JPH0567592A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0567592A JPH0567592A JP22927891A JP22927891A JPH0567592A JP H0567592 A JPH0567592 A JP H0567592A JP 22927891 A JP22927891 A JP 22927891A JP 22927891 A JP22927891 A JP 22927891A JP H0567592 A JPH0567592 A JP H0567592A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 臭化メチルガスを使用して、インジュウムガ
リウムヒ素、インジュウムアルミニウムヒ素等のインジ
ュウムを含む化合物半導体を光励起エッチングする方法
の改良に関し、ＩｎＢｒ3 がエッチング残渣物として残
留しないようにしてエッチングレートを向上するとゝも
に被エッチング物の表面モホロジーを改善するように改
良することを目的とする。 【構成】 臭化メチルガスを、この臭化メチルガスを分
解するに必要な波長を有する光を照射して分解させて被
エッチング物に接触させ、被エッチング物をエッチング
する光励起エッチング工程を有する半導体装置の製造方
法において、光励起エッチング工程における被エッチン
グ物の温度を１２０℃以上とするように構成する。
リウムヒ素、インジュウムアルミニウムヒ素等のインジ
ュウムを含む化合物半導体を光励起エッチングする方法
の改良に関し、ＩｎＢｒ3 がエッチング残渣物として残
留しないようにしてエッチングレートを向上するとゝも
に被エッチング物の表面モホロジーを改善するように改
良することを目的とする。 【構成】 臭化メチルガスを、この臭化メチルガスを分
解するに必要な波長を有する光を照射して分解させて被
エッチング物に接触させ、被エッチング物をエッチング
する光励起エッチング工程を有する半導体装置の製造方
法において、光励起エッチング工程における被エッチン
グ物の温度を１２０℃以上とするように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、臭化メチルガスを使用
して、インジュウムガリウムヒ素（以下、ＩｎＧａＡｓ
と云う。）、インジュウムアルミニウムヒ素（以下、Ｉ
ｎＡｌＡｓと云う。）等のインジュウムを含む化合物半
導体を光励起エッチングする方法の改良、特に、エッチ
ングレートを向上し、表面モホロジーを改善する改良に
関する。
して、インジュウムガリウムヒ素（以下、ＩｎＧａＡｓ
と云う。）、インジュウムアルミニウムヒ素（以下、Ｉ
ｎＡｌＡｓと云う。）等のインジュウムを含む化合物半
導体を光励起エッチングする方法の改良、特に、エッチ
ングレートを向上し、表面モホロジーを改善する改良に
関する。
【０００２】電子デバイスの高速化に対応して、チャネ
ル材料はシリコンからガリウムヒ素（以下ＧａＡｓと云
う。）へ、さらに、ＧａＡｓからＩｎＧａＡｓへという
ように、移動度の高い材料へ変化してきている。特に、
ＩｎＧａＡｓをチャネル層とするＮ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ
−ＩｎＧａＡｓ系の高電子移動度トランジスタ（以下、
ＨＥＭＴと云う。）は高い移動度、大きな電子速度、大
きなΓ−Ｌ間のエネルギー差等の理由によって高速デバ
イスの可能性が高いため研究・開発が活発になされてい
る。素子の微細化にともなって、これらの半導体装置の
製造工程においてはドライエッチングプロセスが必須に
なってきており、本発明はＨＥＭＴ等に使用されるＩｎ
ＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ等のインジュウムを含む化合物
半導体のドライエッチングプロセスに関するものであ
る。
ル材料はシリコンからガリウムヒ素（以下ＧａＡｓと云
う。）へ、さらに、ＧａＡｓからＩｎＧａＡｓへという
ように、移動度の高い材料へ変化してきている。特に、
ＩｎＧａＡｓをチャネル層とするＮ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ
−ＩｎＧａＡｓ系の高電子移動度トランジスタ（以下、
ＨＥＭＴと云う。）は高い移動度、大きな電子速度、大
きなΓ−Ｌ間のエネルギー差等の理由によって高速デバ
イスの可能性が高いため研究・開発が活発になされてい
る。素子の微細化にともなって、これらの半導体装置の
製造工程においてはドライエッチングプロセスが必須に
なってきており、本発明はＨＥＭＴ等に使用されるＩｎ
ＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ等のインジュウムを含む化合物
半導体のドライエッチングプロセスに関するものであ
る。
【０００３】
【従来の技術】図２に、光励起エッチング装置の構成図
を示す。図において、１は反応容器であり、２は合成石
英よりなる光透過窓であり、３はエッチングガス供給口
であり、４は排気口であり真空ポンプ（図示せず。）に
接続されている。５は被エッチング物６を支持する被エ
ッチング物支持台であり、７は被エッチング物加熱手段
であり、８は低圧水銀ランプである。
を示す。図において、１は反応容器であり、２は合成石
英よりなる光透過窓であり、３はエッチングガス供給口
であり、４は排気口であり真空ポンプ（図示せず。）に
接続されている。５は被エッチング物６を支持する被エ
ッチング物支持台であり、７は被エッチング物加熱手段
であり、８は低圧水銀ランプである。
【０００４】被エッチング物支持第台上にＩｎＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓヘテロ
接合体等の被エッチング物６を載置し、被エッチング物
加熱手段７を使用して被エッチング物６を７０℃程度の
温度に加熱する。一方、エッチングガス供給口３から臭
化メチル（以下、ＣＨ3 Ｂｒと云う。）ガスを供給し、
低圧水銀ランプ８の発生する光を合成石英窓２を介して
照射してＣＨ3 Ｂｒガスを分解させて被エッチング物６
に接触させ、被エッチング物６をエッチングする。
ｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓヘテロ
接合体等の被エッチング物６を載置し、被エッチング物
加熱手段７を使用して被エッチング物６を７０℃程度の
温度に加熱する。一方、エッチングガス供給口３から臭
化メチル（以下、ＣＨ3 Ｂｒと云う。）ガスを供給し、
低圧水銀ランプ８の発生する光を合成石英窓２を介して
照射してＣＨ3 Ｂｒガスを分解させて被エッチング物６
に接触させ、被エッチング物６をエッチングする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示すように、Ｃ
Ｈ3 Ｂｒガスに低圧水銀ランプの発生する光を照射する
とＣＨ3 Ｂｒは分解してＣＨ3 * ＋Ｂｒとなる。分解し
たガスが被エッチング物、例えばＩｎＧａＡｓ層に接触
すると、ＩｎＧａＡｓと反応して（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、
（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、（ＣＨ3 ）3 Ａｓ、ＧａＢｒ3 、Ａ
ｓＢｒ3 、ＩｎＢｒ 3 が生成され、エッチングが進行す
る。ところで、これらの生成物のうち、ＩｎＢｒ3 は融
点が他のエッチング生成物に比較して高く、また、沸点
も高い（ＩｎＢｒ3 は昇華点が３７０℃である。）の
で、ＩｎＧａＡｓ層表面から容易に脱離することができ
ず、エッチング残渣物として被エッチング物表面上に残
留する。
Ｈ3 Ｂｒガスに低圧水銀ランプの発生する光を照射する
とＣＨ3 Ｂｒは分解してＣＨ3 * ＋Ｂｒとなる。分解し
たガスが被エッチング物、例えばＩｎＧａＡｓ層に接触
すると、ＩｎＧａＡｓと反応して（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、
（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、（ＣＨ3 ）3 Ａｓ、ＧａＢｒ3 、Ａ
ｓＢｒ3 、ＩｎＢｒ 3 が生成され、エッチングが進行す
る。ところで、これらの生成物のうち、ＩｎＢｒ3 は融
点が他のエッチング生成物に比較して高く、また、沸点
も高い（ＩｎＢｒ3 は昇華点が３７０℃である。）の
で、ＩｎＧａＡｓ層表面から容易に脱離することができ
ず、エッチング残渣物として被エッチング物表面上に残
留する。
【０００６】その結果、エッチングレートが低下し、ま
た、被エッチング物の表面モホロジーが悪化するという
問題が発生する。本発明の目的は、これらの欠点を解消
することにあり、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ等のエッ
チング工程において、ＩｎＢｒ3 がエッチング残渣物と
して残留しないようにしてエッチングレートを向上する
とゝもに被エッチング物の表面モホロジーを改善するよ
うに改良することにある。
た、被エッチング物の表面モホロジーが悪化するという
問題が発生する。本発明の目的は、これらの欠点を解消
することにあり、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ等のエッ
チング工程において、ＩｎＢｒ3 がエッチング残渣物と
して残留しないようにしてエッチングレートを向上する
とゝもに被エッチング物の表面モホロジーを改善するよ
うに改良することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、臭化メチ
ルガスを、この臭化メチルガスを分解するに必要な波長
を有する光を照射して分解させて被エッチング物に接触
させることによって被エッチング物をエッチングする光
励起エッチング工程を有する半導体装置の製造方法にお
いて、前記の光励起エッチング工程における前記の被エ
ッチング物の温度を１２０℃以上とすることによって達
成される。なお、前記の被エッチング物としてはインジ
ュウムを含む化合物半導体が好適であり、インジュウム
を含む化合物半導体としてはインジュウムガリウムヒ素
またはインジュウムアルミニウムヒ素がある。また、こ
の光励起エッチング方法を使用して、Ｎ−インジュウム
アルミニウムヒ素／ｉ−インジュウムガリウムヒ素系高
電子移動度トランジスタのゲート部リセスのエッチング
をなすと効果的である。
ルガスを、この臭化メチルガスを分解するに必要な波長
を有する光を照射して分解させて被エッチング物に接触
させることによって被エッチング物をエッチングする光
励起エッチング工程を有する半導体装置の製造方法にお
いて、前記の光励起エッチング工程における前記の被エ
ッチング物の温度を１２０℃以上とすることによって達
成される。なお、前記の被エッチング物としてはインジ
ュウムを含む化合物半導体が好適であり、インジュウム
を含む化合物半導体としてはインジュウムガリウムヒ素
またはインジュウムアルミニウムヒ素がある。また、こ
の光励起エッチング方法を使用して、Ｎ−インジュウム
アルミニウムヒ素／ｉ−インジュウムガリウムヒ素系高
電子移動度トランジスタのゲート部リセスのエッチング
をなすと効果的である。
【０００８】
【作用】ＣＨ3 Ｂｒガスを使用し、これにＣＨ3 Ｂｒガ
スが分解するのに必要な波長を有する光を照射して分解
させてＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ等の被エッチング物
に接触させて光励起エッチングをなす場合に、被エッチ
ング物を１２０℃以上の温度に加熱すれば被エッチング
物の表面からＩｎＢｒ3 が容易に脱離することを実験に
より確認した。被エッチング物表面からＩｎＢｒ3 が脱
離すれば、必然的にエッチングレートは向上し、表面モ
ホロジーも改善される。
スが分解するのに必要な波長を有する光を照射して分解
させてＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ等の被エッチング物
に接触させて光励起エッチングをなす場合に、被エッチ
ング物を１２０℃以上の温度に加熱すれば被エッチング
物の表面からＩｎＢｒ3 が容易に脱離することを実験に
より確認した。被エッチング物表面からＩｎＢｒ3 が脱
離すれば、必然的にエッチングレートは向上し、表面モ
ホロジーも改善される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明に係る二つの
実施例について説明する。第１例 図２に示す光励起エッチング装置を使用し、被エッチン
グ物支持第５上にＩｎＧａＡｓよりなる被エッチング物
６を載置し、被エッチング物加熱手段７を使用して５０
〜１６０℃の範囲の温度に加熱する。エッチングガス供
給口３からＣＨ 3 Ｂｒガスを供給して反応容器１内の圧
力を１０００Ｐａに保持し、低圧水銀ランプ８の発生す
る光を光透過窓２を介して反応容器１内に照射する。Ｃ
Ｈ3 Ｂｒガスは分解して被エッチング物６と反応し、被
エッチング物６はエッチングされる。なお、この時の低
圧水銀ランプの発生する光には１８５ｎｍと２５４ｎｍ
の波長が含まれており、強度はそれぞれ４ｍＷ／ｃｍ2
と１５ｍＷ／ｃｍ2 である。
実施例について説明する。第１例 図２に示す光励起エッチング装置を使用し、被エッチン
グ物支持第５上にＩｎＧａＡｓよりなる被エッチング物
６を載置し、被エッチング物加熱手段７を使用して５０
〜１６０℃の範囲の温度に加熱する。エッチングガス供
給口３からＣＨ 3 Ｂｒガスを供給して反応容器１内の圧
力を１０００Ｐａに保持し、低圧水銀ランプ８の発生す
る光を光透過窓２を介して反応容器１内に照射する。Ｃ
Ｈ3 Ｂｒガスは分解して被エッチング物６と反応し、被
エッチング物６はエッチングされる。なお、この時の低
圧水銀ランプの発生する光には１８５ｎｍと２５４ｎｍ
の波長が含まれており、強度はそれぞれ４ｍＷ／ｃｍ2
と１５ｍＷ／ｃｍ2 である。
【００１０】図１に、被エッチング物の温度を５０℃〜
１６０℃の範囲に変化させた時のエッチングレートの変
化を示す。エッチングレートは１２０℃を境にして急激
に上昇している。この結果から、エッチング反応に寄与
している活性化エネルギーを求めると高温側（１２０℃
以上）では約２４Ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、また、低温
側（１２０℃以下）では約１．４Ｋｃａｌ／ｍｏｌであ
り、反応に関する活性化エネルギーが異なっている。
１６０℃の範囲に変化させた時のエッチングレートの変
化を示す。エッチングレートは１２０℃を境にして急激
に上昇している。この結果から、エッチング反応に寄与
している活性化エネルギーを求めると高温側（１２０℃
以上）では約２４Ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、また、低温
側（１２０℃以下）では約１．４Ｋｃａｌ／ｍｏｌであ
り、反応に関する活性化エネルギーが異なっている。
【００１１】図４と図５とに被エッチング物表面をオー
ジェ電子分光法を使用して定量分析した結果を示す。図
４には被エッチング物の温度を７０℃にした場合のエッ
チング前とエッチング後の分析結果を示し、エッチング
後に臭素が存在している。なお、光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）を使用して臭素化合物を同定した結果、ＩｎＢｒ3
であることが確認された。図５には被エッチング物の温
度を１６０℃にした場合のエッチング前とエッチング後
の分析結果を示し、エッチング後に臭素が存在していな
いことが確認された。被エッチング物表面にＩｎＢｒ3
の残渣物が存在しないために、被エッチング物の表面モ
ホロジーは改善された。
ジェ電子分光法を使用して定量分析した結果を示す。図
４には被エッチング物の温度を７０℃にした場合のエッ
チング前とエッチング後の分析結果を示し、エッチング
後に臭素が存在している。なお、光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）を使用して臭素化合物を同定した結果、ＩｎＢｒ3
であることが確認された。図５には被エッチング物の温
度を１６０℃にした場合のエッチング前とエッチング後
の分析結果を示し、エッチング後に臭素が存在していな
いことが確認された。被エッチング物表面にＩｎＢｒ3
の残渣物が存在しないために、被エッチング物の表面モ
ホロジーは改善された。
【００１２】第２例 Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ−ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴのゲー
ト部リセスの加工に本発明のエッチング方法を使用する
場合について説明する。
ト部リセスの加工に本発明のエッチング方法を使用する
場合について説明する。
【００１３】図６に示すように、インジュウムリン基板
11上に分子線エピタキシ法または有機金属ＣＶＤ法を使
用してｉ−ＩｎＧａＡｓ層12と不純物シリコンを１×10
18ｃｍ-3ドープされたＮ−ＩｎＡｌＡｓ層13と不純物シ
リコンを１×1018ｃｍ-3ドープされたｎ−ＩｎＧａＡｓ
層14とを順次積層形成する。次に、１０００Å厚の金ゲ
ルマニウム層と２０００Å厚の金層との積層体よりなる
ソース電極15とドレイン電極16とを形成し、次いで、Ｃ
ＶＤ法を使用して二酸化シリコン等の絶縁膜17を形成
し、この絶縁膜をパターニングしてゲート形成領域に開
口18を形成する。
11上に分子線エピタキシ法または有機金属ＣＶＤ法を使
用してｉ−ＩｎＧａＡｓ層12と不純物シリコンを１×10
18ｃｍ-3ドープされたＮ−ＩｎＡｌＡｓ層13と不純物シ
リコンを１×1018ｃｍ-3ドープされたｎ−ＩｎＧａＡｓ
層14とを順次積層形成する。次に、１０００Å厚の金ゲ
ルマニウム層と２０００Å厚の金層との積層体よりなる
ソース電極15とドレイン電極16とを形成し、次いで、Ｃ
ＶＤ法を使用して二酸化シリコン等の絶縁膜17を形成
し、この絶縁膜をパターニングしてゲート形成領域に開
口18を形成する。
【００１４】次に、図７に示すように、絶縁膜17をマス
クにして、本発明に係る光励起エッチング方法を使用し
てｎ−ＩｎＧａＡｓ層14をエッチングする。この時の基
板温度は１６０℃であり、反応容器１内のＣＨ3 Ｂｒガ
スの圧力は１０００Ｐａである。ｎ−ＩｎＧａＡｓ層14
のエッチングレートは約２００ｎｍ／ｍｉｎとなり、エ
ッチング残渣物は発生しなかった。なお、ＩｎＡｌＡｓ
のエッチングレートは低く、ＩｎＧａＡｓの１／25程度
である。その理由は、反応容器１内に残留する水、酸素
及びＣＨ3 Ｂｒガス中に含まれる水等が低圧水銀ランプ
８の発生する紫外線を照射されて活性なオゾンに転換さ
れ、この活性なオゾンとＩｎＡｌＡｓに含まれるアルミ
ニウムとが反応して高沸点のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が
ＩｎＡｌＡｓ層の表面に形成されるためである。そのた
め、エッチングは事実上Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層13の表面で
停止し、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層14のエッチングが選択的に
なされた。
クにして、本発明に係る光励起エッチング方法を使用し
てｎ−ＩｎＧａＡｓ層14をエッチングする。この時の基
板温度は１６０℃であり、反応容器１内のＣＨ3 Ｂｒガ
スの圧力は１０００Ｐａである。ｎ−ＩｎＧａＡｓ層14
のエッチングレートは約２００ｎｍ／ｍｉｎとなり、エ
ッチング残渣物は発生しなかった。なお、ＩｎＡｌＡｓ
のエッチングレートは低く、ＩｎＧａＡｓの１／25程度
である。その理由は、反応容器１内に残留する水、酸素
及びＣＨ3 Ｂｒガス中に含まれる水等が低圧水銀ランプ
８の発生する紫外線を照射されて活性なオゾンに転換さ
れ、この活性なオゾンとＩｎＡｌＡｓに含まれるアルミ
ニウムとが反応して高沸点のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が
ＩｎＡｌＡｓ層の表面に形成されるためである。そのた
め、エッチングは事実上Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層13の表面で
停止し、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層14のエッチングが選択的に
なされた。
【００１５】次に、図８に示すようにアルミニウム等を
真空蒸着法、または、スパッタ法を使用して堆積し、こ
れをパターニングしてゲート電極19を形成する。この結
果、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層13とｉ−ＩｎＧａＡｓ層12との
ヘテロ接合界面に形成された２次元電子ガス層20をチャ
ネルとするＨＥＭＴが形成され、このＨＥＭＴのしきい
値電圧のウェーハ面内の分散σＶTは１６ｍＶとなり、
極めて良好な結果が得られた。
真空蒸着法、または、スパッタ法を使用して堆積し、こ
れをパターニングしてゲート電極19を形成する。この結
果、Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層13とｉ−ＩｎＧａＡｓ層12との
ヘテロ接合界面に形成された２次元電子ガス層20をチャ
ネルとするＨＥＭＴが形成され、このＨＥＭＴのしきい
値電圧のウェーハ面内の分散σＶTは１６ｍＶとなり、
極めて良好な結果が得られた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の製造方法においては、ＣＨ3 Ｂｒガスを使用し
てインジュウムを含む化合物半導体の光励起エッチング
をなす場合に、被エッチング物の温度を１２０℃以上に
することによって被エッチング物の表面にＩｎＢｒ3 の
残渣物が発生するのが防止されるので、エッチング面の
表面モホロジーが改善され、エッチングレートが上昇す
る。また、このエッチング方法をＮ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ
−ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴの製造に応用することによっ
て、ＨＥＭＴの性能を著しく向上することができる。
体装置の製造方法においては、ＣＨ3 Ｂｒガスを使用し
てインジュウムを含む化合物半導体の光励起エッチング
をなす場合に、被エッチング物の温度を１２０℃以上に
することによって被エッチング物の表面にＩｎＢｒ3 の
残渣物が発生するのが防止されるので、エッチング面の
表面モホロジーが改善され、エッチングレートが上昇す
る。また、このエッチング方法をＮ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ
−ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴの製造に応用することによっ
て、ＨＥＭＴの性能を著しく向上することができる。
【図１】被エッチング物温度とエッチングレートとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図２】光励起エッチング装置の構成図である。
【図３】ＣＨ3 Ｂｒを使用する光励起エッチング反応の
説明図である。
説明図である。
【図４】光励起エッチング前後のオージェ電子分光法に
よる表面分析結果を示すグラフである。（被エッチング
物温度が７０℃の場合）
よる表面分析結果を示すグラフである。（被エッチング
物温度が７０℃の場合）
【図５】光励起エッチング前後のオージェ電子分光法に
よる表面分析結果を示すグラフである。（被エッチング
物温度が１６０℃の場合）
よる表面分析結果を示すグラフである。（被エッチング
物温度が１６０℃の場合）
【図６】Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ−ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの製造工程図（その１）である。
Ｔの製造工程図（その１）である。
【図７】Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ−ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの製造工程図（その２）である。
Ｔの製造工程図（その２）である。
【図８】Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ／ｉ−ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの製造工程図（その３）である。
Ｔの製造工程図（その３）である。
１ 反応容器 ２ 光透過窓 ３ エッチングガス供給口 ４ 排気口 ５ 被エッチング物支持台 ６ 被エッチング物 ７ 被エッチング物加熱手段 ８ 低圧水銀ランプ 11 ＩｎＰ基板 12 ｉ−ＩｎＧａＡｓ層 13 Ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層 14 ｎ−ＩｎＧａＡｓ層 15 ソース 16 ドレイン 17 絶縁膜 18 開口 19 ゲート電極 20 ２次元電子ガス層
Claims (4)
- 【請求項１】 臭化メチルガスを、該臭化メチルガスを
分解するに必要な波長を有する光を照射して分解させて
被エッチング物に接触させ、該被エッチング物をエッチ
ングする光励起エッチング工程を有する半導体装置の製
造方法において、 前記光励起エッチング工程における前記被エッチング物
の温度を１２０℃以上とすることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記被エッチング物はインジュウムを含
む化合物半導体であることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記インジュウムを含む化合物半導体は
インジュウムガリウムヒ素またはインジュウムアルミニ
ウムヒ素であることを特徴とする請求項２記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１、２、または、３記載の光励起
エッチング方法を使用して、Ｎ−インジュウムアルミニ
ウムヒ素／ｉ−インジュウムガリウムヒ素系高電子移動
度トランジスタのゲート部のエッチングをなすことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22927891A JPH0567592A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22927891A JPH0567592A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567592A true JPH0567592A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16889609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22927891A Withdrawn JPH0567592A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102011A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 次世代パワーデバイス技術研究組合 | 窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP22927891A patent/JPH0567592A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012102011A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 次世代パワーデバイス技術研究組合 | 窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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