JPH0559569B2 - - Google Patents
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- JPH0559569B2 JPH0559569B2 JP57171675A JP17167582A JPH0559569B2 JP H0559569 B2 JPH0559569 B2 JP H0559569B2 JP 57171675 A JP57171675 A JP 57171675A JP 17167582 A JP17167582 A JP 17167582A JP H0559569 B2 JPH0559569 B2 JP H0559569B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は、真空雰囲気内で強磁性材料を加熱蒸
発させて得る蒸気流を支持体に対して斜め方向か
ら入射させて強磁性結晶柱を支持体に対して斜め
に形成したいわゆる斜方蒸着型磁性層を有する磁
気記録媒体の改良に関する。 近年、情報量の増大と共に、高密度磁気記録媒
体の出現が望まれており、特に理想的な高密度磁
気記録媒体として、金属薄膜型磁気記録媒体の開
発が盛んに進められている。薄膜化技術として
は、真空蒸着法、イオンプレーテイング法、スパ
ツタリング法、湿式メツキ法等の各種方法が試み
られて来た。しかし、高密度記録に適した高保磁
力媒体を安定に得るには、特公昭41−19389号に
開示された、いわゆる斜方蒸着方法がすぐれた方
法である。斜方蒸着方法とは、真空雰囲気内で、
Co，Co−Ni等の強磁性材料を加熱蒸発せしめて
得る蒸気流を高分子等から成る非磁性支持体に対
し、蒸気流の方向と支持体上に立てた法線とのな
す角が、通常45度以上の角度でもつて、支持体に
入射させて強磁性結晶柱を支持体に対して斜めに
形成する真空蒸着方法である。Co又はCo−Ni材
料を用いて1000Oe程度の高保磁力を得るには通
常、最小斜入射角度θminは約60度以上にする必
要がある。 しかるにθminを60度以上の条件で蒸着した場
合、蒸気流をマスクでさまたげる割合が急激に増
加し、支持体に付着する蒸気流の量が著しく減少
し、蒸着効率が極めて低くなつたり、また蒸着ス
ピードが低下する等の欠点が生ずる。これらの欠
点を改良する方法として酸素中蒸着法が開示され
ている。酸素中斜方蒸着法とは、酸素雰囲気下で
斜方蒸着を行わせる方法であり、本方法により保
磁力を増大させることが可能となり、従つて、
θminを小さくすることが可能となる。即ち、酸
素中斜方蒸着法は、高保磁力化又は低入射角化の
点ですぐれた方法である。しかしながら、斜方蒸
着法或いは酸素中斜方蒸着法で作成したCo又は
Co−Ni斜蒸着膜は耐錆性がまだまだ不十分であ
り、実用化への大きな障害となつていた。磁性層
の耐錆性を改善する試みとして、Crを添加する
方法が開示されている。しかし所望の耐錆性を得
る為には多量のCr添加−例えば10原子パーセン
ト（以下at％と記す）以上−が必要となるため、
磁束密度が急激に減少し電磁変換特性が著しく低
下する等の欠点を有している。 本発明者等は耐錆性及び磁気特性に優れた磁気
記録媒体を開発すべくCr添加効果につき詳細に
検討し、実験をくり返した。その結果Crと酸素
をある特定の範囲で組み合せることにより磁気特
性、耐錆性共に優れた磁気記録媒体となり得るこ
とを見い出し本発明に到つた。 本発明の磁気記録媒体は非磁性高分子フイルム
上に斜方蒸着法により作成した少なくともCo，
Ni，Cr及び酸素を含む磁性層を有する磁気記録
媒体において、前記CoとNiとの原子数比が75：
25〜95：５であつて、前記Crの含有率が２〜8at
％、前記酸素の含有率が５〜25at％且つ前記Cr
に対する酸素の原子数比が２〜10であることを特
徴とする。 本発明の磁性層におけるCoとNiとの原子数比
が上記範囲から外れて、Coの原子数比率が75未
満でNiの原子数比率が25を越えると磁気特性が
低下し、逆にCoの原子数比率が95を越えてNiの
原子数比率が５未満であると耐錆性が低下し、と
もに本発明の目的を充分に達成できなくなるので
好ましくない。 本発明における磁性層のCrの含有率が2at％未
満であると耐錆性が不十分となり、また、8at％
を超えるようになると磁束密度等の磁気特性が低
下するので好ましくない。またその酸素の含有率
が5at％未満であると耐錆性が不十分となり、
25at％を超えるようになると磁束密度等の磁気特
性が低下するので好ましくない。さらに、Crに
対する酸素の原子数比が２未満であると特に耐錆
性が不十分となり、10を超えるようになると磁束
密度等の磁気特性が低下するので好ましくない。
すなわち、磁性層のCrの含有率、酸素の含有率
およびCrに対する酸素の含有比がともに上記の
特定範囲にある場合にのみ、耐錆性および磁気特
性がともに優れた磁気記録媒体を得ることができ
るのである。 本発明における磁性層は耐錆性および磁気特性
を損わぬ範囲でCo，Ni，Cr、酸素以外の他の元
素を微量含有していてもよい。 また、本発明における磁性層としては単層、２
層以上の重層、あるいは中間層、下地層とを組合
わせた多層構成であつても良い。 さらに、実用上の諸特性を改良するための所望
の各種処理を磁性層側又は非磁性高分子フイルム
側に施してもよい。 以下、本発明を図面及び実施例により説明す
る。 図面は、本発明の磁気記録媒体を製造するため
の好ましい蒸着装置の概略断面図である。 図に示された蒸着装置は真空ポンプ９によりそ
の内部が真空にされる真空室１０、この真空室１
０内部に設けられたテープ送出ロール６から送り
出されたテープ状の非磁性高分子フイルム８をテ
ープ巻取ロール７まで案内、支持するクーリング
キヤン５、加熱蒸発することにより磁性層を非磁
性高分子フイルム８に形成する蒸発材料がチヤー
ジされる２つの蒸発源１，２、およびこの蒸発源
１，２とクーリングキヤンの５の間に設けられた
マスク４からなる。ここでマスク４は非磁性高分
子フイルム８の表面に立てた法線の方向と蒸発源
からの蒸気流の方向とのなす角度θの内、最小斜
入射角θminを規定する。さらに、真空室１０内
へ酸素を供給する酸素の吹き出し口３が真空室１
０内部へ開口している。また真空室１０中央付近
には搬送系と蒸着部の分離を兼ねた防着板１１が
設けられている。 以上のように構成された装置において、真空室
１０は、真空ポンプ９によりその内部が真空にさ
れる。蒸発源１，２には蒸発材料例えば蒸発源
１，２にそれぞれCr，Co−Niがチヤージされ
る。チヤージされた蒸発材料は従来公知の加熱手
段により加熱される。この加熱手段としては例え
ば電子ビーム加熱を用いることができる。加熱さ
れた蒸発材料は融解気化し、蒸気流となつて真空
室１０内部上方へ上昇し非磁性高分子フイルム８
上に蒸着する。この際酸素の吹き出し口３からは
酸素が真空室１０内に導入され適度な酸素雰囲気
中で蒸着が行なわれるようになつており、形成さ
れる磁性層に所望の含有率で酸素原子が含有せし
められる。テープ送出ロール６から送り出された
非磁性高分子フイルム８はクーリングキヤン５に
案内される際に斜入射角度θが高角度（ほぼ90
度）から低角度へと変化しながらいわゆる斜方蒸
着が行なわれ最小斜入射角θminをすぎると蒸着
を終了し、テープ巻取ロール７に巻き取られる。 なお、上述の蒸着装置においては２つの独立し
た蒸発源を有する２元同時蒸着方法が採用された
が、本発明の磁気記録媒体を得るためには、この
方法に限定される必要はなく要するに所定の組成
の磁性層が形成されればよく、例えば一つの蒸発
源に所定の組成のCo−Ni−Cr合金材料を一度に
チヤージして蒸着を行なつてもよいことは言うま
でもない。 次に実施例により本発明を説明する。 〔実施例〕 非磁性高分子フイルムとして10μm厚のポリエ
チレンテレフタレート（PET）、蒸発材料として
Co90Ni10及びCrまたはCo80Ni20及びCrを用い
θminを42°に設定して加熱手段として16kwの電子
ビームを用い図面に示される蒸着装置により斜方
蒸着を行つた。非磁性高分子フイルムの搬送速度
は10m／min、真空度は10-5torr台であつた。Cr
の加熱パワーと酸素の吹き出し量を変えることに
より磁性層中のCrと酸素の含有率が異なる磁性
層を作成した。作成された磁性層の組成はオージ
ユ分析で求めた。また、膜厚は触針型膜厚計で測
定した。本実施例により得られた磁性層の膜厚は
ほぼ1500Åであつた。耐錆性は温度60℃、相対湿
度90％の恒温恒湿雰囲気中で200日間放置試験を
行い、光学ケンビ鏡で磁性膜の表面を観察しサビ
（局所的腐蝕）の有無で判定を下した。 再生出力は磁性膜の磁束密度に依存することが
知られており本発明者等の研究では良好な記録再
生特性を有する為には、斜方蒸着法による磁気記
録媒体は4000Gauss以上の磁束密度が必要である
との結果が得られている。 なお、ここでいう磁束密度とは飽和磁束密度の
ことであり、以下に記載された磁束密度の値は飽
和磁束密度の値である。 従つて、本実施例においては磁束密度を磁束と
膜厚から求め、その値が4000Gauss以上あるかど
うかで判定を下した。磁束の測定は試料振動型磁
化測定装置を用いた。 結果を下記表１及び表２に示す。 表１はCoとNiの原子数の比が90：10の場合で
あり、表２はCoとNiの原子数の比が80：20の場
合である。
発させて得る蒸気流を支持体に対して斜め方向か
ら入射させて強磁性結晶柱を支持体に対して斜め
に形成したいわゆる斜方蒸着型磁性層を有する磁
気記録媒体の改良に関する。 近年、情報量の増大と共に、高密度磁気記録媒
体の出現が望まれており、特に理想的な高密度磁
気記録媒体として、金属薄膜型磁気記録媒体の開
発が盛んに進められている。薄膜化技術として
は、真空蒸着法、イオンプレーテイング法、スパ
ツタリング法、湿式メツキ法等の各種方法が試み
られて来た。しかし、高密度記録に適した高保磁
力媒体を安定に得るには、特公昭41−19389号に
開示された、いわゆる斜方蒸着方法がすぐれた方
法である。斜方蒸着方法とは、真空雰囲気内で、
Co，Co−Ni等の強磁性材料を加熱蒸発せしめて
得る蒸気流を高分子等から成る非磁性支持体に対
し、蒸気流の方向と支持体上に立てた法線とのな
す角が、通常45度以上の角度でもつて、支持体に
入射させて強磁性結晶柱を支持体に対して斜めに
形成する真空蒸着方法である。Co又はCo−Ni材
料を用いて1000Oe程度の高保磁力を得るには通
常、最小斜入射角度θminは約60度以上にする必
要がある。 しかるにθminを60度以上の条件で蒸着した場
合、蒸気流をマスクでさまたげる割合が急激に増
加し、支持体に付着する蒸気流の量が著しく減少
し、蒸着効率が極めて低くなつたり、また蒸着ス
ピードが低下する等の欠点が生ずる。これらの欠
点を改良する方法として酸素中蒸着法が開示され
ている。酸素中斜方蒸着法とは、酸素雰囲気下で
斜方蒸着を行わせる方法であり、本方法により保
磁力を増大させることが可能となり、従つて、
θminを小さくすることが可能となる。即ち、酸
素中斜方蒸着法は、高保磁力化又は低入射角化の
点ですぐれた方法である。しかしながら、斜方蒸
着法或いは酸素中斜方蒸着法で作成したCo又は
Co−Ni斜蒸着膜は耐錆性がまだまだ不十分であ
り、実用化への大きな障害となつていた。磁性層
の耐錆性を改善する試みとして、Crを添加する
方法が開示されている。しかし所望の耐錆性を得
る為には多量のCr添加−例えば10原子パーセン
ト（以下at％と記す）以上−が必要となるため、
磁束密度が急激に減少し電磁変換特性が著しく低
下する等の欠点を有している。 本発明者等は耐錆性及び磁気特性に優れた磁気
記録媒体を開発すべくCr添加効果につき詳細に
検討し、実験をくり返した。その結果Crと酸素
をある特定の範囲で組み合せることにより磁気特
性、耐錆性共に優れた磁気記録媒体となり得るこ
とを見い出し本発明に到つた。 本発明の磁気記録媒体は非磁性高分子フイルム
上に斜方蒸着法により作成した少なくともCo，
Ni，Cr及び酸素を含む磁性層を有する磁気記録
媒体において、前記CoとNiとの原子数比が75：
25〜95：５であつて、前記Crの含有率が２〜8at
％、前記酸素の含有率が５〜25at％且つ前記Cr
に対する酸素の原子数比が２〜10であることを特
徴とする。 本発明の磁性層におけるCoとNiとの原子数比
が上記範囲から外れて、Coの原子数比率が75未
満でNiの原子数比率が25を越えると磁気特性が
低下し、逆にCoの原子数比率が95を越えてNiの
原子数比率が５未満であると耐錆性が低下し、と
もに本発明の目的を充分に達成できなくなるので
好ましくない。 本発明における磁性層のCrの含有率が2at％未
満であると耐錆性が不十分となり、また、8at％
を超えるようになると磁束密度等の磁気特性が低
下するので好ましくない。またその酸素の含有率
が5at％未満であると耐錆性が不十分となり、
25at％を超えるようになると磁束密度等の磁気特
性が低下するので好ましくない。さらに、Crに
対する酸素の原子数比が２未満であると特に耐錆
性が不十分となり、10を超えるようになると磁束
密度等の磁気特性が低下するので好ましくない。
すなわち、磁性層のCrの含有率、酸素の含有率
およびCrに対する酸素の含有比がともに上記の
特定範囲にある場合にのみ、耐錆性および磁気特
性がともに優れた磁気記録媒体を得ることができ
るのである。 本発明における磁性層は耐錆性および磁気特性
を損わぬ範囲でCo，Ni，Cr、酸素以外の他の元
素を微量含有していてもよい。 また、本発明における磁性層としては単層、２
層以上の重層、あるいは中間層、下地層とを組合
わせた多層構成であつても良い。 さらに、実用上の諸特性を改良するための所望
の各種処理を磁性層側又は非磁性高分子フイルム
側に施してもよい。 以下、本発明を図面及び実施例により説明す
る。 図面は、本発明の磁気記録媒体を製造するため
の好ましい蒸着装置の概略断面図である。 図に示された蒸着装置は真空ポンプ９によりそ
の内部が真空にされる真空室１０、この真空室１
０内部に設けられたテープ送出ロール６から送り
出されたテープ状の非磁性高分子フイルム８をテ
ープ巻取ロール７まで案内、支持するクーリング
キヤン５、加熱蒸発することにより磁性層を非磁
性高分子フイルム８に形成する蒸発材料がチヤー
ジされる２つの蒸発源１，２、およびこの蒸発源
１，２とクーリングキヤンの５の間に設けられた
マスク４からなる。ここでマスク４は非磁性高分
子フイルム８の表面に立てた法線の方向と蒸発源
からの蒸気流の方向とのなす角度θの内、最小斜
入射角θminを規定する。さらに、真空室１０内
へ酸素を供給する酸素の吹き出し口３が真空室１
０内部へ開口している。また真空室１０中央付近
には搬送系と蒸着部の分離を兼ねた防着板１１が
設けられている。 以上のように構成された装置において、真空室
１０は、真空ポンプ９によりその内部が真空にさ
れる。蒸発源１，２には蒸発材料例えば蒸発源
１，２にそれぞれCr，Co−Niがチヤージされ
る。チヤージされた蒸発材料は従来公知の加熱手
段により加熱される。この加熱手段としては例え
ば電子ビーム加熱を用いることができる。加熱さ
れた蒸発材料は融解気化し、蒸気流となつて真空
室１０内部上方へ上昇し非磁性高分子フイルム８
上に蒸着する。この際酸素の吹き出し口３からは
酸素が真空室１０内に導入され適度な酸素雰囲気
中で蒸着が行なわれるようになつており、形成さ
れる磁性層に所望の含有率で酸素原子が含有せし
められる。テープ送出ロール６から送り出された
非磁性高分子フイルム８はクーリングキヤン５に
案内される際に斜入射角度θが高角度（ほぼ90
度）から低角度へと変化しながらいわゆる斜方蒸
着が行なわれ最小斜入射角θminをすぎると蒸着
を終了し、テープ巻取ロール７に巻き取られる。 なお、上述の蒸着装置においては２つの独立し
た蒸発源を有する２元同時蒸着方法が採用された
が、本発明の磁気記録媒体を得るためには、この
方法に限定される必要はなく要するに所定の組成
の磁性層が形成されればよく、例えば一つの蒸発
源に所定の組成のCo−Ni−Cr合金材料を一度に
チヤージして蒸着を行なつてもよいことは言うま
でもない。 次に実施例により本発明を説明する。 〔実施例〕 非磁性高分子フイルムとして10μm厚のポリエ
チレンテレフタレート（PET）、蒸発材料として
Co90Ni10及びCrまたはCo80Ni20及びCrを用い
θminを42°に設定して加熱手段として16kwの電子
ビームを用い図面に示される蒸着装置により斜方
蒸着を行つた。非磁性高分子フイルムの搬送速度
は10m／min、真空度は10-5torr台であつた。Cr
の加熱パワーと酸素の吹き出し量を変えることに
より磁性層中のCrと酸素の含有率が異なる磁性
層を作成した。作成された磁性層の組成はオージ
ユ分析で求めた。また、膜厚は触針型膜厚計で測
定した。本実施例により得られた磁性層の膜厚は
ほぼ1500Åであつた。耐錆性は温度60℃、相対湿
度90％の恒温恒湿雰囲気中で200日間放置試験を
行い、光学ケンビ鏡で磁性膜の表面を観察しサビ
（局所的腐蝕）の有無で判定を下した。 再生出力は磁性膜の磁束密度に依存することが
知られており本発明者等の研究では良好な記録再
生特性を有する為には、斜方蒸着法による磁気記
録媒体は4000Gauss以上の磁束密度が必要である
との結果が得られている。 なお、ここでいう磁束密度とは飽和磁束密度の
ことであり、以下に記載された磁束密度の値は飽
和磁束密度の値である。 従つて、本実施例においては磁束密度を磁束と
膜厚から求め、その値が4000Gauss以上あるかど
うかで判定を下した。磁束の測定は試料振動型磁
化測定装置を用いた。 結果を下記表１及び表２に示す。 表１はCoとNiの原子数の比が90：10の場合で
あり、表２はCoとNiの原子数の比が80：20の場
合である。
【表】
【表】
【表】
サビ及び磁束密度の判定は表１と同じ
上記結果から耐錆性と磁気特性が共に優れた磁
気記録媒体はCrの含有率が２〜8at％、酸素の含
有率が５〜25at％であり、かつCrに対する酸素
の原子数比が２〜10である少なくともCo，Ni，
Cr及び酸素からなる磁性層を有する磁気記録媒
体であることがわかる。しかしながらCrと酸素
がなぜ耐錆性と磁気特性へこのような影響を与え
るのかの明確な理由は現時点では明らかではな
い。なお、上記実施例においてはCoとNiの原子
数比が80：20及び90：10のものについて記したが
CoとNiの原子数比が75：25及び95：５の場合に
おいても同様な結果が得られた。 以上、詳細に述べたように本発明の磁気記録媒
体は耐錆性及び磁気特性が共に優れ、実用上の利
用価値は極めて高い。
上記結果から耐錆性と磁気特性が共に優れた磁
気記録媒体はCrの含有率が２〜8at％、酸素の含
有率が５〜25at％であり、かつCrに対する酸素
の原子数比が２〜10である少なくともCo，Ni，
Cr及び酸素からなる磁性層を有する磁気記録媒
体であることがわかる。しかしながらCrと酸素
がなぜ耐錆性と磁気特性へこのような影響を与え
るのかの明確な理由は現時点では明らかではな
い。なお、上記実施例においてはCoとNiの原子
数比が80：20及び90：10のものについて記したが
CoとNiの原子数比が75：25及び95：５の場合に
おいても同様な結果が得られた。 以上、詳細に述べたように本発明の磁気記録媒
体は耐錆性及び磁気特性が共に優れ、実用上の利
用価値は極めて高い。
図面は、本発明の磁気記録媒体を製造するため
の好ましい蒸着装置の概略断面図である。 １，２……蒸発源、３……酸素吹き出し口、４
……マスク、５……クーリングキヤン、６……テ
ープ送出ロール、７……テープ巻取ロール、８…
…非磁性高分子フイルム、９……真空ポンプ、１
０……真空室。
の好ましい蒸着装置の概略断面図である。 １，２……蒸発源、３……酸素吹き出し口、４
……マスク、５……クーリングキヤン、６……テ
ープ送出ロール、７……テープ巻取ロール、８…
…非磁性高分子フイルム、９……真空ポンプ、１
０……真空室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性高分子フイルムと、該フイルム上に該
フイルムに対して斜めに形成された強磁性結晶柱
を有する少なくともCo，Ni，Crおよび酸素から
なる磁性層とを有する磁気記録媒体において、 前記CoとNiとの原子数比が75：25〜95：５で
あつて、前記Crの含有率が２〜８原子パーセン
ト、前記酸素の含有率が５〜25原子パーセントか
つ前記Crに対する前記酸素の原子数比が２〜10
であることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171675A JPS5961105A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 磁気記録媒体 |
| US06/537,620 US4511635A (en) | 1982-09-30 | 1983-09-30 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57171675A JPS5961105A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961105A JPS5961105A (ja) | 1984-04-07 |
| JPH0559569B2 true JPH0559569B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=15927607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57171675A Granted JPS5961105A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4511635A (ja) |
| JP (1) | JPS5961105A (ja) |
Families Citing this family (23)
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|---|---|---|---|---|
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| DE3573672D1 (en) * | 1984-01-26 | 1989-11-16 | Hitachi Maxell | Magnetic recording medium and production thereof |
| JPH0766507B2 (ja) * | 1984-02-16 | 1995-07-19 | コニカ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS6111921A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6139921A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6142723A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6142724A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-03-01 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6166218A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| KR890004257B1 (ko) * | 1984-10-29 | 1989-10-28 | 니뽕 빅터 가부시끼가이샤 | 자기 기록매체 및 그 제조법 |
| US5198309A (en) * | 1984-11-14 | 1993-03-30 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetic recording member |
| JP2662777B2 (ja) * | 1985-04-15 | 1997-10-15 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0777018B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1995-08-16 | 住友金属鉱山株式会社 | 磁気記録媒体 |
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| DE3664011D1 (en) * | 1985-07-18 | 1989-07-20 | Toshiba Kk | Magnetic recording medium |
| US5316631A (en) * | 1989-02-16 | 1994-05-31 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Method for fabricating a magnetic recording medium |
| JP2714698B2 (ja) * | 1989-05-12 | 1998-02-16 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5066552A (en) * | 1989-08-16 | 1991-11-19 | International Business Machines Corporation | Low noise thin film metal alloy magnetic recording disk |
| JPH05101365A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-23 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH071537B2 (ja) * | 1991-09-24 | 1995-01-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録ディスク、基板及びその製造方法 |
| JPH05342553A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5478661A (en) * | 1993-04-01 | 1995-12-26 | Ag Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for its production |
| JPH0765345A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5674637A (en) * | 1993-12-28 | 1997-10-07 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615014A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic thin film type magnetic recording medium |
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
| DE2801452C2 (de) * | 1978-01-13 | 1985-03-28 | Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen | Magnetisches Aufzeichnungsmaterial |
| US4429016A (en) * | 1980-03-07 | 1984-01-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium with vacuum deposited magnetic layer |
| JPS56143519A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium and manufacturing device |
| JPS5728309A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57171675A patent/JPS5961105A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-30 US US06/537,620 patent/US4511635A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615014A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic thin film type magnetic recording medium |
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4511635A (en) | 1985-04-16 |
| JPS5961105A (ja) | 1984-04-07 |
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