JPH0559482B2 - - Google Patents
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- JPH0559482B2 JPH0559482B2 JP26978084A JP26978084A JPH0559482B2 JP H0559482 B2 JPH0559482 B2 JP H0559482B2 JP 26978084 A JP26978084 A JP 26978084A JP 26978084 A JP26978084 A JP 26978084A JP H0559482 B2 JPH0559482 B2 JP H0559482B2
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 101100325756 Arabidopsis thaliana BAM5 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150046378 RAM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100476489 Rattus norvegicus Slc20a2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
- G11B2005/0018—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers by current biasing control or regulation
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
マルチトラツク磁気抵抗効果型（MR）ヘツド
を用いる磁気信号再生装置に関する。
を用いる磁気信号再生装置に関する。
従来の技術
従来、固定ヘツドデイジタルオーデイオ録音機
などに適した磁気再生ヘツドとして、マルチトラ
ツクMRヘツドが実用化されている。
などに適した磁気再生ヘツドとして、マルチトラ
ツクMRヘツドが実用化されている。
このMRヘツドは、磁束応答型のため低速でも
十分な出力が得られ、特に上記録音機に適してい
る。以下にMRヘツドの動作原理を簡単に説明す
る。第３図において、１はMR素子、２は信号磁
化の記録された記録媒体、Ａはその走行方向であ
る。３はMR素子に信号検知電流を流すための端
子で、ｉはその電流であり、定電流回路によつて
供給されている。媒体２のＡ方向への移動に従が
つてMR素子１に流入する信号磁束が変化する。
これに応じてMR素子１の抵抗率が変化し、それ
によつてMR素子の両端の電圧が変化する。これ
がこのヘツドの出力となる。MR素子の特性曲線
の例を第４図に示す。
十分な出力が得られ、特に上記録音機に適してい
る。以下にMRヘツドの動作原理を簡単に説明す
る。第３図において、１はMR素子、２は信号磁
化の記録された記録媒体、Ａはその走行方向であ
る。３はMR素子に信号検知電流を流すための端
子で、ｉはその電流であり、定電流回路によつて
供給されている。媒体２のＡ方向への移動に従が
つてMR素子１に流入する信号磁束が変化する。
これに応じてMR素子１の抵抗率が変化し、それ
によつてMR素子の両端の電圧が変化する。これ
がこのヘツドの出力となる。MR素子の特性曲線
の例を第４図に示す。
この図で横軸は印加磁界、縦軸は抵抗率の変化
率Δρ／ρを示す。出力電圧はｌ・Δρ・Ｊに比例
する。（ｌはトラツク幅、ＪはMR素子を流れる
信号検知電流密度） また、第４図からわかるように、線形性良くか
も大きな出力を得るためには、第４図のＢ点付近
のバイアス磁界をかけるこが必要である。バイア
ス方法としては、微小磁石を設ける方法や、バイ
アス導体を設け、それを流れる電流によつて発生
する磁界を利用してバイアス磁界をかける方法が
ある。
率Δρ／ρを示す。出力電圧はｌ・Δρ・Ｊに比例
する。（ｌはトラツク幅、ＪはMR素子を流れる
信号検知電流密度） また、第４図からわかるように、線形性良くか
も大きな出力を得るためには、第４図のＢ点付近
のバイアス磁界をかけるこが必要である。バイア
ス方法としては、微小磁石を設ける方法や、バイ
アス導体を設け、それを流れる電流によつて発生
する磁界を利用してバイアス磁界をかける方法が
ある。
一方マルチトラツクMRヘツドは以上のような
MR素子を10個〜数10個トラツクに対応して設
け、それぞれの出力を同時に得ようとするもので
ある。通常のマルチトラツクMRヘツドを用いる
PCM信号再生装置においては、各MR素子に、
増幅器、等化器が接続され、等化器の出力に得ら
れるアナログ信号を例えばゼロクロス点で二値化
することによつてデイジタル化し、各トラツクか
ら得られた信号を信号処理回路を通してＤ／Ａ変
換することによつてもとのアナログ波形を得るこ
とが行なわれている。これに対し、ヘツド出力を
増幅後、パラレル−シリアル変換した後、Ａ／Ｄ
変換しデイジタルフイルタで処理することが提案
されている（特開昭59−92411） この例を図５に示す。４は磁気テープ、５は磁
気ヘツド、６は増幅器、７はマルチプレクサ、８
はＡ／Ｄ変換器、９はRAM、１０はデイジタル
フイルタ、１１はRAM、１２は信号処理回路、
１３はＤ／Ａ変換器、１４は出力である。
MR素子を10個〜数10個トラツクに対応して設
け、それぞれの出力を同時に得ようとするもので
ある。通常のマルチトラツクMRヘツドを用いる
PCM信号再生装置においては、各MR素子に、
増幅器、等化器が接続され、等化器の出力に得ら
れるアナログ信号を例えばゼロクロス点で二値化
することによつてデイジタル化し、各トラツクか
ら得られた信号を信号処理回路を通してＤ／Ａ変
換することによつてもとのアナログ波形を得るこ
とが行なわれている。これに対し、ヘツド出力を
増幅後、パラレル−シリアル変換した後、Ａ／Ｄ
変換しデイジタルフイルタで処理することが提案
されている（特開昭59−92411） この例を図５に示す。４は磁気テープ、５は磁
気ヘツド、６は増幅器、７はマルチプレクサ、８
はＡ／Ｄ変換器、９はRAM、１０はデイジタル
フイルタ、１１はRAM、１２は信号処理回路、
１３はＤ／Ａ変換器、１４は出力である。
次にこの例の動作を説明する。磁気テープ４の
各トラツクに記録された信号は各トラツクに対応
するヘツド５で再生される。各トラツクから再生
された再生信号は増幅器６によつて所定のレベル
まで増幅される。マルチプレクサ７では、各トラ
ツクの増幅器６の出力を順次選択しＡ／Ｄ変換器
１４により各トラツクの再生波形を順次デイジタ
ル信号に変換する。デイジタル信号に変換された
データは一旦RAM９に記憶される。記憶後各ト
ラツクのデータはRAM９から順次読み出され、
デイジタルフイルタル１０で波形等化が行なわれ
る。等化後のデータRAM１１に記憶される。
RAM９には増幅器６の出力をPCMデイジタル信
号に変換したものが記憶されているが、RAM１
１にはそれぞれのトラツクのヘツド出力が波形等
化処理されたデイジタルデータが記憶されてい
る。等化されたアナログ信号はこれをゼロクロス
点で２値化した波形と極めて類似しているので
RAM１１のデータを適当に読み出すことによつ
て、テープに記憶されているPCM信号に復調で
きる。この後、信号処理回路１２により誤り訂正
などが行なわれＤ／Ａ変換器１３によりＤ／Ａ変
換され出力１４を得る。
各トラツクに記録された信号は各トラツクに対応
するヘツド５で再生される。各トラツクから再生
された再生信号は増幅器６によつて所定のレベル
まで増幅される。マルチプレクサ７では、各トラ
ツクの増幅器６の出力を順次選択しＡ／Ｄ変換器
１４により各トラツクの再生波形を順次デイジタ
ル信号に変換する。デイジタル信号に変換された
データは一旦RAM９に記憶される。記憶後各ト
ラツクのデータはRAM９から順次読み出され、
デイジタルフイルタル１０で波形等化が行なわれ
る。等化後のデータRAM１１に記憶される。
RAM９には増幅器６の出力をPCMデイジタル信
号に変換したものが記憶されているが、RAM１
１にはそれぞれのトラツクのヘツド出力が波形等
化処理されたデイジタルデータが記憶されてい
る。等化されたアナログ信号はこれをゼロクロス
点で２値化した波形と極めて類似しているので
RAM１１のデータを適当に読み出すことによつ
て、テープに記憶されているPCM信号に復調で
きる。この後、信号処理回路１２により誤り訂正
などが行なわれＤ／Ａ変換器１３によりＤ／Ａ変
換され出力１４を得る。
発明が解決しようとする問題点
マルチトラツクMRヘツドの特性上の問題点と
してMR素子を多数有しているため素子間でバラ
ツキを生じることがある。特に、前述のように
MR素子にはバイアス磁界を与える必要がある
が、各MR素子によつてその最適バイアス点が異
なる場合、すべてのMR素子の平均的な最適バイ
アス磁界を与えると、最適でない点にバイアスさ
れるものが出てくる。この場合、このトラツクか
らの再生信号は２次ひずみを多く含んだ波形とな
り全体としての誤り率も増大することになる。こ
れを解決するためにはMR素子近傍に配置するバ
イアス用の導体を各トラツクごとに独立に設け、
それぞれの端子を出すことにより、それぞれ異な
る電圧を与え個別のバイアス磁界を与える方法が
ある。しかし、この方法はMR素子に加えてバイ
アス磁界用の端子を出すために、ヘツド構造が複
雑となり実用的ではない。そこで一般には、全ト
ラツクにわたり一個のバイアス導体を配し、全ト
ラツクで２本の端子を出すことにより全MR素子
に共通のバイアス磁界を与えることが行なわれて
いた。従つて、トラツクごとのMR素子のバラツ
キを含んだマージン設定が行なわれていた。
してMR素子を多数有しているため素子間でバラ
ツキを生じることがある。特に、前述のように
MR素子にはバイアス磁界を与える必要がある
が、各MR素子によつてその最適バイアス点が異
なる場合、すべてのMR素子の平均的な最適バイ
アス磁界を与えると、最適でない点にバイアスさ
れるものが出てくる。この場合、このトラツクか
らの再生信号は２次ひずみを多く含んだ波形とな
り全体としての誤り率も増大することになる。こ
れを解決するためにはMR素子近傍に配置するバ
イアス用の導体を各トラツクごとに独立に設け、
それぞれの端子を出すことにより、それぞれ異な
る電圧を与え個別のバイアス磁界を与える方法が
ある。しかし、この方法はMR素子に加えてバイ
アス磁界用の端子を出すために、ヘツド構造が複
雑となり実用的ではない。そこで一般には、全ト
ラツクにわたり一個のバイアス導体を配し、全ト
ラツクで２本の端子を出すことにより全MR素子
に共通のバイアス磁界を与えることが行なわれて
いた。従つて、トラツクごとのMR素子のバラツ
キを含んだマージン設定が行なわれていた。
本発明は以上の問題点を解決するために、バイ
アス導体の端子を増やすことなく、各トラツクの
MR素子に最適のバイアス磁界を与えることので
きるマルチトラツク磁気信号再生装置を提供する
ものである。
アス導体の端子を増やすことなく、各トラツクの
MR素子に最適のバイアス磁界を与えることので
きるマルチトラツク磁気信号再生装置を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、複数個のMR素子を有し、それらに
バイアス磁界を与えるための単一の導体を含むマ
ルチトラツクMRヘツドと、各MR素子の最適バ
イアス磁界を記憶するための記憶回路と、この記
憶回路から読み出されるデータをＤ／Ａ変換する
Ｄ／Ａ変換器と、この出力アナログ信号に対応す
る電流を上記バイアス導体に供給する手段と、各
トラツクの再生信号を順次切り換える手段と、切
り換えられた出力をＡ／Ｄ変換する手段と、Ａ／
Ｄ変換されたデータを記憶する手段と、記憶され
たデイジタル信号に対し各トラツク毎に波形等化
を行なうデイジタルフイルタと、前記各トラツク
の再生信号の切り換えに同期して、前記最適バイ
アス磁界を記憶するための記憶回路から読み出さ
れるデータを選択されたトラツクに応じて切換え
る手段とを具備するマルチトラツク磁気信号再生
装置である。
バイアス磁界を与えるための単一の導体を含むマ
ルチトラツクMRヘツドと、各MR素子の最適バ
イアス磁界を記憶するための記憶回路と、この記
憶回路から読み出されるデータをＤ／Ａ変換する
Ｄ／Ａ変換器と、この出力アナログ信号に対応す
る電流を上記バイアス導体に供給する手段と、各
トラツクの再生信号を順次切り換える手段と、切
り換えられた出力をＡ／Ｄ変換する手段と、Ａ／
Ｄ変換されたデータを記憶する手段と、記憶され
たデイジタル信号に対し各トラツク毎に波形等化
を行なうデイジタルフイルタと、前記各トラツク
の再生信号の切り換えに同期して、前記最適バイ
アス磁界を記憶するための記憶回路から読み出さ
れるデータを選択されたトラツクに応じて切換え
る手段とを具備するマルチトラツク磁気信号再生
装置である。
作 用
バイアス導体を流れる電流は時分割的に各トラ
ツクの最適値が与えられ、そのタイミングに応じ
て各トラツクの出力信号を時分割デイジタル処理
することによりそれぞれのトラツクに記録されて
いるデイジタル信号が最適に再生される。
ツクの最適値が与えられ、そのタイミングに応じ
て各トラツクの出力信号を時分割デイジタル処理
することによりそれぞれのトラツクに記録されて
いるデイジタル信号が最適に再生される。
実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。第５図と同
一のものについては同一番号を付して説明を省略
する。
一のものについては同一番号を付して説明を省略
する。
１８はMR素子であり、直列に接続された抵抗
R1〜RNを介して直流電流が与えられている。そ
の抵抗値はMR素子１８の抵抗値に比べ十分大き
いため、MR素子１８を流れる電流は実質定電流
となつている。磁気テープ４からの再生磁束によ
りMR素子１８の抵抗が変化すると、その両端の
電圧は変化しヘツド出力電圧となる。この後の処
理は引用例と同一である。
R1〜RNを介して直流電流が与えられている。そ
の抵抗値はMR素子１８の抵抗値に比べ十分大き
いため、MR素子１８を流れる電流は実質定電流
となつている。磁気テープ４からの再生磁束によ
りMR素子１８の抵抗が変化すると、その両端の
電圧は変化しヘツド出力電圧となる。この後の処
理は引用例と同一である。
一方ROM１５は全トラツクのMR素子の最適
バイアス点に関する情報を記憶している。Ｄ／Ａ
変換器１６はROMの記憶内容をＤ／Ａ変換する
Ｄ／Ａ変換器である。
バイアス点に関する情報を記憶している。Ｄ／Ａ
変換器１６はROMの記憶内容をＤ／Ａ変換する
Ｄ／Ａ変換器である。
ROM１５の内容はマルチプレクサ７の切替え
タイミングに同期して読み出され、あるMR素子
の出力がマルチプレクサ７を通過するタイミング
に一致して、そのMR素子１８の最適バイアス磁
界が与えられるようにROM１５の読み出しアド
レスを制御する。ROM１５の内容をＤ／Ａ変換
器１６によりアナログ信号に変換し、この電流を
バイアス導体１７に与えることによりこの電流が
発生する磁界によつて最適バイアス磁界を与える
ものである。
タイミングに同期して読み出され、あるMR素子
の出力がマルチプレクサ７を通過するタイミング
に一致して、そのMR素子１８の最適バイアス磁
界が与えられるようにROM１５の読み出しアド
レスを制御する。ROM１５の内容をＤ／Ａ変換
器１６によりアナログ信号に変換し、この電流を
バイアス導体１７に与えることによりこの電流が
発生する磁界によつて最適バイアス磁界を与える
ものである。
なおＤ／Ａ変換器１６が電圧出力型の場合に
は、電圧電流変換器が必要である。
は、電圧電流変換器が必要である。
第２図に各部の波形を示す。ａはトラツク番号
を示す、ｂは対応するROMのアドレスが変化す
るタイミング、ｃはバイアス導体１７を流れる電
流の時間的変化、ｄはマルチプレクサ７の出力を
示す。
を示す、ｂは対応するROMのアドレスが変化す
るタイミング、ｃはバイアス導体１７を流れる電
流の時間的変化、ｄはマルチプレクサ７の出力を
示す。
以上の実施例では増幅器６を各トラツクに設け
たがマルチプレクサ７での損失が問題にならなけ
れば、各トラツク毎の増幅器は省略し、マルチプ
レクサ出力を増幅する形にしてもよい。
たがマルチプレクサ７での損失が問題にならなけ
れば、各トラツク毎の増幅器は省略し、マルチプ
レクサ出力を増幅する形にしてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、個別のバイアス
磁界印加用導体を設けることなく、マルチトラツ
クMRヘツドの各MR素子に対してそれぞれ最適
のバイアス磁界を与えることができ、全トラツク
で線形性のよい再生信号が得られるため、誤り率
の少ない磁気信号再生装置が得られる。
磁界印加用導体を設けることなく、マルチトラツ
クMRヘツドの各MR素子に対してそれぞれ最適
のバイアス磁界を与えることができ、全トラツク
で線形性のよい再生信号が得られるため、誤り率
の少ない磁気信号再生装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例におけるマルチトラ
ツク磁気信号再生装置のブロツク図、第２図は同
装置の要部の波形を示す波形図、第３図はMR素
子の概要を示す斜視図、第４図はMR素子の特性
曲線の一例を示すグラフ、第５図は従来例のマル
チトラツク磁気信号再生装置のブロツク図であ
る。 ４……磁気テープ、７……マルチプレクサ、８
……Ａ／Ｄ変換器、１０……デイジタルフイル
タ、１５……ROM、１６……Ｄ／Ａ変換器、１
７……バイアス導体、１８……MR素子。
ツク磁気信号再生装置のブロツク図、第２図は同
装置の要部の波形を示す波形図、第３図はMR素
子の概要を示す斜視図、第４図はMR素子の特性
曲線の一例を示すグラフ、第５図は従来例のマル
チトラツク磁気信号再生装置のブロツク図であ
る。 ４……磁気テープ、７……マルチプレクサ、８
……Ａ／Ｄ変換器、１０……デイジタルフイル
タ、１５……ROM、１６……Ｄ／Ａ変換器、１
７……バイアス導体、１８……MR素子。
Claims (1)
- １ 複数の磁気抵抗効果素子を含むマルチトラツ
ク磁気抵抗効果型再生ヘツドと、そのヘツドから
の各トラツクの出力を順次選択する信号切換回路
と、その信号切換回路で選択された信号をデイジ
タル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、前記変換さ
れたデイジタル信号を記憶しておく第１の記憶回
路と、その第１の記憶回路に記憶されているデイ
ジタル信号に対して各トラツク毎に波形等化を行
なう１個のデイジタルフイルタとを具備するマル
チトラツク磁気信号再生装置において、前記複数
の磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与えるため
の一対の端子を設けた導電体と、前記各磁気抵抗
効果素子の最適バイアス磁界を発生するために前
記導電体に供給する電流値を記憶する第２の記憶
回路と、前記信号切換回路に同期して前記第２の
記憶回路から選択されたトラツクの前記磁気抵抗
効果素子に対応するデータを読み出す手段と、そ
のデータをＤ／Ａ変換する手段とを具備し、前記
Ｄ／Ａ変換出力を前記導電体に与えることを特徴
とするマルチトラツク磁気信号再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26978084A JPS61148607A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | マルチトラツク磁気信号再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26978084A JPS61148607A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | マルチトラツク磁気信号再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148607A JPS61148607A (ja) | 1986-07-07 |
| JPH0559482B2 true JPH0559482B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=17477052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26978084A Granted JPS61148607A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | マルチトラツク磁気信号再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148607A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2707191B2 (ja) * | 1992-10-19 | 1998-01-28 | シャープ株式会社 | マルチトラック磁気信号再生装置 |
| US5412518A (en) * | 1993-12-16 | 1995-05-02 | International Business Machines Corporation | Individual MR transducer head/disk/channel adaptive bias current system |
| DE19535089A1 (de) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Thomson Brandt Gmbh | Verfahren zur Aufzeichnung von digitalen Signalen auf einem Magnetband in Multilängsspuren sowie Magnetbandaufzeichnungsgerät zur Durchführung des Verfahrens |
| JP3246374B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果型素子を用いた磁気記録装置 |
| TW592920B (en) | 2001-06-29 | 2004-06-21 | Mitsubishi Materials Corp | Boring tool, boring device and boring method |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26978084A patent/JPS61148607A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61148607A (ja) | 1986-07-07 |
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