JPH055653A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPH055653A JPH055653A JP3158065A JP15806591A JPH055653A JP H055653 A JPH055653 A JP H055653A JP 3158065 A JP3158065 A JP 3158065A JP 15806591 A JP15806591 A JP 15806591A JP H055653 A JPH055653 A JP H055653A
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- Japan
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- terminal
- base
- transistor
- npn
- transistors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒステリシス回路を有する受光素子のヒステ
リシス特性の測定を容易ならしめる。 【構成】 端子Ａによりヒステリシス回路に流れる定電
流Ｉ0 の測定を行なう。光入力がない状態で、端子Ｂに
１／２Ｉ0 の電流を注入すれば、ＮＰＮトランジスタＱ
１３およびＱ１４に流れる電流比が１：２となり、コン
パレータ８の出力が反転する。同様に、光入力がない状
態で端子Ｂから１／４Ｉ0 の電流を注入すれば、ＮＰＮ
トランジスタＱ１５およびＱ１６に流れる電流の比が
２：３となり、コンパレータ８出力の反転が生じる。こ
のようにして、端子Ｂから所定の電流を供給し、反転の
有無によりテストすることができる。
リシス特性の測定を容易ならしめる。 【構成】 端子Ａによりヒステリシス回路に流れる定電
流Ｉ0 の測定を行なう。光入力がない状態で、端子Ｂに
１／２Ｉ0 の電流を注入すれば、ＮＰＮトランジスタＱ
１３およびＱ１４に流れる電流比が１：２となり、コン
パレータ８の出力が反転する。同様に、光入力がない状
態で端子Ｂから１／４Ｉ0 の電流を注入すれば、ＮＰＮ
トランジスタＱ１５およびＱ１６に流れる電流の比が
２：３となり、コンパレータ８出力の反転が生じる。こ
のようにして、端子Ｂから所定の電流を供給し、反転の
有無によりテストすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、受光素子特にヒステリ
シス特性を有する製品のテスト時に、そのヒステリシス
特性の測定を容易にするものである。
シス特性を有する製品のテスト時に、そのヒステリシス
特性の測定を容易にするものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のモノリシック化されたヒス
テリシス特性を有する受光素子の一例の回路図である。
テリシス特性を有する受光素子の一例の回路図である。
【０００３】同図に示される受光素子は、フォトダイオ
ード１、この出力を増幅するアンプ３、その出力をフォ
トダイオード１にフィードバックするフィードバック抵
抗６、アンプ３の出力をベースに供給されるＰＮＰトラ
ンジスタＱ３１、ダミーフォトダイオード２、この出力
を増幅するアンプ５、その出力をダミーフォトダイオー
ド２にフィードバックするフィードバック抵抗７、アン
プ５の出力をベースに供給されるＰＮＰトランジスタＱ
３２、ＰＮＰトランジスタＱ３１およびＱ３２のエミッ
タに接続される定電流源４、ＰＮＰトランジスタＱ３１
のコレクタに一方の端子を接続されＰＮＰトランジスタ
Ｑ３２のコレクタに他方の端子を接続されているコンパ
レータ８、ＰＮＰトランジスタＱ３１のコレクタにそれ
ぞれのコレクタを接続されているＮＰＮトランジスタＱ
３３およびＱ３５、ＰＮＰトランジスタＱ３２のコレク
タにそれぞれのコレクタを接続されているＮＰＮトラン
ジスタＱ３４およびＱ３６等により構成され、ＮＰＮト
ランジスタＱ３３およびＱ３４のベースはＰＮＰトラン
ジスタＱ３１のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジス
タＱ３５およびＱ３６のベースはＰＮＰトランジスタＱ
３２のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ３
３，Ｑ３４，Ｑ３５，Ｑ３６のエミッタはそれぞれ接地
されている。定電流源４はトランジスタ群により構成さ
れ、前記のＰＮＰトランジスタＱ３１およびＱ３２に定
電流Ｉ0 を供給する。そして、ＮＰＮトランジスタＱ３
３とＱ３４のベース・エミッタ接合面積比は１：２であ
り、ＮＰＮトランジスタＱ３５とＱ３６のベース・エミ
ッタ接合面積比は２：３である。この比率は図の中に表
示してある。このアンプ３および５とコンパレータ８と
の間の回路はヒステリシス回路となる。
ード１、この出力を増幅するアンプ３、その出力をフォ
トダイオード１にフィードバックするフィードバック抵
抗６、アンプ３の出力をベースに供給されるＰＮＰトラ
ンジスタＱ３１、ダミーフォトダイオード２、この出力
を増幅するアンプ５、その出力をダミーフォトダイオー
ド２にフィードバックするフィードバック抵抗７、アン
プ５の出力をベースに供給されるＰＮＰトランジスタＱ
３２、ＰＮＰトランジスタＱ３１およびＱ３２のエミッ
タに接続される定電流源４、ＰＮＰトランジスタＱ３１
のコレクタに一方の端子を接続されＰＮＰトランジスタ
Ｑ３２のコレクタに他方の端子を接続されているコンパ
レータ８、ＰＮＰトランジスタＱ３１のコレクタにそれ
ぞれのコレクタを接続されているＮＰＮトランジスタＱ
３３およびＱ３５、ＰＮＰトランジスタＱ３２のコレク
タにそれぞれのコレクタを接続されているＮＰＮトラン
ジスタＱ３４およびＱ３６等により構成され、ＮＰＮト
ランジスタＱ３３およびＱ３４のベースはＰＮＰトラン
ジスタＱ３１のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジス
タＱ３５およびＱ３６のベースはＰＮＰトランジスタＱ
３２のコレクタに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ３
３，Ｑ３４，Ｑ３５，Ｑ３６のエミッタはそれぞれ接地
されている。定電流源４はトランジスタ群により構成さ
れ、前記のＰＮＰトランジスタＱ３１およびＱ３２に定
電流Ｉ0 を供給する。そして、ＮＰＮトランジスタＱ３
３とＱ３４のベース・エミッタ接合面積比は１：２であ
り、ＮＰＮトランジスタＱ３５とＱ３６のベース・エミ
ッタ接合面積比は２：３である。この比率は図の中に表
示してある。このアンプ３および５とコンパレータ８と
の間の回路はヒステリシス回路となる。
【０００４】これらの部品は１枚の基板上に形成されて
いる。フォトダイオード１に光が入射すると、光電流が
発生する。光電流はフィードバック抵抗６によって電流
−電圧変換され、アンプ３により増幅され、ＰＮＰトラ
ンジスタＱ３１のベースの電位が上昇する。
いる。フォトダイオード１に光が入射すると、光電流が
発生する。光電流はフィードバック抵抗６によって電流
−電圧変換され、アンプ３により増幅され、ＰＮＰトラ
ンジスタＱ３１のベースの電位が上昇する。
【０００５】ダミーフォトダイオード２、アンプ５、フ
ィードバック抵抗７は、前記フォトダイオード１、アン
プ３、フィードバック抵抗６と同一の回路及び値によっ
て構成されている。このため、光のない状態では、ＰＮ
ＰトランジスタＱ３１とＱ３２のベース電位は同一とな
り、ＰＮＰトランジスタＱ３１とＱ３２を流れる電流は
等しい。
ィードバック抵抗７は、前記フォトダイオード１、アン
プ３、フィードバック抵抗６と同一の回路及び値によっ
て構成されている。このため、光のない状態では、ＰＮ
ＰトランジスタＱ３１とＱ３２のベース電位は同一とな
り、ＰＮＰトランジスタＱ３１とＱ３２を流れる電流は
等しい。
【０００６】光が入射し、ＰＮＰトランジスタＱ３１の
ベース電位の上昇により、ＰＮＰトランジスタＱ３１と
Ｑ３２のコレクタ電流Ｉ1 とＩ2の関係が、Ｉ1 ＜Ｉ2
となる。このとき、Ｉ1 はＮＰＮトランジスタＱ３３
に、Ｉ2 はＮＰＮトランジスタＱ３４に流れている。
ベース電位の上昇により、ＰＮＰトランジスタＱ３１と
Ｑ３２のコレクタ電流Ｉ1 とＩ2の関係が、Ｉ1 ＜Ｉ2
となる。このとき、Ｉ1 はＮＰＮトランジスタＱ３３
に、Ｉ2 はＮＰＮトランジスタＱ３４に流れている。
【０００７】さらに光が増加し、ＰＮＰトランジスタＱ
３１のベースの電位が上昇し、Ｉ1 とＩ2 の比がＮＰＮ
トランジスタＱ３３とＱ３４のベース・エミッタ接合面
積比の１：２を越えたときにコンパレータ８の出力が反
転する。同時に、ＮＰＮトランジスタＱ３３とＱ３４に
流れていた電流Ｉ1 およびＩ2 は、それぞれＮＰＮトラ
ンジスタＱ３５およびＱ３６に流れ出す。
３１のベースの電位が上昇し、Ｉ1 とＩ2 の比がＮＰＮ
トランジスタＱ３３とＱ３４のベース・エミッタ接合面
積比の１：２を越えたときにコンパレータ８の出力が反
転する。同時に、ＮＰＮトランジスタＱ３３とＱ３４に
流れていた電流Ｉ1 およびＩ2 は、それぞれＮＰＮトラ
ンジスタＱ３５およびＱ３６に流れ出す。
【０００８】逆に光入力が有から無になった場合には、
光入力の減少により、ＰＮＰトランジスタＱ３１のベー
ス電位が下降し、Ｉ1 とＩ2 の比がＮＰＮトランジスタ
Ｑ３５とＱ３６のベース・エミッタ接合面積比２：３を
越えた時点で、コンパレータ８の出力が反転する。
光入力の減少により、ＰＮＰトランジスタＱ３１のベー
ス電位が下降し、Ｉ1 とＩ2 の比がＮＰＮトランジスタ
Ｑ３５とＱ３６のベース・エミッタ接合面積比２：３を
越えた時点で、コンパレータ８の出力が反転する。
【０００９】ヒステリシス回路は上記に示す動作を行な
うことによって、光入力が無から有になった場合と、有
から無になった場合とで、コンパレータ８の反転ポイン
トの入力電圧に差を設け、ヒステリシス特性を保持して
いる。
うことによって、光入力が無から有になった場合と、有
から無になった場合とで、コンパレータ８の反転ポイン
トの入力電圧に差を設け、ヒステリシス特性を保持して
いる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記のヒステリシス特
性は、ＮＰＮトランジスタＱ３３〜Ｑ３６のベース・エ
ミッタ接合面積の比によって決まるが、モノリシック集
積回路の製造過程において、しばしば、該面積比が予定
通りでないものが発生する。この不良品を除去するため
に、ヒステリシス特性のテストを実施しようとする場
合、入力光の強度を徐々に変化させて測定しなければな
らず、テストのために多大な時間が必要であり、テスト
の実施は容易でなかった。
性は、ＮＰＮトランジスタＱ３３〜Ｑ３６のベース・エ
ミッタ接合面積の比によって決まるが、モノリシック集
積回路の製造過程において、しばしば、該面積比が予定
通りでないものが発生する。この不良品を除去するため
に、ヒステリシス特性のテストを実施しようとする場
合、入力光の強度を徐々に変化させて測定しなければな
らず、テストのために多大な時間が必要であり、テスト
の実施は容易でなかった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明における受光素子
は、１枚の基板の表面に、フォトダイオードと、コンパ
レータと、これらを接続するヒステリシス回路と、ヒス
テリシス回路に所定の試験電流を与える端子とを設け
た。
は、１枚の基板の表面に、フォトダイオードと、コンパ
レータと、これらを接続するヒステリシス回路と、ヒス
テリシス回路に所定の試験電流を与える端子とを設け
た。
【００１２】
【作用】本発明は以上の構成であるから、ヒステリシス
特性をテストするとき、光入力によらず電気的信号によ
ってテストすることが可能となる。
特性をテストするとき、光入力によらず電気的信号によ
ってテストすることが可能となる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例の回路図である。
【００１４】図１の回路は図３の従来例と異なるところ
は、ヒステリシス特性テスト回路１０が付加されている
ことである。このヒステリシス特性テスト回路１０は、
端子ＡおよびＢを有し、端子Ａは定電流源４の延長され
た部分のトランジスタのコレクタと接地との間に接続さ
れ、端子Ｂはコンパレータ８の一方の端子に接続されて
いる。
は、ヒステリシス特性テスト回路１０が付加されている
ことである。このヒステリシス特性テスト回路１０は、
端子ＡおよびＢを有し、端子Ａは定電流源４の延長され
た部分のトランジスタのコレクタと接地との間に接続さ
れ、端子Ｂはコンパレータ８の一方の端子に接続されて
いる。
【００１５】ヒステリシス回路を構成するトランジスタ
Ｑ１１〜Ｑ１６の符号は、図３の各トランジスタの符号
から２０を減じたものであり、配列は図３と同一であ
る。各トランジスタの極性およびベース・エミッタ接合
面積比も図３と同一である。
Ｑ１１〜Ｑ１６の符号は、図３の各トランジスタの符号
から２０を減じたものであり、配列は図３と同一であ
る。各トランジスタの極性およびベース・エミッタ接合
面積比も図３と同一である。
【００１６】ヒステリシス特性をテストするときには、
まず端子Ａによりヒステリシス回路１０に流れる定電流
Ｉ0 の測定を行なう。求めた定電流Ｉ0 より計算によっ
て求めた所定の電流を端子Ｂより注入することによっ
て、ヒステリシス回路１０の動作を確認することができ
る。
まず端子Ａによりヒステリシス回路１０に流れる定電流
Ｉ0 の測定を行なう。求めた定電流Ｉ0 より計算によっ
て求めた所定の電流を端子Ｂより注入することによっ
て、ヒステリシス回路１０の動作を確認することができ
る。
【００１７】光入力がない状態では、ＰＮＰトランジス
タＱ１１に流れる電流Ｉ1 およびＰＮＰトランジスタＱ
１２に流れる電流Ｉ2 はそれぞれ１／２Ｉ0 ，１・２Ｉ
0 である。今端子Ｂより１／２Ｉ0 の電流を注入すれ
ば、ＮＰＮトランジスタＱ１３およびＱ１４に流れる電
流比が、１／２Ｉ0 ：（１／２Ｉ0 ＋１／２Ｉ0 ）すな
わち１：２となり、コンパレータ８出力の反転が生じ
る。同様に光入力がない状態で、端子Ｂより１／４Ｉ0
の電流を注入すれば、ＮＰＮトランジスタＱ１５および
Ｑ１６に流れる電流が、１／２Ｉ0 ：（１／２Ｉ0 ＋１
／４Ｉ0 ）すなわち２：３となり、コンパレータ８出力
の反転が生じる。
タＱ１１に流れる電流Ｉ1 およびＰＮＰトランジスタＱ
１２に流れる電流Ｉ2 はそれぞれ１／２Ｉ0 ，１・２Ｉ
0 である。今端子Ｂより１／２Ｉ0 の電流を注入すれ
ば、ＮＰＮトランジスタＱ１３およびＱ１４に流れる電
流比が、１／２Ｉ0 ：（１／２Ｉ0 ＋１／２Ｉ0 ）すな
わち１：２となり、コンパレータ８出力の反転が生じ
る。同様に光入力がない状態で、端子Ｂより１／４Ｉ0
の電流を注入すれば、ＮＰＮトランジスタＱ１５および
Ｑ１６に流れる電流が、１／２Ｉ0 ：（１／２Ｉ0 ＋１
／４Ｉ0 ）すなわち２：３となり、コンパレータ８出力
の反転が生じる。
【００１８】このようにヒステリシス特性テスト回路を
付加することによって、ヒステリシス特性のテストが電
気的信号によって可能となる。
付加することによって、ヒステリシス特性のテストが電
気的信号によって可能となる。
【００１９】図２は他の実施例であって、図１の回路と
異なるところは、ヒステリシス特性テスト回路１１の構
成である。なお、ヒステリシス回路を構成するトランジ
スタＱ２１〜Ｑ２６の符号は、図１の各トランジスタの
符号に１０を加えたものであり、配列は図１と同一であ
る。、また、トランジスタの極性およびベース・エミッ
タ接合面積比も同一である。フォトダイオード，ダミー
フォトダイオード，アンプ等は省略してある。
異なるところは、ヒステリシス特性テスト回路１１の構
成である。なお、ヒステリシス回路を構成するトランジ
スタＱ２１〜Ｑ２６の符号は、図１の各トランジスタの
符号に１０を加えたものであり、配列は図１と同一であ
る。、また、トランジスタの極性およびベース・エミッ
タ接合面積比も同一である。フォトダイオード，ダミー
フォトダイオード，アンプ等は省略してある。
【００２０】このヒステリシス特性テスト回路１１は、
端子ＣおよびＤを有し、それぞれは定電流源４から延長
された２つの定電流回路１２および１３に接続されてい
る。
端子ＣおよびＤを有し、それぞれは定電流源４から延長
された２つの定電流回路１２および１３に接続されてい
る。
【００２１】定電流回路１２はＮＰＮトランジスタＱ２
９のエミッタにより接地されている。ＮＰＮトランジス
タＱ２９のベースはＮＰＮトランジスタＱ２７のベース
に接続され、このベースはＮＰＮトランジスタＱ２９の
コレクタに接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ２７
のエミッタは接地され、コレクタはＮＰＮトランジスタ
Ｑ２３のコレクタに接続されている。ＮＰＮトランジス
タＱ２９とＱ２７のベース・エミッタ接合面積比は４：
１である。
９のエミッタにより接地されている。ＮＰＮトランジス
タＱ２９のベースはＮＰＮトランジスタＱ２７のベース
に接続され、このベースはＮＰＮトランジスタＱ２９の
コレクタに接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ２７
のエミッタは接地され、コレクタはＮＰＮトランジスタ
Ｑ２３のコレクタに接続されている。ＮＰＮトランジス
タＱ２９とＱ２７のベース・エミッタ接合面積比は４：
１である。
【００２２】定電流回路１３はＮＰＮトランジスタＱ３
０のエミッタにより接地されている。ＮＰＮトランジス
タＱ３０のベースはＮＰＮトランジスタＱ２８のベース
に接続されて、このベースはＮＰＮトランジスタＱ３０
のコレクタに接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ２
８のエミッタは接地され、コレクタはＮＰＮトランジス
タＱ２３のコレクタに接続されている。ＮＰＮトランジ
スタＱ３０とＱ２８のベース・エミッタ接合面積比は
６：１である。
０のエミッタにより接地されている。ＮＰＮトランジス
タＱ３０のベースはＮＰＮトランジスタＱ２８のベース
に接続されて、このベースはＮＰＮトランジスタＱ３０
のコレクタに接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ２
８のエミッタは接地され、コレクタはＮＰＮトランジス
タＱ２３のコレクタに接続されている。ＮＰＮトランジ
スタＱ３０とＱ２８のベース・エミッタ接合面積比は
６：１である。
【００２３】光入力がない状態で、端子Ｃの電位を接地
電位にすれば、ＰＮＰトランジスタＱ２１を流れる電流
Ｉ1 のうち、１／４Ｉ0 の電流がＮＰＮトランジスタＱ
２７へ流込む。したがって、ＮＰＮトランジスタＱ２３
およびＱ２４に流れる電流の比は、（１／２Ｉ0 −１／
４Ｉ0 ）：１／２Ｉ0 すなわち１：２となり、コンパレ
ータ８の出力の反転が生じる。
電位にすれば、ＰＮＰトランジスタＱ２１を流れる電流
Ｉ1 のうち、１／４Ｉ0 の電流がＮＰＮトランジスタＱ
２７へ流込む。したがって、ＮＰＮトランジスタＱ２３
およびＱ２４に流れる電流の比は、（１／２Ｉ0 −１／
４Ｉ0 ）：１／２Ｉ0 すなわち１：２となり、コンパレ
ータ８の出力の反転が生じる。
【００２４】同様に、端子Ｄの電位を接地電位にすれ
ば、ＮＰＮトランジスタＱ２８に１／６Ｉ0 の電流が流
込むため、ＮＰＮトランジスタＱ２５およびＱ２６に流
れる電流の比は、（１／２Ｉ0 −１／６Ｉ0)：１／２Ｉ
0 すなわち２：３となり、コンパレータ８の出力の反転
が生じる。
ば、ＮＰＮトランジスタＱ２８に１／６Ｉ0 の電流が流
込むため、ＮＰＮトランジスタＱ２５およびＱ２６に流
れる電流の比は、（１／２Ｉ0 −１／６Ｉ0)：１／２Ｉ
0 すなわち２：３となり、コンパレータ８の出力の反転
が生じる。
【００２５】このように端子ＣまたはＤを接地電位にす
ることにより、ヒステリシス特性のテストが可能とな
る。
ることにより、ヒステリシス特性のテストが可能とな
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ヒステリシス特性を有
する受光素子のヒステリシス特性のテストが、電気的信
号によって可能となるため、テストを容易に実施するこ
とができる。
する受光素子のヒステリシス特性のテストが、電気的信
号によって可能となるため、テストを容易に実施するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】本発明の他の実施例の回路図である。
【図３】従来の一例の回路図である。
１ フォトダイオード ２ ダミーフォトダイオード ３，５ アンプ ４ 定電流源 ８ コンパレータ １０，１１ ヒステリシス特性テスト回路 Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 端子 Ｑ１１，Ｑ１２ ＰＮＰトランジスタ Ｑ１３〜Ｑ１６ ＮＰＮトランジスタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 １枚の基板の表面に形成された、フォト
ダイオードと、コンパレータと、これらを接続するヒス
テリシス回路と、ヒステリシス回路に所定の試験電流を
与える端子とを有する受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3158065A JPH055653A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3158065A JPH055653A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055653A true JPH055653A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15663535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3158065A Withdrawn JPH055653A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003026128A3 (en) * | 2001-09-15 | 2003-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Hysteresis comparator |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3158065A patent/JPH055653A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003026128A3 (en) * | 2001-09-15 | 2003-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Hysteresis comparator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |