JP2002212746A - 未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法 - Google Patents
未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】未貫通穴を有する被めっき物の未貫通穴の内部
にも十分な無電解ニッケル層を形成することが可能な無
電解ニッケルめっき方法を提供する。 【解決手段】未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の
無電解ニッケルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解
ニッケルめっき液を充填させた後、該未貫通穴に無電解
ニッケルめっき液が残存する状態で、第２段目の無電解
ニッケルめっき液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行
う方法であって、第１段目の無電解ニッケルめっき液
が、ニッケル化合物を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩
衝剤を０．２５ｍｏｌ／ｌ以上含有することを特徴とす
る未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっ
き方法。
にも十分な無電解ニッケル層を形成することが可能な無
電解ニッケルめっき方法を提供する。 【解決手段】未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の
無電解ニッケルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解
ニッケルめっき液を充填させた後、該未貫通穴に無電解
ニッケルめっき液が残存する状態で、第２段目の無電解
ニッケルめっき液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行
う方法であって、第１段目の無電解ニッケルめっき液
が、ニッケル化合物を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩
衝剤を０．２５ｍｏｌ／ｌ以上含有することを特徴とす
る未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっ
き方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、未貫通穴を有する
被めっき物への無電解ニッケルめっき方法に関する。
被めっき物への無電解ニッケルめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】鉄鋼材料等の鉄系材料に無電解ニッケル
層を形成する方法としては、溶剤への浸漬処理、アルカ
リ性水溶液への浸漬処理及びアルカリ性水溶液中での電
解処理を順次行って被めっき物に付着した油脂成分など
の汚れを除去した後、塩酸、硫酸などの鉱酸水溶液に浸
漬して被めっき物表面を活性化し、その後、無電解ニッ
ケルめっきを行って無電解ニッケル層を形成する方法が
広く行われている。
層を形成する方法としては、溶剤への浸漬処理、アルカ
リ性水溶液への浸漬処理及びアルカリ性水溶液中での電
解処理を順次行って被めっき物に付着した油脂成分など
の汚れを除去した後、塩酸、硫酸などの鉱酸水溶液に浸
漬して被めっき物表面を活性化し、その後、無電解ニッ
ケルめっきを行って無電解ニッケル層を形成する方法が
広く行われている。
【０００３】この方法は、すでに技術的に確立された信
頼性の高い方法として長年使用されてきた実績がある
が、材料の形状や凹凸の状態等によっては、形成される
無電解ニッケル層が不均一となり易く、十分な防錆効果
が発揮できない場合がある。
頼性の高い方法として長年使用されてきた実績がある
が、材料の形状や凹凸の状態等によっては、形成される
無電解ニッケル層が不均一となり易く、十分な防錆効果
が発揮できない場合がある。
【０００４】未貫通穴を有する鉄系材料に無電解ニッケ
ルめっき層を形成する方法としては、一般的に上記の処
理に加えて、被めっき物やめっき液に物理的な揺動を与
える処理が行われている。しかしながら、揺動処理だけ
では、未貫通穴の内部にめっき液を十分に充満できず、
まためっき液を未貫通穴に充満しても、未貫通穴の内部
に充填されためっき液だけでは、十分なめっき皮膜を析
出をさせるために必要なニッケル量が不足し易く、ｐＨ
緩衝性能も十分でないため、未貫通穴の内部に均一な無
電解ニッケル層を形成することは非常に困難である。
ルめっき層を形成する方法としては、一般的に上記の処
理に加えて、被めっき物やめっき液に物理的な揺動を与
える処理が行われている。しかしながら、揺動処理だけ
では、未貫通穴の内部にめっき液を十分に充満できず、
まためっき液を未貫通穴に充満しても、未貫通穴の内部
に充填されためっき液だけでは、十分なめっき皮膜を析
出をさせるために必要なニッケル量が不足し易く、ｐＨ
緩衝性能も十分でないため、未貫通穴の内部に均一な無
電解ニッケル層を形成することは非常に困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
未貫通穴を有する被めっき物の未貫通穴の内部にも十分
な無電解ニッケル層を形成することが可能な無電解ニッ
ケルめっき方法を提供することである。
未貫通穴を有する被めっき物の未貫通穴の内部にも十分
な無電解ニッケル層を形成することが可能な無電解ニッ
ケルめっき方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ニッケル化合物
とｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニッケルめっき液中
に被めっき物を浸漬して、未貫通穴に無電解めっき液を
充填させた後、該未貫通穴に無電解ニッケルめっき液が
残存する状態で通常の無電解ニッケルめっき液中に浸漬
して無電解ニッケルめっきを行う方法によれば、ニッケ
ルとｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニッケルめっき液
が未貫通穴中に存在する状態で無電解ニッケルめっきを
行うことができるために、未貫通穴の内部にも均一な無
電解ニッケルめっき層を形成することが可能となること
を見出し、ここに本発明を完成するに至った。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ニッケル化合物
とｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニッケルめっき液中
に被めっき物を浸漬して、未貫通穴に無電解めっき液を
充填させた後、該未貫通穴に無電解ニッケルめっき液が
残存する状態で通常の無電解ニッケルめっき液中に浸漬
して無電解ニッケルめっきを行う方法によれば、ニッケ
ルとｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニッケルめっき液
が未貫通穴中に存在する状態で無電解ニッケルめっきを
行うことができるために、未貫通穴の内部にも均一な無
電解ニッケルめっき層を形成することが可能となること
を見出し、ここに本発明を完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明は、以下の未貫通穴を有する
被めっき物への無電解ニッケルめっき方法を提供するも
のである。 １．未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の無電解ニ
ッケルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解ニッケル
めっき液を充填させた後、該未貫通穴に無電解ニッケル
めっき液が残存する状態で、第２段目の無電解ニッケル
めっき液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行う方法で
あって、第１段目の無電解ニッケルめっき液が、ニッケ
ル化合物を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩衝剤を０．
２５ｍｏｌ／ｌ以上含有することを特徴とする未貫通穴
を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法。 ２．被めっき物を第１段目の無電解ニッケルめっき液に
浸漬した後、水洗を行うことなく、第２段目の無電解ニ
ッケルめっき液に浸漬する上記項１に記載の方法。 ３．第１段目の無電解ニッケルめっき液が、還元剤とし
て次亜リン酸化合物を含有するめっき液の場合に、被め
っき物を浸漬する際の液温を５〜５０℃とし、還元剤と
して水素化ホウ素化合物を含有するめっき液の場合に、
被めっき物を浸漬する際の液温を５〜３５℃とする上記
項１に記載の方法。
被めっき物への無電解ニッケルめっき方法を提供するも
のである。 １．未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の無電解ニ
ッケルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解ニッケル
めっき液を充填させた後、該未貫通穴に無電解ニッケル
めっき液が残存する状態で、第２段目の無電解ニッケル
めっき液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行う方法で
あって、第１段目の無電解ニッケルめっき液が、ニッケ
ル化合物を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩衝剤を０．
２５ｍｏｌ／ｌ以上含有することを特徴とする未貫通穴
を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法。 ２．被めっき物を第１段目の無電解ニッケルめっき液に
浸漬した後、水洗を行うことなく、第２段目の無電解ニ
ッケルめっき液に浸漬する上記項１に記載の方法。 ３．第１段目の無電解ニッケルめっき液が、還元剤とし
て次亜リン酸化合物を含有するめっき液の場合に、被め
っき物を浸漬する際の液温を５〜５０℃とし、還元剤と
して水素化ホウ素化合物を含有するめっき液の場合に、
被めっき物を浸漬する際の液温を５〜３５℃とする上記
項１に記載の方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の無電解ニッケル方法は、
未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の無電解ニッケ
ルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解ニッケルめっ
き液を充填させた後、該未貫通穴に無電解ニッケルめっ
き液が残存する状態で、第２段目の無電解ニッケルめっ
き液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行う方法であ
る。
未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の無電解ニッケ
ルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解ニッケルめっ
き液を充填させた後、該未貫通穴に無電解ニッケルめっ
き液が残存する状態で、第２段目の無電解ニッケルめっ
き液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行う方法であ
る。
【０００９】以下、本発明の無電解ニッケルめっき方法
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００１０】本発明の無電解ニッケルめっき方法では、
いわゆる、めくら穴などと称される未貫通穴を有する物
品を被めっき物とする。被めっき物の材質については特
に限定はないが、通常、極軟鋼、軟鋼、硬鋼等の炭素鋼
材料、クロム鋼、ニッケルクロム鋼、クロムモリブデン
鋼等の合金鋼材料、ステンレス鋼、工具鋼、硫黄快削鋼
等の特殊用途鋼材料、鍛鋼、鋳鉄鋼等の鍛鋳造品材料等
を含む鉄系材料を被めっき物とする。
いわゆる、めくら穴などと称される未貫通穴を有する物
品を被めっき物とする。被めっき物の材質については特
に限定はないが、通常、極軟鋼、軟鋼、硬鋼等の炭素鋼
材料、クロム鋼、ニッケルクロム鋼、クロムモリブデン
鋼等の合金鋼材料、ステンレス鋼、工具鋼、硫黄快削鋼
等の特殊用途鋼材料、鍛鋼、鋳鉄鋼等の鍛鋳造品材料等
を含む鉄系材料を被めっき物とする。
【００１１】この様な被めっき物の具体例としては、ボ
ルト、ナット等の機械部品、シャフト、ロール等のＯＡ
機械部品、時計、カメラ、電子顕微鏡等の精密部品など
を例示できる。
ルト、ナット等の機械部品、シャフト、ロール等のＯＡ
機械部品、時計、カメラ、電子顕微鏡等の精密部品など
を例示できる。
【００１２】本発明のめっき方法では、まず、常法に従
って、被めっき物を脱脂処理、活性化処理等等の前処理
に供する。
って、被めっき物を脱脂処理、活性化処理等等の前処理
に供する。
【００１３】脱脂方法については特に限定はないが、例
えば、溶剤への浸漬処理、アルカリ性水溶液への浸漬処
理及びアルカリ性水溶液中での電解処理を順次行う方法
を例示できる。活性化処理については、例えば、塩酸、
硫酸などの鉱酸水溶液に浸漬する方法を例示できる。
えば、溶剤への浸漬処理、アルカリ性水溶液への浸漬処
理及びアルカリ性水溶液中での電解処理を順次行う方法
を例示できる。活性化処理については、例えば、塩酸、
硫酸などの鉱酸水溶液に浸漬する方法を例示できる。
【００１４】次いで、被めっき物を第１段目の無電解ニ
ッケルめっき液中に浸漬して、被めっき物の未貫通穴の
内部に該無電解めっき液を充填する。
ッケルめっき液中に浸漬して、被めっき物の未貫通穴の
内部に該無電解めっき液を充填する。
【００１５】第１段目の無電解ニッケルめっき液として
は、通常用いられている無電解ニッケルめっき液と比べ
てニッケル化合物とｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニ
ッケルめっき液を用いる。具体的には、ニッケル化合物
濃度が０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩衝剤の濃度が
０．２５ｍｏｌ／ｌ以上の無電解ニッケルめっき液を用
いる。
は、通常用いられている無電解ニッケルめっき液と比べ
てニッケル化合物とｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニ
ッケルめっき液を用いる。具体的には、ニッケル化合物
濃度が０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩衝剤の濃度が
０．２５ｍｏｌ／ｌ以上の無電解ニッケルめっき液を用
いる。
【００１６】この様な無電解ニッケルめっき液を未貫通
穴に充填させた後、第２段目の無電解ニッケルめっき液
に浸漬して無電解ニッケルめっきを行うことによって、
ニッケル化合物とｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニッ
ケルめっき液が未貫通穴中に存在する状態で無電解ニッ
ケルめっき処理が行われ、被めっき物の未貫通穴の内部
に均一な無電解ニッケルめっき皮膜を形成することが可
能となる。
穴に充填させた後、第２段目の無電解ニッケルめっき液
に浸漬して無電解ニッケルめっきを行うことによって、
ニッケル化合物とｐＨ緩衝剤を高濃度で含む無電解ニッ
ケルめっき液が未貫通穴中に存在する状態で無電解ニッ
ケルめっき処理が行われ、被めっき物の未貫通穴の内部
に均一な無電解ニッケルめっき皮膜を形成することが可
能となる。
【００１７】第１段目の無電解ニッケルめっき液として
は、具体的には、ニッケル化合物、ｐＨ緩衝剤、錯化
剤、還元剤等を基本成分として含有する無電解ニッケル
めっき液を用いることができる。
は、具体的には、ニッケル化合物、ｐＨ緩衝剤、錯化
剤、還元剤等を基本成分として含有する無電解ニッケル
めっき液を用いることができる。
【００１８】ニッケル化合物としては、水溶性のニッケ
ル化合物、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸
ニッケルなどを用いることができる。ニッケル化合物
は、一種単独又は二種以上混合して用いることができ、
その含有量は、０．１５ｍｏｌ／ｌ程度以上とすること
が必要であり、０．１５〜０．３ｍｏｌ／ｌ程度とする
ことが好ましい。
ル化合物、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸
ニッケルなどを用いることができる。ニッケル化合物
は、一種単独又は二種以上混合して用いることができ、
その含有量は、０．１５ｍｏｌ／ｌ程度以上とすること
が必要であり、０．１５〜０．３ｍｏｌ／ｌ程度とする
ことが好ましい。
【００１９】ｐＨ緩衝剤としては、ギ酸、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸等のモノカルボン酸；これらのナトリウム
塩、カリウム塩、アンモニウム塩等のモノカルボン酸
塩；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸等のジカルボン酸；これらのナトリウム塩、カリ
ウム塩、アンモニウム塩等のジカルボン酸塩等を用いる
ことができる。ｐＨ緩衝剤は一種単独又は二種以上混合
して用いることができ、その含有量は０．２５ｍｏｌ／
ｌ以上とすることが必要であり、０．２５〜１ｍｏｌ／
ｌ程度とすることが好ましい。
オン酸、酪酸等のモノカルボン酸；これらのナトリウム
塩、カリウム塩、アンモニウム塩等のモノカルボン酸
塩；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸等のジカルボン酸；これらのナトリウム塩、カリ
ウム塩、アンモニウム塩等のジカルボン酸塩等を用いる
ことができる。ｐＨ緩衝剤は一種単独又は二種以上混合
して用いることができ、その含有量は０．２５ｍｏｌ／
ｌ以上とすることが必要であり、０．２５〜１ｍｏｌ／
ｌ程度とすることが好ましい。
【００２０】錯化剤としては、例えば、グリコール酸、
乳酸、ヒドロアクリル酸、オキシ酪酸、グリセリン酸、
タルトロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などのオキ
シカルボン酸；これらのナトリウム塩、カリウム塩等の
オキシカルボン酸塩等を用いることができる。錯化剤は
一種単独又は二種以上混合して用いることができる。錯
化剤の含有量は特に限定的ではないが、０．０２〜０．
６ｍｏｌ／ｌ程度とすることが好ましく、０．０５〜
０．３ｍｏｌ／ｌ程度とすることがより好ましい。
乳酸、ヒドロアクリル酸、オキシ酪酸、グリセリン酸、
タルトロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などのオキ
シカルボン酸；これらのナトリウム塩、カリウム塩等の
オキシカルボン酸塩等を用いることができる。錯化剤は
一種単独又は二種以上混合して用いることができる。錯
化剤の含有量は特に限定的ではないが、０．０２〜０．
６ｍｏｌ／ｌ程度とすることが好ましく、０．０５〜
０．３ｍｏｌ／ｌ程度とすることがより好ましい。
【００２１】還元剤としては、次亜リン酸、次亜リン酸
ナトリウムなどの次亜リン酸化合物、水素化ホウ素、水
素化ホウ素ナトリウムなどの水素化ホウ素化合物、ヒド
ラジンなどを用いることができ、その含有量は０．０１
〜０．５ｍｏｌ／ｌ程度とすることが好ましく、０．０
２〜０．３ｍｏｌ／ｌ程度とすることがより好ましい。
ナトリウムなどの次亜リン酸化合物、水素化ホウ素、水
素化ホウ素ナトリウムなどの水素化ホウ素化合物、ヒド
ラジンなどを用いることができ、その含有量は０．０１
〜０．５ｍｏｌ／ｌ程度とすることが好ましく、０．０
２〜０．３ｍｏｌ／ｌ程度とすることがより好ましい。
【００２２】第１段目の無電解ニッケルめっき液のｐＨ
値については、通常の無電解ニッケルめっき液と同様で
良い。具体的には、次亜リン酸化合物を還元剤とする無
電解ニッケルめっき液の場合には、ｐＨ３〜７程度とす
ることが好ましく、ｐＨ３．５〜６．５程度とすること
がより好ましい。水素化ホウ素化合物を還元剤とするめ
っき液については、ｐＨ３〜１０程度とすることが好ま
しく、ｐＨ４〜９程度とすることがより好ましい。ｐＨ
調整剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどの水酸化アルカリ、水酸化アンモニウム等を
用いることができる。
値については、通常の無電解ニッケルめっき液と同様で
良い。具体的には、次亜リン酸化合物を還元剤とする無
電解ニッケルめっき液の場合には、ｐＨ３〜７程度とす
ることが好ましく、ｐＨ３．５〜６．５程度とすること
がより好ましい。水素化ホウ素化合物を還元剤とするめ
っき液については、ｐＨ３〜１０程度とすることが好ま
しく、ｐＨ４〜９程度とすることがより好ましい。ｐＨ
調整剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどの水酸化アルカリ、水酸化アンモニウム等を
用いることができる。
【００２３】更に、第１段目の無電解ニッケルめっき液
には、必要に応じて、硝酸鉛などの金属イオンを含む安
定剤、チオ尿素などの反応促進剤など公知の成分を添加
することができる。
には、必要に応じて、硝酸鉛などの金属イオンを含む安
定剤、チオ尿素などの反応促進剤など公知の成分を添加
することができる。
【００２４】第１段目の無電解ニッケルめっき液に被め
っき物を浸漬する工程は、未貫通穴の内部に無電解ニッ
ケルめっき液を充填することを目的とするものであり、
めっきの析出反応が開始されないように、無電解ニッケ
ルめっき液の液温は、通常のめっき処理を行う際の液温
より低い温度とする。例えば、次亜リン酸化合物を還元
剤とする無電解ニッケルめっき液の場合には液温を５〜
５５℃程度とすることが好ましく、２０〜３０℃程度と
することがより好ましい。また、水素化ホウ素化合物を
還元剤とする無電解ニッケルめっき液の場合には液温を
５〜３５℃程度とすることが好ましく、２０〜３０℃程
度とすることがより好ましい。
っき物を浸漬する工程は、未貫通穴の内部に無電解ニッ
ケルめっき液を充填することを目的とするものであり、
めっきの析出反応が開始されないように、無電解ニッケ
ルめっき液の液温は、通常のめっき処理を行う際の液温
より低い温度とする。例えば、次亜リン酸化合物を還元
剤とする無電解ニッケルめっき液の場合には液温を５〜
５５℃程度とすることが好ましく、２０〜３０℃程度と
することがより好ましい。また、水素化ホウ素化合物を
還元剤とする無電解ニッケルめっき液の場合には液温を
５〜３５℃程度とすることが好ましく、２０〜３０℃程
度とすることがより好ましい。
【００２５】無電解ニッケルめっき液中への浸漬時間
は、未貫通穴に無電解ニッケルめっき液が十分に充填さ
れるまでの時間とすれば良く、通常、１〜２０分程度、
好ましくは５〜１０分程度とすればよい。
は、未貫通穴に無電解ニッケルめっき液が十分に充填さ
れるまでの時間とすれば良く、通常、１〜２０分程度、
好ましくは５〜１０分程度とすればよい。
【００２６】尚、被めっき物を第１段目の無電解ニッケ
ルめっき液中に浸漬する前に、３０〜８０℃程度、好ま
しくは４０〜６０℃程度の水中に被めっき物を１〜５分
間程度浸漬して湯洗を行うことによって、未貫通穴への
無電解ニッケルめっき液の充填が容易になる。
ルめっき液中に浸漬する前に、３０〜８０℃程度、好ま
しくは４０〜６０℃程度の水中に被めっき物を１〜５分
間程度浸漬して湯洗を行うことによって、未貫通穴への
無電解ニッケルめっき液の充填が容易になる。
【００２７】次いで、未貫通穴に第１段目の無電解ニッ
ケルめっき液が残存する状態で、第２段目の無電解ニッ
ケルめっき液中に浸漬して無電解ニッケルめっきを行
う。
ケルめっき液が残存する状態で、第２段目の無電解ニッ
ケルめっき液中に浸漬して無電解ニッケルめっきを行
う。
【００２８】第１段目の無電解ニッケルめっき液は、未
貫通穴にできるだけ多く残存することが好ましく、例え
ば、無電解ニッケルめっき液が未貫通穴の容積の５０％
以上残存することが好ましく、７０％以上残存すること
がより好ましく、９０％以上残存することが更に好まし
い。
貫通穴にできるだけ多く残存することが好ましく、例え
ば、無電解ニッケルめっき液が未貫通穴の容積の５０％
以上残存することが好ましく、７０％以上残存すること
がより好ましく、９０％以上残存することが更に好まし
い。
【００２９】未貫通穴に無電解ニッケルめっき液を残存
させるためには、通常、第１段目の無電解ニッケルめっ
き液に被めっき物を浸漬した後、水洗を行うことなく、
直接、第２段目の無電解ニッケルめっき液に被めっき物
を浸漬することが好ましい。第２段目の無電解ニッケル
めっきの前に水洗を行う場合には、未貫通穴に第１段目
の無電解ニッケルめっき液ができるだけ多く残存するよ
うに、水洗時間をできるだけ短時間とする。また、被め
っき物における未貫通穴の形状に応じて、無電解ニッケ
ルめっき液の流出を防止できるようにラックの形状を工
夫することが好ましい。
させるためには、通常、第１段目の無電解ニッケルめっ
き液に被めっき物を浸漬した後、水洗を行うことなく、
直接、第２段目の無電解ニッケルめっき液に被めっき物
を浸漬することが好ましい。第２段目の無電解ニッケル
めっきの前に水洗を行う場合には、未貫通穴に第１段目
の無電解ニッケルめっき液ができるだけ多く残存するよ
うに、水洗時間をできるだけ短時間とする。また、被め
っき物における未貫通穴の形状に応じて、無電解ニッケ
ルめっき液の流出を防止できるようにラックの形状を工
夫することが好ましい。
【００３０】本発明で用いる第２段目の無電解ニッケル
めっき液については、特に限定はなく、従来から用いら
れている公知の無電解ニッケルめっき液を用いることが
できる。特に、第２段目の無電解ニッケルめっき液とし
ては、第１段目の無電解ニッケルめっき液の持ち込みに
よる悪影響を避けるために、第１段目の無電解ニッケル
めっき液と同種の還元剤を用いた無電解ニッケルめっき
液を用いることが好ましい。
めっき液については、特に限定はなく、従来から用いら
れている公知の無電解ニッケルめっき液を用いることが
できる。特に、第２段目の無電解ニッケルめっき液とし
ては、第１段目の無電解ニッケルめっき液の持ち込みに
よる悪影響を避けるために、第１段目の無電解ニッケル
めっき液と同種の還元剤を用いた無電解ニッケルめっき
液を用いることが好ましい。
【００３１】第２段目の無電解ニッケルめっきの条件に
ついては、使用する無電解ニッケルめっき液の種類に応
じて、従来のめっき条件と同様とすればよく、目的とす
る膜厚のニッケルめっき皮膜が形成されるまで、該めっ
き液中に被めっき物を浸漬すればよい。
ついては、使用する無電解ニッケルめっき液の種類に応
じて、従来のめっき条件と同様とすればよく、目的とす
る膜厚のニッケルめっき皮膜が形成されるまで、該めっ
き液中に被めっき物を浸漬すればよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明の無電解ニッケルめっき方法によ
れば、被めっき物の未貫通穴の内部まで均一な無電解ニ
ッケルめっき皮膜を形成することができ、高品質のめっ
き製品を得ることができるる。
れば、被めっき物の未貫通穴の内部まで均一な無電解ニ
ッケルめっき皮膜を形成することができ、高品質のめっ
き製品を得ることができるる。
【００３３】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。 実施例１〜１２及び比較例１〜６ 被めっき物として、直径３ｍｍ、深さ１５ｍｍの未貫通
穴を有する炭素鋼（φ１０×５０ｍｍ）を用い、下記表
１に示す処理工程で無電解ニッケルめっきを行った。第
１段目の無電解ニッケルめっき液の組成及びめっき条件
を下記表２に示し、第２段目の無電解ニッケルめっき液
の組成とめっき条件を下記表３に示す。また、第１段目
の無電解ニッケルめっき液と第２段目の無電解ニッケル
めっき液の組み合わせを下記表４及び表５に示す。
明する。 実施例１〜１２及び比較例１〜６ 被めっき物として、直径３ｍｍ、深さ１５ｍｍの未貫通
穴を有する炭素鋼（φ１０×５０ｍｍ）を用い、下記表
１に示す処理工程で無電解ニッケルめっきを行った。第
１段目の無電解ニッケルめっき液の組成及びめっき条件
を下記表２に示し、第２段目の無電解ニッケルめっき液
の組成とめっき条件を下記表３に示す。また、第１段目
の無電解ニッケルめっき液と第２段目の無電解ニッケル
めっき液の組み合わせを下記表４及び表５に示す。
【００３４】上記めっき処理の終了後、被めっき物の未
貫通穴の部分を切断して、未貫通穴の内部にニッケルめ
っき皮膜が形成されている面積割合を求めた。結果を下
記表４及び表５に記載する。
貫通穴の部分を切断して、未貫通穴の内部にニッケルめ
っき皮膜が形成されている面積割合を求めた。結果を下
記表４及び表５に記載する。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】
【表４】
【００３９】
【表５】
【００４０】以上の結果から明らかなように、本発明の
無電解めっき方法によれば、未貫通穴の内部にも十分な
無電解ニッケルめっき皮膜を形成できることが判る。
無電解めっき方法によれば、未貫通穴の内部にも十分な
無電解ニッケルめっき皮膜を形成できることが判る。
Claims (3)
- 【請求項１】未貫通穴を有する被めっき物を第１段目の
無電解ニッケルめっき液に浸漬して該未貫通穴に無電解
ニッケルめっき液を充填させた後、該未貫通穴に無電解
ニッケルめっき液が残存する状態で、第２段目の無電解
ニッケルめっき液に浸漬して無電解ニッケルめっきを行
う方法であって、第１段目の無電解ニッケルめっき液
が、ニッケル化合物を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上、ｐＨ緩
衝剤を０．２５ｍｏｌ／ｌ以上含有することを特徴とす
る未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっ
き方法。 - 【請求項２】被めっき物を第１段目の無電解ニッケルめ
っき液に浸漬した後、水洗を行うことなく、第２段目の
無電解ニッケルめっき液に浸漬する請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】第１段目の無電解ニッケルめっき液が、還
元剤として次亜リン酸化合物を含有するめっき液の場合
に、被めっき物を浸漬する際の液温を５〜５０℃とし、
還元剤として水素化ホウ素化合物を含有するめっき液の
場合に、被めっき物を浸漬する際の液温を５〜３５℃と
する請求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001003372A JP2002212746A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001003372A JP2002212746A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002212746A true JP2002212746A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18871727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001003372A Pending JP2002212746A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 未貫通穴を有する被めっき物への無電解ニッケルめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002212746A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004124261A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Enthone Inc | 金属の無電解析出法 |
| JP2008530361A (ja) * | 2005-02-15 | 2008-08-07 | ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ アズ レプレゼンテッド バイ ザ セクレタリー オブ ザ ネイビー エト アル． | 金属基質上へのクロミウム−ジルコニウムコーティング用組成物及びその調製方法 |
| JP2008537975A (ja) * | 2005-02-15 | 2008-10-02 | ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ アズ レプレゼンテッド バイ ザ セクレタリー オブ ザ ネイビー エト アル． | 金属基質の保護コーティング用組成物及び方法 |
| JP2011001619A (ja) * | 2009-06-20 | 2011-01-06 | Ritsuhin Ri | 無電解ニッケルめっき浴および無電解ニッケルめっき方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220152A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Daicel Chem Ind Ltd | 光デイスク成形用スタンパ−とその製造法 |
| JPH0673553A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-03-15 | Dainippon Printing Co Ltd | ブラックマトリックス基板形成のための無電解メッキ液およびそれを用いて形成したブラックマトリックス基板 |
| JPH06306627A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | Japan Energy Corp | すず−鉛合金無電解めっき方法 |
-
2001
- 2001-01-11 JP JP2001003372A patent/JP2002212746A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JP2011001619A (ja) * | 2009-06-20 | 2011-01-06 | Ritsuhin Ri | 無電解ニッケルめっき浴および無電解ニッケルめっき方法 |
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