JPH0662333B2 - 酸化物超伝導体組成物の製造方法 - Google Patents

酸化物超伝導体組成物の製造方法

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JPH0662333B2
JPH0662333B2 JP63258601A JP25860188A JPH0662333B2 JP H0662333 B2 JPH0662333 B2 JP H0662333B2 JP 63258601 A JP63258601 A JP 63258601A JP 25860188 A JP25860188 A JP 25860188A JP H0662333 B2 JPH0662333 B2 JP H0662333B2
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祐一 島川
佳実 久保
隆志 真子
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、各種の超伝導応用装置や超伝導素子に使用さ
れる酸化物超伝導材料に関するものである。
(従来の技術) 現在、超伝導材料としては、すでに金属・合金系超伝導
材料、化合物超伝導材料などが実用化されている。超伝
導材料は超伝導磁石用のコイルやジョセフソン素子など
のエレクトロニクスデバイスなどを作るのに用いられ、
特にジョセフソン接合の高感度性、高精度性、低雑音性
を利用したSQUIDや精密計測への応用の他、ジョセフソ
ン接合の高速応答性と低消費電力性に着目した電子計算
機への応用が期待されている。
超伝導材料の超伝導転移温度Tcは、できるだけ高いこと
が望まれるが、30KのTcを持つLa-Ba-Cu-O系酸化物超伝
導体の発見以来、90K級のBa-Y-Cu-O系、110K級のBi-Sr-
Ca-Cu-O系、120K級のTl-Ba-Ca-Cu-O系などが相次いで発
見されてきた。液体窒素温度をはるかに越えたTcをもつ
材料の発見は、実用材料としての期待をますます高めて
いる。
(発明が解決しようとする問題点) 超伝導材料をエレクトロニクスデバイスに応用する際に
は臨界温度(Tc)はできるだけ高いことが望ましい。また
臨界電流密度(Jc)が大きいことも配線材料を考える上で
重要である。Tl-Ba-Cu-O系超伝導体は、通常のセラミッ
クス製造方法に従い焼成した場合には超伝導転移を示さ
ないか、またはTcが10K程度まで低いものしか得ること
ができない。そこで本発明の目的は、従来のものよりも
高く、液体窒素の沸点(77K)以上のTcを持ち、かつ高いJ
cを持つ超伝導体の製造方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明はTl2-xBa2Cu1+yO6+zと表した酸化物超伝導体組
成物において0≦x≦0.3,0≦y≦0.2,0≦z≦1.5なる
範囲にある酸化物超伝導材料で、特に焼成後徐冷する従
来の製造方法とは異なり、焼成した後、100℃/秒以上
の速度で急速降温すれば高いTcを持つ焼結体が得られる
こと、及び焼結の際にプレス成形体を金箔で包むことに
より上記組成物の特性がさらに向上することを見いだし
たものである。
(作用) Tl2Ba2CuO6では890℃で1時間焼成して徐冷した試料は
液体ヘリウムの沸点(4.2K)以上の温度では超伝導転移を
示さず、また890℃で3時間焼成して徐冷した試料のTc
は10Kであった。しかるにTl2Ba2CuO6で890℃で3時間焼
成した後、500℃/秒で急速降温したものはTcが90Kとな
り、また液体窒素温度(77K)におけるJcも1000A/cm2
あることが確認された。
(実施例) 以下実施例により、本発明を具体的に説明する。出発原
料として純度99%以上の酸化タリウム(Tl2O6)、酸化バ
リウム(BaO)、酸化第2銅(CuO)を使用し、Tl2Ba2CuO6
配合比になるように各々秤量した。次に秤量した各材料
を乳鉢でよく混合した後、プレスして5mm×10mm×1mmの
プレス体を作成した。このプレス体と、さらに金箔で包
んだプレス体を酸化雰囲気中で850℃〜910℃で1〜10時
間焼成した後、100℃/秒〜500℃/秒の速度で急速降温
を行った。
Tl2Ba2CuO6において第1表の焼成条件及び冷却速度によ
り作製した焼結体について抵抗率、臨界電流密度、超伝
導体積分率の測定を行い超伝導特性を評価した。
抵抗率は直流4端子法によって行った。電極は金をスパ
ッタリング法にて取り付けリードとして錫メッキ銅線を
用いた。
臨界電流密度も直流4端子法により求めた。液体窒素温
度(77K)において電圧端子間に0.1μV以上の電圧が生じ
たときの電流をJcとした。
超伝導体積分率は交流帯磁率測定より求めた。
交流帯磁率はコイルの中にサンプルをいれコイルのLの
変化を測定することによって行った。体積分率は、同体
積、同じ形状の鉛の4.2KにおけるΔLを100として算出
した。抵抗測定は室温から抵抗が0になる温度まで、帯
磁率測定は室温から4.2Kまで行った。
第1表に焼成条件及び冷却速度と抵抗が0になる臨界温
度、77Kでの臨界電流密度を示す。表に示すとおり、本
発明によれば、高い臨界温度と臨界電流密度を有する酸
化物超伝導体が得られる。なお金箔で包んで焼成した場
合には約10%以上の特性値の向上がみられた。
なお、100℃/秒より降温速度が遅い場合や、組成範囲
が本発明の範囲外となる場合には高い臨界温度と臨界電
流密度は得られない。
また焼成温度850℃〜910℃が望ましく、この範囲でとく
に良好な焼結体が得られる。
(発明の効果) 以上のように、本発明の製造方法は、高い超伝導転移温
度を持つ超伝導材料の製造方法として非常に実用性の高
いものである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Tl2-xBa2Cu1+yO6+zと表したとき、0≦x
    ≦0.3,0≦y≦0.2,0≦z≦1.5なる範囲にある酸化物超
    伝導体組成物の製造方法において、Tl2O3,BaO,CuO粉末
    をTl,Ba,Cuの比が前記範囲となるように混合し、プレス
    成形した後、焼成し、この後100℃/秒以上の速度で室
    温まで急速降温することを特徴とする酸化物超伝導体組
    成物の製造方法。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の酸化物超伝導
    体組成物の製造方法において、プレス成形体を金箔に包
    んで熱処理を行うことを特徴とする酸化物超伝導体組成
    物の製造方法。
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