JPH0563145A - 抵抗素子 - Google Patents

抵抗素子

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JPH0563145A
JPH0563145A JP18282291A JP18282291A JPH0563145A JP H0563145 A JPH0563145 A JP H0563145A JP 18282291 A JP18282291 A JP 18282291A JP 18282291 A JP18282291 A JP 18282291A JP H0563145 A JPH0563145 A JP H0563145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistors
polysilicon
resistance
resistor
shape
Prior art date
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Pending
Application number
JP18282291A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Morito
宏 森戸
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】半導体基板上に多数の抵抗体1が連続的に配列
され、これら抵抗体の平面形状が三角形または多角形を
有し、これら三角形または多角形の二辺にはそれぞれコ
ンタクトホール2が形成されている。 【効果】三角形又は多角形の形状を有する抵抗体を設け
たことにより、同一形状の抵抗素子によるおり返しを有
する配置を可能とし、従来ではラダー状に配置された抵
抗等の相対精度低下の要因となっていたコンタクト抵抗
をラダー内より排除して、高精度が確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は抵抗素子に係り、特に半
導体基板上に形成される抵抗層に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、アナログ・ディジタル変換器(以
下ADCと称す)や、ディジタル・アナログ変換器(以
下DACと称す)等において、その基準電圧、ないしは
変換電圧を発生するのに、複数の抵抗をラダー状に接続
して用いることが行なわれてきた。
【0003】図6は、そうしたラダー状に接続された抵
抗の一例を示す回路図である。
【0004】図6において、複数の抵抗7はカスケード
に接続され、その両端は基準電圧源6と接地間を結び、
抵抗7の各接続点は各々スイッチ8を介して、出力端子
9に接続されている。
【0005】図6のラダー状に接続された抵抗7が、A
DC,DACに用いられるときは、任意のディジタル量
に基づき、スイッチ8のいずれか一つが導通状態とな
り、抵抗7の接続点のうち、いずれか一つの点が電位を
出力端子9へ伝え、これを基準電位ないし変換電圧とし
て用いる。
【0006】図7は、図6のラダー状に接続された抵抗
の従来用いられてきた形状を示す平面図である。
【0007】図7において、ポリシリコン抵抗1は長方
形に型どられ、その長辺の両端付近に、長方形のコンタ
クトホール2が各々形成されている。
【0008】図8は、図7のポリシリコン抵抗1を複数
用いてラダー状に接続した平面図で、長方形に型どられ
たポリシリコン抵抗1を複数ならべ、そのコンタクトホ
ール2間を各々アルミニウム配線3を用いて接続し、こ
れをさらにスイッチ8と結ぶための引き出し線としてい
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図6の回路において、
ADC,DACに用いられる電位の精度は抵抗7相互の
相対精度である。
【0010】また、一方、図8に示されるラダー状に接
続された抵抗列の等価回路は、図9となる。
【0011】即ち、図9において、一つの抵抗層はポリ
シリコン抵抗により形成されるポリシリコン等価抵抗4
の1つと、二つのコンタクト抵抗5により形成され、こ
れらは全てカスケードに接続され、コントクト5の接続
点をもってスイッチへの引き出し線としている。
【0012】こうした構造においてADC,DACに供
される電位の精度は、ポリシリコン抵抗4と二つのコン
タクト抵抗5との和の相対精度によることとなるが、コ
ンタクト抵抗5は金属とポリシリコンの接触抵抗であ
り、かつ、これはポリシリコン中に偶発的に発生する金
属とシリコンの共晶によるため、各コンタクトにおける
抵抗に大幅なばらつきを生じ、発生電圧の精度を低下さ
せることとなる。
【0013】こうした問題を回避するには、図8の各ポ
リシリコン抵抗1を接触させ配置し、ラダー状の接続は
ポリシリコン層のみで形成し、スイッチ8への引き出し
のみコンタクトを介して行う構成が考えられる。
【0014】何故ならばADC,DACは一般に基準と
なる電位は必要とするが、電流は欲しないため、電位発
生点からADC,DACの間に配置される抵抗はその精
度低下の要因とならないためである。
【0015】ところが、こうした構造は新たな問題を引
きおこす。
【0016】すなわち、一般にnビットのADC,DA
Cを構成するに必要とするポリシリコン抵抗1は2n
必要であり、一般にnは6〜18となるが、この数の抵
抗をポリシリコン抵抗端を接触して接続するには全て直
線上に配置しなくてはならない。
【0017】あえて、これを複数列に分解しようとする
と、各列の接続点において、ふたたびコンタクト抵抗を
引き込むが、一部のポリシリコン抵抗の形状変更を余儀
なくされ、相対精度を失う原因となる。
【0018】本発明の目的は、前記問題点を解決し、高
精度で抵抗を配列できるようにした抵抗素子を提供する
ことにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の抵抗素子の構成
は、半導体基板上に多数の抵抗体が連続的に配列され、
前記抵抗体の平面形状が三角形または多角形を有し、前
記三角形または多角形の二辺にはそれぞれコンタクトホ
ールが形成されていることを特徴とする。
【0020】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0021】図1は本発明の第1の実施例の抵抗素子を
示す平面図である。
【0022】図1において、本実施例は、ポリシリコン
抵抗1が台形に型どられ、2つの斜辺同士のなす角は9
0°である。このようなポリシリコン抵抗1が、組み合
わされる。また、右斜辺を中心とするように、平行四辺
形状のコンタクトホール2が形成されているが、便宜
上、コンタクトホール2は各々半分のみが示されてい
る。
【0023】図2は図1の第1の実施例を複数用いてラ
ダー状に配置した平面図であり、直線部において、ポリ
シリコン抵抗1,1′に示すように、隣接するポリシリ
コン抵抗は、互いに180°回転しており、全体として
帯状に配列された形状となり、おり返し部では、ポリシ
リコン抵抗1,1″に示すように、矢羽根のコンタクト
ホール2となる。
【0024】このように配置された抵抗列では、ポリシ
リコン抵抗1,1′,1″等の各抵抗素子の形状は全て
同一であり、特におり返し点での形状変更が不要となっ
ている。
【0025】また、このように構成された図2のラダー
状抵抗の等価回路は、図3となる。
【0026】図3において、ポリシリコン等価抵抗4は
全てカスケードに接続され、コンタクト抵抗5はポリシ
リコン等価抵抗4の各共通接続点とスイッチ8への引き
出し線を介するように配置され、前述のように、一般に
ADC,DACは電流を必要としないため、ADC,D
ACに供される電位の精度はポリシリコン等価抵抗の相
対精度のみにより決定されることとなる。
【0027】図4は本発明の第2の実施例による抵抗素
子を示す平面図である。
【0028】図4においてポリシリコン抵抗1は台形に
型どられ、2つの斜辺同士のなす角は60°である。
【0029】また、各斜辺を中心に平行四辺形状のコン
タクトを有する点は、図1の実施例と同じである。
【0030】さらに、図5は図4の実施例による抵抗素
子を用いて、ラダー状に配置した平面図であり、ポリシ
リコン抵抗1,1′の配置手順は図2の応用図と同様で
あり、同一形状のポリシリコン抵抗1,1′,1″から
なる抵抗素子を用いており返しを持つ配置が得られる。
【0031】図10は本発明の第3の実施例の抵抗素子
を示す平面図である。
【0032】図10において、本実施例では、正三角形
の抵抗体1の二辺にコンタクトホール2が、2つ各々1
20°の回転対称となるように形成されている。
【0033】図11は複数の図10の一実施例を応用に
即して配置した平面図であり、各抵抗体1はコンタクト
ホール2の形成された辺を接することにより接続され、
その接続により形成される六角形状のコンタクトホール
2を分割電位の引き出し口としている。
【0034】こうした構成において、形成されるコンタ
クトホールは直線状に配置された場合においても、回転
部に配置された場合においても、120°回転したコン
タクトホール同士の合成形状となり、かつ−回転方向を
正とすれば120°回転においても−120°回転にお
いても必要とする抵抗形状が得られることから、同一の
コンタクトホール形状を得ることが可能となる。
【0035】即ち、直線部と回転部の抵抗体精度を狂わ
せる原因をなくした。
【0036】図12は本発明の第4の実施例の抵抗形状
を示す平面図であり、全ての内角が120°となり、か
つ3本づつの辺の長さが等しい六角形のポリシリコン2
の2辺の60°の交差角を有する2辺に接して台形状の
コンタクトホール2が作られている。
【0037】図13は図12の実施例による抵抗体を複
数、応用に即して配置した平面図であり、各々の抵抗体
1はコンタクトホール2の形成された辺を接することに
より接続され、この接続により新たに形成される六角形
状のコンタクトホールを分割電位の引き出し線としてい
る。この図13の一実施例においても、図10の実施例
と同様であるため詳述はさけるが、コンタクトホール形
状は直線部,回転部のいずれにおいても同一のものが得
られる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、三角形
又は多角形の形状を有する抵抗体を設けたことにより、
同一形状の抵抗素子によるおり返しを有する配置を可能
とし、従来ではラダー状に配置された抵抗等の相対精度
低下の要因となっていたコンタクト抵抗をラダー内より
排除して、高精度が確保できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の抵抗素子の平面図であ
る。
【図2】図1の実施例を配置した一例を示す平面図であ
る。
【図3】図2により構成される抵抗アレーの回路図であ
る。
【図4】本発明の第2の実施例の平面図である。
【図5】図4の実施例を配置した一例を示す平面図であ
る。
【図6】抵抗アレーによるディジタル・アナログ変換器
の原理を説明するための回路図である。
【図7】従来の抵抗形状を示す平面図である。
【図8】図7の従来例を配置した一例を示す平面図であ
る。
【図9】図8により構成される抵抗アレーの回路図であ
る。
【図10】本発明の第3の実施例の抵抗素子の平面図で
ある。
【図11】図10の実施例を配置した一例を示す平面図
である。
【図12】本発明の第4の実施例の抵抗素子の平面図で
ある。
【図13】図12の実施例を配置した一例を示す平面図
である。
【符号の説明】
1,1′,1″ ポリシリコン抵抗 2 コンタクトホール 3 アルミニウム配線 4 ポリシリコン等価抵抗 5 コンタクト抵抗 6 基準電圧源 7 抵抗 8 スイッチ 9 出力端子

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板上に多数の抵抗体が連続的に
    配列され、前記抵抗体の平面形状が三角形または多角形
    を有し、前記三角形または多角形の二辺にはそれぞれコ
    ンタクトホールが形成されていることを特徴とする抵抗
    素子。
  2. 【請求項2】 二辺がなす角度が、30°の整数倍(×
    1,×2,×3)である請求項1記載の抵抗素子。
  3. 【請求項3】 抵抗体が、半導体基板上に形成された拡
    散型抵抗,金属型抵抗,ポリシリコン型抵抗のうちのい
    ずれかである請求項1記載の抵抗素子。
  4. 【請求項4】 抵抗体が、アナログ・ディジタル変換器
    またはディジタル・アナログ変換器の構成要素である請
    求項1記載の抵抗素子。
  5. 【請求項5】 コンタクトホールの平面形状が、互いに
    回転対称となるようになっている請求項1記載の抵抗素
    子。
JP18282291A 1990-11-08 1991-07-24 抵抗素子 Pending JPH0563145A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18282291A JPH0563145A (ja) 1990-11-08 1991-07-24 抵抗素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30345990 1990-11-08
JP2-303459 1990-11-08
JP18282291A JPH0563145A (ja) 1990-11-08 1991-07-24 抵抗素子

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JPH0563145A true JPH0563145A (ja) 1993-03-12

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ID=26501478

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JP18282291A Pending JPH0563145A (ja) 1990-11-08 1991-07-24 抵抗素子

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JP (1) JPH0563145A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0851438A1 (en) * 1996-12-31 1998-07-01 Lucent Technologies Inc. Resistor string with equal resistance resistors and converter incorporating the same
JP2008146028A (ja) * 2006-11-02 2008-06-26 Nec Electronics Corp マルチレベル電圧発生器、データドライバ、及び液晶表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0851438A1 (en) * 1996-12-31 1998-07-01 Lucent Technologies Inc. Resistor string with equal resistance resistors and converter incorporating the same
US5977897A (en) * 1996-12-31 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Resistor string with equal resistance resistors and converter incorporating the same
JP2008146028A (ja) * 2006-11-02 2008-06-26 Nec Electronics Corp マルチレベル電圧発生器、データドライバ、及び液晶表示装置

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