JPH056594A - 光学ヘツド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 対物レンズ１４と光磁気ディスク１５との間
に遮光帯板２１を配置する。遮光帯板２１は、レーザ光
の走査方向に直交する方向に、より鋭い温度分布を持た
せるような光学素子である。この光学素子の配設位置
は、レーザ光源１１からのレーザ光の出射光路中のどこ
でもよい。光磁気ディスク１５の代わりに、相変化型等
の反射率変化型光ディスクを使用してもよい。 【効果】 レーザ光走査方向と直交する方向に鋭い温度
分布が得られえるため、隣接する記録トラックからのク
ロストークを低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に対して光
ビームを照射しながら信号を読み取るような光学ヘッド
装置に関し、特に、高密度情報の再生が行える光学ヘッ
ド装置に関するものである。

【０００２】

【産業上の利用分野】光記録媒体は、いわゆるコンパク
トディスク等のような再生専用媒体と、光磁気ディスク
等のような信号の記録が可能な媒体とに大別できるが、
これらいずれの光記録媒体においても、記録密度をさら
に高めることが望まれている。これは、記録される信号
としてディジタル・ビデオ信号を考慮する場合にディジ
タル・オーディオ信号の数倍から十数倍ものデータ量を
必要とすることや、ディジタル・オーディオ信号を記録
する場合でもディスク等の媒体の寸法をより小さくして
プレーヤ等の製品をさらに小型化したい等の要求がある
からである。また、一般のデータディスクとしても、よ
り大きな記録容量が望まれている。

【０００３】ところで、光記録媒体への情報の記録密度
は、再生信号のＳ／Ｎによって決められている。従来の
一般的な光学的な記録再生においては、図１８に示すよ
うに、光記録媒体に対するレーザ光等の読み出し光ビー
ムの光照射領域であるビームスポットＳＰの領域の全て
を再生信号領域としている。このため、再生可能な記録
密度は、読み出し光のビーム・スポットの径Ｄ_SPにより
定まる。

【０００４】例えば、図１８のＡに示すように、読み出
しレーザ光のビーム・スポットＳＰの径Ｄ_SPが記録ピッ
トＲＰのピッチｑよりも小さければ、スポットＳＰ内に
２個の記録ピットが入ることはなく、再生出力波形は図
１８のＢに示すようになり、再生信号は読み取り可能で
ある。ところが、図１８のＣに示すように、高密度で記
録ピットＳＰが形成されており、ビーム・スポットＳＰ
内の径Ｄ_SPが記録ピットＲＰのピッチｑよりも大きくな
ると、スポットＳＰ内に２個以上のピットが同時に入り
込むようになり、再生出力波形は図１８のＤに示すよう
に略々一定となり、その２個の記録ピットを分離して再
生することができず再生不能となる。

【０００５】スポット径Ｄ_SPは、レーザ光の波長λと、
対物レンズの開口数ＮＡに依存しており、このスポット
径Ｄ_SPによって、読み出し光ビームの走査方向（記録ト
ラック方向）に沿ったピットの密度（いわゆる線密度）
や、読み出し光ビームの走査方向に直交する方向の隣接
トラック間隔（いわゆるトラックピッチ）に応じたトラ
ック密度が定められる。すなわち、これらの線密度やト
ラック密度の物理光学的限界は、いずれも読み出し光の
光源の波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡによって決ま
り、例えば信号再生時の空間周波数については、一般に
２ＮＡ／λが読み取り限界とされている。このことか
ら、光記録媒体において高密度化を実現するためには、
先ず再生光学系の光源（例えば半導体レーザ）の波長λ
を短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが
必要とされている。

【０００６】ところで、本件出願人は、読み取り光ビー
ムのスポット径を変更しなくても、読み取り可能な線記
録密度及びトラック密度を高くできるようにした光記録
媒体及びその再生方法を先に提案している。このような
高密度情報の再生が可能な光記録媒体としては、信号の
記録が可能な光磁気記録媒体と、少なくとも再生が可能
な反射率変化型光記録媒体とが挙げられる。

【０００７】上記光磁気記録媒体は、例えばポリカーボ
ネート等から成る透明基板あるいは光透過性基体の一主
面に、膜面と垂直方向に磁化容易軸を有し優れた磁気光
学効果を有する磁性層（例えば希土類−遷移金属合金薄
膜）を、誘電体層や表面保護層等と共に積層して構成さ
れたものであり、上記透明基板側からレーザ光等を照射
して信号の記録、再生が行われる。この光磁気記録媒体
に対する信号記録は、レーザ光照射等によって上記磁性
層を局部的に例えばキュリー点近傍の温度にまで加熱
し、この部分の保磁力を消滅させて外部から印加される
記録磁界の向きに磁化することにより行う、いわゆる熱
磁気記録である。また光磁気記録媒体からの信号再生
は、上記磁性層の磁化の向きによりレーザ光等の直線偏
光の偏光面が回転する磁気光学効果（いわゆる磁気カー
効果、ファラディ効果）を利用して行われる。

【０００８】上記反射率変化型光記録媒体は、位相ピッ
トが形成された透明基板上に、温度によって反射率が変
化する材料が形成されて成り、信号再生時には、該記録
媒体に読み出し光を照射し、読み出し光の走査スポット
内で反射率を部分的に変化させながら位相ピットを読み
取るものである。

【０００９】以下、上記記録可能な光磁気記録媒体にお
ける高密度再生、あるいはいわゆる超高解像度再生につ
いて、さらに説明する。本件出願人は、先に例えば特開
平１−１４３０４１号公報、特開平１−１４３０４２号
公報等において、情報ビット（磁区）を再生時に拡大、
縮小あるいは消滅させることにより再生分解能を向上さ
せるような光磁気記録媒体の信号再生方法を提案してい
る。この技術は、記録磁性層を再生層、中間層、記録層
から成る交換結合多層膜とし、再生時において再生光ビ
ームで加熱された再生層の磁区を温度の高い部分で拡
大、縮小あるいは消去することにより、再生時の情報ビ
ット間の干渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の信
号を再生可能とするものである。また、特願平１−２２
９３９５号の明細書及び図面においては、光磁気記録媒
体の記録層を磁気的に結合される再生層と記録保持層と
を含む多層膜で構成し、予め再生層の磁化の向きを揃え
て消去状態としておくとともに、再生時にはレーザ光の
照射によって再生層を所定の温度以上に昇温し、この昇
温された状態でのみ記録保持層に書き込まれた磁気信号
を再生層に転写しながら読み取るようにすることによ
り、クロストークを解消して線記録密度、トラック密度
の向上を図る技術を提案している。これらの高密度再生
技術をまとめると、消去型と浮き出し型とに大別でき、
それぞれの概要を図１９及び図２０に示す。

【００１０】先ず図１９のＡ、Ｂ、Ｃを参照しながら消
去型の高密度再生技術について説明する。この消去型の
場合には、図１９のＢに示すように、常温にて情報記録
ピットＲＰが表れている状態の記録媒体にレーザ光ＬＢ
を照射して加熱することで、照射レーザ光ＬＢのビーム
・スポットＳＰ内に記録消去領域ＥＲを形成し、ビーム
・スポットＳＰ内の残りの領域ＲＤ内の記録ピットＲＰ
を読み取ることにより、線密度を高めた再生を行ってい
る。これは、ビーム・スポットＳＰ内の記録ピットＲＰ
を読み取る際に、記録消去領域ＥＲをマスクとすること
で読み取り領域（再生領域）ＲＤの幅ｄを狭くし、レー
ザ光の走査方向（トラック方向）に沿った密度（いわゆ
る線記録密度）を高めた再生を可能とするものである。

【００１１】この消去型高密度再生のための記録媒体
は、光磁気記録用アモルファス稀土類（Ｇｄ，Ｔｂ）−
鉄属（Ｆｅ，Ｃｏ）フェリ磁性膜から成る交換結合磁性
多層膜構造を有し、図１９のＡに示す例では、ポリカー
ボネート等の透明基板６０の一主面（図中下面）に、第
１の磁性膜である再生層６１、第２の磁性膜である切断
層（中間層）６２、及び第３の磁性膜である記録保持層
６３を順次積層した構造を有している。第１の磁性膜
（再生層）６１は、例えばＧｄＦｅＣｏでキュリー温度
Ｔ_C1＞４００°Ｃのものが用いられ、第２の磁性膜（切
断層、中間層）６２は、例えばＴｂＦｅＣｏＡｌでキュ
リー温度Ｔ_C2＝１２０°Ｃのものが用いられ、第３の磁
性膜（記録保持層６３は、例えばＴｂＦｅＣｏでキュリ
ー温度Ｔ_C3＝３００°Ｃのものが用いられる。なお、図
１９のＣ中の各磁性膜６１、６２、６３内の矢印は各磁
区の磁化の向きを示している。また、Ｈ_readは再生磁界
の向きを示している。

【００１２】再生時の動作を簡単に説明すると、所定温
度Ｔ_OPより下の常温では記録媒体の各層６３、６２、６
１が静磁結合あるいは交換結合の状態で磁気的に結合し
ており、記録保持層６３の記録磁区が切断層６２を介し
て再生層６１に転写されている。この記録媒体に対して
レーザ光ＬＢを照射して媒体温度を高めると、レーザ光
の走査に伴って媒体の温度変化は遅延されて表れ、上記
所定温度Ｔ_OP以上となる領域（記録消去領域ＥＲ）はビ
ーム・スポットＳＰよりもレーザ走査方向の後方側にや
やずれて表れる。この所定温度Ｔ_OP以上では記録保持層
６３と再生層６１との磁気的結合が消滅し、再生層６１
の磁区が再生磁界Ｈ_readの向きに揃えられることによ
り、媒体表面上では記録ピットが消去された状態とな
る。そして、走査スポットＳＰの領域の内、上記所定温
度Ｔ_OP以上となる領域ＥＲとの重なり領域を除く領域Ｒ
Ｄが実質的な再生領域となる。すなわち、レーザ光のビ
ーム・スポットＳＰは上記所定温度Ｔ_OP以上となる領域
ＥＲにより一部がマスクされ、マスクされない小さい領
域が再生領域（読み取り領域）ＲＤとなって、高密度再
生を実現している。

【００１３】こうして、レーザ光ビームの走査スポット
ＳＰがマスク領域（記録消去領域ＥＲ）によりマスクさ
れない小さい再生領域（読み取り領域ＲＤ）からの反射
光の例えばカー回転角を検出することによりピットの再
生が行われるので、ビーム・スポットＳＰの径を小さく
したことに等しくなり、線記録密度及びトラック密度を
上げることができる。

【００１４】次に、図２０のＢに示す浮き出し型の高密
度再生技術では、常温で情報記録ピットＲＰが消えてい
る状態（初期化状態）の記録媒体にレーザ光を照射して
加熱することにより、照射レーザ光のビーム・スポット
ＳＰ内に記録浮き出し領域である信号検出領域ＤＴを形
成し、この信号検出領域ＤＴ内の記録ピットＲＰのみを
読み取るようにすることで再生線密度を高めている。

【００１５】この浮き出し高密度再生のための記録媒体
は、静磁結合あるいは磁気的交換結合の磁性多層膜構造
を有するものであり、図２０のＡの例では、ポリカーボ
ネート等の透明基板７０の一主面（図中下面）に、第１
の磁性膜である再生層７１、第２の磁性膜である再生補
助層７２、第３の磁性膜である中間層７３、第４の磁性
膜である記録保持層７４を順次積層した構造を有してい
る。第１の磁性膜（再生層７１は、例えばＧｄＦｅＣｏ
でキュリー温度Ｔ_C1＞３００°Ｃのもの、第２の磁性膜
（再生補助層）７２は、例えばＴｂＦｅＣｏＡｌでキュ
リー温度Ｔ_C2≒１２０°Ｃのもの、第３の磁性膜（中間
層）７３は、例えばＧｄＦｅＣｏでキュリー温度Ｔ_C3≒
２５０°Ｃのもの、第４の磁性膜（記録保持層）７４
は、例えばＴｂＦｅＣｏでキュリー温度Ｔ_C4≒２５０°
Ｃのものがそれぞれ用いられる。ここで初期化磁界Ｈ_in
の大きさは、再生層の磁化を反転させる磁界Ｈ_cpより大
きく（Ｈ_in＞Ｈ_cp）、また、記録保持層の磁化を反転さ
せる磁界Ｈ_crより充分小さく（Ｈ_in≪Ｈ_cp）選定されて
いる。なお、図２０のＣ中の各磁性膜７１、７２、７
３、７４内の矢印は各磁区の磁化の向きを示し、Ｈ_inは
初期化磁界の向きを、またＨ_readは再生磁界の向きをそ
れぞれ示している。

【００１６】記録保持層７４は、初期化磁界Ｈ_in、再生
磁界Ｈ_read、また再生温度等に影響されずに記録ピット
を保持している層であって、室温、再生温度において充
分な保磁力がある。

【００１７】中間層７３の垂直異方性は再生補助層７
２、記録保持層７４に比べ小さい。このため、再生層７
１と、記録層７４との間に磁壁を作る際、磁壁が安定に
この中間層７３に存在する。そのため、再生層７１、再
生補助層７２は、安定に消去状態（初期化状態）を維持
する。

【００１８】再生補助層７２は、室温での再生層７１の
保磁力を大きくする働きをしており、このため、初期化
磁界によって揃えられた再生層７１、再生補助層７２の
磁化は、磁壁が存在しても安定に存在する。また、再生
補助層７２は、再生時には、再生温度Ｔ_s 近傍で保磁力
が急激に小さくなり、このため、中間層７３に閉じ込め
られていた磁壁が再生補助層１３にまで拡がって最終的
に再生層７１を反転させ、磁壁を消滅させる。この過程
により、再生層７１にピットが現れるようになる。

【００１９】再生層７１は室温でも磁化反転磁界Ｈ_cpが
小さく、その磁化は容易に反転する。このため、再生層
７１は、初期化磁界Ｈ_inにより、その全面の磁化が同方
向に揃う。揃った磁化は、再生補助層７２に支えられて
記録保持層７４との間に磁壁がある場合でも安定な状態
が保たれる。そして、上述のように、再生時には、記録
保持層７４との間の磁壁が消滅することにより、記録ピ
ットが現れる。

【００２０】再生時の動作を簡単に説明すると、先ず再
生前に初期化磁界Ｈ_inにより再生層７１及び再生補助層
７２の磁化の向きを一方向（図２０では上方向）に揃え
る。このとき、中間層７３に磁壁（図２０では横向きの
矢印で示す）が安定に存在し、再生層７１、再生補助層
７２は、安定に初期化状態を維持する。

【００２１】次に、逆方向の再生磁界Ｈ_readを印加しな
がらレーザ光ＬＢを照射する。この再生磁界Ｈ_readとし
ては、レーザ光照射による昇温後の再生温度Ｔ_RPにおい
て、再生層７１、再生補助層７２を反転させ、中間層７
３の磁壁を消滅させる磁界以上の磁界が必要である。ま
た、再生層７１、再生補助層７２が、その磁界方向を反
転してしまわない程度の大きさとされる。

【００２２】レーザ光ＬＢの走査に伴って媒体の温度変
化は遅延されて表れるから、所定の再生温度Ｔ_RP以上と
なる領域（記録浮き出し領域）はビーム・スポットＳＰ
よりも走査方向の後方側にややずれて表れる。この所定
再生温度Ｔ_RP以上では、再生補助層７２の保磁力が低下
し、再生磁界Ｈ_readが印加されることによって磁壁がな
くなり、記録保持層７４の情報が再生層７１に転写され
る。これによって、レーザ光ＬＢのビーム・スポットＳ
Ｐ内で上記再生温度Ｔ_RPに達する前の領域がマスクさ
れ、このスポットＳＰ内の残部が記録浮き出し領域であ
る信号検出領域（再生領域）ＤＴとなる。この信号検出
領域ＤＴからの反射光の偏向面の例えばカー回転角を検
出することにより、高密度再生が可能となる。

【００２３】すなわち、レーザ光ＬＢのビーム・スポッ
トＳＰの内部領域において、上記再生温度Ｔ_RPに達する
前の領域は、記録ピットが現れないマスク領域であり、
残りの信号検出領域（再生領域）ＤＴは、スポット径よ
り小さいので、前述と同様に線記録密度及びトラック密
度を高くすることができる。

【００２４】さらに、これらの消去型と浮き出し型とを
混合した技術として、図２１に示すような高密度再生技
術も考えられている。この図２１においては、常温で情
報記録ピットＲＰが消えている状態（初期化状態）の記
録媒体にレーザ光を照射して加熱することで、照射レー
ザ光のビーム・スポットＳＰに対してレーザ光走査方向
の後方側にややずれた位置に記録浮き出し領域ＦＬを形
成すると共に、この記録浮き出し領域ＦＬ内にさらに高
温の記録消去領域ＥＲを形成している。そしてビーム・
スポットＳＰ内で、記録浮き出し領域ＦＬ内の記録消去
領域ＥＲでマスクされた以外の部分（信号検出領域）Ｄ
Ｔ内の記録ピットＲＰのみを読み取るようにする。この
信号検出領域ＤＴのレーザ光走査方向に沿った幅ｄが狭
くなることから、高い線密度で再生できる。これは、例
えば、レーザ照射によって生ずる媒体温度分布により、
ビーム・スポットＳＰ内で初期化状態を維持する部分
と、記録保持層の磁化が表面の再生層に転写される記録
浮き出し領域ＦＬと、外部印加磁界の向きに磁化が揃え
られて消去される記録消去領域ＥＲとを生じさせること
により実現できる。

【００２５】また、本件出願人は、特願平３−４１８１
１０号の明細書及び図面において、少なくとも再生層、
中間層、記録保持層を有する光磁気記録媒体を用い、再
生層にレーザ光を照射すると共に再生磁界を印加し、こ
のレーザ照射により生ずる温度分布を利用して、初期化
状態を維持する部分、記録保持層の情報が転写される部
分、再生磁界方向に磁化の向きが揃えられる部分をレン
ズ視野内に生ぜしめることにより、レンズ視野内を光学
的にマスクしたのと等価な状態とし、線記録密度及びト
ラック密度を高め、また、再生パワーが変動しても記録
保持層の情報が転写される領域が縮小あるいは拡大する
ことがなく、再生時の周波数特性も良好なものとした光
磁気記録媒体における信号再生方法を提案している。

【００２６】また、高密度再生が可能な他の種類の光記
録媒体として、位相ピットが形成された透明基板上に温
度によって反射率が変化する材料が形成され、信号再生
時には、読み出し光の走査スポット内で反射率を部分的
に変化させながら位相ピットを読み取るような反射率変
化型光記録媒体も知られている。この反射率変化型の光
記録媒体に関する技術としては、本件出願人が先に特願
平２−９４４５２号の明細書及び図面において光ディス
クの信号再生方法を提案しており、また、特願平２−２
９１７７３号の明細書及び図面において光ディスクを提
案している。すなわち、前者においては、信号に応じて
位相ピットが形成されるとともに温度によって反射率が
変化する光ディスクに対して読み出し光を照射し、読み
出し光の走査スポット内で反射率を部分的に変化させな
がら位相ピットを読み取ることを特徴とする光ディスク
の信号再生方法を提案しており、後者においては、位相
ピットが形成された透明基板上に、相変化によって反射
率が変化する材料層が形成されてなり、読み出し光が照
射されたときに、上記材料層が、読み出し光の走査スポ
ット内で部分的に相変化するとともに、読み出し後には
初期状態に戻ることを特徴とする、いわゆる相変化型の
光ディスクを提案している。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの高
密度再生技術において、トラック方向すなわちレーザ光
走査方向に沿った密度、いわゆる線記録密度を高めるこ
とができることは明らかであるが、レーザ走査方向に直
交する方向の密度、いわゆるトラック密度については、
さらなる改良が望まれている。

【００２８】例えば、上述した浮き出しタイプと消去タ
イプとを混合した光磁気記録媒体の例を示す上記図２１
においては、信号検出領域ＤＴ（いわゆるウィンドウ
部）の寸法がトラック幅方向に拡がる傾向があり、隣接
トラックの記録ピットＲＰａをも検出してしまうことか
ら、クロストークが生じ、このクロストークを抑えるた
めにトラックピッチｐに制限が生じている。すなわち、
クロストークによる制限のため、トラックピッチｐをあ
る程度広げてトラック密度を下げることが必要とされて
いる。これは、上述した各種タイプの光磁気記録媒体の
みならず、上記反射率変化型の光記録媒体にも同様にい
えることである。

【００２９】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであり、簡単な構成で上記クロストークを軽減で
き、いわゆるトラック密度（レーザ光走査方向に直交す
る方向の記録密度）をさらに高め得るような光学ヘッド
装置の提供を目的とする。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光学ヘッド
装置によれば、少なくとも磁気的に結合される再生層と
記録保持層とを有してなる多層膜を記録層とし、上記記
録保持層に信号が磁気記録され、上記再生層の磁化の向
きが揃えられた状態の光磁気記録媒体に対して、上記再
生層にレーザ光を照射することにより当該再生層を加熱
して上記記録保持層に磁気記録されている信号を上記再
生層に転写しながら磁気光学効果により光学信号に変換
して読み取るような光磁気記録媒体の信号再生方法にお
いて、上記読み出し光ビームの出射光路中に該読み出し
光ビームの走査方向と直交する方向により鋭い温度分布
を持たせる光学素子を配してなることにより上述の課題
を解決する。

【００３１】また、本発明に係る光学ヘッドによれば、
信号に応じて位相ピットが形成されるとともに温度によ
って反射率が変化する光記録媒体に対して読み出し光ビ
ームを照射し、読み出し光ビームの走査スポット内で反
射率を部分的に変化させながら位相ピットを読み取るよ
うな光学ヘッド装置において、上記読み出し光ビームの
出射光路中に該読み出し光ビームの走査方向と直交する
方向により鋭い温度分布を持たせる光学素子を配してな
ることにより、上述の課題を解決することができる。

【００３２】

【作用】上記光学素子により、レーザ光照射されて加熱
される媒体上では、レーザ光の走査方向と直交する方向
に、より鋭い温度分布が得られるため、この方向の高温
領域の幅が狭まり、隣接トラックからのクロストークを
低減できる。

【００３３】

【実施例】本発明の一実施例となる光学ヘッド装置の概
略構成を図１に示す。この図１に示す光学ヘッド装置に
おいて、読み出し光ビームの光源、例えば半導体レーザ
１１から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ１２
で平行ビームとされ、ビームスプリッタ１３を介して対
物レンズ１４に送られる。この対物レンズ１４の直前位
置には、再生時のレーザ光走査方向と直交する方向（い
わゆるディスク径方向）により鋭い温度分布を持たせる
ための光学素子として、図２に示すような遮光帯板２１
が配置されている。この遮光帯板２１は、レーザ走査方
向に沿って延長される遮光帯２２がガラス板や透明樹脂
板等の透明板２３に形成されたものである。対物レンズ
１４から遮光帯板２１を介して光記録媒体である例えば
光磁気ディスク１５に照射される。この光磁気ディスク
１５に照射されたレーザビームは、前述した光磁気記録
用磁性多層膜にて反射され、遮光帯板２１、対物レンズ
１４を介してビームスプリッタ１３に入射されて反射さ
れ、集光レンズ１６で集光されて、フォトダイオード等
の光検出器１７に入射される。なお、光記録媒体として
光磁気ディスク１５を用いる場合には、この光磁気ディ
スク１５のレーザ光照射位置の裏面（図中上面）側に
は、再生磁界Ｈ_readを印加するための磁気ヘッド１８が
配設されている。

【００３４】ここで図３は、上記光磁気ディスク１５上
の図４に示すようなレーザ光スポットＳＰについて、レ
ーザ光走査方向と直交する方向（ディスク径方向）に沿
った中心からの距離（ｎｍ）を横軸に、光の強度を最高
強度で規格化した値を縦軸にとったものであり、上記遮
光帯板２１の遮光帯２２の幅ｗを対物レンズ１４の瞳の
直径で規格化した値ｗ^* を、それぞれ０、０．１、０．
１５、及び０．１８としたときの光強度分布特性曲線を
示している。このときのレーザ波長λは７８０ｎｍ、上
記対物レンズ１４の開口数ＮＡは０．５３であり、得ら
れた光強度分布は媒体の加熱による温度分布に等しくな
る。この図３から明らかなように、上記レーザ光走査方
向と直交する方向（ディスク径方向）の光強度分布ある
いは温度分布は、遮光帯２２の幅ｗ（規格化した幅
ｗ^* ）が大きく（広く）なるほど鋭くなっている。これ
は、スポット中心側の０次スポットの傾向であり、その
外側の１次スポットについては、光強度が増加してい
る。

【００３５】このように、ディスク径方向（レーザ光走
査方向に直交する方向）に鋭い光強度分布、すなわち媒
体の温度分布が得られることにより、上記光磁気ディス
ク１５上では、例えば図４に示すように、照射レーザ光
のビーム・スポットＳＰの走査方向の後方側にややずれ
て形成される高温領域の幅（レーザ光走査方向に直交す
る方向の幅）を狭くでき、隣接トラックの記録ピットＲ
Ｐからのクロストークを大幅に低減できる。ただし、上
記１次スポットの強度が増加しすぎると、１次スポット
の位置にも高温領域が形成され、かえってクロストーク
が増加する。よって、上記幅ｗ（規格化した幅ｗ^* ）を
上記１次スポットに高温領域が形成されない範囲に選ぶ
ことが必要とされる。

【００３６】ここで図４に示す高密度再生技術は、前記
図２１と共に説明した技術と同様であり、常温で情報記
録ピットＲＰが消えている状態（初期化状態）の記録媒
体にレーザ光を照射して加熱することで、照射レーザ光
のビーム・スポットＳＰからレーザ光走査方向後方側に
ややずれた位置に楕円形状の記録浮き出し領域ＦＬを形
成すると共に、この記録浮き出し領域ＦＬ内にさらに高
温の記録消去領域ＥＲを形成し、ビーム・スポットＳＰ
内で、記録浮き出し領域ＦＬ内の記録消去領域ＥＲでマ
スクされた以外の部分（信号検出領域）ＤＴ内の記録ピ
ットＲＰのみを読み取るものである。

【００３７】このとき、上記高温の記録浮き出し領域Ｆ
Ｌは、上述したようにディスク径方向の温度分布が鋭く
（シャープに）なっていることから、該ディスク径方向
の幅が前記図１２の場合に比べて狭くなり、隣接トラッ
クからのクロストークを改善できる。これによって、隣
接トラック間のピッチ（いわゆるトラックピッチ）ｐを
より狭く（高密度に）してトラック密度を高めることが
でき、記録密度の向上が図れる。

【００３８】上記図４の高密度再生技術は、前述した消
去型と浮き出し型の混合タイプであり、例えば、レーザ
照射によって生ずる媒体温度分布により、ビーム・スポ
ットＳＰ内で初期化状態を維持する低温部分と、記録保
持層の磁化が表面の再生層に転写される高温の記録浮き
出し領域ＦＬと、さらに高温となって外部印加磁界の向
きに磁化が揃えられて消去される記録消去領域ＥＲとが
形成されるような媒体を用いることにより実現できる。

【００３９】なお、図４では、記録ピットＲＰのディス
ク径方向の幅をｈ、トラック方向に沿った最短記録周期
（最高線密度の逆数）をｑとし、この最短記録周期ｑで
記録された具体例を示しているが、記録データ内容に応
じてピット記録周期が変化することは勿論である。

【００４０】ところで、上記再生時のレーザ光走査方向
と直交する方向（いわゆるディスク径方向）に、より鋭
い温度分布を持たせるための光学素子としては、上記遮
光帯板２１の他に、例えば図５に示すような段差を持っ
た位相板２６を用いることもできる。

【００４１】この図５に示す段差を持った位相板２６
は、中央部分にレーザ光走査方向に沿って形成された帯
状部分２７とそれ以外の部分２８との厚みが異なってお
り、これらの各部分２７、２８を介して通過するレーザ
光が、例えば１／２波長（λ／２）分の位相差を持つよ
うな光学素子である。このときの位相差はλ／２（ある
いはλ／２の奇数倍）が好ましいが、任意の値に設定し
てもよい。ただし、ｎλ（ｎは整数）では位相差が実質
的になくなるため、これを除外する。

【００４２】図６は、位相差がλ／２の段差を持った位
相板２６を介して媒体（光磁気ディスク１５）上に照射
されたレーザ光スポットについて、レーザ光走査方向と
直交する方向（ディスク径方向）に沿ったスポット中心
からの距離（ｎｍ）に対する光強度（最高強度で規格化
した値）を示し、上記帯状部分２７の幅ｗの対物レンズ
１４の瞳の直径で規格化した値ｗ^* が、それぞれ０、
０．１、０．１５、及び０．１８のときの光強度分布特
性曲線を示している。なおレーザ波長λは７８０ｎｍ、
上記対物レンズ１４の開口数ＮＡは０．５３であり、得
られた光強度分布は媒体の加熱による温度分布に等しく
なる。

【００４３】この図６から明らかなように、上記レーザ
光走査方向と直交する方向（ディスク径方向）の光強度
分布あるいは温度分布は、遮光帯２２の幅ｗ（規格化し
た幅ｗ^* ）が広くなるほどスポット中心側の０次スポッ
トの幅が狭く分布曲線が鋭くなっており、外側の１次ス
ポットの光強度が増加している。

【００４４】この場合も、上記図４と共に説明したよう
に、照射レーザ光のビーム・スポットＳＰの走査方向の
後方側にややずれて形成される浮き出し領域ＦＬのレー
ザ光走査方向に直交する方向の幅を狭くでき、隣接トラ
ックからのクロストークを大幅に低減できる。ただし、
この段差を持つ位相板２６で位相差をλ／２とした場合
には特に、幅ｗが広くなると上記１次スポットの強度が
増加し、１次スポットの位置にも浮き出し領域ＦＬが形
成され、かえってクロストークが増加することから、上
記幅ｗ（規格化した幅ｗ^* ）を上記１次スポットに浮き
出し領域が形成されない範囲に選ぶことが必要とされ
る。

【００４５】また、このように通過レーザ光の位相が部
分的に異なる位相板としては、例えば図７や図８に示す
ようなものも使用できる。

【００４６】図７に示す位相板３１は、レーザ走査方向
に沿って形成された帯状部分３２とそれ以外の部分３３
とから成り、帯状部分３２はいわゆるＰＬＺＴ等の透明
圧電材料（透明電歪素子）で形成され、両面に透明電極
３４、３５が被着形成されている。これらの透明電極３
４、３５に電圧源３６からの駆動電圧を印加することに
より、帯状部分３２の厚みや位相差が変化し、部分３３
との間の通過レーザ光の位相差が変化する。これによっ
て、上記レーザ走査方向に直交する方向の光強度分布
（温度分布）特性曲線のシャープさを可変制御でき、隣
接トラックからのクロストーク改善量を可変制御でき
る。

【００４７】図８に示す位相板４１は、いわゆるＰＬＺ
Ｔ等の透明圧電板（電歪素子）４３の中央位置にレーザ
走査方向に沿って表面、裏面に帯状の透明電極４４、４
５を被着形成して構成されており、これらの透明電極４
４、４５に電圧源３６からの駆動電圧を印加することに
より、電極４４、４５間の部分４２の厚みや位相差を可
変制御するようにしている。

【００４８】以上説明した具体例では、いずれもレーザ
光走査方向に沿って帯状部分を形成しているが、図９に
示すように、上記対物レンズ１４の瞳の中央位置に対応
する略々円形の部分５１に、上述したような遮光部や段
差部、あるいは圧電素子部を設けるようにしてもよい。
この場合には、レーザ走査方向に直交する方向（ディス
ク径方向）のみならず、レーザ走査方向の光強度分布
（温度分布）もより鋭くなり、クロストーク低減が図れ
るのみならず線密度のさらなる向上が図れる。

【００４９】以上説明した本発明の実施例において、光
記録媒体には光磁気ディスク１５を用いているが、この
他、前述した反射率変化型の光ディスク等の光記録媒体
も使用可能である。この場合の光学ヘッドについての構
成は、上記図１に示す光磁気ディスク１５の代わりに、
相変化型等の反射率変化型光ディスクが用いられる点が
異なるのみで、他の構成は上記図１と同様であり、また
具体的構成及び作用は上記図１乃至図９と共に説明した
通りである。そこで、反射率変化型の光記録媒体につい
て、以下詳細に説明する。

【００５０】この反射率変化型の光記録媒体に関する技
術としては、本件出願人が先に特願平２−９４４５２号
の明細書及び図面において光ディスクの信号再生方法を
提案しており、また、特願平２−２９１７７３号の明細
書及び図面において光ディスクを提案している。すなわ
ち、前者においては、信号に応じて位相ピットが形成さ
れるとともに温度によって反射率が変化する光ディスク
に対して読み出し光を照射し、読み出し光の走査スポッ
ト内で反射率を部分的に変化させながら位相ピットを読
み取ることを特徴とする光ディスクの信号再生方法を提
案しており、後者においては、位相ピットが形成された
透明基板上に、相変化によって反射率が変化する材料層
が形成されてなり、読み出し光が照射されたときに、上
記材料層が、読み出し光の走査スポット内で部分的に相
変化するとともに、読み出し後には初期状態に戻ること
を特徴とする、いわゆる相変化型の光ディスクを提案し
ている。

【００５１】ここで、上記材料層として、溶融後結晶化
し得る相変化材料層を用い、読み出し光が照射されたと
きに、この相変化材料層が読み出し光の走査スポット内
で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反射率が変化す
ると共に、読み出し後には結晶状態に戻るようにするこ
とが好ましい。

【００５２】この反射率変化型の光記録媒体、特に相変
化型の光ディスクについて説明する。この相変化型の光
ディスクは、図１０に要部の概略断面図を示すように、
位相ピット１０１が形成された透明基板１０２上（図中
では下面側）に、第１の誘電体層１０３を介して相変化
材料層１０４が形成され、この材料層１０４の上（図中
の下面側、以下同様）に第２の誘電体層１０５が形成さ
れ、その上に反射膜１０６が形成されてなっている。こ
れら第１の誘電体層１０３及び第２の誘電体層１０５に
よって光学特性、例えば反射率等の設定がなされる。さ
らに必要に応じて、反射膜１０６の上に保護膜（図示せ
ず）が被着形成されることも多い。

【００５３】この他、この相変化型の光ディスクの構造
としては、例えば図１１に示すように、ピット１０１が
形成された透明基板１０２上に直接的に相変化材料層１
０４のみを密着形成したものを用いてもよく、また、図
１２に示すように、位相ピット１０１が形成された透明
基板１０２上に、第１の誘電体層１０３、相変化材料層
１０４、及び第２の誘電体層１０５を順次形成したもの
を用いてもよい。

【００５４】ここで、上記透明基板１０２としては、ガ
ラス基板、ポリカーボネートやメタクリレート等の合成
樹脂基板等を用いることができ、また、基板上にフォト
ポリマを被着形成してスタンパによって位相ピット１０
１を形成する等の種々の構成を採ることができる。

【００５５】上記相変化材料層１０４に使用可能な材料
としては、読み出し光の走査スポット内で部分的に相変
化し、読み出し後には初期状態に戻り、相変化によって
反射率が変化するものが挙げられる。具体的には、Ｓｂ
₂ Ｓｅ₃ 、Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ 等のカルコゲナイト、すなわち
カルコゲン化合物が用いられ、また、他のカルコゲナイ
トあるいは単体のカルコゲンとして、Ｓｅ、Ｔｅの各単
体、さらにこれらのカルコゲナイト、すなわちＢｉＴ
ｅ、ＢｉＳｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−
ＳｂＳｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ、Ｇｅ
−Ｔｅ等のカルコゲナイト系材料等が用いられる。この
ようなカルコゲン、カルコゲナイトによって相変化材料
相１０４を構成するときは、その熱伝動率、比熱等の特
性を、半導体レーザ光による読み出し光によって良好な
温度分布を形成する上で望ましい特性とすることがで
き、後述するような溶融結晶化領域での溶融状態の形成
を良好に行うことができ、Ｓ／ＮあるいはＣ／Ｎの高い
超高解像度の再生を行うことができる。

【００５６】また上記第１の誘電体層１０３及び第２の
誘電体層１０５としては、例えばＳｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ、
ＳｉＯ₂ 、ＡｌＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＳ、ＭｇＦ₂ 等を
用いることができる。さらに、上記反射膜１０６として
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等を用いることができ、こ
れらの元素に少量の添加物が添加されたものであっても
よい。

【００５７】以下、相変化型の光ディスクの具体例とし
て、位相ピットが形成された透明基板上に、溶融後結晶
化し得る相変化材料層が形成されてなり、読み出し光が
照射されたときに、上記相変化材料層が読み出し光の走
査スポット内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反
射率が変化すると共に、読み出し後には結晶状態に戻る
ようなものであって、上記図１０の構成の光ディスクに
ついて説明する。

【００５８】図１０の透明基板１０２としては、いわゆ
るガラス２Ｐ基板を使用し、この基板１０２の一主面に
形成される位相ピット１０１は、トラックピッチ１．６
μｍ、ピット深さ約１２００Å、ピット幅０．５μｍの
設定条件で形成した。そして、このピット１０１を有す
る透明基板１０２の一主面にＡｌＮよりなる第１の誘電
体層１０３を被着形成し、これの上（図では下面側、以
下同様）に相変化材料層１０４としてＳｂ₂ Ｓｅ₃ を被
着形成した。さらに、これの上にＡｌＮによる第２の誘
電体層１０５を被着形成し、さらにこれの上にＡｌ反射
膜１０６を被着形成した。

【００５９】このような構成の光ディスクにおいて、信
号が記録されていない部分すなわち位相ピット１０１が
存在しない鏡面部分を用いて、先ず以下の操作を行っ
た。

【００６０】すなわち、最初に上記光ディスクの１点に
フォーカスさせるように例えば７８０ｎｍのレーザ光を
照射して、徐冷して初期化（結晶化）する。次に、同一
点にレーザパワーＰを、０＜Ｐ≦１０ｍＷの範囲で固定
してレーザパルス光を照射した。この場合、パルス幅ｔ
は、２６０ｎsec ≦ｔ≦２．６μsec とした。その結
果、パルス光照射前と、照射後の冷却（常温）後とで、
両固相状態での反射率が変化すれば、材料層が結晶から
非晶質に変化したことになる。そして、この操作で、最
初と最後で反射率変化がなかった場合でも、パルス光の
照射中に、戻り光量が一旦変化したとすれば、それは結
晶状態の膜が一旦液相化されて再び結晶化されたことを
意味する。このように一旦液相状態になって後、温度低
下によって再び結晶化状態になり得る溶融化状態の領域
を、溶融結晶化領域と称する。

【００６１】図１３は、上述のように相変化材料層１０
４としてＳｂ₂ Ｓｅ₃ を用いた場合において、横軸に照
射レーザ光パルス幅を、縦軸にレーザ光パワーをそれぞ
れとり、これらの各値と相変化材料層１０４の相状態を
示したものである。同図中、曲線ａより下方の斜線を付
して示した領域Ｒ₁ は、相変化材料層１０４が溶融化し
ない初期状態を保持したままである場合の領域である。
同図において曲線ａより上方においてはレーザ光スポッ
ト照射によって液相すなわち溶融状態になるが、特に曲
線ａとｂとの間の領域Ｒ₂ は、レーザ光スポットが排除
されて（常温程度にまで）冷却されることによって固相
化されたときに結晶化状態に戻る溶融結晶化領域であ
り、これに対して曲線ｂより上方の交差斜線で示す領域
Ｒ₃ は、レーザ光スポットを排除して冷却されて固相化
されたときに非晶質すなわちアモルファス状態になる溶
融非晶質化領域である。

【００６２】本実施例の上記具体例においては、図１３
における溶融結晶化領域Ｒ₂ での液相状態が再生時に生
じ得るように、その再生時の読み出し光の照射による加
熱状態から常温までの冷却過程において、その融点ＭＰ
から固相化に至るに要する時間Δｔが結晶化に要する時
間ｔ₁ より大となるように、再生光パワー、光ディスク
の構成、材料、各膜厚等の選定がなされる。

【００６３】上記具体例において、初期化状態の反射率
すなわち結晶化状態の反射率よりも、溶融状態での反射
率が高くなるように各層の厚さ等を設定している。次
に、上述のような相変化型光ディスクの他の具体例とし
て、相変化材料層１０４にＳｂ₂ Ｔｅ₃ を用いた場合に
おいて、上記図１３と同様にその相変化状態を測定した
結果を図１４に示す。この図１４において、上記図１３
と対応する部分には同一符号を付して説明を省略する。
この場合も、結晶化状態すなわち初期化状態における反
射率よりも溶融状態の反射率を高めるように、各層の厚
み等を選定している。

【００６４】なお、Ｓｂ₂ Ｓｅ₃ 、Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ 等のカ
ルコゲナイトあるいはカルコゲンにおいて、非晶質状態
の反射率と、溶融状態の反射率は殆ど同程度の値を示
す。そして、本発明の実施例に用いられる光ディスク
は、その再生に当たって該光ディスクに対する走査スポ
ット内における温度分布を利用して超高解像度をもって
再生する。

【００６５】ここで、本発明の実施例による上記相変化
型光ディスクにレーザ光ビームを照射した場合を、図１
５を参照しながら説明する。

【００６６】図１５において、横軸はスポットの走査方
法Ｘに関する位置を示したもので、今光ディスクにレー
ザが照射されて形成されたビーム・スポットＳＰの光強
度分布は、同図中破線ａのようになる。これに対して相
変化型材料層１０４における温度分布は、ビーム・スポ
ットＳＰの走査速度に対応してビーム走査方向Ｘの後方
側にやや遅れて表れ、同図中実線ｂのようになる。

【００６７】ここで、レーザ光ビームが図中の矢印Ｘ方
向に走査されているとき、媒体の光ディスクは、ビーム
・スポットＳＰに対して、走査方向の先端側から次第に
温度が上昇し、遂には相変化型材料層１０４の融点ＭＰ
以上の温度となる。この段階で、相変化型材料層１０４
は初期の結晶状態から溶融状態になり、この溶融状態へ
の移行によって、例えば反射率が上昇する。この場合、
ビーム・スポットＳＰ内で図中斜線を付して示した領域
Ｐ_X の反射率が高くなる。すなわち、ビーム・スポット
ＳＰ内で、位相ピット１０１の読み出しが可能な領域Ｐ
_X と、結晶化状態を保持して読み出しが殆ど不可能な領
域Ｐ_Z とが存在する。従って、図示のように同一スポッ
トＳＰ内に例えば２つの位相ピット１０１が存在してい
る場合においても、反射率が大なる領域Ｐ_X に存在する
１つの位相ピット１０１に関してのみその読み出しを行
うことができ、他の位相ピットに関しては、これが反射
率が極めて低い領域Ｐ_Z にあってこれの読み出しがなさ
れない。このように、同一スポットＳＰ内に複数の位相
ピット１０１が存在しても、単一の位相ピット１０１に
関してのみその読み出しを行うことができる。

【００６８】従って、上記読み出し光ビームの波長を
λ、対物レンズの開口数をＮＡとするとき、上記読み出
し光ビームの走査方向に直交する方向の記録信号の最短
の位相ピット間隔（いわゆるトラックピッチ）をスポッ
ト径の１／２以下としても良好な読み出しが行えること
が明らかであり、超高解像度をもって信号の読み出しを
行うことができ、記録密度、特にトラック密度の向上が
図れ、媒体記録容量を増大させることができる。

【００６９】さらに、本発明のように、レーザ光源から
の光ビームの光路中に、上記図２、図５、図７、図８あ
るいは図９に示すような光学素子を配置して、レーザ光
ビームの走査方向Ｘと直交する方向により鋭い温度分布
を持たせることにより、上記図１５のＡに示す反射率が
大なる領域Ｐ_X の同方向の幅をより狭くでき、隣接トラ
ックからのクロストークを大幅に低減できるわけであ
る。

【００７０】ところで、上述した例においては、相変化
材料層１０４が溶融状態のときに反射率が高く結晶状態
で低い膜厚等の諸条件を設定した場合であるが、各層の
構成、厚さ、相変化材料の構成、厚さ等の諸条件の選定
によって溶融状態においての反射率を低くし結晶状態に
おける反射率を高める構成とすることもでき、この場合
は、図１５で示したレーザ光スポットＳＰ内の高温領域
Ｐ_X 内に１つの位相ピット１０１が存在するようにし、
この領域Ｐ_X にある１つの位相ピット１０１からのみそ
の読み出しを行う構成とすることができる。また、レー
ザ光照射により温度が上昇して、例えば上記溶融非晶質
化領域Ｒ₃ に達すること等により、常温にまで冷却され
た状態では上記結晶化状態等の初期状態に戻らないよう
な不可逆的な相変化を生ずる場合であっても、何らかの
手段で初期化する操作を行えばよく、本発明の要旨から
逸脱するものではない。例えば、再生のためのレーザス
ポットの後に長円系のスポットを照射し、相変化材料層
１０４を上記溶融結晶化領域Ｒ₂ にまで加熱したり、融
点ＭＰ以下で結晶化温度以上の温度に加熱してやれば、
相変化材料層１０４は非晶質（アモルファス）状態から
結晶状態に復帰し、いわゆる初期化される。

【００７１】なお、上述した実施例においては、媒体の
相変化により反射率を変化させているが、反射率変化は
いかなる現象を利用したものであってもよく、例えば、
図１６に示す本発明のさらに他の実施例のように、干渉
フィルタにおける水分吸着による分光特性の変化を利用
して、温度によって反射率を変化させてもよい。

【００７２】すなわち、この図１６において、位相ピッ
ト１３１が形成された透明基板１３２上に、屈折率の大
きく異なる材料を、それぞれ厚さが再生光の波長λの１
／４となるように繰り返し成膜することにより干渉フィ
ルタが形成されてなるものである。本例では、屈折率の
大きく異なる材料として、ＭｇＦ層１３３（屈折率１．
３８）と、ＺｎＳ層１３４（屈折率２．３５）を採用し
た。勿論、これに限らず屈折率の差が大きくなる材料の
組合せであれば如何なるものであってもよく、例えば、
屈折率の小さなＳｉＯ（屈折率１．５）等が挙げられ、
また屈折率の大きな材料としてはＴｉＯ₂ （屈折率２．
７３）やＣｅＯ₂ （屈折率２．３５）等が挙げられる。

【００７３】上述のＭｇＦ層１３３やＺｎＳ層１３４は
蒸着形成されるが、これらを蒸着形成する際に、到達真
空度を例えば１０^-4 Torr 程度と通常よりも低く設定す
ると、膜構造がいわゆるポーラスなものとなり、そこに
水分が残留する。そして、この水分が残留した膜からな
る干渉フィルタにおいては、室温と水の沸点近くまで温
度を上げた時とで、例えば図１７に示すように、反射率
分光特性が大きく異なる。すなわち、室温では図中曲線
ｉで示すように波長λ_R を変曲点とする特性を示すのに
対して、沸点近くにまで温度を上げると、図中曲線iiで
示すように波長λ_H を変曲点とする特性になり、温度が
下がると再び曲線ｉで示す特性に戻るというように、急
峻な波長シフトが観察される。この現象は、水分が気化
することにより屈折率が大きく変わり、この影響で分光
特性が変化することによるものと考えられている。

【００７４】従って、再生光の光源の波長をこれら変曲
点λ_R 、λ_H の中間の波長λ₀ に選べば、室温時と加熱
時でダイナミックに反射率が変化することになる。

【００７５】本具体例では、この反射率変化を利用して
高密度再生を行う。高密度再生が可能となる原理は、前
述した図１５とともに説明した通りで、この場合には水
分が気化して波長シフトが起こった領域が高反射率領域
に相当し、温度が上昇していない部分がマスクされた形
となる。本例では温度が下がると反射率特性が元の状態
に戻るので、特別な消去操作は必要ない。

【００７６】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
るものではなく、例えば、上記遮光帯板や位相板等の光
学素子の位置は、レーザ光源から光磁気ディスク等の媒
体までの間のどの位置でもよく、例えば対物レンズの直
前（レーザ光源側）に配置するようにしてもよい。ま
た、例えば、上記光記録媒体としては、ディスク状のみ
ならず、カード状、シート状等の媒体にも本発明を適用
することができる。

【００７７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る光学ヘッド装置によれば、レーザ光の照射によ
り光磁気記録媒体あるいは反射率変化型光記録媒体上に
生じる温度分布を利用して、レーザ光のスポット内の信
号検出領域のみから信号を読み取る際に、レーザ光の出
射光路中に、レーザ光走査方向に直交する方向により鋭
い温度分布が得られるような光学素子を配置しているた
め、レーザ光スポット内の信号検出領域のレーザ光走査
方向に直交する方向の幅を狭くして隣接トラックからの
クロストークを低減でき、トラック密度を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例となる光学ヘッド装置の光学
系の概略構成を示す模式図である。

【図２】遮光帯板の概略正面図である。

【図３】媒体上のレーザ光のスポットのレーザ光走査方
向に直交する方向に沿った光強度分布を示す図である。

【図４】光磁気記録媒体上のレーザ光のスポットを概略
的に示す平面図である。

【図５】段差を有する位相板を示し、Ａは正面図、Ｂは
側面図である。

【図６】媒体上のレーザ光のスポットのレーザ光走査方
向に直交する方向に沿った光強度分布を示す図である。

【図７】透明圧電材料を用いた位相板を示し、Ａは正面
図、Ｂは側面図である。

【図８】透明圧電材料を用いた位相板の他の例を示し、
Ａは正面図、Ｂは側面図である。

【図９】レーザ光照射時に鋭い温度分布を得るための光
学素子の他の例を示す正面図である。

【図１０】本発明に係る光学ヘッドに対して使用可能な
光記録媒体の他の例となる相変化型光ディスクの一例の
要部を示す概略断面図である。

【図１１】上記相変化型光ディスクの他の例の要部を示
す概略断面図である。

【図１２】上記相変化型光ディスクのさらに他の例の要
部を示す概略断面図である。

【図１３】上記相変化型光ディスクの説明に供する相変
化状態を示す図である。

【図１４】上記相変化型光ディスクの説明に供する他の
相変化状態を示す図である。

【図１５】上記相変化型光ディスクの説明に供する読み
出し光スポットと温度分布との関係を示す図である。

【図１６】干渉フィルタを用いた反射率変化型の光ディ
スクの要部を示す概略断面図である。

【図１７】干渉フィルタにおける温度による反射率分光
特性の変化の様子を示す特性図である。

【図１８】レーザビームのスポット径と、再生可能な記
録ピットの記録密度との関係を示す図である。

【図１９】消去タイプの光磁気記録媒体、その再生方法
及び媒体の実質的な再生領域を説明するための図であ
る。

【図２０】浮き出しタイプの光磁気記録媒体、その再生
方法及び媒体の実質的な再生領域を説明するための図で
ある。

【図２１】光磁気記録媒体上のレーザ光のスポットを概
略的に示す平面図である。

【符号の説明】

１１・・・・・レーザ光源 １２・・・・・コリメータレンズ １３・・・・・ビームスプリッタ １４・・・・・対物レンズ １５・・・・・光磁気ディスク １６・・・・・集光レンズ １７・・・・・光検出器 １８・・・・・磁気ヘッド ２１・・・・・遮光帯板 ２２・・・・・遮光帯 ２６・・・・・段差を持つ位相板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 保田 宏一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも磁気的に結合されている再生
   層と記録保持層とを有してなる多層膜を記録層とし、上
   記記録保持層に信号が磁気記録され、上記再生層の磁化
   の向きが揃えられた状態の光磁気記録媒体に対して、上
   記再生層に光ビームを照射することにより当該再生層を
   加熱して上記記録保持層に磁気的に記録されている信号
   を上記再生層に転写しながら磁気光学効果により光学信
   号に変換して読み取る光学ヘッド装置において、上記読
   み出し光ビームの出射光路中に該読み出し光ビームの走
   査方向と直交する方向により鋭い温度分布を持たせる光
   学素子を配してなる光学ヘッド装置。
2. 【請求項２】 信号に応じて位相ピットが形成されると
   ともに温度によって反射率が変化する光記録媒体に対し
   て読み出し光ビームを照射し、読み出し光ビームの走査
   スポット内で反射率を部分的に変化させながら位相ピッ
   トを読み取るような光学ヘッド装置の信号再生方法にお
   いて、上記読み出し光ビームの出射光路中に該読み出し
   光ビームの走査方向と直交する方向により鋭い温度分布
   を持たせる光学素子を配してなる光学ヘッド装置。