JPH0563466A - マイクロホーン用高入力インピーダンス・低ノイズ増幅器 - Google Patents
マイクロホーン用高入力インピーダンス・低ノイズ増幅器Info
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- JPH0563466A JPH0563466A JP3058697A JP5869791A JPH0563466A JP H0563466 A JPH0563466 A JP H0563466A JP 3058697 A JP3058697 A JP 3058697A JP 5869791 A JP5869791 A JP 5869791A JP H0563466 A JPH0563466 A JP H0563466A
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- amplifier
- bipolar
- transistors
- transistor
- mos
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/265—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電話回線のマイクロホーン用の低ノイズで高
い入力インピーダンスを有し、低い電力供給電圧でも作
動できる主としてＣＭＯＳ技術に依る増幅器を提供す
る。 【構成】 増幅器は、各々が差動入力信号を受信するよ
うになっているベースと、コレクタと、第１固定電流源
Ｍ７，Ｍ８によってバイアスがかけられるエミッタとを
有した一対のバイポーラ入力トランジスタＱ１，Ｑ２
と、トランジスタＱ１，Ｑ２のエミッタを連結する負帰
還抵抗Ｒとを有し、トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタ
は、第２固定電流源Ｍ５，Ｍ６によって第１電流源Ｍ
７，Ｍ８のものよりも小さい電流で更にバイアスがかけ
られ、更に、各々のＭＯＳ増幅装置Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，
Ｍ４，ＲL の入力ターミナルに接続されている。
い入力インピーダンスを有し、低い電力供給電圧でも作
動できる主としてＣＭＯＳ技術に依る増幅器を提供す
る。 【構成】 増幅器は、各々が差動入力信号を受信するよ
うになっているベースと、コレクタと、第１固定電流源
Ｍ７，Ｍ８によってバイアスがかけられるエミッタとを
有した一対のバイポーラ入力トランジスタＱ１，Ｑ２
と、トランジスタＱ１，Ｑ２のエミッタを連結する負帰
還抵抗Ｒとを有し、トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタ
は、第２固定電流源Ｍ５，Ｍ６によって第１電流源Ｍ
７，Ｍ８のものよりも小さい電流で更にバイアスがかけ
られ、更に、各々のＭＯＳ増幅装置Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，
Ｍ４，ＲL の入力ターミナルに接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＭＯＳ技術、又はア
ナログ及びデジタルのミックス集積回路に含まれるミッ
クス技術（双ＣＭＯＳ，ＢＣＤ）でつくられ、特にマイ
クロホーン増幅器の技術分野で使用される高入力インピ
ーダンスを有した低ノイズ増幅器に関する。
ナログ及びデジタルのミックス集積回路に含まれるミッ
クス技術（双ＣＭＯＳ，ＢＣＤ）でつくられ、特にマイ
クロホーン増幅器の技術分野で使用される高入力インピ
ーダンスを有した低ノイズ増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の回路の集積方法の進展によって、
一つの集積回路上に益々多数のアナログとデジタルの機
能を集積できるようになってきた。このことは、電話通
信技術に於て特に顕著であり単一のミックス集積回路
（ＢＣＤ，双ＣＭＯＳ）にＭＯＳ技術のデジタル機能と
バイポーラ技術のアナログ機能とを結合することが最近
可能になった。
一つの集積回路上に益々多数のアナログとデジタルの機
能を集積できるようになってきた。このことは、電話通
信技術に於て特に顕著であり単一のミックス集積回路
（ＢＣＤ，双ＣＭＯＳ）にＭＯＳ技術のデジタル機能と
バイポーラ技術のアナログ機能とを結合することが最近
可能になった。
【０００３】しかし、公知の如く、バイポーラ技術は、
ＭＯＳ技術よりも高価であり、より広い面域を占有し、
より多くの電力を消費するものでありミックス技術は本
質的に複雑で高価なものである。他方、ＭＯＳ技術にお
いてアナログ機能又は増幅器を使用する事は、バイポー
ラ技術に比してこれら回路においてはノイズが大きいた
めに問題がある。もう一つ別な阻害要因としては、マイ
クロホーン増幅器に対して一般に利用され得る供給電圧
が低い（この電圧は電話線電流から引出されるために）
点にある。
ＭＯＳ技術よりも高価であり、より広い面域を占有し、
より多くの電力を消費するものでありミックス技術は本
質的に複雑で高価なものである。他方、ＭＯＳ技術にお
いてアナログ機能又は増幅器を使用する事は、バイポー
ラ技術に比してこれら回路においてはノイズが大きいた
めに問題がある。もう一つ別な阻害要因としては、マイ
クロホーン増幅器に対して一般に利用され得る供給電圧
が低い（この電圧は電話線電流から引出されるために）
点にある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、低
ノイズであって電話回路のマイクロホーン増幅器として
集積されるのに適した完全に又は主にＣＭＯＳ技術に依
る増幅器を提供することを目的としている。また更に、
高い入力インピーダンスを有した増幅器であって且つ
（たとえ３Ｖよりも小さくても）低い供給電圧でも作動
できる増幅器を提供するものである。
ノイズであって電話回路のマイクロホーン増幅器として
集積されるのに適した完全に又は主にＣＭＯＳ技術に依
る増幅器を提供することを目的としている。また更に、
高い入力インピーダンスを有した増幅器であって且つ
（たとえ３Ｖよりも小さくても）低い供給電圧でも作動
できる増幅器を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、これら目的及
び以下の説明で明らかになる他の目的及び長所を達成す
るもので、本発明差動増幅器は、各々が差動入力信号を
受信するようになっているベースと、コレクタと、それ
自身の第１固定電流源によってバイアスがかけられるエ
ミッタとを有した一対のバイポーラ入力トランジスタ
と、これら２個のバイポーラトランジスタのエミッタを
連結する負帰還抵抗とから構成されたものであって、上
記各バイポーラトランジスタのコレクタは、それ自身の
第２固定電流源によって上記第１電流源のものよりも小
さい電流で更にバイアスがかけられ、また更に上記２つ
のバイポーラトランジスタのコレクタは、各々のＭＯＳ
増幅装置の入力ターミナルに接続されていることを特徴
としている。
び以下の説明で明らかになる他の目的及び長所を達成す
るもので、本発明差動増幅器は、各々が差動入力信号を
受信するようになっているベースと、コレクタと、それ
自身の第１固定電流源によってバイアスがかけられるエ
ミッタとを有した一対のバイポーラ入力トランジスタ
と、これら２個のバイポーラトランジスタのエミッタを
連結する負帰還抵抗とから構成されたものであって、上
記各バイポーラトランジスタのコレクタは、それ自身の
第２固定電流源によって上記第１電流源のものよりも小
さい電流で更にバイアスがかけられ、また更に上記２つ
のバイポーラトランジスタのコレクタは、各々のＭＯＳ
増幅装置の入力ターミナルに接続されていることを特徴
としている。
【０００６】
【実施例】本発明を添付図面に図示された幾つかの好適
な実施例を参照にしてより詳細に説明するが本発明はこ
れらに限定されるものではない。
な実施例を参照にしてより詳細に説明するが本発明はこ
れらに限定されるものではない。
【０００７】従来技術の代表的なマイクロホーン回路を
図解した図１を参照にすると、抵抗Ｒ１，Ｒ２によって
バイアスがかけられ、差動出力を有したエレクトレット
マイクロホーンＥは、直流阻止用コンデンサＣ１，Ｃ２
を介して、入力抵抗Ｒ３，Ｒ４とフィードバック抵抗Ｒ
５とバイアス抵抗Ｒ６で演算増幅器Ａの２つの入力を駆
動する。本増幅器Ａは、低ノイズと低いひずみを有する
ものでなければならない。
図解した図１を参照にすると、抵抗Ｒ１，Ｒ２によって
バイアスがかけられ、差動出力を有したエレクトレット
マイクロホーンＥは、直流阻止用コンデンサＣ１，Ｃ２
を介して、入力抵抗Ｒ３，Ｒ４とフィードバック抵抗Ｒ
５とバイアス抵抗Ｒ６で演算増幅器Ａの２つの入力を駆
動する。本増幅器Ａは、低ノイズと低いひずみを有する
ものでなければならない。
【０００８】もし、増幅器がＣＭＯＳ技術で製造される
と、これは、低ノイズ性をもたすために非常に大きな入
力トランジスタとなり、望ましくない大きい面域を占め
ることとなる。更に、Ｒ３とＲ４とは、信号減衰を無く
するためにマイクロホーンの出力インピーダンスよりは
るかに高いもの（ほぼ１キロオーム）でなければなら
ず、またＲ５も、Ｒ３とＲ４よりはるかに高いものでな
ければならない（増幅器は、かなりのゲインをもたなけ
ればならない）ので、これらのことは、抵抗が回路の直
線性に直接影響を与えると云う事実によっても更に大幅
な面域を用意せねばならないことになる。公知の如く、
抵抗率の小さい材料で造られた抵抗は最も直線性に優れ
ているものであり、一般に、２０〜３０Ω／ｃｍ2 の比
抵抗を有するポリシリコン抵抗は、１〜４ＫΩ／ｃｍ2
の比抵抗を典型的に有するｎ−孔又はｐ−孔拡散をなし
た抵抗よりもはるかに直線性に優れたものと云われてい
る。
と、これは、低ノイズ性をもたすために非常に大きな入
力トランジスタとなり、望ましくない大きい面域を占め
ることとなる。更に、Ｒ３とＲ４とは、信号減衰を無く
するためにマイクロホーンの出力インピーダンスよりは
るかに高いもの（ほぼ１キロオーム）でなければなら
ず、またＲ５も、Ｒ３とＲ４よりはるかに高いものでな
ければならない（増幅器は、かなりのゲインをもたなけ
ればならない）ので、これらのことは、抵抗が回路の直
線性に直接影響を与えると云う事実によっても更に大幅
な面域を用意せねばならないことになる。公知の如く、
抵抗率の小さい材料で造られた抵抗は最も直線性に優れ
ているものであり、一般に、２０〜３０Ω／ｃｍ2 の比
抵抗を有するポリシリコン抵抗は、１〜４ＫΩ／ｃｍ2
の比抵抗を典型的に有するｎ−孔又はｐ−孔拡散をなし
た抵抗よりもはるかに直線性に優れたものと云われてい
る。
【０００９】低ノイズ増幅器のもう一つ別の公知の解決
策は、図２に図解されており、コレクタ抵抗ＲL と共に
またエミッタ負帰還抵抗Ｒと共に２つのトランジスタＴ
１，Ｔ２によって形成されたバイポーラ入力増幅器から
構成されている。バイポーラ技術又はＣＭＯＳ技術のい
ずれかによるトランジスタＴ１，Ｔ２は、固定電流源Ｉ
によってバイアスがかけられている。小さな信号に対す
る等価回路に基ずけば、次の比が増幅器のゲインとして
容易に得られる。
策は、図２に図解されており、コレクタ抵抗ＲL と共に
またエミッタ負帰還抵抗Ｒと共に２つのトランジスタＴ
１，Ｔ２によって形成されたバイポーラ入力増幅器から
構成されている。バイポーラ技術又はＣＭＯＳ技術のい
ずれかによるトランジスタＴ１，Ｔ２は、固定電流源Ｉ
によってバイアスがかけられている。小さな信号に対す
る等価回路に基ずけば、次の比が増幅器のゲインとして
容易に得られる。
【００１０】
【数１】
【００１１】ここで、βは、バイポーラトランジスタの
電流ゲインであり、ｒbeは、ベース−エミッタ間の全抵
抗である。βの高い値に対してはゲインは、約２ＲL ／
Ｒである。入力抵抗は、約２ｒbe＋βＲである。この場
合、もしβが余り大きくなければ、またもし過度に大き
なＲを除外すべきものとすれば、この値は比較的小さい
ものとなる。
電流ゲインであり、ｒbeは、ベース−エミッタ間の全抵
抗である。βの高い値に対してはゲインは、約２ＲL ／
Ｒである。入力抵抗は、約２ｒbe＋βＲである。この場
合、もしβが余り大きくなければ、またもし過度に大き
なＲを除外すべきものとすれば、この値は比較的小さい
ものとなる。
【００１２】図２の回路の低い入力インピーダンスの問
題を解消するために、関連した固定電流源を備えた２つ
の入力トランジスタがダーリントン接続を形成するよう
に付加されている図３の回路による回路に変更すること
が知られている。かくして、入力インピーダンスは、増
大されるが、しかし、電力供給部と接地部との間に挿入
された多数の構成部品は更により高度に小さい供給電圧
を必要とするし、またノイズも増大する。
題を解消するために、関連した固定電流源を備えた２つ
の入力トランジスタがダーリントン接続を形成するよう
に付加されている図３の回路による回路に変更すること
が知られている。かくして、入力インピーダンスは、増
大されるが、しかし、電力供給部と接地部との間に挿入
された多数の構成部品は更により高度に小さい供給電圧
を必要とするし、またノイズも増大する。
【００１３】図４は、本発明の好適な実施例に係る増幅
器を図解している。２つのＣＭＯＳトランジスタＭ１，
Ｍ２は、各々のバイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２によ
って駆動されている。これらバイポーラトランジスタ
は、（固定電圧ＶB2によって調節される）コレクタへの
電流源Ｍ５，Ｍ６によって且つエミッタへの電流源Ｍ
７，Ｍ８（固定電圧ＶB1によって調節される）によって
バイアスがかけられるようになっている。Ｍ７（又はＭ
８）によって与えられる電流は、Ｍ５（又はＭ６）によ
って与えられる電流よりも大きくなっており、またその
差電流は、トランジスタＭ１（又はＭ２）に流れる。Ｑ
１とＱ２のエミッタは、負帰還抵抗Ｒによって連結され
ている。Ｍ１とＭ２に流れる電流は、各ＣＭＯＳトラン
ジスタＭ３，Ｍ４に反映され、また各負荷抵抗ＲL に流
れる。
器を図解している。２つのＣＭＯＳトランジスタＭ１，
Ｍ２は、各々のバイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２によ
って駆動されている。これらバイポーラトランジスタ
は、（固定電圧ＶB2によって調節される）コレクタへの
電流源Ｍ５，Ｍ６によって且つエミッタへの電流源Ｍ
７，Ｍ８（固定電圧ＶB1によって調節される）によって
バイアスがかけられるようになっている。Ｍ７（又はＭ
８）によって与えられる電流は、Ｍ５（又はＭ６）によ
って与えられる電流よりも大きくなっており、またその
差電流は、トランジスタＭ１（又はＭ２）に流れる。Ｑ
１とＱ２のエミッタは、負帰還抵抗Ｒによって連結され
ている。Ｍ１とＭ２に流れる電流は、各ＣＭＯＳトラン
ジスタＭ３，Ｍ４に反映され、また各負荷抵抗ＲL に流
れる。
【００１４】かくして、関連した負荷抵抗ＲL ′と共に
２対のＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ３とＭ２，Ｍ４の各
々はＭＯＳ増幅装置を構成すると共に、これら２つのデ
バイスが一諸にされて差動増幅段を形成する。
２対のＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ３とＭ２，Ｍ４の各
々はＭＯＳ増幅装置を構成すると共に、これら２つのデ
バイスが一諸にされて差動増幅段を形成する。
【００１５】作動信号Ｖi1′，Ｖi2がトランジスタＱ
１，Ｑ２のベースに印加されると、これらのトランジス
タは、電圧フオロアーの如く作動する。従って、２次効
果を無視する。入力電圧Ｖi ＝Ｖi1−Ｖi2に等しい電圧
が抵抗Ｒに生じ電流Ｖi ／ＲはほとんどＭ１とＭ２にの
み流れる。と云うのはＱ１とＱ２の電流は電流源Ｍ５と
Ｍ６によって固定されており且つ入力信号による変化は
無視できる程度だからである。実際上Ｑ１とＱ２におけ
る電流変動は、Ｍ１とＭ２のゲート電圧を変化させるの
に必要とされるものに過ぎず（高インピーダンス点であ
る）これら２つのＭＯＳ構成部がＲに現われる電流変化
を吸収する。もしＭ１とＭ３（及びＭ２とＭ４）の大き
さが同じであれば、入力と出力の間の差動電圧ゲイン
は、βのかなり低い値に対しても２ＲL ／Ｒに非常に近
い事は明らかである。この値は、βが非常に高いものと
推定されていた図２の公知の回路で得られたものと同じ
である。
１，Ｑ２のベースに印加されると、これらのトランジス
タは、電圧フオロアーの如く作動する。従って、２次効
果を無視する。入力電圧Ｖi ＝Ｖi1−Ｖi2に等しい電圧
が抵抗Ｒに生じ電流Ｖi ／ＲはほとんどＭ１とＭ２にの
み流れる。と云うのはＱ１とＱ２の電流は電流源Ｍ５と
Ｍ６によって固定されており且つ入力信号による変化は
無視できる程度だからである。実際上Ｑ１とＱ２におけ
る電流変動は、Ｍ１とＭ２のゲート電圧を変化させるの
に必要とされるものに過ぎず（高インピーダンス点であ
る）これら２つのＭＯＳ構成部がＲに現われる電流変化
を吸収する。もしＭ１とＭ３（及びＭ２とＭ４）の大き
さが同じであれば、入力と出力の間の差動電圧ゲイン
は、βのかなり低い値に対しても２ＲL ／Ｒに非常に近
い事は明らかである。この値は、βが非常に高いものと
推定されていた図２の公知の回路で得られたものと同じ
である。
【００１６】従って、図４の回路は、図２の回路に代替
し得るものであるがはるかに高い入力インピーダンスの
長所をもつものである。実際、図２の回路に於いて、信
号Ｖｉに依って抵抗Ｒに流れる信号電流ＩR の全てが、
入力バイポーラトランジスタにも流れると考えれば上記
バイポーラトランジスタの信号に対するベース電流はＩ
R ／βに等しくなる。但しβは該バイポーラトランジス
タの電流ゲインである。一方、本発明に係る回路ではＩ
R のほんの１部分が（上述の如く）バイポーラトランジ
スタに到達し、従って上記トランジスタのベース電流
は、上記トランジスタのβによって割算されるＩR の同
じ分数に等しい。従って、小さな信号に対する入力イン
ピーダンスははるかに高くなる。小さな信号に対する等
価回路に基づけば図４の増幅器の入力抵抗Ｒｉが次の数
式によって与えられることが、容易にチェック出来る。
し得るものであるがはるかに高い入力インピーダンスの
長所をもつものである。実際、図２の回路に於いて、信
号Ｖｉに依って抵抗Ｒに流れる信号電流ＩR の全てが、
入力バイポーラトランジスタにも流れると考えれば上記
バイポーラトランジスタの信号に対するベース電流はＩ
R ／βに等しくなる。但しβは該バイポーラトランジス
タの電流ゲインである。一方、本発明に係る回路ではＩ
R のほんの１部分が（上述の如く）バイポーラトランジ
スタに到達し、従って上記トランジスタのベース電流
は、上記トランジスタのβによって割算されるＩR の同
じ分数に等しい。従って、小さな信号に対する入力イン
ピーダンスははるかに高くなる。小さな信号に対する等
価回路に基づけば図４の増幅器の入力抵抗Ｒｉが次の数
式によって与えられることが、容易にチェック出来る。
【００１７】
【数２】
【００１８】そして、ゲインＶo ／Ｖi は、次の式によ
って与えられる。
って与えられる。
【００１９】
【数３】
【００２０】ここで、ｇm1とｇm3とは、ＭＯＳトランジ
スタＭ１，Ｍ３の相互コンダクタンスであり、ｒds5
は、ＭＯＳトランジスタＭ５のドレインとソースの間の
抵抗である。ｇm3ｒds5 の値は、高く（仮にＭＯＳトラ
ンジスタが適当に大きさが決められると１００よりも確
かに高くなる）、更にβと掛け合される。従って入力イ
ンピーダンスは、非常に高く、またゲインは、２ＲL ／
Ｒに近いものとなる。
スタＭ１，Ｍ３の相互コンダクタンスであり、ｒds5
は、ＭＯＳトランジスタＭ５のドレインとソースの間の
抵抗である。ｇm3ｒds5 の値は、高く（仮にＭＯＳトラ
ンジスタが適当に大きさが決められると１００よりも確
かに高くなる）、更にβと掛け合される。従って入力イ
ンピーダンスは、非常に高く、またゲインは、２ＲL ／
Ｒに近いものとなる。
【００２１】本発明に係る回路の長所の一つは、図３の
ものと異なって、非常に小さな電力供給電圧に対しても
正しく作動できる点である。本装置をそれらの正しい作
動領域から離れることなく使用する最小電圧は実際、２
ボルトよりも低い。上述したようにバイポーラ入力トラ
ンジスタにおける入力信号Ｖｉに依る電流変動は非常に
小さいためひずみも非常に小さい。この理由に依って、
上記装置は非常に優れたリニア領域で作動し、また総合
ひずみは、エミッタ負帰還抵抗の直線性によって支配さ
れる。
ものと異なって、非常に小さな電力供給電圧に対しても
正しく作動できる点である。本装置をそれらの正しい作
動領域から離れることなく使用する最小電圧は実際、２
ボルトよりも低い。上述したようにバイポーラ入力トラ
ンジスタにおける入力信号Ｖｉに依る電流変動は非常に
小さいためひずみも非常に小さい。この理由に依って、
上記装置は非常に優れたリニア領域で作動し、また総合
ひずみは、エミッタ負帰還抵抗の直線性によって支配さ
れる。
【００２２】ノイズは完全にバイポーラ回路におけるも
のよりほんのわずか高いだけである。と云うのは主たる
ノイズは入力トランジスタのノイズであるが実際はバイ
ポーラであるためほとんどノイズを出さないからであ
る。特にＭＯＳトランジスタに依るノイズの増加は制限
されている。
のよりほんのわずか高いだけである。と云うのは主たる
ノイズは入力トランジスタのノイズであるが実際はバイ
ポーラであるためほとんどノイズを出さないからであ
る。特にＭＯＳトランジスタに依るノイズの増加は制限
されている。
【００２３】上記よりわかるように、本発明に係る回路
は、２つの入力バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２を除
いて全体的にＣＭＯＳトランジスタと抵抗とでつくられ
ている。従って、回路は、所謂ＢＣＤ技術のようなミッ
クスしたバイポーラ／ＣＭＯＳ技術で製造されるか、又
はＤＭＯＳ電源トランジスタが無い点からすると、より
簡単でより安価な双ＣＭＯＳ技術で製造される。トラン
ジスタＱ１，Ｑ２には高性能は要求されないと云う事実
から考えれば、例えば、１９８３年６月のソリッドステ
ート回路のＩＥＥＥジャーナルの第ＳＣ−１８巻の第３
においてＥｒｉｃＡ．Ｖｉｔｔｏｚ氏による『ラテラル
バイポーラモードで作動されるＭＯＳトランジスタとこ
れらのＣＭＯＳ技術における応用』の論文で述べられて
いるように、上記トランジスタは純粋にＣＭＯＳ技術内
でのラテラルバイポーラトランジスタとしてより経済的
に得ることができる。この可能性は、本発明の重要な長
所の一つである。
は、２つの入力バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２を除
いて全体的にＣＭＯＳトランジスタと抵抗とでつくられ
ている。従って、回路は、所謂ＢＣＤ技術のようなミッ
クスしたバイポーラ／ＣＭＯＳ技術で製造されるか、又
はＤＭＯＳ電源トランジスタが無い点からすると、より
簡単でより安価な双ＣＭＯＳ技術で製造される。トラン
ジスタＱ１，Ｑ２には高性能は要求されないと云う事実
から考えれば、例えば、１９８３年６月のソリッドステ
ート回路のＩＥＥＥジャーナルの第ＳＣ−１８巻の第３
においてＥｒｉｃＡ．Ｖｉｔｔｏｚ氏による『ラテラル
バイポーラモードで作動されるＭＯＳトランジスタとこ
れらのＣＭＯＳ技術における応用』の論文で述べられて
いるように、上記トランジスタは純粋にＣＭＯＳ技術内
でのラテラルバイポーラトランジスタとしてより経済的
に得ることができる。この可能性は、本発明の重要な長
所の一つである。
【００２４】本発明の好適な実施例について述べて来た
が、当業者は本発明の思想の範囲内において構成される
他の変更や変形を案出できよう。
が、当業者は本発明の思想の範囲内において構成される
他の変更や変形を案出できよう。
【００２５】請求範囲に記載した技術的特長はいずれも
参照符号によってフォローされている。これらの参照符
号は請求範囲の理解を助ける目的だけに使用されたに過
ぎず従って、例示的に定められたこのような参照符号
は、各構成要素の範囲に対し何ら限定的効果を有するも
のではない。
参照符号によってフォローされている。これらの参照符
号は請求範囲の理解を助ける目的だけに使用されたに過
ぎず従って、例示的に定められたこのような参照符号
は、各構成要素の範囲に対し何ら限定的効果を有するも
のではない。
【００２６】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明に依れば、低ノ
イズで、従って電話回路のマイクロホーン増幅器として
集積されるのに適した完全に又は主として、ＣＭＯＳ技
術に依る増幅器を提供し、高い入力インピーダンスを有
した増幅器を提供し、更に低い電力供給電圧でも（３Ｖ
以下でも）作動できる増幅器を提供する。
イズで、従って電話回路のマイクロホーン増幅器として
集積されるのに適した完全に又は主として、ＣＭＯＳ技
術に依る増幅器を提供し、高い入力インピーダンスを有
した増幅器を提供し、更に低い電力供給電圧でも（３Ｖ
以下でも）作動できる増幅器を提供する。
【図１】従来技術に係るマイクロホーン回路の回路線図
である。
である。
【図２】従来技術に係るバイポーラマイクロホーン用増
幅器の回路線図である。
幅器の回路線図である。
【図３】従来技術に係るもう一つ別なバイポーラマイク
ロホーン用増幅器の回路線図である。
ロホーン用増幅器の回路線図である。
【図４】本発明の好適な実施例に係るマイクロホーン用
増幅器の回路線図である。
増幅器の回路線図である。
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，…ＭＯＳトランジスタ Ｍ５，Ｍ６…第２固定電流源 Ｍ７，Ｍ８…第１固定電流源 Ｑ１，Ｑ２…バイポーラ入力トランジスタ Ｒ…負帰還抵抗 ＲL …負荷抵抗
Claims (5)
- 【請求項１】 各々が差動入力信号を受信するようにな
っているベースと、コレクタと、それ自身の第１固定電
流源（Ｍ７，Ｍ８）によってバイアスがかけられるエミ
ッタとを有した一対のバイポーラ入力トランジスタ（Ｑ
１，Ｑ２）と、これら２個のバイポーラトランジスタの
エミッタを連結する負帰還抵抗（Ｒ）とから構成された
差動増幅器において、上記各バイポーラトランジスタの
コレクタは、それ自身の第２固定電流源（Ｍ５，Ｍ６）
によって上記第１電流源のものよりもより小さい電流で
更にバイアスがかけられ、また上記２つのバイポーラト
ランジスタのコレクタは、更に、各々のＭＯＳ増幅装置
（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，ＲL ）の入力ターミナルに
接続されていることを特徴とする増幅器。 - 【請求項２】 上記ＭＯＳ増幅装置の各々は、各々の電
流源を接地し、各々のゲートを入力ターミナルとして作
用するように共に接続した一対のＭＯＳトランジスタ
（Ｍ１，Ｍ３，Ｍ２，Ｍ４）から構成されており、該Ｍ
ＯＳトランジスタの一つのドレインが上記第１電流源に
接続されると共に他方のＭＯＳトランジスタのドレイン
が供給電圧に接続された負荷抵抗（ＲL ）によってバイ
アスがかけられることを特徴とする請求項１記載の増幅
器。 - 【請求項３】 双ＣＭＯＳ技術でつくられていることを
特徴とする請求項１記載の増幅器。 - 【請求項４】 ＢＣＤ技術でつくられていることを特徴
とする請求項１記載の増幅器。 - 【請求項５】 ＣＭＯＳ技術だけでつくられており、上
記バイポーラトランジスタは、横型バイポーラトランジ
スタであることを特徴とする請求項１記載の増幅器。
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