JPH0555710A - 半導体レーザモジユール - Google Patents
半導体レーザモジユールInfo
- Publication number
- JPH0555710A JPH0555710A JP23575891A JP23575891A JPH0555710A JP H0555710 A JPH0555710 A JP H0555710A JP 23575891 A JP23575891 A JP 23575891A JP 23575891 A JP23575891 A JP 23575891A JP H0555710 A JPH0555710 A JP H0555710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- temperature
- thermistor
- cooling element
- laser module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザモジュールの半導体レーザの発
振条件を安定させるため、半導体レーザの温度制御を精
度よく行う。 【構成】 ヒートシンク８の同一面上に半導体レーザ１
とその温度センサであるサーミスタ４を設置し、電子冷
却素子５から見て半導体レーザ１とサーミスタ４の熱抵
抗を同じにする。電子冷却素子５はサーミスタ４の温度
検出結果により制御されるので、半導体レーザ１は精度
よく温度制御される。
振条件を安定させるため、半導体レーザの温度制御を精
度よく行う。 【構成】 ヒートシンク８の同一面上に半導体レーザ１
とその温度センサであるサーミスタ４を設置し、電子冷
却素子５から見て半導体レーザ１とサーミスタ４の熱抵
抗を同じにする。電子冷却素子５はサーミスタ４の温度
検出結果により制御されるので、半導体レーザ１は精度
よく温度制御される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度制御機能を含んだ
半導体レーザモジュールに関する。
半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの発振波長や光出力などの
発振条件は、温度により変化する。このため、光ファイ
バ伝送装置などに用いる半導体レーザモジュールでは、
安定な信号伝送を行う安定な発振条件のため、半導体レ
ーザの温度制御が必要である。従来の半導体レーザモジ
ュールの一例を図２に概略平面図で示す。１はレーザ光
を出射する半導体レーザ、２はそのレーザ光を集光する
レンズ、３はレンズ２で集光したレーザ光を伝送する光
ファイバである。４は半導体レーザ１の温度を検出する
温度センサであるサーミスタ、５は半導体レーザ１を冷
却するための電子冷却素子で、６は半導体レーザ１を固
定するヒートシンク、７はヒートシンク６やサーミスタ
４やレンズ２などを固定するキャリアである。
発振条件は、温度により変化する。このため、光ファイ
バ伝送装置などに用いる半導体レーザモジュールでは、
安定な信号伝送を行う安定な発振条件のため、半導体レ
ーザの温度制御が必要である。従来の半導体レーザモジ
ュールの一例を図２に概略平面図で示す。１はレーザ光
を出射する半導体レーザ、２はそのレーザ光を集光する
レンズ、３はレンズ２で集光したレーザ光を伝送する光
ファイバである。４は半導体レーザ１の温度を検出する
温度センサであるサーミスタ、５は半導体レーザ１を冷
却するための電子冷却素子で、６は半導体レーザ１を固
定するヒートシンク、７はヒートシンク６やサーミスタ
４やレンズ２などを固定するキャリアである。
【０００３】このような半導体レーザモジュールは文献
（仲川他「周波数応等に優れた冷却素子内蔵ＬＤモジュ
ール」昭和６３年度電子情報通信学会全国大会、Ｃ−４
５０、１−５５５ページ）に示されている。このような
従来の半導体レーザモジュールにおいては、半導体レー
ザ１の温度を検出するサーミスタ４の温度検出結果に基
づいて、電子冷却素子５を制御する制御回路（図２には
示していない）を用いて、半導体レーザ１の温度制御を
行う。
（仲川他「周波数応等に優れた冷却素子内蔵ＬＤモジュ
ール」昭和６３年度電子情報通信学会全国大会、Ｃ−４
５０、１−５５５ページ）に示されている。このような
従来の半導体レーザモジュールにおいては、半導体レー
ザ１の温度を検出するサーミスタ４の温度検出結果に基
づいて、電子冷却素子５を制御する制御回路（図２には
示していない）を用いて、半導体レーザ１の温度制御を
行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体レーザモジュールでは、半導体レーザ１がヒートシン
ク６を間に挟んでキャリア７の上に設置しているが、半
導体レーザ１の温度を検出するサーミスタ４は直接キャ
リア７の上に設置している。したがって電子冷却素子５
からみた半導体レーザ１およびサーミスタ４までの熱伝
導の経路が異なり熱抵抗の差がある。このため半導体レ
ーザ１の温度変化を正確にモニタできなくなる。この結
果、従来は半導体レーザに対して精度のよい温度制御が
できないという問題があった。
体レーザモジュールでは、半導体レーザ１がヒートシン
ク６を間に挟んでキャリア７の上に設置しているが、半
導体レーザ１の温度を検出するサーミスタ４は直接キャ
リア７の上に設置している。したがって電子冷却素子５
からみた半導体レーザ１およびサーミスタ４までの熱伝
導の経路が異なり熱抵抗の差がある。このため半導体レ
ーザ１の温度変化を正確にモニタできなくなる。この結
果、従来は半導体レーザに対して精度のよい温度制御が
できないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザモジュールでは、半導体レーザと温度センサをヒート
シンクの同一面上に設置する。
ザモジュールでは、半導体レーザと温度センサをヒート
シンクの同一面上に設置する。
【０００６】
【作用】半導体レーザと温度センサはヒートシンクの同
一面上に設置されるため、温度センサは半導体レーザの
温度を正確に検出できる。
一面上に設置されるため、温度センサは半導体レーザの
温度を正確に検出できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。図１は半導体レーザモジュールの構造図である。
半導体レーザ１からの出射光はレンズ２によって集光さ
れ光ファイバ３に結合する。半導体レーザ１は、図２の
ヒートシンク６とは異なるヒートシンク８を介してキャ
リア７上に設置されている。半導体レーザ１の温度を検
出するためのサーミスタ４は、半導体レーザ１が設置さ
れているのと同じヒートシンク８の同一面上に設置され
ている。したがって、半導体レーザ１とサーミスタ４
は、電子冷却素子５からみて同じ熱抵抗となり、サーミ
スタ４は電子冷却素子５からみた半導体レーザ１の温度
を正確に検出することができる。
する。図１は半導体レーザモジュールの構造図である。
半導体レーザ１からの出射光はレンズ２によって集光さ
れ光ファイバ３に結合する。半導体レーザ１は、図２の
ヒートシンク６とは異なるヒートシンク８を介してキャ
リア７上に設置されている。半導体レーザ１の温度を検
出するためのサーミスタ４は、半導体レーザ１が設置さ
れているのと同じヒートシンク８の同一面上に設置され
ている。したがって、半導体レーザ１とサーミスタ４
は、電子冷却素子５からみて同じ熱抵抗となり、サーミ
スタ４は電子冷却素子５からみた半導体レーザ１の温度
を正確に検出することができる。
【０００８】この実施例の半導体レーザモジュールにつ
いて、サーミスタ４の温度検出結果に基づいて電子冷却
素子５を制御する制御回路を用いて、半導体レーザ１の
温度が一定になるように制御を行ったところ、半導体レ
ーザ１の出射光の波長の変動は０．０１Å以下であっ
た。この結果は、半導体レーザ１の温度変動が０．０１
℃以下と非常に小さく抑えられていることを示してい
る。
いて、サーミスタ４の温度検出結果に基づいて電子冷却
素子５を制御する制御回路を用いて、半導体レーザ１の
温度が一定になるように制御を行ったところ、半導体レ
ーザ１の出射光の波長の変動は０．０１Å以下であっ
た。この結果は、半導体レーザ１の温度変動が０．０１
℃以下と非常に小さく抑えられていることを示してい
る。
【０００９】以上の実施例の半導体レーザモジュールに
おいては、温度センサとしてサーミスタを用いたがこれ
に限定されることなく熱電対などを用いてもよい。ま
た、以上の実施例では制御回路により半導体レーザの温
度を一定にするように制御を行ったが、半導体レーザの
温度が出射光の発振波長を変化させるために温度が所定
の値に変化するように制御を行ってもよい。
おいては、温度センサとしてサーミスタを用いたがこれ
に限定されることなく熱電対などを用いてもよい。ま
た、以上の実施例では制御回路により半導体レーザの温
度を一定にするように制御を行ったが、半導体レーザの
温度が出射光の発振波長を変化させるために温度が所定
の値に変化するように制御を行ってもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体レーザモジュールでは、半導体レーザの温度を正確に
検出できるので、半導体レーザの温度制御を精度よく行
うことができる。
体レーザモジュールでは、半導体レーザの温度を正確に
検出できるので、半導体レーザの温度制御を精度よく行
うことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す内部構造図である。
【図２】従来の例を示す内部構造図である。
１ 半導体レーザ ２ レンズ ３ 光ファイバ ４ サーミスタ ５ 電子冷却素子 ６，８ ヒートシンク ７ キャリア
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ光を出射する半導体レーザと、 前記半導体レーザの温度を検出するための温度センサ
と、 前記温度センサから出力される検出信号により前記半導
体レーザを冷却するための電子冷却素子と、 前記半導体レーザと前記温度センサが同一面上に固定さ
れるヒートシンクとから構成される半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23575891A JPH0555710A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体レーザモジユール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23575891A JPH0555710A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体レーザモジユール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555710A true JPH0555710A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16990803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23575891A Pending JPH0555710A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体レーザモジユール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555710A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202322A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Nec Corp | サーミスタ |
| US6116792A (en) * | 1997-10-24 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| JP2003008133A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 光素子モジュール |
| JP2008309583A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Anritsu Corp | 波長安定化装置及び方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01318275A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0348477A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0475394A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザモジュール |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP23575891A patent/JPH0555710A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01318275A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0348477A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0475394A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザモジュール |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202322A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Nec Corp | サーミスタ |
| US6116792A (en) * | 1997-10-24 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| JP2003008133A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 光素子モジュール |
| JP2008309583A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Anritsu Corp | 波長安定化装置及び方法 |
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