JPH0570125A - タリウム系酸化物超伝導体の製造方法 - Google Patents
タリウム系酸化物超伝導体の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 タリウム系超伝導体の合成において、Ｔｌと
Ａｕとの反応を抑えて良質な超伝導体材料を製造する。 【構成】 タリウム系酸化物超伝導体の製造において、
Ｎｉ基耐熱合金箔で包んだ後、Ａｕ箔に包むことによ
り、ＴｌとＡｕとの反応を抑え、かつ充分な速度で固相
反応を行わせることができるため、均一で異相のない焼
結体を得ることができる。
Ａｕとの反応を抑えて良質な超伝導体材料を製造する。 【構成】 タリウム系酸化物超伝導体の製造において、
Ｎｉ基耐熱合金箔で包んだ後、Ａｕ箔に包むことによ
り、ＴｌとＡｕとの反応を抑え、かつ充分な速度で固相
反応を行わせることができるため、均一で異相のない焼
結体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の超伝導応用装置
や超伝導素子に使用される酸化物超伝導材料の製造方法
に関するものである。
や超伝導素子に使用される酸化物超伝導材料の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、超伝導材料としては、すでに金属
・合金系超伝導材料、化合物超伝導材料などが実用化さ
れている。超伝導材料は超伝導磁石用のコイルやジョセ
フソン素子などのエレクトロニクスデバイスなどを作る
のに用いられ、特にジョセフソン接合の高感度性、高精
度性、低雑音性を利用したＳＱＵＩＤや精密計測への応
用の他、ジョセフソン接合の高速応答性と低消費電力性
に着目した電子計算機への応用が期待されている。
・合金系超伝導材料、化合物超伝導材料などが実用化さ
れている。超伝導材料は超伝導磁石用のコイルやジョセ
フソン素子などのエレクトロニクスデバイスなどを作る
のに用いられ、特にジョセフソン接合の高感度性、高精
度性、低雑音性を利用したＳＱＵＩＤや精密計測への応
用の他、ジョセフソン接合の高速応答性と低消費電力性
に着目した電子計算機への応用が期待されている。
【０００３】超伝導材料の応用を考えた場合、その超伝
導転移温度（Ｔｃ）は、できるだけ高いことが望まれ
る。金属・合金系超伝導材料、化合物超伝導材料は、冷
媒として高価で希少な液体ヘリウムを用いなければなら
ず、このことがこれらの超伝導体の広い分野への応用を
妨げる一因となっている。
導転移温度（Ｔｃ）は、できるだけ高いことが望まれ
る。金属・合金系超伝導材料、化合物超伝導材料は、冷
媒として高価で希少な液体ヘリウムを用いなければなら
ず、このことがこれらの超伝導体の広い分野への応用を
妨げる一因となっている。
【０００４】この点では銅酸化物系超伝導体は、従来の
超伝導体よりもはるかに優れており、３０ＫのＴｃを持
つＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体の発見以来、
９０Ｋ級のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、１１０Ｋ級のＢｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、１２０Ｋ級のＴｌ−Ｂａ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系などが相次いで発見されてきた。液体窒
素温度をはるかに越えたＴｃをもつ材料の発見は、実用
材料としての期待をますます高めている。
超伝導体よりもはるかに優れており、３０ＫのＴｃを持
つＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導体の発見以来、
９０Ｋ級のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、１１０Ｋ級のＢｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、１２０Ｋ級のＴｌ−Ｂａ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−Ｏ系などが相次いで発見されてきた。液体窒
素温度をはるかに越えたＴｃをもつ材料の発見は、実用
材料としての期待をますます高めている。
【０００５】タリウム系超伝導体は現在のところもっと
も高いＴｃを持ち、実用化への期待が最も高い物質であ
る。その応用に際しては、試料が均質で異相を含まない
ものであることが望ましい。一般に固相反応法で均質な
セラミックを得るためには、充分な速度で原料を反応さ
せるように、ある程度の高温で長時間焼成する必要があ
る。ところが、Ｔｌ系超伝導体は構成元素のＴｌが非常
に蒸発し易いため、それを防ぐために試料をＡｕ箔で包
んでから焼成を行っている。
も高いＴｃを持ち、実用化への期待が最も高い物質であ
る。その応用に際しては、試料が均質で異相を含まない
ものであることが望ましい。一般に固相反応法で均質な
セラミックを得るためには、充分な速度で原料を反応さ
せるように、ある程度の高温で長時間焼成する必要があ
る。ところが、Ｔｌ系超伝導体は構成元素のＴｌが非常
に蒸発し易いため、それを防ぐために試料をＡｕ箔で包
んでから焼成を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】タリウム系超伝導体の
焼成において焼成時間が長くなると、構成元素のタリウ
ムとＡｕ箔との反応が起き始めるので、長時間焼成する
ことが今まで困難であった。そこで本発明の目的は、Ｔ
ｌとＡｕ箔との反応を防ぐことにより、均質で異相を含
まない良質なタリウム系超伝導体の製造方法を提供する
ことにある。
焼成において焼成時間が長くなると、構成元素のタリウ
ムとＡｕ箔との反応が起き始めるので、長時間焼成する
ことが今まで困難であった。そこで本発明の目的は、Ｔ
ｌとＡｕ箔との反応を防ぐことにより、均質で異相を含
まない良質なタリウム系超伝導体の製造方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、タリウム系酸
化物超伝導体の製造において、Ｎｉ基耐熱合金箔で包ん
だ後、Ａｕ箔に包んで長時間焼成すると、充分な速度で
固相反応が進行しつつ、ＴｌとＡｕ箔との反応も抑えら
れるため良質な試料が得られることを見いだしたもので
ある。
化物超伝導体の製造において、Ｎｉ基耐熱合金箔で包ん
だ後、Ａｕ箔に包んで長時間焼成すると、充分な速度で
固相反応が進行しつつ、ＴｌとＡｕ箔との反応も抑えら
れるため良質な試料が得られることを見いだしたもので
ある。
【０００８】
【実施例】以下ＴｌＳｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏy を例に実施例
により、本発明を具体的に説明する。
により、本発明を具体的に説明する。
【０００９】出発原料として純度９９％以上の酸化タリ
ウム（Ｔｌ2 Ｏ3 ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、
酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）を使
用し、所定の配合比になるように各々秤量した。次に秤
量した各材料を乳鉢でよく混合した後、プレスして１０
ｍｍφ×１ｍｍのプレス体を作成した。このプレス体を
Ｎｉ基耐熱合金箔で包んだ後、さらにＡｕ箔で包み、９
４０〜９８０℃の温度で３０分〜５時間焼成した。超伝
導特性の評価は、ＳＱＵＩＤマグネトメーターを用いた
磁化率測定と通常の直流４端子法により行った。粉末Ｘ
線回折とＥＰＭＡにより、異相の割合と組成を調べた。
表１に得られた試料の異相の割合と、ＴｌとＡｕ箔との
反応の有無を示す。比較のためにＮｉ基耐熱合金箔で包
んでいない試料に（試料番号４、８、９、１４、１５、
１９、２０、２３）についての結果も示す。Ｎｉ基耐熱
合金箔で包むことにより、ＴｌとＡｕとの反応が抑えら
れ、長時間焼成により、未反応中間生成物の割合が著し
く減っていることがわかる。高温焼成を３時間以上行う
と、目的組成物からＴｌが抜けた分解生成物の割合が増
えてくる。９４０℃以下の温度ではまだ反応速度が遅
く、また９８０℃以上では短時間でもＴｌ飛散量が無視
できないため実用的でない。
ウム（Ｔｌ2 Ｏ3 ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、
酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）を使
用し、所定の配合比になるように各々秤量した。次に秤
量した各材料を乳鉢でよく混合した後、プレスして１０
ｍｍφ×１ｍｍのプレス体を作成した。このプレス体を
Ｎｉ基耐熱合金箔で包んだ後、さらにＡｕ箔で包み、９
４０〜９８０℃の温度で３０分〜５時間焼成した。超伝
導特性の評価は、ＳＱＵＩＤマグネトメーターを用いた
磁化率測定と通常の直流４端子法により行った。粉末Ｘ
線回折とＥＰＭＡにより、異相の割合と組成を調べた。
表１に得られた試料の異相の割合と、ＴｌとＡｕ箔との
反応の有無を示す。比較のためにＮｉ基耐熱合金箔で包
んでいない試料に（試料番号４、８、９、１４、１５、
１９、２０、２３）についての結果も示す。Ｎｉ基耐熱
合金箔で包むことにより、ＴｌとＡｕとの反応が抑えら
れ、長時間焼成により、未反応中間生成物の割合が著し
く減っていることがわかる。高温焼成を３時間以上行う
と、目的組成物からＴｌが抜けた分解生成物の割合が増
えてくる。９４０℃以下の温度ではまだ反応速度が遅
く、また９８０℃以上では短時間でもＴｌ飛散量が無視
できないため実用的でない。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、今まで作り
にくかった均質で異相のないＴｌ系超伝導酸化物を得る
ことができるため、超伝導材料の工業応用にとって極め
て有用なものである。
にくかった均質で異相のないＴｌ系超伝導酸化物を得る
ことができるため、超伝導材料の工業応用にとって極め
て有用なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｚ 8728−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 タリウム系酸化物超伝導体の製造方法に
おいて、Ｎｉ基耐熱合金箔で包んだ後、Ａｕ箔に包んで
焼成することを特徴とするタリウム系酸化物超伝導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229994A JP2819883B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | タリウム系酸化物超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229994A JP2819883B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | タリウム系酸化物超伝導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570125A true JPH0570125A (ja) | 1993-03-23 |
| JP2819883B2 JP2819883B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=16900943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229994A Expired - Fee Related JP2819883B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | タリウム系酸化物超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819883B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441696B1 (en) * | 1999-07-08 | 2002-08-27 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Balun |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3229994A patent/JP2819883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441696B1 (en) * | 1999-07-08 | 2002-08-27 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Balun |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819883B2 (ja) | 1998-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980728 |
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