JPH0558627A - 酸化インジウム粉末及びその製造方法 - Google Patents
酸化インジウム粉末及びその製造方法Info
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- JPH0558627A JPH0558627A JP24642691A JP24642691A JPH0558627A JP H0558627 A JPH0558627 A JP H0558627A JP 24642691 A JP24642691 A JP 24642691A JP 24642691 A JP24642691 A JP 24642691A JP H0558627 A JPH0558627 A JP H0558627A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 Ｘ線回折による（２２２）／（４００）
面回折強度比５以上、平均粒径が０．１〜１００μｍの
板状酸化インジウム粉末、及びこの粉末を、硫酸イオン
／インジウム＝１．５−１０（モル比）の水溶液から調
製した含硫酸水酸化インジウムを仮焼することにより得
る。 【効果】 この酸化インジウム粉末は、（２２２）
面により配向しているので、この粉末を用いれば、結晶
配向を制御した焼結体を製造可能である。
面回折強度比５以上、平均粒径が０．１〜１００μｍの
板状酸化インジウム粉末、及びこの粉末を、硫酸イオン
／インジウム＝１．５−１０（モル比）の水溶液から調
製した含硫酸水酸化インジウムを仮焼することにより得
る。 【効果】 この酸化インジウム粉末は、（２２２）
面により配向しているので、この粉末を用いれば、結晶
配向を制御した焼結体を製造可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化インジウム粉末及
びその製造方法に関するものである。更に詳しくは、高
度に配向した（２２２）結晶配向をもつ板状の酸化イン
ジウム粉末及びその製造方法に関する。
びその製造方法に関するものである。更に詳しくは、高
度に配向した（２２２）結晶配向をもつ板状の酸化イン
ジウム粉末及びその製造方法に関する。
【０００２】本発明の板状酸化インジウム粉末を焼結体
原料として用いることにより、結晶配向焼結体の製造が
可能である。また、キャリア電子を与える錫等を固溶さ
せて導電性粉末を製造することにより、導電フィラ−等
への応用が可能である。
原料として用いることにより、結晶配向焼結体の製造が
可能である。また、キャリア電子を与える錫等を固溶さ
せて導電性粉末を製造することにより、導電フィラ−等
への応用が可能である。
【０００３】
【従来の技術】機能性セラミックス（焼結体）は、酸化
物粉末を成型、焼結して製造される。焼結体の特性は、
用いる酸化物粉末の特性に起因することが多く、例えば
導電性等の電気的特性、破壊強度等の機械的特性、緻密
性、結晶配向等の焼結体特性は、用いる酸化物粉末の形
状、粒径、分散性、結晶配向等の特性に大きく依存して
変化する。
物粉末を成型、焼結して製造される。焼結体の特性は、
用いる酸化物粉末の特性に起因することが多く、例えば
導電性等の電気的特性、破壊強度等の機械的特性、緻密
性、結晶配向等の焼結体特性は、用いる酸化物粉末の形
状、粒径、分散性、結晶配向等の特性に大きく依存して
変化する。
【０００４】例えば、結晶配向焼結体は、粉末形状に異
方性を持つ結晶配向粉末を用いることにより、加圧成型
時に粉末を整列させ、粉末が整列した成型体を焼結する
ことによって製造可能である。
方性を持つ結晶配向粉末を用いることにより、加圧成型
時に粉末を整列させ、粉末が整列した成型体を焼結する
ことによって製造可能である。
【０００５】従来、酸化インジウム粉末の製造は、イン
ジウム金属等のインジウム源を硝酸、硫酸、塩酸等の酸
で溶解させ、アルカリ等の沈殿剤を添加して水酸化イン
ジウムを形成後、仮焼する方法で行われている。このよ
うにして製造された酸化インジウム粉末は、Ｘ線回折パ
タ−ンにおいて、（２２２）面回折強度／（４００）面
回折強度の比はほぼ３であり、粉末形状に異方性はなか
った。
ジウム金属等のインジウム源を硝酸、硫酸、塩酸等の酸
で溶解させ、アルカリ等の沈殿剤を添加して水酸化イン
ジウムを形成後、仮焼する方法で行われている。このよ
うにして製造された酸化インジウム粉末は、Ｘ線回折パ
タ−ンにおいて、（２２２）面回折強度／（４００）面
回折強度の比はほぼ３であり、粉末形状に異方性はなか
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高度
に配向した（２２２）結晶配向酸化インジウム粉末及び
それを簡単な方法かつ容易に製造し得る方法を提供する
ことにある。
に配向した（２２２）結晶配向酸化インジウム粉末及び
それを簡単な方法かつ容易に製造し得る方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述のよ
うな酸化インジウム粉末及びその製造方法に関して鋭意
検討を重ねた結果、硫酸イオン／インジウム（モル比）
が１．５から１０であるインジウムの硫酸水溶液を濃縮
した後、過剰の硫酸を添加して得られる板状含硫酸水酸
化インジウムをろ過、乾燥後、仮焼することによって、
Ｘ線回折による（２２２）面回折強度／（４００）面回
折強度比が５以上であり、平均粒径が０．１μｍ〜１０
０μｍ、粉末形状が板状の酸化インジウム粉末を得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
うな酸化インジウム粉末及びその製造方法に関して鋭意
検討を重ねた結果、硫酸イオン／インジウム（モル比）
が１．５から１０であるインジウムの硫酸水溶液を濃縮
した後、過剰の硫酸を添加して得られる板状含硫酸水酸
化インジウムをろ過、乾燥後、仮焼することによって、
Ｘ線回折による（２２２）面回折強度／（４００）面回
折強度比が５以上であり、平均粒径が０．１μｍ〜１０
０μｍ、粉末形状が板状の酸化インジウム粉末を得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明の酸化インジウム粉末は、Ｘ線回折
による（２２２）面回折強度／（４００）面回折強度比
が５以上であり、０．１μｍ〜１００μｍの平均粒径を
もち、かつ、板状の形状を示すものである。（２２２）
面の回折は２Θ＝３０度付近に、（４００）面の回折は
２Θ＝３５度付近に現れる。
による（２２２）面回折強度／（４００）面回折強度比
が５以上であり、０．１μｍ〜１００μｍの平均粒径を
もち、かつ、板状の形状を示すものである。（２２２）
面の回折は２Θ＝３０度付近に、（４００）面の回折は
２Θ＝３５度付近に現れる。
【００１０】本発明でいう回折強度比とは、酸化インジ
ウム粉末のＸ線回折パタ−ンにおいて、（２２２）面の
回折ピ−クの積分強度と（４００）面の回折ピ−クの積
分強度の比のことである。
ウム粉末のＸ線回折パタ−ンにおいて、（２２２）面の
回折ピ−クの積分強度と（４００）面の回折ピ−クの積
分強度の比のことである。
【００１１】本発明の粉末の回折強度比は、（２２２）
面回折強度／（４００）面回折強度比が５以上で、特に
好ましくは１０以上である。これは、従来の酸化インジ
ウム粉末の回折強度比の３よりも大きく、より（２２
２）面に強く配向を示す新規な粉末である。
面回折強度／（４００）面回折強度比が５以上で、特に
好ましくは１０以上である。これは、従来の酸化インジ
ウム粉末の回折強度比の３よりも大きく、より（２２
２）面に強く配向を示す新規な粉末である。
【００１２】本発明の粉末の平均粒径は０．１μｍ〜１
００μｍである。粉末粒径が０．１μｍ未満の場合、粉
末は凝集し（２２２）結晶配向酸化インジウム粉末が得
られないために好ましくない。また、粉末粒径が１００
μｍを越えるものは、粉末の分散性が悪くなるなるため
に好ましくない。
００μｍである。粉末粒径が０．１μｍ未満の場合、粉
末は凝集し（２２２）結晶配向酸化インジウム粉末が得
られないために好ましくない。また、粉末粒径が１００
μｍを越えるものは、粉末の分散性が悪くなるなるため
に好ましくない。
【００１３】次に、本発明の酸化インジウム粉末の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【００１４】本発明の酸化インジウム粉末は、例えば含
硫酸水酸化インジウム（［Ｈ５Ｏ２］［Ｉｎ（Ｈ２Ｏ）
２（ＳＯ４）２］）を用いて製造することが可能であ
る。含硫酸水酸化インジウムはＣ軸方向に層を形成し、
Ｃ軸配向、特に（００２）結晶配向を示す層状化合物
で、板状の粉末形状を示す。すなわち、このＣ軸配向性
板状含硫酸水酸化インジウムを熱分解して酸化インジウ
ムを製造することにより、酸化インジウムの（４００）
面方向の結晶成長を抑制し、従来粉末よりもより（２２
２）面の結晶配向に富む板状酸化インジウム粉末の製造
が可能となり、又、板状の粉末を用いることにより、熱
分解後も板状を維持することを可能にする。
硫酸水酸化インジウム（［Ｈ５Ｏ２］［Ｉｎ（Ｈ２Ｏ）
２（ＳＯ４）２］）を用いて製造することが可能であ
る。含硫酸水酸化インジウムはＣ軸方向に層を形成し、
Ｃ軸配向、特に（００２）結晶配向を示す層状化合物
で、板状の粉末形状を示す。すなわち、このＣ軸配向性
板状含硫酸水酸化インジウムを熱分解して酸化インジウ
ムを製造することにより、酸化インジウムの（４００）
面方向の結晶成長を抑制し、従来粉末よりもより（２２
２）面の結晶配向に富む板状酸化インジウム粉末の製造
が可能となり、又、板状の粉末を用いることにより、熱
分解後も板状を維持することを可能にする。
【００１５】含硫酸水酸化インジウム粉末の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１６】含硫酸水酸化インジウム粉末は、硫酸イオ
ン／インジウム（モル比）が１．５から１０であるイン
ジウムの硫酸水溶液を濃縮した後、過剰の硫酸を添加
し、ろ過、乾燥して得られる。
ン／インジウム（モル比）が１．５から１０であるイン
ジウムの硫酸水溶液を濃縮した後、過剰の硫酸を添加
し、ろ過、乾燥して得られる。
【００１７】含硫酸水酸化インジウム粉末は、インジウ
ムと硫酸インジウムの溶液を濃縮することによって製造
可能であるが（Ａｃｔａ Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．，
Ｓｅｃ．Ｂ．，３５，１５８０（１９７９））、インジ
ウムの硫酸水溶液中の硫酸イオンとインジウムの組成を
含硫酸水酸化インジウムの量論比とした溶液を濃縮して
も含硫酸水酸化インジウムが晶析するまでに多くの時間
を要する。しかし、インジウムの硫酸水溶液を濃縮後、
過剰の硫酸を添加すると硫酸の添加と同時に含硫酸水酸
化インジウムが晶析し、晶析時間を大幅に短縮できるこ
とを見出した。インジウムの硫酸水溶液の濃縮後、過剰
の硫酸を添加することが本発明の特徴である。
ムと硫酸インジウムの溶液を濃縮することによって製造
可能であるが（Ａｃｔａ Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．，
Ｓｅｃ．Ｂ．，３５，１５８０（１９７９））、インジ
ウムの硫酸水溶液中の硫酸イオンとインジウムの組成を
含硫酸水酸化インジウムの量論比とした溶液を濃縮して
も含硫酸水酸化インジウムが晶析するまでに多くの時間
を要する。しかし、インジウムの硫酸水溶液を濃縮後、
過剰の硫酸を添加すると硫酸の添加と同時に含硫酸水酸
化インジウムが晶析し、晶析時間を大幅に短縮できるこ
とを見出した。インジウムの硫酸水溶液の濃縮後、過剰
の硫酸を添加することが本発明の特徴である。
【００１８】更に詳しく含硫酸水酸化インジウム粉末の
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
【００１９】インジウムの硫酸水溶液の硫酸イオン／イ
ンジウム（モル比）は、１．５から１０であることが好
ましく、特に好ましくは２以上８以下である。硫酸イオ
ン／インジウム（モル比）が１．５よりも小さいとイン
ジウムは硫酸に全て溶けないために好ましくない。ま
た、硫酸イオン／インジウム（モル比）が１０を越えて
硫酸が多く存在しても何ら効果は表れず、経済的に好ま
しくない。
ンジウム（モル比）は、１．５から１０であることが好
ましく、特に好ましくは２以上８以下である。硫酸イオ
ン／インジウム（モル比）が１．５よりも小さいとイン
ジウムは硫酸に全て溶けないために好ましくない。ま
た、硫酸イオン／インジウム（モル比）が１０を越えて
硫酸が多く存在しても何ら効果は表れず、経済的に好ま
しくない。
【００２０】インジウムの硫酸水溶液を製造する際に用
いるインジウム源としては、溶液中に硫酸イオン以外の
負イオンを共存させないものであれば特に限定されるこ
となく用いることができ、インジウム金属、酸化インジ
ウム、水酸化インジウム、硫酸インジウム等が適応可能
である。また、硫酸源としては、特に限定させることな
く用いることができ、硫酸インジウム、濃硫酸等を用い
ればよい。
いるインジウム源としては、溶液中に硫酸イオン以外の
負イオンを共存させないものであれば特に限定されるこ
となく用いることができ、インジウム金属、酸化インジ
ウム、水酸化インジウム、硫酸インジウム等が適応可能
である。また、硫酸源としては、特に限定させることな
く用いることができ、硫酸インジウム、濃硫酸等を用い
ればよい。
【００２１】インジウムの硫酸水溶液の製造は、上述の
インジウム源と硫酸源を混合して行われる。混合方法は
特に限定されず、インジウム源に硫酸源を加えても、硫
酸源にインジウム源を加えてもよい。また、必要に応じ
て蒸留水の共存下で混合を行ってもよい。
インジウム源と硫酸源を混合して行われる。混合方法は
特に限定されず、インジウム源に硫酸源を加えても、硫
酸源にインジウム源を加えてもよい。また、必要に応じ
て蒸留水の共存下で混合を行ってもよい。
【００２２】混合時の温度は特に限定されず室温等で行
えばよい。また、インジウム源の溶解を速めるために加
温中で行ってもよい。
えばよい。また、インジウム源の溶解を速めるために加
温中で行ってもよい。
【００２３】また、必要に応じて撹拌しながら混合して
もよい。この際、撹拌速度は特に限定されない。
もよい。この際、撹拌速度は特に限定されない。
【００２４】次に、インジウム硫酸水溶液を濃縮する。
濃縮とは溶液中の水分を蒸発させることをいう。濃縮方
法としては、エバポレ−タを用いて減圧中で行なう方
法、常圧中で加熱して行なう方法等が挙げられるが、常
圧中で加熱して行なう場合、液温が１２０℃を越えると
含硫酸水酸化インジウムは白煙を上げて分解するため好
ましくない。
濃縮とは溶液中の水分を蒸発させることをいう。濃縮方
法としては、エバポレ−タを用いて減圧中で行なう方
法、常圧中で加熱して行なう方法等が挙げられるが、常
圧中で加熱して行なう場合、液温が１２０℃を越えると
含硫酸水酸化インジウムは白煙を上げて分解するため好
ましくない。
【００２５】含硫酸水酸化インジウムの晶析時間を短縮
するため、濃縮後、過剰の硫酸を添加する。硫酸の添加
量は、仕込みのインジウムのモル数に対して０．１−１
００倍量で、特に好ましくは１−１０倍量である。硫酸
の添加量が０．１倍量よりも少ない場合、含硫酸水酸化
インジウムの晶析時間を短縮するという効果が表われな
いために好ましくない。また、１００倍量を越える量の
硫酸を添加しても含硫酸水酸化インジウムの晶析時間の
短縮の効果は飽和し、経済的にも好ましくない。
するため、濃縮後、過剰の硫酸を添加する。硫酸の添加
量は、仕込みのインジウムのモル数に対して０．１−１
００倍量で、特に好ましくは１−１０倍量である。硫酸
の添加量が０．１倍量よりも少ない場合、含硫酸水酸化
インジウムの晶析時間を短縮するという効果が表われな
いために好ましくない。また、１００倍量を越える量の
硫酸を添加しても含硫酸水酸化インジウムの晶析時間の
短縮の効果は飽和し、経済的にも好ましくない。
【００２６】得られた含硫酸水酸化インジウムは過剰の
硫酸と分離した後、必要に応じて洗浄を行なってもよ
い。洗浄に用いる溶媒は、含硫酸水酸化インジウムが水
に可溶であるため、不溶性のアセトン、エタノ−ル、メ
タノ−ル、ジメチルスルホキシド等の有機溶媒で行えば
よい。
硫酸と分離した後、必要に応じて洗浄を行なってもよ
い。洗浄に用いる溶媒は、含硫酸水酸化インジウムが水
に可溶であるため、不溶性のアセトン、エタノ−ル、メ
タノ−ル、ジメチルスルホキシド等の有機溶媒で行えば
よい。
【００２７】次に、粉末の乾燥を行なうが、乾燥温度は
１５０℃以下で、特に好ましくは１２０℃以下である。
１５０℃を越える温度で乾燥を行なうと含硫酸水酸化イ
ンジウム中の結晶水が脱離し、一部分解を起こすために
好ましくない。
１５０℃以下で、特に好ましくは１２０℃以下である。
１５０℃を越える温度で乾燥を行なうと含硫酸水酸化イ
ンジウム中の結晶水が脱離し、一部分解を起こすために
好ましくない。
【００２８】上述の方法により含硫酸水酸化インジウム
粉末が得られ、次に、本発明の酸化インジウム粉末の製
造方法について説明する。
粉末が得られ、次に、本発明の酸化インジウム粉末の製
造方法について説明する。
【００２９】本発明の酸化インジウム粉末は含硫酸水酸
化インジウム粉末を仮焼して製造する。仮焼温度は２０
０℃〜７００℃で、特に好ましくは３００℃〜６００℃
の範囲である。仮焼温度が２００℃よりも低いと、含硫
酸水酸化インジウムの熱分解は不十分であり、また７０
０℃を越える温度では、酸化インジウムの結晶成長が進
み、本発明の粉末の結晶配向、すなわち（２２２）面回
折強度／（４００）面回折強度比が５以上である粉末が
得られない場合がある。
化インジウム粉末を仮焼して製造する。仮焼温度は２０
０℃〜７００℃で、特に好ましくは３００℃〜６００℃
の範囲である。仮焼温度が２００℃よりも低いと、含硫
酸水酸化インジウムの熱分解は不十分であり、また７０
０℃を越える温度では、酸化インジウムの結晶成長が進
み、本発明の粉末の結晶配向、すなわち（２２２）面回
折強度／（４００）面回折強度比が５以上である粉末が
得られない場合がある。
【００３０】上述仮焼時間は３０分〜１０時間で、特に
好ましくは１時間〜５時間である。仮焼時間が３０分未
満の場合、含硫酸水酸化インジウムの分解は不十分であ
り、また、必要以上に長くしても粉末の粒径、結晶配向
性等は変化せず、経済的に好ましくない。
好ましくは１時間〜５時間である。仮焼時間が３０分未
満の場合、含硫酸水酸化インジウムの分解は不十分であ
り、また、必要以上に長くしても粉末の粒径、結晶配向
性等は変化せず、経済的に好ましくない。
【００３１】仮焼時の雰囲気は特に限定されず、大気中
等で行えばよい。
等で行えばよい。
【００３２】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】実施例１ 硫酸インジウム９水和物９．５１ｇを１００ｍｌの蒸留
水に溶かし、９７％の濃硫酸１．４９ｇを加え、硫酸／
インジウムのモル比が２のインジウム硫酸水溶液を製造
した。インジウムの硫酸水溶液をエバポレ−タで減圧蒸
発させた後、インジウムの硫酸溶液にインジウムのモル
数に対して３倍量の濃硫酸を過剰に添加したところ、硫
酸添加と共に含硫酸水酸化インジウムは晶析した。得ら
れた晶析物をろ過した後、エタノ−ルで洗浄し、含硫酸
水酸化インジウム粉末を得た。
水に溶かし、９７％の濃硫酸１．４９ｇを加え、硫酸／
インジウムのモル比が２のインジウム硫酸水溶液を製造
した。インジウムの硫酸水溶液をエバポレ−タで減圧蒸
発させた後、インジウムの硫酸溶液にインジウムのモル
数に対して３倍量の濃硫酸を過剰に添加したところ、硫
酸添加と共に含硫酸水酸化インジウムは晶析した。得ら
れた晶析物をろ過した後、エタノ−ルで洗浄し、含硫酸
水酸化インジウム粉末を得た。
【００３４】含硫酸水酸化インジウム粉末の粉末Ｘ線回
折スペクトル及びその結晶構造を示す図をそれぞれ図１
及び図２に示す。
折スペクトル及びその結晶構造を示す図をそれぞれ図１
及び図２に示す。
【００３５】上述の方法で得られた含硫酸水酸化インジ
ウムを大気中、３００℃で仮焼し酸化インジウム粉末を
得た。
ウムを大気中、３００℃で仮焼し酸化インジウム粉末を
得た。
【００３６】得られた酸化インジウム粉末の粉末Ｘ線回
折スペクトル及びその結晶構造を示す図をそれぞれ図３
及び図４に示す。粉末形状は板状、平均粒径は５０μｍ
であり、（２２２）面回折強度／（４００）面回折強度
比が１９で（２２２）結晶配向性に富む粉末が得られ
た。
折スペクトル及びその結晶構造を示す図をそれぞれ図３
及び図４に示す。粉末形状は板状、平均粒径は５０μｍ
であり、（２２２）面回折強度／（４００）面回折強度
比が１９で（２２２）結晶配向性に富む粉末が得られ
た。
【００３７】実施例２ 水酸化インジウム１６５．８ｇを３００ｍｌの蒸留水に
加え、撹拌して水酸化インジウムスラリ−を調製し、こ
のスラリ−に９７％濃硫酸を２０２．１ｇ添加し、硫酸
／インジウムのモル比が２のインジウムの硫酸水溶液を
得た。得られた水溶液を実施例１と同様の方法で減圧蒸
発し、更にインジウムのモル数に対して２倍量の硫酸を
添加し含硫酸水酸化インジウムを晶析させた。得られた
晶析物を実施例１と同様の方法で洗浄し含硫酸水酸化イ
ンジウムを得た。
加え、撹拌して水酸化インジウムスラリ−を調製し、こ
のスラリ−に９７％濃硫酸を２０２．１ｇ添加し、硫酸
／インジウムのモル比が２のインジウムの硫酸水溶液を
得た。得られた水溶液を実施例１と同様の方法で減圧蒸
発し、更にインジウムのモル数に対して２倍量の硫酸を
添加し含硫酸水酸化インジウムを晶析させた。得られた
晶析物を実施例１と同様の方法で洗浄し含硫酸水酸化イ
ンジウムを得た。
【００３８】上述の方法で得られた含硫酸水酸化インジ
ウムを大気中、５００℃で仮焼し酸化インジウム粉末を
得た。
ウムを大気中、５００℃で仮焼し酸化インジウム粉末を
得た。
【００３９】得られた酸化インジウム粉末の粉末Ｘ線回
折スペクトルを図５に示したが、（２２２）面回折強度
／（４００）面回折強度比が５．５であり、（２２２）
結晶配向性に富む粉末が得られた。平均粒径は７０μｍ
であった。
折スペクトルを図５に示したが、（２２２）面回折強度
／（４００）面回折強度比が５．５であり、（２２２）
結晶配向性に富む粉末が得られた。平均粒径は７０μｍ
であった。
【００４０】実施例３ インジウム金属２２９．８ｇを９７％の濃硫酸５００ｇ
で溶解させて、硫酸／インジウムのモル比が２．５のイ
ンジウムの硫酸溶液を製造した。この溶液を実施例１と
同様の方法で減圧蒸発した後、インジウムのモル数に対
して１０倍量の濃硫酸を添加して含硫酸水酸化インジウ
ムを晶析させた。得られた晶析物を実施例１と同様の方
法で洗浄し含硫酸水酸化インジウムを得た。
で溶解させて、硫酸／インジウムのモル比が２．５のイ
ンジウムの硫酸溶液を製造した。この溶液を実施例１と
同様の方法で減圧蒸発した後、インジウムのモル数に対
して１０倍量の濃硫酸を添加して含硫酸水酸化インジウ
ムを晶析させた。得られた晶析物を実施例１と同様の方
法で洗浄し含硫酸水酸化インジウムを得た。
【００４１】上述の方法で得られた含硫酸水酸化インジ
ウムを、実施例２と同様の方法で仮焼し、酸化インジウ
ム粉末を得た。
ウムを、実施例２と同様の方法で仮焼し、酸化インジウ
ム粉末を得た。
【００４２】得られた酸化インジウム粉末の（２２２）
面回折強度／（４００）面回折強度比が５．６であり、
（２２２）結晶配向性に富む粉末が得られた。平均粒径
は、６５μｍであった。
面回折強度／（４００）面回折強度比が５．６であり、
（２２２）結晶配向性に富む粉末が得られた。平均粒径
は、６５μｍであった。
【００４３】比較例１ 市販の硫酸インジウムを９００℃の温度で加熱し、酸化
インジウムを得た。得られた粉末のＸＲＤパタ−ンを図
４に示したが、（２２２）面回折強度／（４００）面回
折強度比は３．２で従来の酸化インジウムの結晶配向比
と同じであった。
インジウムを得た。得られた粉末のＸＲＤパタ−ンを図
４に示したが、（２２２）面回折強度／（４００）面回
折強度比は３．２で従来の酸化インジウムの結晶配向比
と同じであった。
【００４４】
【発明の効果】本発明の酸化インジウム粉末は、（２２
２）面の結晶配向性に富み、この粉末を用いることによ
って、結晶配向を制御した焼結体の製造が可能である。
また、本発明の粉末に錫等のド−パントを固溶させるこ
とより導電性粉末を製造し、導電フィラ−等への応用も
可能である。
２）面の結晶配向性に富み、この粉末を用いることによ
って、結晶配向を制御した焼結体の製造が可能である。
また、本発明の粉末に錫等のド−パントを固溶させるこ
とより導電性粉末を製造し、導電フィラ−等への応用も
可能である。
【図１】 実施例１で得られた含硫酸水酸化インジウム
粉末の粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
粉末の粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【図２】 実施例１で得られた含硫酸水酸化インジウム
粉末の結晶構造を示す図である。
粉末の結晶構造を示す図である。
【図３】 実施例１で得られた酸化インジウム粉末の粉
末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【図４】 実施例１で得られた酸化インジウム粉末の結
晶構造を示す図である。
晶構造を示す図である。
【図５】 実施例２で得られた酸化インジウム粉末の粉
末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線回折による（２２２）面回折強度／
（４００）面回折強度比が５以上であり、平均粒径が
０．１μｍ〜１００μｍ、粉末形状が板状である酸化イ
ンジウム粉末。 - 【請求項２】 硫酸イオン／インジウム（モル比）が
１．５から１０であるインジウムの硫酸水溶液を濃縮し
た後、過剰の硫酸を添加して得られる板状含硫酸水酸化
インジウムをろ過、乾燥後、仮焼することを特徴とす
る、Ｘ線回折による（２２２）面回折強度／（４００）
面回折強度比が５以上であり、平均粒径が０．１μｍ〜
１００μｍ、粉末形状が板状である酸化インジウム粉末
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24642691A JP3254697B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 酸化インジウム粉末及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24642691A JP3254697B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 酸化インジウム粉末及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558627A true JPH0558627A (ja) | 1993-03-09 |
| JP3254697B2 JP3254697B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=17148309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24642691A Expired - Fee Related JP3254697B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 酸化インジウム粉末及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254697B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003042105A1 (fr) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Hitachi Maxell, Ltd. | Particules d'indium contenant de l'etain, procede de production associe et feuille electroconductrice contenant lesdites particules |
| WO2005118479A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Imperial Chemical Industries Plc | Indium tin oxide |
| WO2015136816A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 水酸化インジウム粉および酸化インジウム粉 |
| JP2021138594A (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-16 | ▲鄭▼州大学 | 粒形が制御可能な酸化インジウム球形粉体の調製方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4707449B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-06-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム粉末 |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP24642691A patent/JP3254697B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| GB2398561A (en) * | 2001-11-16 | 2004-08-25 | Hitachi Maxell | Indium particle containing tin, method for producing the same and electroconductive sheet comparing the same |
| GB2398561B (en) * | 2001-11-16 | 2005-11-09 | Hitachi Maxell | Tin-containing indium oxide particles, method for producing the same and electrically conductive sheet comprising the same |
| US7172817B2 (en) | 2001-11-16 | 2007-02-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Indium particle containing tin, method for producing the same and electroconductive sheet comprising the same |
| WO2005118479A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Imperial Chemical Industries Plc | Indium tin oxide |
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| JP2021138594A (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-16 | ▲鄭▼州大学 | 粒形が制御可能な酸化インジウム球形粉体の調製方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3254697B2 (ja) | 2002-02-12 |
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