JPH056835U - ガス置換装置 - Google Patents
ガス置換装置Info
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- JPH056835U JPH056835U JP5211491U JP5211491U JPH056835U JP H056835 U JPH056835 U JP H056835U JP 5211491 U JP5211491 U JP 5211491U JP 5211491 U JP5211491 U JP 5211491U JP H056835 U JPH056835 U JP H056835U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加熱炉から塵芥を除去すると共に、加熱炉に
て加熱加工される基板に塵芥が付着することを防止す
る。 【構成】 基板6を加熱加工する加熱炉7内の上部左側
端部には、N2 ガスaを噴射するブローノズル8が、N
2 ガスaが基板6に対して平行に流れるように、基板6
に対して斜め上方に配置されている。
て加熱加工される基板に塵芥が付着することを防止す
る。 【構成】 基板6を加熱加工する加熱炉7内の上部左側
端部には、N2 ガスaを噴射するブローノズル8が、N
2 ガスaが基板6に対して平行に流れるように、基板6
に対して斜め上方に配置されている。
Description
【0001】
本考案は、LCD等の基板に対し加熱加工を行う加熱炉内のガスを置換するガ ス置換装置に関するものであり、特に、置換ガスを噴射するブローノズルの配置 に関するものである。
【0002】
一般に、LCD等の基板を製造する工程において、加熱炉内で基板に対し加熱 加工を行う工程がある。基板を加熱する場合、加熱炉内に含まれる塵芥が基板に 付着しないように、この塵芥を除去する必要がある。そこで、加熱炉内の塵芥を 除去するために、フィルタ等により濾過されたガスを炉内に送込み、炉内の塵芥 を含んだガスを排気して、ガスの置換を行うガス置換装置が、従来より、提案さ れている。
【0003】 ここで、ガス置換装置の従来例を、図3を参照して説明する。
【0004】 図において、加熱炉1は中空であり、その断面形状は上側が長方形、下側が下 辺の方が上辺より短い台形となっている。加熱炉1のほぼ中央には、板状のヒー タ4が配設され、その上面にはヒータ4からの熱を均一に分散させる均熱板5が 設けられている。この均熱板5上に基板6が載置され、基板6は均熱板5によっ て加熱される。
【0005】 ガス置換装置は、上記の加熱炉1内のガスを置換するものであり、塵芥を含ま ないN2 ガスaを噴射するブローノズル2と、加熱炉1内のガスを排気する排気 口3とを備えている。
【0006】 このうち、ブローノズル2は、加熱炉1内部の上方に設置されており、N2 ガ スaを基板6に対して垂直に噴射する。一方、排気口3は加熱炉1の下面中央に 形成されており、塵芥を含んだガスを加熱炉1の外部に排気する。
【0007】
ところで、上記従来例においては、基板6中央の上方にブローノズル3が設置 されているため、次のような問題点が存在した。
【0008】 すなわち、図4に示すように、ブローノズル3から噴射されるN2 ガスaが基 板6に対して垂直に当たると、N2 ガスaは上方に一旦はね返り、噴射されるN 2 ガスaと衝突して渦巻流となって、基板6の上方に滞留する。
【0009】 このN2 ガスaの滞留と共に、加熱炉1内の塵芥もまた、その部分に止まる。 そのため、基板6に塵芥が付着する可能性は高い。しかも、加熱炉1は基板製造 工程の一部であるため、残留した塵芥は最終工程でしか判別することができない 。そのため、全行程での歩留まりが悪く、問題となっていた。
【0010】 以上のように、従来のガス置換装置においては、塵芥の除去が十分に行われな かった。本考案は、以上の問題点を解消するために提案されたものであり、その 目的は、加熱炉内の塵芥を確実に除去するガス置換装置を提供することである。
【0011】
以上の課題を解決するために、本考案のガス置換装置は、基板に加熱加工を行 う加熱炉内に、フィルタ等により濾過されたガスを噴射するブローノズルと、加 熱炉内の塵芥を含んだガスを排気する排気口とが設置され、前記ガスが基板に対 して平行に流れるように、ブローノズルが基板に対して斜め上方に配置されるこ とを構成上の特徴とする。
【0012】
以上のような構成を有する本考案において、ブローノズルが基板に対して斜め 上方からフィルタ等により濾過されたガスを噴射する。ブローノズルから噴射さ れたガスは、基板に斜め方向から当たることによって層流となる。そのため、ブ ローノズルから噴射されたガスは滞留することなく、基板に対して平行に流れる 。このガスの層流が、基板に付着している塵芥を除去すると共に、基板に塵芥が 付着することを防止する。最後に、排気口が塵芥を含んだガスを吸込み、加熱炉 の外部に排気する。
【0013】
進んで、以上述べた本考案のガス置換装置の一実施例を図1に基づいて説明す る。図1は本実施例の正面図である。なお、上記従来例と同一の部材に関しては 同一符号を付し、説明は省略する。
【0014】 図において、加熱炉7にはヒータ4及び均熱板5が配設され、均熱板5上に基 板6が載置される。本実施例のガス置換装置は、加熱炉7内のガスを置換するも のであり、加熱炉7にはフィルタ(図示せず)により濾過されたN2 ガスaを噴 射するブローノズル8と、加熱炉7内のガスを排気する排気口9とが設置されて いる。
【0015】 ブローノズル8は、金属製のパイプに一定の間隔で小径の穴を軸方向に明けた 構成を有しており、加熱炉7内部の図中左側上方に設置されている。このブロー ノズル8から噴射されるN2 ガスaの噴射角度は約45度下方である。
【0016】 一方、排気口9は加熱炉7の下面中央に形成されており、塵芥を含んだガスを 加熱炉7の外部に排気する。
【0017】 以上のような構成を有する本考案において、基板製造工程が起動されると、ブ ローノズル8は、均熱板5上に塵芥が付着しないように、ウォーミングアップ中 から連続的にN2 ガスaを噴射する。ブローノズル8から噴射されたN2 ガスa は、基板6に対して約45度の角度で斜め上方から当たり、いわゆる層流となっ て基板6上を流れる。しかも、N2 ガスaは上方から吹き下ろされるため、塵芥 を含んだガスが均熱板5によって暖められて上昇気流となるが、その下方に潜り 込むようになり、塵芥を含むガスより遮断することができる。
【0018】 従って、N2 ガスaは滞留することなく、基板6の図中左側縁部から図中右側 方向に向って、基板6に平行にスムーズに流れる。これにより、基板6に付着し ている塵芥を除去することができると同時に、基板6に塵芥が付着することを防 止できる。
【0019】 更に、基板6上を図中右方向に向って流れるN2 ガスaは、基板6の図中右側 縁部を通過し、加熱炉7の図中右側内壁面に沿って下降する。更に、N2 ガスa は底面にぶつかると底面に沿って図中左方向に移動し、排気口9に達する。
【0020】 また、ブローノズル8から噴射されたN2 ガスaの一部は、加熱炉7の図中左 側内壁面に沿って下降し、底面にぶつかると底面に沿って図中右方向に移動し、 排気口9に達する。
【0021】 この様にして、左右から排気口9に達したN2 ガスaは、加熱炉7内の塵芥を 多く含んでいる。このN2 ガスaが塵芥と共に排気口9に吸込まれ、加熱炉7の 外部に排気されて、加熱炉7内のガスの置換が行われる。
【0022】 以上のように、本実施例によれば、ブローノズル8から噴射されたN2 ガスa が滞留するがことなく、基板6上を平行に流れて、加熱炉7内から塵芥を除去で き、且つ基板6に塵芥が付着することがない。その結果、基板6の歩留まりが良 く、ガス置換装置としての信頼性を確保することができる。
【0023】 ところで、本考案のガス置換装置の他の実施例としては、次のようなものがあ る。
【0024】 すなわち、図2に示すように、加熱炉10には、ヒータ4及び均熱板5が平行 に2列載置されており、均熱板5に基板6が載置されている。また、加熱炉10 の中央には、N2 ガスaを噴射する2つのブローノズル11(図中右側),ブロ ーノズル12(図中左側)が配置されている。ブローノズル11は図中右斜め下 方に、ブローノズル12は図中左斜め下方に、それぞれ向いている。
【0025】 以上のような構成を有する実施例において、ブローノズル11,12から噴射 されるN2 ガスaは、基板6に対して斜め上方から当たり、いわゆる層流となっ て、左右対称的に基板6上を流れ、基板6の塵芥を除去し、且つ基板6への塵芥 付着を防ぐ。
【0026】 更に、基板6上を流れるN2 ガスaは、基板6の外側の側縁部を通過し、加熱 炉10の内壁面に沿って下降する。そして、N2 ガスaは底面にぶつかると底面 に沿って中央方向に移動して、左右から排気口9に達する。最終的にN2 ガスa は排気口9に吸込まれて、加熱炉10の塵芥と共に、加熱炉10の外部へ排気さ れる。
【0027】 この様にして、ブローノズル11,12から噴射されたN2 ガスaは、2列に 並べられた基板6から同時に塵芥を除去することができる。
【0028】 なお、本考案のガス置換装置は、以上のような実施例に限定されるものではな く、各部材の形状、寸法及び設置数並びに排気口の配置等は適宜変更可能であり 、また、置換ガスとしては、He、Ar等の不活性ガスを使用しても良い。
【0029】
以上述べたように、本考案のガス置換装置によれば、基板に対して斜め上方か らガスを噴射するようにブローノズルを加熱炉に配置し、ブローノズルからのガ スが基板に対して平行に流れるように排気口を加熱炉に形成するという簡単な構 成によって、ブローノズルから噴射されたガスが滞留することなく、基板に対し て平行に流れるため、加熱炉内から塵芥を除去し、且つ基板に対する塵芥の付着 を防止でき、基板の歩留まりが向上する。
【図1】本考案のガス置換装置の一実施例の正面図。
【図2】本考案のガス置換装置の他の実施例の正面図。
【図3】従来のガス置換装置の正面図。
【図4】従来のガス置換装置の要部拡大図。
1 加熱炉 4 ヒータ 5 均熱板 6 基板 7 加熱炉 8,11,12ブローノズル 9 排気口 10 加熱炉 a N2 ガス
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 LCD等の基板に対し加熱加工を行う加
熱炉内のガスを置換するガス置換装置において、 前記加熱炉内にはフィルタ等により濾過されたガスを噴
射するブローノズルと、前記加熱炉内の塵芥を含んだガ
スを排気する排気口とを設置され、 前記ガスが前記基板に対して平行に流れるように、前記
ブローノズルが前記基板に対して斜め上方に配置される
ことを特徴とするガス置換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5211491U JPH056835U (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | ガス置換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5211491U JPH056835U (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | ガス置換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH056835U true JPH056835U (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12905843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5211491U Pending JPH056835U (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | ガス置換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH056835U (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62105418A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
JPS62109313A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Nec Corp | 気相成長方法 |
JPH02103928A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置 |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP5211491U patent/JPH056835U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62105418A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
JPS62109313A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Nec Corp | 気相成長方法 |
JPH02103928A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置 |
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