JPH0566574U - 半導体素子測定用プローブ - Google Patents

半導体素子測定用プローブ

Info

Publication number
JPH0566574U
JPH0566574U JP1451492U JP1451492U JPH0566574U JP H0566574 U JPH0566574 U JP H0566574U JP 1451492 U JP1451492 U JP 1451492U JP 1451492 U JP1451492 U JP 1451492U JP H0566574 U JPH0566574 U JP H0566574U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
signal line
guide plate
line guide
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1451492U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2584580Y2 (ja
Inventor
正明 笠島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP1451492U priority Critical patent/JP2584580Y2/ja
Publication of JPH0566574U publication Critical patent/JPH0566574U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2584580Y2 publication Critical patent/JP2584580Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プロービング時に生じる異常発振を防止する
ことが可能な半導体素子測定用プローブを提供する。 【構成】 半導体素子の電極配置に合わせてニードルを
配列するためのプローブカードに取り付けられる半導体
素子測定用プローブであって、そのニードル6が固着さ
れた信号ラインガイド板3と、その信号ラインガイド板
3の両面に接合された一対の誘電体4と、それら各誘電
体4の外面に接合された接地板5とからなる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体ウェーハの電気的特性を検査する際に使用される半導体素子 測定用プローブの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、増幅器等のプロービング時においては、不用意な部品の配置や配線の 仕方など、回路構成上の欠陥によって本来の目的以外の電気振動が生じ、それが 適正な測定を行う上で妨害となることがしばしば起こる。この現象は、いわゆる 異常発振と呼ばれるもので、殆どの場合は増幅機能を持つ部門の出力が誘導など の予知しない回路を通して入力側に帰還されることによって生じる。
【0003】 従来においては、この異常発振を防止する手段として、以下の(1)〜(6) のような方法が考えられていた。 (1) 入力回路と出力回路とが接近したり、また入力回路と出力回路とが重 なったり、或いは配線が並行したりしないようにする。 (2) 適切な容量のバイパスコンデンサを適切な場所に配置する。 (3) アース線は出来るだけ短くして、アースを確実にする。 (4) 入出力または回路同志の整合(マッチング)をとる。 (5) 回路全体をシールボックス等で覆う。 (6) 電源ラインに直列にインダクタンスを挿入する。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、増幅器の高利得化、広帯域化、縮小化に伴って上記従来の防止 方法だけでは不十分になり、その結果として、異常発振が増幅器の高性能化を制 限することになってしまう。 特に、トランジスタ等の半導体増幅器を組立て前(オンウェーハ)の段階で測 定する場合には、ウェーハが裸状態のため雑音を拾い易い、入出力の整合がとれ ない、アースを確実にとれないなどの理由から著しく異常発振を起こし易く、よ って組立て前の段階で半導体素子の適正評価が出来ない場合も生じていた。
【0005】 本考案は、上記問題を解決するためになされたもので、プロービング時に生じ る異常発振を防止することが可能な半導体素子測定用プローブを提供することを 目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本考案は、上記目的を達成するためになされたもので、半導体素子の電極配置 に合わせてニードルを配列するためのプローブカードに取り付けられるものであ って、ニードルが固着された信号ラインガイド板と、その信号ラインガイド板の 両面に接合された一対の誘電体と、それら各誘電体の外面に接合された接地板と からなる半導体素子測定用プローブである。
【0007】
【作用】
本考案の半導体素子測定用プローブにおいては、ニードルが信号ラインガイド 板に固着され、且つその信号ラインガイド板が誘電体と接地板とで挟み込まれる ことにより、信号ラインガイド板でのインピーダンスが小さくなるとともに、外 部からのノイズの影響が誘電体と接地板とによってシールドされる。また、信号 ラインガイド板を半導体素子の電極の近傍に配置することにより、信号ラインガ イド板から突出するニードルの先端長さが従来よりも短くて済む。
【0008】
【実施例】
図1は、本案半導体素子測定用プローブの実施例を示す斜視図であり、図2は 、その半導体素子測定用プローブが取り付けられるプローブカードの概略外観図 である。 ここで、図2に示すプローブカード1は、半導体素子の電極配置に合わせて、 後述するニードルを配列するためのものであって、図1の半導体素子測定用プロ ーブ2はこのプローブカード1に取り付けられる。因に、図1は図2のA部を拡 大した図である。
【0009】 図1に示すように、本実施例の半導体素子測定用プローブ2は、信号ラインガ イド板3と誘電体4及び接地板5とから構成されている。 信号ラインガイド板3は、例えば金属からなる薄板状の導電部材であり、その 先端側の一辺にはニードル6が固着されている。ニードル6の固着は、例えば、 ろう付けやはんだ付けなどによって行われる。その際、ニードル6の先端部は信 号ラインガイド板3から僅かに突出して配置される。
【0010】 誘電体4は、紙やゴムまたはプラスチック等の絶縁材料からなる板状の部材で あり、上述の信号ラインガイド板3の両面に接着剤等により接合されている。
【0011】 接地板5は、例えば金属からなる導電部材であり、上述のようにして信号ライ ンガイド板3の両面に接合された各誘電体4の外面に、接着剤等により接合され ている。
【0012】 このような構成によって、信号ラインガイド板3を両側から誘電体4と接地板 5とでサンドイッチ状に挟み込んだ構造をなす本実施例の半導体素子測定用プロ ーブ2は、以下のようにしてプローブカード1に取り付けられる。すなわち、プ ローブカード1の測定用穴7の周縁には幾つかの係合溝8が形成されており、こ れらの各係合溝8にそれぞれ半導体素子測定用プローブ2が係合固定される。
【0013】 更に、半導体素子測定用プローブ2には、信号の伝送手段として例えば同軸ケ ーブル9が直付けされる。すなわち、同軸ケーブル9の中心導体10は信号ライ ンガイド板3にはんだ付け等で接合され、同外導体11は同じくはんだ付け等で 接地板5に接合される。
【0014】 このような構成からなる本実施例の半導体素子測定用プローブ2においては、 ニードル6が信号ラインガイド板3に固着され、更にその信号ラインガイド板3 が誘電体4と接地板5とで挟み込まれているので、信号ラインガイド板3でのイ ンピーダンスが小さく(実験では30Ω以下)なるとともに、外部からのノイズ の影響が誘電体4と接地板5とによりシールドされる。これにより、ニードル6 を介して取り込まれる半導体素子の特性信号は、ほとんど減衰することなく同軸 ケーブル9へと送り込まれる。
【0015】 更に、本実施例の半導体素子測定用プローブ2では、信号ラインガイド板3を 半導体素子の電極の近傍に配置することにより、信号ラインガイド板3から突出 するニードル6の先端長さLを、例えば従来の5分の1程度に相当する2mm以 下まで短くすることができる。 これにより、半導体素子の特性信号をすぐに半導体素子測定用プローブ2へと 導くことが可能となり、もって、外部からのノイズの混入や信号の放出が抑制さ れる。
【0016】 また、本考案では、半導体素子測定用プローブ2に同軸ケーブル9を直付けし たので、信号ラインへのノイズの混入及び信号の放出が低減される。
【0017】 図3は、従来との特性測定結果の比較図である。この特性測定においては、1 2GHz帯における電力付随利得が10dB程度の単体FET(電界効果トラン ジスタ)を測定対象とし、ゲート電圧は+0.6Vより−0.2Vステップで印 加した。なお、従来と実施例とでは測定対象となったFETの特性が多少異なっ ている。 図3から明らかなように、従来は半導体素子が正常であるにも係わらずプロー ビング時のノイズの影響によって異常発振が生じ、適正な特性評価ができなかっ た。しかし、本実施例の半導体素子測定用プローブ2を使用した場合は、上述し た構成によりノイズの影響を大幅に低減したので従来のような異常発振が起こら ず、よって、半導体素子を組立て前(オンウェーハ)の段階で適正評価すること が可能となる。
【0018】 なお、本実施例の半導体素子測定用プローブ2は、プローブカード1に取り付 けられる以外にも、例えば、ポジショナー等に取り付けることも可能である。
【0019】
【考案の効果】
以上、説明したように本考案の半導体素子測定用プローブによれば、ニードル が信号ラインガイド板に固着され、且つその信号ラインガイド板が誘電体と接地 板とで挟み込まれたことにより、信号ラインガイド板でのインピーダンスが小さ くなるとともに、外部からのノイズの影響が誘電体と接地板とによってシールド される。加えて、本考案の半導体素子測定用プローブにおいては、信号ラインガ イド板が半導体素子の電極の近傍に配置されることにより、信号ラインガイド板 から突出するニードルの先端長さを従来よりも大幅に短くすることができる。こ れにより、半導体素子の特性信号をすぐに半導体素子測定用プローブへと導くこ とが可能となり、もって、外部からのノイズの混入や信号の放出が抑制される。 このようにして、信号ラインガイド板でのインピーダンスを小さくしたり、外 部からのノイズの影響をシールドしたりすることで、プロービング時の異常発振 を防止することが可能となり、その結果として、組立て前の段階においても半導 体素子を適正評価できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本案半導体素子測定用プローブの実施例を示す
斜視図である。
【図2】プローブカードを示す概略外観図である。
【図3】従来との特性測定結果の比較図である。
【符号の説明】
1 プローブカード 2 半導体素子測定用プローブ 3 信号ラインガイド板 4 誘電体 5 接地板 6 ニードル

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子の電極配置に合わせてニード
    ルを配列するためのプローブカードに取り付けられる半
    導体素子測定用プローブであって、 前記ニードルが固着された信号ラインガイド板と、 前記信号ラインガイド板の両面に接合された一対の誘電
    体と、 前記各誘電体の外面に接合された接地板とからなること
    を特徴とする半導体素子測定用プローブ。
JP1451492U 1992-02-14 1992-02-14 半導体素子測定用プローブ Expired - Lifetime JP2584580Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1451492U JP2584580Y2 (ja) 1992-02-14 1992-02-14 半導体素子測定用プローブ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1451492U JP2584580Y2 (ja) 1992-02-14 1992-02-14 半導体素子測定用プローブ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0566574U true JPH0566574U (ja) 1993-09-03
JP2584580Y2 JP2584580Y2 (ja) 1998-11-05

Family

ID=11863199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1451492U Expired - Lifetime JP2584580Y2 (ja) 1992-02-14 1992-02-14 半導体素子測定用プローブ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2584580Y2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244308A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 高周波信号用のプローブ
KR20200123646A (ko) * 2019-04-22 2020-10-30 리노공업주식회사 검사장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244308A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 高周波信号用のプローブ
KR20200123646A (ko) * 2019-04-22 2020-10-30 리노공업주식회사 검사장치
US11892472B2 (en) 2019-04-22 2024-02-06 Leeno Industrial Inc. Test device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2584580Y2 (ja) 1998-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5025212A (en) Circuit for measuring the dynamic characteristics of a package for high-speed integrated circuits and a method for measuring said dynamic characteristics
US4853703A (en) Microstrip antenna with stripline and amplifier
Richardson et al. Microwave interference effect in bipolar transistors
US7126356B2 (en) Radiation detector for electrostatic discharge
JPS6157715B2 (ja)
JP2584580Y2 (ja) 半導体素子測定用プローブ
US20030183927A1 (en) Microwave integrated circuit
JP6008332B2 (ja) プローブカード及びノイズ測定装置
JP3412292B2 (ja) 高調波抑圧回路
JP3435241B2 (ja) テープ状半導体搭載装置の評価装置
US20040131198A1 (en) Noise measurement apparatus and noise measuring cable
JPH0534407A (ja) 高周波素子用測定治具
JPS6140013A (ja) フエライト電気回路素子
JPH0427874A (ja) 高周波素子測定用プローブヘッド
JP3161518B2 (ja) 半導体装置、その製造方法および検査方法
JPH0746118B2 (ja) 超高周波帯回路素子用検査治具
JPS61125060A (ja) 半導体装置
JPS5814607Y2 (ja) 半導体装置
JP2793455B2 (ja) 高周波用ic
JP2701825B2 (ja) 高周波特性の測定方法
Walker et al. A 12-15 GHz High Gain Amplifier Design Using Submicron Gate GaAs Field Effect Transistors
JPS60157301A (ja) ダイオード取付装置
JPH0528524Y2 (ja)
JPH03120796A (ja) 低雑音シールド装置
US3234481A (en) High-frequency transformer assembly including shielding means for use with transistor circuitry

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term