JPH0564776B2 - - Google Patents
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- JPH0564776B2 JPH0564776B2 JP61025619A JP2561986A JPH0564776B2 JP H0564776 B2 JPH0564776 B2 JP H0564776B2 JP 61025619 A JP61025619 A JP 61025619A JP 2561986 A JP2561986 A JP 2561986A JP H0564776 B2 JPH0564776 B2 JP H0564776B2
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- film
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- -1 nitrogen-containing organosilicon compound Chemical class 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 3
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229940102396 methyl bromide Drugs 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- SIOVKLKJSOKLIF-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)acetamide Chemical compound C[Si](C)(C)OC(C)=N[Si](C)(C)C SIOVKLKJSOKLIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N bromoethane Chemical compound CCBr RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N iodoethane Chemical compound CCI HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロミツク素子に関する。更
に詳しくは、小型化しかつ全固体化したエレクト
ロクロミツク素子に関する。
に詳しくは、小型化しかつ全固体化したエレクト
ロクロミツク素子に関する。
三酸化タングステン（WO3）は、空気中では
きわめて安定であるが、これにマイナスの電位を
与えると無色から濃青色に着色し、更に逆のプラ
スの電位を印加すると再び無色となる性質を有し
ている。
きわめて安定であるが、これにマイナスの電位を
与えると無色から濃青色に着色し、更に逆のプラ
スの電位を印加すると再び無色となる性質を有し
ている。
エレクトロクロミツク素子は、このような三酸
化タングステンの発色および消色作用を利用し、
液晶と同様に時計の時刻表示や計測器の表示ある
いは昼間太陽光線下でも色にボケがみられないこ
とから指示板、交通標識などに用いられる素子で
ある。
化タングステンの発色および消色作用を利用し、
液晶と同様に時計の時刻表示や計測器の表示ある
いは昼間太陽光線下でも色にボケがみられないこ
とから指示板、交通標識などに用いられる素子で
ある。
ところで、現在実用化が検討されているエレク
トロミツク素子で最も一般的なものは、図面の第
２図に示されるようなセル中の電解液を封入した
ものである。即ち、ガラ製セル１１，１１′の内
面側に錫含有酸化インジウム薄膜１２，１２′を
形成させ、スペーサー１３，１３′で区画された
空間内に電解液１４を封入し、酸化インジウム薄
膜面に形成させた三酸化タングステン薄膜１５，
１５′が電解液と接するような構造を有している。
トロミツク素子で最も一般的なものは、図面の第
２図に示されるようなセル中の電解液を封入した
ものである。即ち、ガラ製セル１１，１１′の内
面側に錫含有酸化インジウム薄膜１２，１２′を
形成させ、スペーサー１３，１３′で区画された
空間内に電解液１４を封入し、酸化インジウム薄
膜面に形成させた三酸化タングステン薄膜１５，
１５′が電解液と接するような構造を有している。
しかしながら、このような構造を有するエレク
トロミツク素子では、電解液を封入しているた
め、液漏れの問題やカード化などフレキシビリテ
イを必要とする用途には不適であるという問題な
どがみられる。
トロミツク素子では、電解液を封入しているた
め、液漏れの問題やカード化などフレキシビリテ
イを必要とする用途には不適であるという問題な
どがみられる。
そこで、こうした問題点を解決するために、エ
レクトロクロミツク素子を全固体化することが検
討されているが、電解液に相当するような性能を
有する固体状の電解質材料が得られていないた
め、それの実用化が阻まれている。
レクトロクロミツク素子を全固体化することが検
討されているが、電解液に相当するような性能を
有する固体状の電解質材料が得られていないた
め、それの実用化が阻まれている。
本発明者らは、エレクトロクロミツク素子の全
固体化を図り、併せて小型化を達成せしめるため
に、電解質としての性能が満足される固体材料を
求めて種々検討した結果、ハロゲン化アルキルで
処理された含窒素有機けい素化合物プラズマ重合
膜が高分子電解質としてプロトンの良好な伝導性
を有することを見出し、それを用いることにより
上記課題が効果的に解決できることを見出した。
固体化を図り、併せて小型化を達成せしめるため
に、電解質としての性能が満足される固体材料を
求めて種々検討した結果、ハロゲン化アルキルで
処理された含窒素有機けい素化合物プラズマ重合
膜が高分子電解質としてプロトンの良好な伝導性
を有することを見出し、それを用いることにより
上記課題が効果的に解決できることを見出した。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕
従つて、本発明はエレクトロクロミツク素子に
係り、このエレクトロクロミツク素子は、一組の
錫含有酸化インジウム薄膜間に発・消色層として
の三酸化タングステン薄膜および電解質としての
ハロゲン化アルキルで処理された含窒素有機けい
素化合物プラズマ重合膜をそれぞれ挟着させてな
る。
係り、このエレクトロクロミツク素子は、一組の
錫含有酸化インジウム薄膜間に発・消色層として
の三酸化タングステン薄膜および電解質としての
ハロゲン化アルキルで処理された含窒素有機けい
素化合物プラズマ重合膜をそれぞれ挟着させてな
る。
５重量％程度の錫を含有する酸化インジウム薄
膜は、一般に絶縁性基板上の被膜として形成させ
て用いられる。絶縁性基板としては、三酸化タン
グステン薄膜の発・消色が確認できるように透明
なもの、好ましくは無色透明なものが用いられ、
具体的にはガラスプレート、プラスチツクシート
などが用いられる。このような絶縁性基板上への
酸化インジウム薄膜の被覆は、膜厚約1000〜5000
Åの薄膜を真空蒸着法、スパツタリング法などに
より形成させることにより行われる。
膜は、一般に絶縁性基板上の被膜として形成させ
て用いられる。絶縁性基板としては、三酸化タン
グステン薄膜の発・消色が確認できるように透明
なもの、好ましくは無色透明なものが用いられ、
具体的にはガラスプレート、プラスチツクシート
などが用いられる。このような絶縁性基板上への
酸化インジウム薄膜の被覆は、膜厚約1000〜5000
Åの薄膜を真空蒸着法、スパツタリング法などに
より形成させることにより行われる。
図面の第１図には、本発明に係るエレクトロク
ロミツク素子の一態様が断面図として示されてお
り、一組の錫含有酸化インジウム薄膜１，１′は
ガラスプレート２，２′上の被覆として形成させ、
用いられており、その一方の酸化インジウム薄膜
１の所定個所には、膜厚約1000〜5000Åの三酸化
タングステン薄膜３，３′が真空蒸着法によつて
形成され、また他方の酸化インジウム薄膜１′に
は、取出電極取付部分を除いてハロゲン化アルキ
ルで処理された含窒素有機けい素化合物プラズマ
重合膜４が形成されている。
ロミツク素子の一態様が断面図として示されてお
り、一組の錫含有酸化インジウム薄膜１，１′は
ガラスプレート２，２′上の被覆として形成させ、
用いられており、その一方の酸化インジウム薄膜
１の所定個所には、膜厚約1000〜5000Åの三酸化
タングステン薄膜３，３′が真空蒸着法によつて
形成され、また他方の酸化インジウム薄膜１′に
は、取出電極取付部分を除いてハロゲン化アルキ
ルで処理された含窒素有機けい素化合物プラズマ
重合膜４が形成されている。
プラズマ重合膜を形成させる含窒素有機けい素
化合物としては、例えばトリメチルシリルジメチ
ルアミン、トリエチルシラザン、ヘキサメチルジ
シラザン、ヘキサメチルクロトリシラザン、ビス
（トリメチルシリル）アセトアミドなどが用いら
れ、好ましくはトリメチルシリルジメチルアミン
が用いられる。
化合物としては、例えばトリメチルシリルジメチ
ルアミン、トリエチルシラザン、ヘキサメチルジ
シラザン、ヘキサメチルクロトリシラザン、ビス
（トリメチルシリル）アセトアミドなどが用いら
れ、好ましくはトリメチルシリルジメチルアミン
が用いられる。
通常用いられるプラズマ重合法によつて、絶縁
性基板上に約0.1〜1μｍの膜厚で形成させたこれ
らの化合物のプラズマ重合膜は、電気抵抗が高
く、通常は絶縁性の薄膜であるが、その表面を臭
化メチル、臭化エチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エ
チルなどのハロゲン化アルキルのガス、好ましく
は臭化メチルガスと、約40〜70℃の温度で約20〜
60時間程度接触させると、その抵抗値を下げるこ
とができる。これは、化学反応や拡散現象によ
り、膜中に臭素やヨウ素が取り込まれ、そのため
に親水性化されまた導電性が改善されるためと考
えられる。この結果、プロトンの良好な伝導性が
プラズマ重合膜に付与される。
性基板上に約0.1〜1μｍの膜厚で形成させたこれ
らの化合物のプラズマ重合膜は、電気抵抗が高
く、通常は絶縁性の薄膜であるが、その表面を臭
化メチル、臭化エチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エ
チルなどのハロゲン化アルキルのガス、好ましく
は臭化メチルガスと、約40〜70℃の温度で約20〜
60時間程度接触させると、その抵抗値を下げるこ
とができる。これは、化学反応や拡散現象によ
り、膜中に臭素やヨウ素が取り込まれ、そのため
に親水性化されまた導電性が改善されるためと考
えられる。この結果、プロトンの良好な伝導性が
プラズマ重合膜に付与される。
このように三酸化タングステン薄膜またはプラ
ズマ重合膜をそれぞれの表面に形成させた絶縁性
基板上の酸化インジウム薄膜は、図示された如
く、それぞれ少しづつずらした位置に対向させ、
非対向面部分に取出電極部分５，５′を取り付け
ると共にシリコン封入材（例えば電気電子用のト
ーレシリコン SE9145RTV）６，６′で固定お
よびシールすることにより、一組の酸化インジウ
ム薄膜１，１′間に三酸化タングステン薄膜およ
びプラズマ重合膜をそれぞれ挟着させる。
ズマ重合膜をそれぞれの表面に形成させた絶縁性
基板上の酸化インジウム薄膜は、図示された如
く、それぞれ少しづつずらした位置に対向させ、
非対向面部分に取出電極部分５，５′を取り付け
ると共にシリコン封入材（例えば電気電子用のト
ーレシリコン SE9145RTV）６，６′で固定お
よびシールすることにより、一組の酸化インジウ
ム薄膜１，１′間に三酸化タングステン薄膜およ
びプラズマ重合膜をそれぞれ挟着させる。
例えば、トリメチルシリルジメチルアミンのプ
ラズマ重合膜を臭化メチルガスで60℃、48時間の
処理を行なつたものを高分子電解質として、上記
のように構成させたエレクトロクロミツク素子に
±1.5Vの電位を与えると、WO3側に−1.5V印加
したときにはWO3薄膜が無色から濃青色に着色
し、更に逆に＋1.5V印加するとその色は無色に
戻る。この際の応答時間は、着色に５秒間、また
消色に1.5秒間と非常に迅速であつた。
ラズマ重合膜を臭化メチルガスで60℃、48時間の
処理を行なつたものを高分子電解質として、上記
のように構成させたエレクトロクロミツク素子に
±1.5Vの電位を与えると、WO3側に−1.5V印加
したときにはWO3薄膜が無色から濃青色に着色
し、更に逆に＋1.5V印加するとその色は無色に
戻る。この際の応答時間は、着色に５秒間、また
消色に1.5秒間と非常に迅速であつた。
エレクトロクロミツク素子の電解質部に導電性
のよいハロゲン化アルキル処理含窒素有機けい素
化合物プラズマ重合膜を用いることにより、素子
の小型化および全固体化が可能となつた。また、
エレクトロクロミツク素子をプラスチツクシート
基板上に形成させることにより、フレキシビリテ
イのある素子の作製を可能とする。
のよいハロゲン化アルキル処理含窒素有機けい素
化合物プラズマ重合膜を用いることにより、素子
の小型化および全固体化が可能となつた。また、
エレクトロクロミツク素子をプラスチツクシート
基板上に形成させることにより、フレキシビリテ
イのある素子の作製を可能とする。
第１図は、本発明に係るエレクトロクロミツク
素子の一態様の断面図である。また、第２図は、
従来技術のエレクトロクロミツク素子の断面図で
ある。 （符号の説明）、１……錫含有酸化インジウム
薄膜、２……絶縁性基板、３……三酸化タングス
テン薄膜、４……ハロゲン化アルキル処理含窒素
有機けい素化合物プラズマ重合膜。
素子の一態様の断面図である。また、第２図は、
従来技術のエレクトロクロミツク素子の断面図で
ある。 （符号の説明）、１……錫含有酸化インジウム
薄膜、２……絶縁性基板、３……三酸化タングス
テン薄膜、４……ハロゲン化アルキル処理含窒素
有機けい素化合物プラズマ重合膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一組の錫含有酸化インジウム薄膜間に、発・
消色層としての三酸化タングステン薄膜および電
解質としてのハロゲン化アルキルで処理された含
窒素有機けい素化合物プラズマ重合膜をそれぞれ
挟着させてなるエレクトロクロミツク素子。 ２ 錫含有酸化インジウム薄膜が絶縁性基板上の
被膜として形成されている特許請求の範囲第１項
記載のエレクトロクロミツク素子。 ３ 絶縁性基板がガラスプレートである特許請求
の範囲第２項記載のエレクトロクロミツク素子。 ４ 絶縁性基板がプラスチツクシートである特許
請求の範囲第２項記載のエレクトロクロミツク素
子。 ５ 含窒素有機けい素化合物のプラズマ重合膜が
トリメチルシリルジメチルアミンのプラズマ重合
膜である特許請求の範囲第１項記載のエレクトロ
クロミツク素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025619A JPS62183435A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025619A JPS62183435A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183435A JPS62183435A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH0564776B2 true JPH0564776B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=12170896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025619A Granted JPS62183435A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183435A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188736U (ja) * | 1986-05-20 | 1987-12-01 | ||
| JP4628741B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2011-02-09 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 反射調光エレクトロクロミック素子及びそれを用いたガラス |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61025619A patent/JPS62183435A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62183435A (ja) | 1987-08-11 |
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