JPH0563028A

JPH0563028A - 半導体装置の接合方法

Info

Publication number: JPH0563028A
Application number: JP2104792A
Authority: JP
Inventors: Yukio Kashio; 幸雄樫尾; Hisashi Masaki; 久士正木; Kazuhiro Sugiyama; 和弘杉山; Toshiyoshi Deguchi; 敏良出口; Toshiharu Tamaki; 敏晴玉木; Yoshio Yarita; 好男鑓田; Yoshinori Atsumi; 好則厚見
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1992-02-06
Filing date: 1992-02-06
Publication date: 1993-03-12
Anticipated expiration: 2009-12-21
Also published as: JPH06105728B2

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置のパッド上に高価な金バンプを設け
ずとも接合を可能とし、以って、大巾なコストの低減を
はかる。【構成】基板１の各端子２ａ上に導電性インク２０を被
着すると共に半導体装置１０と基板１間に絶縁性接着剤
３ａ中に導電性粒子４を含有させた接合材（異方導電性
接着剤）３を介在させ、半導体装置１０の各パッド１１
と基板１の各端子２ａを位置合わせして、半導体装置１
０と基板１とを相対的に押圧し、基板１の各端子２ａを
それぞれ半導体装置１０の対応する各パッド１１に前記
導電性粒子４を介して導通接続し且つ前記絶縁性接着剤
３ａにより半導体装置１０を基板１に接着接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置と基板の
接合方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩペレット等の半導体装置を配線基
板に取付ける方法としては、一般に、半導体装置の外部
回路接続パッド上に設けた金バンプと配線基板面の半導
体装置接続端子とをワイヤボンディングにより接続する
方法が広く利用されているが、この方法は、ワイヤボン
ディングに時間がかかるとともに、ボンディングワイヤ
として高価な金ワイヤ等を使用しなければならないか
ら、最近では、半導体装置を配線基板面に直接接合する
方法が採用されるようになってきている。

【０００３】半導体装置を配線基板面に直接接合する方
法としては、従来、半導体装置の主面に形成されている
複数の外部回路接続パッドの表面に金をメッキして金バ
ンプを形成するとともに、この半導体装置の各金バンプ
と対応する複数の半導体装置接続端子を配列形成した基
板面に前記各端子の上から異方導電性接着剤を塗布し、
この異方導電性接着剤の上から基板面に半導体装置を重
ねて半導体装置と基板とを相対的に押圧することによ
り、半導体装置と基板とをその各バンプとを導通させて
接着する方法が採用されている。

【０００４】なお、前記異方導電性接着剤は、絶縁性接
着剤中に導電性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し
合わないような割合で混入したもので、この異方導電性
接着剤からなる接着剤層は、厚さ方向には導通性を示す
が面方向（横方向）には絶縁性をもっているから、半導
体装置と配線基板との接合面に異方導電性接着剤を介在
させて半導体装置と基板とを相対的に押圧すると、半導
体装置の各バンプと基板の各端子とが導通（導電性粒子
を介して導通）される。

【０００５】また、上記接合方法において、半導体装置
の外部回路接続パッドの表面に金バンプを設けているの
は、半導体装置のパッドは一般に半導体装置の表面に各
パッド対応部のみを開口して被覆された保護膜から没入
しているため、金バンプによって保護膜より突出させて
基板の端子との接触を容易にするためとパッドの酸化に
よる導通不良の発生を防止するためである。

【０００６】すなわち、上記接合方法は、半導体装置を
直接基板面に接着接合するもので、この接合方法によれ
ば、ワイヤボンディングに比べて、短時間で能率よくか
つ低コストに半導体装置を基板に取付けることができ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、上記のように、半導体装置のパッド上に高価な金バ
ンプを設けているために、半導体装置がかなり高価とな
るものであり、また、半導体装置にバンプを形成するこ
とは、半導体ウエハの加工工程を増加させることとな
り、仕掛り率の増大と歩留まりの低下をもたらすことに
直結し、これらの理由によって大巾なコストダウンをは
かることができなかった。

【０００８】この発明は上記のような実情にかんがみて
なされたものであって、その目的とするところは、半導
体装置のパッド上に高価な金バンプを設けずとも接合を
可能とし、以って、大巾なコストの低減をはかることが
できる半導体装置と基板の接合方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明は、基板の各端
子上に導電性インクを被着すると共に半導体装置と基板
間に絶縁性接着剤または異方導電性接着剤を介在させ、
前記半導体装置の各パッドと前記基板の各端子を位置合
わせして、前記半導体装置と前記基板とを相対的に押圧
し、前記基板の各端子をそれぞれ前記半導体装置の対応
する各パッドに直接または前記異方導電性接着剤中に含
有される導電性粒子を介して導通接続し且つ前記絶縁性
接着剤または前記異方導電性接着剤により前記半導体装
置を前記基板に接着接合するようにしたものである。

【００１０】

【作用】このような接合方法では、基板の各端子上に導
電性インクを被着しているから半導体装置の各パッド上
にバンプを形成せずとも基板の端子と半導体装置のパッ
ドとの導通接続が可能であり、また導電性インクは半導
体装置の各パッドを被覆するから酸化を防ぐことができ
且つ金に比べて安価で喪あるので、大巾なコスト低減が
可能となる。

【００１１】

【実施例】以下、この発明の第１の実施例を図面を参照
して説明する。

【００１２】図１および図２は半導体装置例えばＬＳＩ
ペレットを配線基板面に接合した状態を示したもので、
図中１は配線基板（基板）であり、この配線基板１面に
は図６に示すように多数の配線２，２，…が形成されて
いる。この各配線２，２，…は、配線基板１のＬＳＩペ
レット接合部から導出されており、各配線２，２，…の
ＬＳＩペレット接合部側の端部は、ＬＳＩペレット１０
の主面（配線基板接合面）に配列形成されている多数の
外部回路接続パッド１１，１１，…とそれぞれ対応する
ＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…とされている。

【００１３】また、２０，２０，…は前記ＬＳＩペレッ
ト１０の各パッド１１，１１，…の表面に被着されたカ
ーボンインク（導電性インク）であり、このカーボンイ
ンク２０，２０，…は、前記各パッド１１，１１，…の
表面を完全に覆うように、各パッド１１，１１，…より
若干広巾に被着されている。なお、図２において、１２
はＬＳＩペレット１０の基材（ここではＮ型基材）、１
３はＰ型拡散層、１４はＮ型拡散層であり、これら拡散
層１３，１４が形成されたペレット主面には酸化シリコ
ン（Ｓi Ｏ₂）からなる絶縁膜１５が形成され、その上
にはアルミニウムからなる配線１６が形成されている。
この配線１６は、前記絶縁膜１５に設けた開口部におい
て前記拡散層１３，１４のうちの所定の拡散層と導通さ
れており、この配線１６の導出端は外部回路接続パッド
１１とされている。１７は前記配線１６を覆う酸化シリ
コンからなる絶縁保護膜であり、この保護膜１７は、前
記パッド１１部分を除いてチップ全面に形成されてい
る。

【００１４】一方、３は前記配線基板１面のＬＳＩチッ
プ接合部に、全てのＬＳＩペレット接続端子２ａ，２
ａ，…を覆うように形成されたＬＳＩペレット接合材
（異方導電性接着剤）であり、この接合材３は、ＬＳＩ
ペレット接合部にその全面にわたって均一に塗布した絶
縁性接着剤３ａ中に、多数の導電性粒子４，４，…を埋
込んだものである。この導電性粒子４，４，…は、ＬＳ
Ｉペレット１０の各パッド１１，１１，…上に被着した
カーボンインク２０，２０，…と配線基板１面のＬＳＩ
ペレット接続端子２ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも
小さく、かつ前記カーボンインク２０，２０，…間の間
隔とＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…間の間隔と
いずれよりも小さい粒径のものとされており、この導電
性粒子４，４，…は、絶縁性接着剤３ａ中に、前記カー
ボンインク２０，２０，…とＬＳＩペレット接続端子２
ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも小さい間隔で等間隔
に埋込まれている。なお、この導電性粒子４，４，…と
しては、例えばニッケル粒子を金メッキしたものや、銅
粒子を金または銀メッキしたもの等がある。

【００１５】そして、前記ＬＳＩペレット１０は、その
各パッド１１，１１，…上に被着したカーボンインク２
０，２０，…と配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…と
を接合材３中の導電性粒子４，４，…により導通させた
状態で、図１および図２に示すように前記接合材３の絶
縁性接着剤３ａにより配線基板１面に接着接合されてい
る。

【００１６】なお、図１および図２において、３０は配
線基板１面に接合されたＬＳＩペレット１０をモールド
するエポキシ樹脂等のモールド樹脂であり、およびこの
モールド樹脂３０は、ＬＳＩペレット１０の接合後に塗
布されたものである。次に、配線基板１面にＬＳＩペレ
ット１０を接合する方法を説明する。

【００１７】この接合方法は、ＬＳＩペレット１０の各
パッド１１，１１，…の表面にカーボンインク２０，２
０，…を被着し、配線基板１面に前記接合材３を形成し
た後に、ＬＳＩペレット１０をその各パッド１１，１
１，…を配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…と対向さ
せて前記接合材３により配線基板１面に接着するもの
で、ＬＳＩペレット１０の各パッド１１，１１，…表面
へのカーボンインク２０，２０，…の被着および配線基
板１面への接合材３の形成は次のようにして行なわれ
る。

【００１８】すなわち、図４はＬＳＩペレット１０の各
パッド１１，１１，…の表面にカーボンインク２０，２
０，…を被着する方法の一例を示したもので、このカー
ボンインク２０，２０は次のようにしてＬＳＩペレット
１０の各パッド１１，１１，…上に被着される。

【００１９】まず、図４（ａ）に示すように、平坦なプ
レート４０の上面にカーボンインク２０を均一厚さに塗
布し、このカーボンインク２０の上に、ＬＳＩペレット
１０のパッド１１，１１，…より若干広巾な多数の凸部
４１ａ，４１ａ，…をＬＳＩペレット１０の各パッド１
１，１１，…と対応する間隔で突設した凸版部材４１を
図４（ｂ）に示すように押付けて、凸版部材４１の各凸
部４１ａ，４１ａ，…にカーボンインク２０を付着させ
る。

【００２０】この後は、凸版部材４１を図４（ｃ）に示
すように引上げて、この凸版部材４１をその各凸部４１
ａ，４１ａをＬＳＩペレット１０の各パッド１１，１
１，…と対向させて図４（ｄ）に示すようにＬＳＩペレ
ット１０に押付け、凸版部材４１の各凸部４１ａ，４１
ａ，…に付着しているカーボンインク２０，２０，…を
ＬＳＩペレット１０の各パッド１１，１１，…の表面に
被着させた後に、凸版部材４１を引上げてから、各パッ
ド１１，１１，…の表面に被着させたカーボンインク２
０，２０，…を乾燥させる。また、図５は配線基板１面
にＬＳＩペレット接合材３を形成する方法の一例を示し
たもので、この接合材３は次のようにして形成される。

【００２１】まず、各配線２，２，…およびＬＳＩペレ
ット接続端子２ａ，２ａ，…等を形成した配線基板１面
に、そのＬＳＩペレット接合部全体にわたって絶縁性接
着剤３ａを図５（ａ）に示すように均一厚さに塗布す
る。なお、この絶縁性接着剤３ａは、この絶縁性接着剤
３ａ中に埋込まれる導電性粒子４，４，…のうちの最大
粒子の粒径に応じて、例えば最大粒子の粒径が４０μで
ある場合は端子２ａ，２ａ上の層厚が４０〜６０μ程度
になるように塗布する。

【００２２】次に、この絶縁性接着剤３ａの塗布層の上
に図５（ｂ）に示すようにメッシュスクリーン５を載置
する。このメッシュスクリーン５は、テトロン等の樹脂
繊維か、またはエッチング等により微細な開口を形成し
たステンレス等の薄板からなるもので、このメッシュス
クリーン５は、前記導電性粒子の４，４，…のうちの最
大粒子の粒径よりもわずかに大きい多数の開口５ａ，５
ａ，…を、前記絶縁性接着剤３ａ中への導電性粒子４，
４，…の埋込み間隔と同じ間隔で等間隔に形成したもの
とされている。なお、このメッシュスクリーン５の厚さ
は、最大径の導電性粒子４の粒径とほぼ同じか、あるい
はそれよりわずかに厚くされている。

【００２３】この後は、図５（ｃ）に示すように前記メ
ッシュスクリーン５の上からその全面にわたって導電性
粒子４，４，…をほぼ均一厚さに散布し、次いでその上
から図５（ｄ）に示すようにローラ６等の加圧治具によ
り加圧して、メッシュスクリーン５の各開口５ａ，５
ａ，…内に入った導電性粒子４，４，…を絶縁性接着剤
３ａ中に埋込んでやる。この場合、導電性粒子４，４，
…の粒径が全て最大粒径であれば、メッシュスクリーン
５の各開口５ａ，５ａ，…内に１個ずつ導電性粒子４，
４，…が入るから絶縁性接着剤３ａ中に等間隔に１個ず
つの導電性粒子４，４，…が埋込まれるが、導電性粒子
４，４，…の粒径を揃えることは歩留りの関係上コスト
アップにつながるから、この実施例ではある程度小径の
導電性粒子４，４，…も使用している。従って、メッシ
ュスクリーン５の上から導電性粒子４，４，…を散布す
ると、最大径の導電性粒子４はメッシュスクリーン５の
開口５ａに１個ずつ入って絶縁性接着剤３ａ中に埋込ま
れ、小径の導電性粒子４はメッシュスクリーン５の開口
５ａに複数個入って絶縁性接着剤３ａ中に押込まれる
が、その場合でも絶縁性接着剤３ａ中に押込まれる導電
性粒子４，４，…の間隔は実質的に等間隔になる。

【００２４】このように絶縁性接着剤３ａ中に導電性粒
子４，４，…を押込んだ後は、散布した導電性粒子４，
４，…を真空吸引により吸引し、絶縁性接着剤３ａ中に
押込まれてこの絶縁性接着剤３ａに保持された導電性粒
子４，４，…を除く導電性粒子４，４，…を図５（ｅ）
に示すように除去し（この除去された導電性粒子４，
４，…は回収して再使用する）、次いで図５（ｆ）に示
すように前記メッシュスクリーン５を撤去して、ＬＳＩ
ペレット接合材３を完成する。

【００２５】そして、ＬＳＩペレット１０の各パッド１
１，１１，…の表面にカーボンインク２０，２０，…を
被着させ、配線基板１面のＬＳＩペレット接合部にＬＳ
Ｉペレット接合材３を形成した後は、図６に示すよう
に、ＬＳＩペレット１０をそのパッド１１，１１，…上
に被着させたカーボンインク２０，２０，…を配線基板
１面の端子２ａ，２ａ，…と対応させて前記接合材３の
上に重ね、このＬＳＩペレット１０と配線基板１とを相
対的に押圧（例えばＬＳＩペレットを加圧）して、ＬＳ
Ｉペレット１０の各パッド１１，１１，…の表面に被着
させておいたカーボンインク２０，２０と配線基板１面
の端子２ａ，２ａ，…とを前記導電性粒子４により導通
接続させるとともに、この押圧状態で前記絶縁性接着剤
３ａを硬化させてＬＳＩペレット１０を配線基板１面に
接着接合する。

【００２６】なお、前記絶縁性接着剤３ａは、常温硬化
型のものでも、一般にホットメルト型と呼ばれている熱
可塑性接着剤でも、熱硬化型のものでも、あるいはＵＶ
インク等でもよく、絶縁性接着剤３ａとして常温硬化型
接着剤またはＵＶインクを使用する場合は、絶縁性接着
剤３ａ中に導電性粒子４，４，…を埋込んで接合材３を
形成した後直ちにＬＳＩペレット１０を接合するか、あ
るいは形成した接合材３の上に剥離紙を被着して絶縁性
接着剤３を自然硬化しないように保護しておき、ＬＳＩ
ペレット１０の接合時に剥離紙を剥がして直ちにＬＳＩ
ペレット１０を接合すればよい。なお、絶縁性接着剤３
ａとして前記熱可塑性接着剤または熱硬化型接着剤を使
用する場合は、接合材形成後直ちにＬＳＩペレット１０
を接合してもよいが、接合材３を形成した後に熱風また
は赤外線等により絶縁性接着剤３ａを７０〜１３０℃の
温度で乾燥させておいてもよい（この場合は、接合材３
の上に剥離紙を被着して絶縁性接着剤３ａを保護してお
く必要はない）。

【００２７】また、絶縁性接着剤３ａとしてホットメル
ト型と呼ばれている熱可塑性接着剤または熱硬化型接着
剤を使用する場合は、ＬＳＩペレット１０の接合時に、
接合材３の上にＬＳＩペレット１０を重ねてプレス治具
または加圧ローラ等により１００〜１５０℃の温度で加
熱加圧すればよく、この場合は、絶縁性接着剤３ａを加
熱軟化させるときにカーボンインク２０，２０，…も再
軟化するから、この状態でＬＳＩペレット１０と配線基
板１とを押圧すると、導電性粒子４が図３に示すように
カーボンインク２０中に押込まれて、導電性粒子４の大
部分がカーボンインク２０で被覆される。従って、この
場合は、導電性粒子４を金または銀でメッキしておかな
くても導電性粒子４の酸化をカーボンインク２０によっ
て防ぐことができるから、導電性粒子４として、安価な
非メッキ粒子を使用することができる。

【００２８】しかして、上記接合方法では、前記ＬＳＩ
ペレット１０と配線基板１とを、絶縁性接着剤３ａ中に
導電性粒子４，４，…を埋込んだ接合材３を介して接着
接合しているから、ＬＳＩペレット１０と配線基板１と
を相対的に押圧して絶縁性接着剤３ａを硬化させるだけ
で、ＬＳＩペレット１０をその外部回路接続パッド１
１，１１，…をカーボンインク２０および導電性粒子４
を介して配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…と導通させ
た状態で配線基板１面に接合することができ、従って、
短い時間で能率よくＬＳＩペレット１０を配線基板１面
に取付けることができる。

【００２９】また、この接合方法では、前記導電性粒子
４，４，…の最大径を、ＬＳＩペレット１０の各パッド
１１，１１，…上に被着したカーボンインク２０，２
０，…と配線基板１面のＬＳＩペレット接続端子２ａ，
２ａ，…と配線基板１面のＬＳＩペレット接続端子２
ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも小さく、かつ前記カ
ーボンインク２０，２０…間の間隔とＬＳＩペレット接
続端子２ａ，２ａ，…間の間隔とのいずれよりも小さい
粒径のものとして、この導電性粒子４，４，…を絶縁性
接着剤３ａ中に、前記カーボンインク２０，２０．…と
ＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…とのいずれの巾
よりも小さい間隔で等間隔に埋込んでいるから、ＬＳＩ
ペレット１０の各パッド１１，１１，…上に被着したカ
ーボンインク２０，２０，…と配線基板１面のＬＳＩペ
レット接続端子２ａ，２ａ，…との間に少なくとも１つ
の導電性粒子４が必ず介在されることになり、従って、
ＬＳＩペレット１０の各パッド１１，１１，…上に被着
したカーボンインク２０，２０，…と配線基板１面のＬ
ＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…とを確実に導通接
続することができる。

【００３０】そして、この接合方法では、ＬＳＩペレッ
ト１０の各パッド１１，１１，…の表面にカーボンイン
ク２０，２０，…を被着させておいてこのＬＳＩペレッ
ト１０を配線基板１面に接合しているから、前記パッド
１１，１１，…をカーボンインク２０，２０，…で被覆
してこのパッド１１，１１，…を酸化しないように保護
することができる。

【００３１】すなわち、この接合方法は、ＬＳＩペレッ
ト１０の各パッド１１，１１，…の表面にカーボンイン
ク２０，２０，…を被着させ、この後ＬＳＩペレット１
０をその各パッド１１，１１，…を配線基板１面の各端
子２ａ，２ａ，…と対向させて配線基板１面に接着する
ことを特徴とするもので、この接合方法によれば、従来
のようにＬＳＩペレットの各パッドの上に高価な金バン
プを設けることなく前記パッド１１，１１，…の酸化を
防ぐことができるし、また、カーボンインクはかなり安
価であるから、コストも大巾に低減することができる。

【００３２】なお、上記実施例では、ＬＳＩペレット１
０と配線基板１とを導電性粒子４，４，…を含む接合材
３によって接着しているが、ＬＳＩペレット１０と配線
基板１とは、導電性粒子を含まない絶縁性接着剤によっ
て接着してもよい。

【００３３】図７はＬＳＩペレット１０と配線基板１と
を導電性粒子を含まない絶縁性接着剤によって接着する
実施例を示している。この実施例は、ＬＳＩペレット１
０の各パッド１１，１１，…の表面にカーボンインク２
０，２０，…を被着させた後、配線基板１面のＬＳＩペ
レット接合部またはＬＳＩペレット１０の配線基板接合
面に絶縁性接着剤３ａを塗布し、この後ＬＳＩペレット
１０をその各パッド１１，１１，…を配線基板１面の各
端子２ａ，２ａ，…と対向させて配線基板１面に加圧接
着するものであり、この実施例によっても、ＬＳＩペレ
ット１０を配線基板１面に重ねて加圧すると、カーボン
インク２０，２０，…と端子２ａ，２ａ，…との間の絶
縁性接着剤３ａがその周囲に押出されて、ＬＳＩペレッ
ト１０の各パッド１１，１１，…の表面に被着させたカ
ーボンインク２０，２０，…と配線基板１面の端子２
ａ，２ａ，…とが直接接触するから、ＬＳＩペレット１
０の各パッド１１，１１，…と配線基板１面の端子２
ａ，２ａ，…とをカーボンインク２０，２０，…を介し
て導通させることができるし、またＬＳＩペレット１０
の各パッド１１，１１，…はカーボンインク２０，２
０，…によって被覆されているから、パッド１１，１
１，…の酸化も防ぐことができる。

【００３４】上述した実施例においても、金バンプと導
電性インクとのコスト的な差異および金バンプ形成と導
電性インク形成との生産性の差異に起因するコスト上の
メリットは大きい、しかし、ＬＳＩペレット１０の各パ
ッド１１，１１，…上に導電性インクを形成する方法で
あるから、半導体ウエハに加工する、と言う面では従来
と同じであって、半導体ウエハの歩留りに起因する不良
品の損失は解消されない。それゆえ、本発明の最も特徴
的な実施例として、配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…
の表面にカーボンインク２０，２０を被着して、これに
よりＬＳＩペレット１０の各パッド１１，１１，…に接
続する。この場合にも、ＬＳＩペレット１０を配線基板
１面に接合すると、配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…
の表面に被着されているカーボンインク２０，２０，…
がＬＳＩペレット１０の各パッド１１，１１，…に導通
接続されるとともにカーボンインク２０，２０，…がこ
のパッド１１，１１，…を被覆するから、ＬＳＩペレッ
ト１０の各パッド１１，１１，…の酸化を防ぐことがで
きる。

【００３５】図８は、配線基板１面の端子２ａ，２ａ，
…の表面にカーボンインク２０，２０，…を被着させる
方法の一例を示している。この方法は、表面に剥離剤５
２を塗布した合成樹脂シート５１の表面にカーボンイン
ク２０を均一厚さに塗布してこれを乾燥させるとともに
このカーボンインク層の表面に熱可塑性接着剤５３を薄
く塗布したカーボン塗布シート５０を、図８（ａ）に示
すように配線基板１上に重ねて熱圧着治具５４により各
端子２ａ，２ａ，…にホットスタンピングすることによ
って各端子２ａ，２ａ，…上にそれぞれカーボンインク
２０を熱転写するようにしたもので、カーボン塗布シー
ト５０を配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…にホット
スタンピングすると、各端子２ａ，２ａ，…に押付けら
れた部分のカーボンインク２０が熱可塑性接着剤５３に
よって各端子２ａ，２ａ，…に接着さされるから、この
後図８（ｂ）に示すように前記カーボン塗布シート５０
を引上げてやれば、各端子２ａ，２ａ，…上のみにカー
ボンインク２０，２０，…を残してやることができる。
なお、この場合、端子２ａ，２ａ，…とカーボンインク
２０，２０，…との間に接着剤５３が残るが、この接着
剤は５３は非常に薄いから、端子２ａ，２ａ，…とカー
ボンインク２０，２０，…との電気的接続は十分であ
る。

【００３６】

【発明の効果】以上説明した如く、この発明によれば、
基板の各端子上に導電性インクを被着しているから半導
体装置の各パッド上にバンプを形成せずとも基板の端子
と半導体装置のパッドとの導通接続が可能であり、また
導電性インクは半導体装置の各パッドを被覆するから酸
化を防ぐことができ且つ金に比べて安価であるので、大
巾なコスト低減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す配線基板面にＬＳＩ
ペレットを接合した状態の断面図。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図。

【図３】ＬＳＩペレットを接着する接着剤が熱可塑性ま
たは熱硬化性である場合のＬＳＩペレット接合状態の拡
大断面図。

【図４】ＬＳＩペレットのパッド表面にカーボンインク
を被着する方法を工程順に示す断面図。

【図５】配線基板面にＬＳＩペレット接合材を形成する
方法を工程順に示す断面図。

【図６】ＬＳＩペレットと配線基板の斜視図。

【図７】この発明の他の実施例を示す配線基板面にＬＳ
Ｉペレットを接合した状態の断面図。

【図８】同じく配線基板面の端子表面にカーボンインク
を被着する方法を示す断面図。

【符号の説明】

１…配線基板（基板）、２ａ…ＬＳＩペレット接続用端
子、３…接合材（異方導電性接着剤）、３ａ…絶縁性接
着剤、４…導電性粒子、１０…ＬＳＩペレット（半導体
装置）、１１…パッド、２０…カーボンインク（導電性
インク）。

フロントページの続き (72)発明者杉山和弘東京都羽村市栄町３丁目２番１号カシオ計算機株式会社羽村技術センター内（市制実施による住居表示の変更） (72)発明者出口敏良東京都羽村市栄町３丁目２番１号カシオ計算機株式会社羽村技術センター内（市制実施による住居表示の変更） (72)発明者玉木敏晴東京都羽村市栄町３丁目２番１号カシオ計算機株式会社羽村技術センター内（市制実施による住居表示の変更） (72)発明者鑓田好男東京都羽村市栄町３丁目２番１号カシオ計算機株式会社羽村技術センター内（市制実施による住居表示の変更） (72)発明者厚見好則東京都羽村市栄町３丁目２番１号カシオ計算機株式会社羽村技術センター内（市制実施による住居表示の変更）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一面に複数のパッドを有する半導体装置と
前記各パッドに対応する複数の端子を有する基板との接
合方法において、前記基板の各端子上に導電性インクを
被着し、前記半導体装置と前記基板間に絶縁性接着剤ま
たは異方導電性接着剤を前記半導体装置の一面全面にわ
たって介在させ、前記半導体装置の各パッドと前記基板
の各端子を位置合わせして、前記半導体装置と前記基板
とを相対的に押圧し、前記基板の各端子をそれぞれ前記
半導体装置の対応する各パッドに直接または前記異方導
電性接着剤中に含有される導電性粒子を介して導通接続
し且つ前記絶縁性接着剤または前記異方導電性接着剤に
より前記半導体装置を前記基板に接着接合することを特
徴とする半導体装置の接合方法。