JPH0566563A - 感放射線性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】（Ａ）下記式（１） 【化１】 で表わされる繰返し単位を有する重合体および （Ｂ）感放射線酸形成剤 を含有することを特徴とする感放射線性組成物。 【効果】本発明の感放射線性組成物は、微細加工を安定
的にでき、高感度、高解像度で、耐ドライエッチング
性、現像性、接着性、耐熱性、残膜性などの性能に優れ
たレジスト組成物として好適である。また、本発明の感
放射線性組成物は、エキシマレーザーなどの遠紫外線、
シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線などの荷電放射
線といった、放射線のいずれにも対応できるので、今後
さらに微細化が進行すると予想される集積回路製造用の
レジストとして有利に使用できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感放射線性組成物に関
する。さらに詳しくは、特にエキシマレーザーなどの遠
紫外線、シンクロトロン放射線などのＸ線、電子線など
の荷電粒子線といった放射線を用いる超微細加工に有用
なレジストとして好適な感放射線性組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路の製造に代表される微細加工の
分野においては、集積回路のより高い集積度を得るため
に、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化がさら
に進んでおり、近年では、０.５μｍ以下の微細加工を
安定的に行うことのできる技術が必要とされている。そ
のため、微細加工に用いられるレジストにおいても、
０.５μｍ以下のパターンを精度良く形成することが必
要であるが、従来の可視光線（７００〜４００ｎｍ）ま
たは近紫外線（４００〜３００ｎｍ）を用いる方法で
は、０.５μｍ以下の微細パターンを精度良く形成する
ことは極めて困難である。それ故、波長の短い（３００
ｎｍ以下）放射線を利用したリソグラフィーが検討され
ている。

【０００３】このような放射線としては、水銀灯の輝線
スペクトル（２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）などに代表される遠紫外線や、Ｘ線、電
子線などを挙げることができるが、これらのうち特に注
目されているのがエキシマレーザーを使用したリソグラ
フィーである。このため、リソグラフィーに使用される
レジストに関しても、エキシマレーザーにより０.５μ
ｍ以下の微細パターンを高感度で現像性（現像時のスカ
ムや残像残りがない）、残膜性（現像時膜減りしな
い）、接着性（現像時にレジストパターンが剥がれな
い）、耐熱性（熱によりレジストパターンが変化しな
い）などに優れたレジストが必要とされている。さら
に、集積回路の微細化にともなって、エッチング工程の
ドライ化が進んでおり、レジストの耐ドライエッチング
性は、重要な性能の要件となっている

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新規な
感放射線性組成物を提供することにある。本発明の他の
目的は、微細加工を安定的に行うことができ、高感度、
高解像度で、耐ドライエッチング性、現像性、残膜性、
接着性、耐熱性などの性能に優れたレジストとして好適
な、感放射線性組成物を提供することにある。本発明の
さらに他の目的および利点は以下の説明から明らかとな
ろう。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、（Ａ）下記式（１）

【０００６】

【化２】

【０００７】で表わされる繰返し単位を含有する重合体
および（Ｂ）感放射線酸形成剤を含有してなる感放射線
性組成物によって達成される。本発明で用いられる
（Ａ）成分である重合体（以下、「重合体（Ａ）」と称
する）は、上記式（１）で表わされる繰返し単位を含有
する。

【０００８】上記式（１）においてＲ¹は水素原子また
はメチル基である。Ｒ²は水素原子、置換メチル基、置
換エチル基、シリル基、ゲルミル基またはアルコキシカ
ルボニル基である。

【０００９】Ｒ²における置換メチル基の例としては、
メトキシメチル基、メチルチオメチル基、メトキシエト
キシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロ
チオピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒド
ロチオフラニル基、ベンジルオキシメチル基、フェナシ
ル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、α
−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、
ベンジル基、トリフェニルメチル基、ジフェニルメチル
基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベ
ンジル基、ピペロニル基などを、置換エチル基の例とし
ては１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、イ
ソプロピル基、ｔ−ブチル基、１,１−ジメチルプロピ
ル基などを、シリル基の例としてはトリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル
基、イソプロピルジメチルシリル基、フェニルジメチル
シリル基などを、ゲルミル基の例としては、トリメチル
ゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチ
ルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、フェ
ニルジメチルゲルミル基などを、アルコキシカルボニル
基の例としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基などを挙げることが
できる。

【００１０】Ａにおける２価の有機基の例としては、例
えば酸無水物から酸無水物基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝
Ｏ）−を除いた残基を好適なものとして挙げられる。か
かる酸無水物としては、例えば４−カルボキシフタル酸
無水物、シトラコン酸無水物、ｃｉｓ−１,２−シクロ
ヘキサンジカルボン酸無水物、ｃｉｓ−４−シクロヘキ
セン−１,２−ジカルボン酸無水物、１,１−シクロペン
タンジカルボン酸無水物、デセニルコハク酸無水物、デ
シルコハク酸無水物、ジアセチル酒石酸無水物、２,２
−ジメチルグルタル酸無水物、３,３−ジメチルグルタ
ル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、グルタル酸無
水物、ヘキサデシルコハク酸無水物、ヘキサデセニルコ
ハク酸無水物、ヘキセニルコハク酸無水物、イサトン酸
無水物、オクタデシルコハク酸無水物、オクタデセニル
コハク酸無水物、イタコン酸無水物、無水マレイン酸、
４−メチルシクロヘキサン−１,２−ジカルボン酸無水
物、メチル−４−シクロヘキセン−１,２−ジカルボン
酸無水物、３−メチルグルタル酸無水物、Ｎ−メチルイ
サトン酸無水物、１,８−ナフタレンジカルボン酸無水
物、２,２−ナフタレンジカルボン酸無水物、３−ニト
ロフタル酸無水物、４−ニトロフタル酸無水物、ノネニ
ルコハク酸無水物、オクテニルコハク酸無水物、オクチ
ルコハク酸無水物、フタロイル−Ｌ−グルタミン酸無水
物、無水コハク酸、テトラプロペニルコハク酸無水物、
ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−２,３−ジカルボン酸
無水物、無水フタル酸、ｏ−フェニレンジ酢酸無水物な
どが挙げられる。

【００１１】このうち、シトラコン酸無水物、ｃｉｓ−
１,２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、ｃｉｓ−
４−シクロヘキセン−１,２−ジカルボン酸無水物、１,
１−シクロペンタンジカルボン酸無水物、グルタル酸無
水物、イタコン酸無水物、無水マレイン酸、１,８−ナ
フタレンジカルボン酸無水物、２,２−ナフタレンジカ
ルボン酸無水物、無水コハク酸、無水フタル酸、ｏ−フ
ェニレンジ酢酸無水物などが好ましい。

【００１２】本発明における重合体（Ａ）は、式（１）
で表わされる繰返し単位のみで構成されてもよいし、ま
たその他の繰返し単位を有してもよい。ここにおけるそ
の他の繰返し単位としては、例えば、下記式（２）

【００１３】

【化３】

【００１４】で表わされる繰返し単位、下記式（３）

【００１５】

【化４】

【００１６】で表わされる繰返し単位、および下記式
（４）

【００１７】

【化５】

【００１８】で表わされる繰返し単位および無水マレイ
ン酸、マレイン酸、フマル酸、フマロニトリル、アクリ
ルアミド、アクリロニトリル、ビニルピリジン、ビニル
ピロリドン、ビニルイミダゾール、ビニルアニリンなど
の二重結合を含有するモノマーの二重結合が開裂した構
造に相当する繰返し単位を好ましいものとして挙げるこ
とができる。

【００１９】本発明の重合体（Ａ）において、上記式
（１）で表わされる繰返し単位の好ましい割合は、その
他の繰返し単位の種類により一概に規定できないが、通
常、繰返し単位数の３０％以上、好ましくは５０％以上
であり、３０％未満では、レジストパターンの形成に充
分な効用を来さない傾向にある。

【００２０】また、本発明の重合体（Ａ）においては、
Ｒ²が置換メチル基、置換エチル基、シリル基またはア
ルコキシカルボニル基を含有する繰返し単位（以下、
「繰返し単位（Ａ）」と称する）を含有する重合体が好
ましい。繰返し単位（Ａ）の好ましい割合は、そのほか
の繰返し単位の種類により一概に規定できないが、総繰
返し単位数の１０％以上である。１０％未満だと、コン
トラストの高いパターンを得ることができない傾向にあ
る。

【００２１】本発明の重合体（Ａ）の分子量は、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し
たポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と
いう）が１,０００〜１００,０００、特に好ましくは
３,０００〜６０,０００である。

【００２２】本発明の重合体（Ａ）の合成は、例えば対
応するビニルモノマーを重合して得ることもできるし、
あるいはポリビニルフェノール系重合体と酸無水物とを
反応させて得ることもできる。さらに、これら重合体を
必要により、置換メチル基、置換エチル基、シリル基、
ゲルミル基またはアルコキシカルボニル基と縮合反応さ
せて得ることもできる

【００２３】また、本発明における重合体（Ａ）は、他
の重合体と混合して用いることもできる。ここにおける
他の重合体の具体例としては、ヒドロキシスチレン、イ
ソプロペニルフェノール、アクリル酸、メタクリル酸、
フマル酸、マレイン酸などの二重結合を含有するモノマ
ーの二重結合が開裂した構造に相当する繰返し単位を含
有するものが挙げられる。

【００２４】成分（Ｂ）である感放射線酸形成剤とは、
放射線照射により酸を発生する化合物である。このよう
な化合物としては、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、
ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合
物、ニトロベンジル化合物などであり、具体的には以下
に示す化合物を例示することができる。

【００２５】オニウム塩：ヨードニウム塩、スルホニウ
ム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩などを挙げることができる。好ましくは、下記式で表
わされる化合物である。

【００２６】

【化６】

【００２７】ハロゲン含有化合物：ハロアルキル基含有
炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合
物などを挙げることができる。好ましくは、下記式で表
わされる化合物である。

【００２８】

【化７】

【００２９】ジアゾケトン化合物：１,３−ジケト−２
−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナ
フトキノン化合物などを挙げることができる。好ましく
は、下記式で表わされる化合物である。

【００３０】

【化８】

【００３１】スルホン化合物：β−ケトスルホン、β−
スルホニルスルホンなどを挙げることができる。好まし
くは、下記式で表わされる化合物である。

【００３２】

【化９】

【００３３】ニトロベンジル化合物：ニトロベンジルス
ルホネート化合物、ジニトロベンジルスルホネート化合
物などを挙げることができる。好ましくは、下記式で表
わされる化合物である。

【００３４】

【化１０】

【００３５】スルホン酸化合物：アルキルスルホン酸エ
ステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホナートなどを挙げるこ
とができる。好ましくは、下記式で表わされる化合物で
ある。

【００３６】

【化１１】

【００３７】これらの感放射線酸形成剤のうち、オニウ
ム塩およびジアゾケトン化合物が好ましい。本発明にお
いて、上記の感放射線酸形成剤は、通常、前述した重合
体（Ａ）１００重量部当り、０.１〜２０重量部、特に
好ましくは０.５〜１０重量部の割合で使用される。ま
た、これらの感放射線酸形成剤は、単独もしくは２種類
以上を混合して使用される。

【００３８】本発明の組成物においては、必要に応じ
て、酸の作用により分解し、現像液に対する溶解を促進
させることのできる化合物（以下、「成分（Ｃ）」と称
する）を含有することもできる。これらの成分（Ｃ）と
しては、例えば下記式

【００３９】

【化１２】

【００４０】

【化１３】

【００４１】で表わされる化合物を挙げることができ
る。なお、重合体（Ａ）が繰返し単位（Ａ）を含有しな
い重合体である場合には、成分（Ｃ）を重合体（Ａ）１
００重量部当り、１０〜５０重量部添加することが好ま
しい。

【００４２】本発明の感放射線性組成物においては、さ
らに、必要に応じて、種々の添加剤を配合することがで
きる。このような添加剤としては、例えば塗布性、スト
リエーションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性
などを改良するための界面活性剤を挙げることができ
る。この界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオ
キシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシ
エチレンノニルフェノールエーテル、ポリエチレングリ
コールジラウレート、ポリエチレングリコールジステア
レート、市販品としては、例えばエフトップＥＦ３０
１、ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、
メガファックスＦ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ
（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友
スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サー
フロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０
３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子
（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１
（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系またはメタク
リル酸系（共）重合体であるポリフローＮｏ.７５、Ｎ
ｏ.９５（共栄社油脂化学工業（株）製）などが用いら
れる。

【００４３】界面活性剤の配合量は、前記重合体（Ａ）
および感放射線酸形成剤との合計量１００重量部当り、
通常、２重量部以下である。その他の添加剤としては、
アゾ系化合物、アミン化合物などからなるハレーション
防止剤、接着助剤、保存安定剤、消泡剤などを挙げるこ
とができる。

【００４４】本発明の組成物は、前述した重合体
（Ａ）、感放射線酸形成剤および必要により配合される
各種添加剤を、それぞれ必要量、溶剤に溶解させること
によって調製される。

【００４５】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリ
コ−ルモノエチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノプ
ロピルエ−テル、エチレングリコ−ルモノブチルエ−テ
ル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレ
ングリコ−ルジエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ル
ジプロピルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジブチルエ
−テル、メチルセロソルブアセテ−ト、エチルセロソル
ブアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テ
ルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テ
ルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノプロピルエ−
テルアセテ−ト、トルエン、キシレン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸
メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒド
ロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸
エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチ
ルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３
−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル
−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３
−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、メチル−３
−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロ
ピオネート、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを挙げること
ができる。

【００４６】また、これらの溶剤には、必要に応じてベ
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレ
ングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−
ルモノエチルエ−テル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フェニルセロソルブアセテ−トなどの高沸点溶剤を添加
することもできる。

【００４７】本発明の組成物は、上記の溶液の形でシリ
コンウェハーなどの基板上に塗布し、乾燥することによ
ってレジスト膜を形成する。この場合、基板上への塗布
は、例えば本発明の組成物を固体分濃度がで５〜５０重
量％となるように前記の溶剤に溶解し、濾過した後、こ
れを回転塗布、流し塗布、ロ−ル塗布などにより塗布す
ることによって行われる。

【００４８】形成されたレジスト膜には、微細パターン
を形成するために部分的に放射線が照射される。用いら
れる放射線には特に制限がなく、例えばエキシマレーザ
ーなどの遠紫外線、シンクロトロン放射線などのＸ線お
よび電子線などの荷電粒子線が、使用される感放射線酸
形成剤の種類に応じて用いられる。放射線量などの照射
条件は、組成物の配合組成、各添加量の種類などに応じ
て適宜決定される。

【００４９】本発明においては、レジストのみかけの感
度等を向上させるために、放射線照射後に加熱を行なう
ことが好適である。この加熱条件は、組成物の配合組
成、各添加剤の種類などによって異なるが、通常、３０
〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。

【００５０】次いで行われる現像に使用される現像液と
しては、ポジ型のパターンを得るために、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナ
トリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチル
アミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチル
アミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルア
ミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド、ピロ−ル、ピペリジ
ン、１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデ
セン、１,５−ジアザビシクロ−［４.３.０］−５−ノ
ナンなどを溶解してなるアルカリ性水溶液などを使用す
ることができる。

【００５１】また、上記現像液に水溶性有機溶媒、例え
ばメタノ−ル、エタノ−ルなどのアルコ−ル類や界面活
性剤を適宜添加したアルカリ性水溶液を現像液として使
用することもできる。さらに現像液として、クロロホル
ム、ベンゼンなどを使用することができ、この場合はネ
ガ型のパターンを得ることができる。

【００５２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００５３】合成例１ ｐ−ｔ−ブトキシスチレンモノマーをトルエンに溶解
し、アゾビスイソブチロニトリルを用いて、通常の方法
でラジカル重合をおこない、ポリ（ｐ−ｔ−ブトキシス
チレン）を得た。このポリ（ｐ−ｔ−ブトキシスチレ
ン）をジオキサンに溶解して、塩酸を用いて通常の方法
で加水分解して、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンを得
た。得られたポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンと無水コハ
ク酸を反応させ、さらに３,４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラ
ンを反応させることにより重合体を得た。この重合体は
式（１）におけるＲ¹が水素原子であり、Ｒ²が水素原子
またはテトラヒドロピラニル基であり、Ａが無水コハク
酸から基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を除いた残基
である繰返し単位を含有するものである。式（１）で表
わされる繰返し単位の割合および繰返し単位（Ａ）の割
合はそれぞれ総繰返し単位数の１００％および９５％で
あった。

【００５４】合成例２ 合成例１で合成したポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンと無
水マレイン酸を反応させ、さらにエチルビニルエーテル
を反応させて重合体を得た。この重合体は式（１）にお
けるＲ¹が水素原子であり、Ｒ²が水素原子または１−エ
トキシエチル基であり、Ａが無水マレイン酸から基−Ｃ
（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を除いた残基である繰返し
単位を含有するものである。式（１）で表わされる繰返
し単位の割合および繰返し単位（Ａ）の割合はそれぞれ
総繰返し単位数の１００％および９０％であった。

【００５５】合成例３ 合成例１で合成したポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンとシ
クロヘキサン−１,２−ジカルボン酸無水物を反応さ
せ、さらにイソブテンを反応させることにより重合体を
得た。この重合体は式（１）におけるＲ¹が水素原子で
あり、Ｒ²が水素原子またはｔ−ブチル基であり、Ａが
シクロヘキサン−１,２−ジカルボン酸無水物から基−
Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を除いた残基である繰返
し単位を含有するものである。式（１）で表わされる繰
返し単位の割合および繰返し単位（Ａ）の割合はそれぞ
れ総繰返し単位数の１００％および９０％であった。

【００５６】合成例４ ｐ−ｔ−ブトキシスチレンモノマーとスチレンモノマー
をトルエンに溶解し、アゾビスイソブチロニトリルを用
いて、通常の方法でラジカル重合をおこない、ｐ−ｔ−
ブトキシスチレンとスチレンの共重合体を得た。このｐ
−ｔ−ブトキシスチレンとスチレンの共重合体をジオキ
サンに溶解して、塩酸を用いて通常の方法で加水分解し
て、ｐ−ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体を得
た。ｐ−ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合比（モ
ル比）は４：１であった。

【００５７】得られたｐ−ヒドロキシスチレンとスチレ
ンの共重合体と無水コハク酸を反応させ、さらに３,４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを反応させることにより重合
体を得た。この重合体は式（１）におけるＲ¹が水素原
子であり、Ｒ²が水素原子またはテトラヒドロピラニル
基であり、Ａが無水コハク酸から基−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−
Ｃ（＝Ｏ）−を除いた残基である繰返し単位を含有する
ものである。式（１）で表わされる繰返し単位の割合お
よび繰返し単位（Ａ）の割合はそれぞれ総繰返し単位数
の８０％および７２％であった。

【００５８】実施例１ 合成例１で得た重合体２０ｇとトリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート１ｇを３−メトキシ
メチルプロピオネートに溶解した後、０.２μｍのフィ
ルターで濾過して組成物溶液を得た。得られた組成物溶
液をシリコンウェハー上にスピンコートしたのち、ホッ
トプレート上で１００℃、２分間の加熱を行って膜厚１
μｍのレジスト膜を形成した。

【００５９】形成したレジスト膜にパターンマスクを密
着させて、アドモンサイエンス社製のＫｒＦエキシマレ
ーザー発生装置（ＭＢＫ−４００ＴＬ−Ｎ）で２０ｍＪ
／ｃｍ²の放射線を照射したのち、ホットプレート上で
１００℃、２分間の放射線照射後加熱を行い、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像
し、次いで水で３０秒間リンスした。その結果、０.４
μｍのパターンが解像された。耐ドライエッチング性な
ども良好であった。

【００６０】実施例２ 合成例２で得た重合体２０ｇとトリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート１ｇを３−メトキシ
メチルプロピオネートに溶解した後、０.２μｍのフィ
ルターで濾過して組成物溶液を得た。得られた組成物溶
液をシリコンウェハー上にスピンコートしたのち、ホッ
トプレート上で１００℃、２分間の加熱を行って膜厚１
μｍのレジスト膜を形成した。

【００６１】形成したレジスト膜にパターンマスクを密
着させて、アドモンサイエンス社製のＫｒＦエキシマレ
ーザー発生装置（ＭＢＫ−４００ＴＬ−Ｎ）で２０ｍＪ
／ｃｍ²の放射線を照射したのち、ホットプレート上で
１００℃、２分間の放射線照射後加熱を行い、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像
し、次いで水で３０秒間リンスした。その結果、０.４
μｍのパターンが解像された。耐ドライエッチング性な
ども良好であった。

【００６２】実施例３ 参考例３で得た重合体２０ｇとトリフェニルスルホニウ
ムジフェニルアミンスルホネート１ｇを３−メトキシメ
チルプロピオネートに溶解した後、０.２μｍのフィル
ターで濾過して組成物溶液を得た。得られた組成物溶液
をシリコンウェハー上にスピンコートしたのち、ホット
プレート上で１００℃、２分間の加熱を行って膜厚１μ
ｍのレジスト膜を形成した。

【００６３】形成したレジスト膜にパターンマスクを密
着させて、アドモンサイエンス社製のＫｒＦエキシマレ
ーザー発生装置（ＭＢＫ−４００ＴＬ−Ｎ）で３０ｍＪ
／ｃｍ²の放射線を照射したのち、ホットプレート上で
１００℃、２分間の放射線照射後加熱を行い、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像
し、次いで水で３０秒間リンスした。その結果、０.４
μｍのパターンが解像された。耐ドライエッチング性な
ども良好であった。

【００６４】実施例４ 合成例３で得た重合体２０ｇとトリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート１ｇを３−メトキシ
メチルプロピオネートに溶解した後、０.２μｍのフィ
ルターで濾過して組成物溶液を得た。得られた組成物溶
液をシリコンウェハー上にスピンコートしたのち、ホッ
トプレート上で１００℃、２分間の加熱を行って膜厚１
μｍのレジスト膜を形成した。

【００６５】形成したレジスト膜にパターンマスクを密
着させて、アドモンサイエンス社製のＫｒＦエキシマレ
ーザー発生装置（ＭＢＫ−４００ＴＬ−Ｎ）で２０ｍＪ
／ｃｍ²の放射線を照射したのち、ホットプレート上で
９０℃、２分間の放射線照射後加熱を行い、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像し、
次いで水で３０秒間リンスした。その結果、０.４μｍ
のパターンが解像された。耐ドライエッチング性なども
良好であった。

【００６６】比較例１ ポリヒドロキシスチレン１０ｇ、成分（Ｃ）としてビス
フェノールＡのテトラヒドロピラニルエーテル４ｇおよ
びトリフェニルスルホニウムトリフレート０.５ｇを３
−メトキシプロピオン酸メチル４０ｇに溶解し、実施例
１と同様に、組成物溶液を調製した。その後、実施例１
と同様の方法でパターンを形成した。その結果、パター
ンのコントラストが低く、０.５μｍまでしか解像でき
なかった。また、膜減りがあり、残膜厚は０.８μｍで
あった。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の感放射線
性組成物は、微細加工を安定的にでき、高感度、高解像
度で、耐ドライエッチング性、現像性、接着性、耐熱
性、残膜性などの性能に優れたレジスト組成物として好
適である。また、本発明の感放射線性組成物は、エキシ
マレーザーなどの遠紫外線、シンクロトロン放射線等の
Ｘ線、電子線などの荷電放射線といった、放射線のいず
れにも対応できるので、今後さらに微細化が進行すると
予想される集積回路製造用のレジストとして有利に使用
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/022 7124−2Ｈ 7/029 9019−2Ｈ 7/038 ５０５ 7124−2Ｈ 7/075 ５１１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記式（１） 【化１】 で表わされる繰返し単位を有する重合体および （Ｂ）感放射線酸形成剤 を含有することを特徴とする感放射線性組成物。