【請求項１】凹凸の情報ピットおよび／またはトラック
を有する電鋳用原盤上に無電解ニッケルメッキを行って
形成した無電解ニッケルメッキ層と、この無電解ニッケ
ルメッキ層上に電鋳によって形成された電鋳ニッケル層
とによって構成され、上記無電解ニッケルメッキが可溶
性ニッケル塩と、次亜リン酸塩と、ｐＨ緩衝剤とを主成
分とし、銅イオンを０．１〜４ｐｐｍ添加した無電解ニ
ッケルメッキ浴により行われることを特徴とするプラス
チック製光ディスク成形用スタンパー。 - 【請求項２】凹凸の情報ピットおよび／またはトラック
を有する電鋳用原盤上に無電解ニッケルメッキを行って
導電層を形成し、この無電解ニッケルメッキ層上に電鋳
によってニッケル電鋳層を形成し、原盤から上記導電層
とニッケル電鋳層とを剥離してプラスチック製光ディス
ク成形用スタンパーを製造する方法において、上記無電
解ニッケルメッキ液が可溶性ニッケル塩と、次亜リン酸
塩とｐＨ緩衝剤とを主成分とし、銅イオンを０．１〜４
ｐｐｍ添加した無電解ニッケルメッキ浴により導電層形
成が行われることを特徴とするプラスチック製光ディス
ク成形用スタンパーの製造方法。 - 【請求項３】上記浴のｐＨが酸性領域であり、浴温度が
６０Ｃ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の方法。 - 【請求項４】上記可溶性ニッケル塩が硫酸ニッケルであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159325A JPH0646462B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスク成形用スタンパ−とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159325A JPH0646462B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスク成形用スタンパ−とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220152A JPS6220152A (ja) | 1987-01-28 |
| JPH0646462B2 true JPH0646462B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=15691339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159325A Expired - Lifetime JPH0646462B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスク成形用スタンパ−とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646462B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2754373B2 (ja) * | 1996-07-19 | 1998-05-20 | 大日本印刷株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP2002212746A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-31 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036472B2 (ja) * | 1981-01-19 | 1985-08-20 | 松下電器産業株式会社 | ニツケル被膜の形成方法 |
| JPS607630A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-16 | デイスコビジヨン・アソシエイツ | 改良された成型スタンパ−及びその製造方法 |
| JPS61248248A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Seiko Epson Corp | 光メモリ−用マスタ−スタンパの裏面研摩方法 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60159325A patent/JPH0646462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6220152A (ja) | 1987-01-28 |
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