JPH06138351A - 光源装置 - Google Patents

光源装置

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JPH06138351A
JPH06138351A JP4292702A JP29270292A JPH06138351A JP H06138351 A JPH06138351 A JP H06138351A JP 4292702 A JP4292702 A JP 4292702A JP 29270292 A JP29270292 A JP 29270292A JP H06138351 A JPH06138351 A JP H06138351A
Authority
JP
Japan
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light source
temperature
heat
case
temperature sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP4292702A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniyoshi Watanabe
邦芳 渡邉
Michio Fukano
道雄 深野
Takeshi Hojo
武 北條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokimec Inc
Original Assignee
Tokimec Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokimec Inc filed Critical Tokimec Inc
Priority to JP4292702A priority Critical patent/JPH06138351A/ja
Publication of JPH06138351A publication Critical patent/JPH06138351A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element

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  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光源の温度制御を正確に且つ容易に行うこと
ができる光源装置を提供することを目的とする。 【構成】 ケース31とケース31に収容された光源1
1と光源11に整合して配置された単一モードの光ファ
イバ21と光源11の温度を監視する温度センサとを有
する光源装置において、光源11を覆う遮蔽装置35が
配置され、遮蔽板装置35は温度センサより遠隔されて
配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光源に単一モードの光フ
ァイバを直接結合させる方式の光源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5に光源と単一モードの光ファイバを
直接結合させる形式の光源装置の従来の例を示す。光源
装置は光源モジュールとも称され、例えばレーザダイオ
ード(LD)の如き光源11と単一モードの光ファイバ
21を有し、光源11の光軸と光ファイバ21の光軸と
は互いに整合して配置されている。
【0003】光ファイバ21は支持台23上に支持さ
れ、光源11は光源支持台13上に支持されている。光
ファイバ21の支持台23と光源支持台13はともに基
板15上に配置されている。
【0004】光ファイバ21は例えば支持台23の上面
に形成されたV溝内に配置され、適当な接着剤によって
固定されている。
【0005】基板15は更にペルチェ素子25を介して
放熱板27上に配置されており、これらの要素はケース
31内に収容されている。
【0006】図6は光源装置の内部の熱移動を示す。基
板15には温度センサ用の取り付け穴15Aが形成され
ており、斯かる取り付け穴15Aの中に温度センサ29
が配置されている。斯かる温度センサ29には図示しな
いペルチェ素子コントロール回路が接続されている。温
度センサ29からの信号はペルチェ素子コントロール回
路に供給され、ペルチェ素子コントロール回路からはペ
ルチェ素子コントロール用電流がペルチェ素子25に供
給されるように構成されている。ペルチェ素子25は電
流信号の変化によって発熱又は吸熱する作用を有してお
り、斯かるペルチェ素子25の発熱又は吸熱作用によっ
てケース31内の温度が所定の範囲に維持されることが
できる。
【0007】ケース31の温度をT1 、光源11の温度
をT3 、温度センサ29によって検出されている温度を
2 とする。ケース31内の対流C1と輻射によってケ
ース31から基板15方向に熱量K1 が流れ、基板15
内を熱量K2 が流れると仮定する。光源11の発熱量を
0 とすると次の数1の式によって表される関係式が成
立する。
【0008】
【数1】K2 =K1 +K0
【0009】基板15内に熱移動量K2 が存在する限
り、温度センサ29の温度T2 は光源11の温度T3
等しくならず、次の数2の式によって表される。
【0010】
【数2】T3 =T2 +R・K2
【0011】ここにRは熱移動量K2 の経路の熱抵抗値
である。
【0012】図7に光源装置の他の従来例を示す。この
例では、光源11と斯かる光源11を支持する光源支持
台13は第1の恒温室37A内に配置されている。第1
の恒温室37Aは第1のペルチェ素子25Aを介して第
2の恒温室37Bの内壁に装着されており、斯かる第2
の恒温室37Bは第2のペルチェ素子25Bを介して放
熱板27上に配置されている。
【0013】第1の恒温室37Aの壁面にはレンズ41
が装着されており、それによって第1の恒温室37Aは
密閉構造となっている。第2の恒温室37Bの壁面には
孔43が形成されており、斯かる孔43には図示しない
光ファイバ及び光ファイバ支持具が取り付けられており
それによって第2の恒温室37Bは密閉構造となってい
る。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】図5に示す例では、数
2の式より明らかなように、光源11の温度T3 を制御
するためには、基板15内の熱移動量K2 を制御する必
要がある。しかしながら、基板15内の熱移動量K2
数1の式より輻射による熱量K1 の関数である。輻射に
よる熱量K1 は図8に示すように温度差ΔT=T1 −T
2 によって変化する。従って、基板15内の熱移動量K
2 を正確に制御するのは困難である。
【0015】図7に示す例では、光源11の温度をより
高い精度で制御することができるが、2つの恒温室37
A、37Bと2つのペルチェ素子25A、25Bを設け
るため装置が大型化する欠点がある。
【0016】本発明は、斯かる点に鑑み、簡単な装置で
光源11の温度制御を容易に行うことができる光源装置
を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明によると、例えば
図1に示すように、ケース31とケース31に基板15
を介して収容された光源11と光源11に整合して配置
された単一モードの光ファイバ21と光源11の温度を
監視する温度センサ29とを有する光源装置において、
光源11と光ファイバ21の接合端近傍を覆う遮蔽装置
35が設けられている。
【0018】本発明によると、例えば図2に示すよう
に、光源装置において、基板15には光源11の取り付
け位置の近傍まで延在し温度センサ29を配置するため
の取り付け用穴15Aが形成されている。
【0019】
【作用】本発明の光源装置では、ケース31からの熱K
1 は遮蔽板35によって遮断され、ケース31から直接
光源に移動する熱K3 は僅かであり、斯かる熱の大部分
4 は温度センサ29より離れた経路にてペルチェ素子
25まで移動し、従って光源11から温度センサ29に
流れる熱量K2 はケース31と基板15の温度に依存し
ないから、光源11の温度制御をより高い精度で行うこ
とができる。
【0020】
【実施例】以下に図1〜図4を参照して本発明の実施例
について説明する。尚図1〜図4において、図5〜図7
の対応する部分には、同一の参照符号を付してその詳細
な説明は省略する。
【0021】図1は本発明の光源装置を示し、斯かる光
源装置はレーザダイオード(LD)の如き光源11と斯
かる光源11を支持する光源支持台13と単一モードの
光ファイバ21と斯かる光ファイバ21を支持する支持
台23と光源支持台13及び光ファイバの支持台23が
配置された基板15とを有する。
【0022】光ファイバ21の先端部は適当な方法によ
って支持台23の上面に支持されている。例えば支持台
23の上面にV溝を形成し、斯かるV溝に光ファイバ2
1の先端部を配置し接着剤にて接着することによって、
光ファイバ21の先端部を支持台23に支持してよい。
【0023】基板15には、図2に示すように、温度セ
ンサ用の取り付け穴15Aが形成されており、斯かる取
り付け穴15Aの中に温度センサ29が配置されてい
る。基板15は更にペルチェ素子25を介して放熱板2
7上に配置されており、これらの要素はケース31内に
収容されている。
【0024】本例によると、光源11と光ファイバ21
の先端部の接合端とを覆うように光源11とケース31
の間に遮蔽装置35が配置されている。遮蔽装置35は
ケース31から光源11への輻射熱を遮蔽するよう且つ
温度センサ29より隔置して配置されている。斯かる遮
蔽装置35は図2に示すが、温度センサ29より隔置さ
れた位置にて基板15に接続されており、こうして遮蔽
装置35から基板15へ至る熱の伝導経路が温度センサ
29より遠隔されて配置されるように構成されている。
【0025】遮蔽装置35は好ましくは熱伝導率が高い
材料によって構成される。遮蔽装置35は例えば銅の薄
板よりなるものであってよい。
【0026】図2に本発明の光源支持装置における熱の
流れを示す。図示のように、ケース31より輻射によっ
て光源11及び基板15方向に移動する熱量K1 は遮蔽
装置35を経由して基板15に移動する熱量K4 と遮蔽
装置35より輻射によって光源11に達する熱量K3
分解される。従って、次の数3の式が成り立つ。
【0027】
【数3】K1 =K3 +K4
【0028】遮蔽装置35の温度T4 はケース31の温
度T1 と異なるが、光源11の温度T3 及び温度センサ
29の温度T2 にほぼ等しい。したがって、遮蔽装置3
5より光源11に移動する熱量K3 は遮蔽装置35から
基板15に移動する熱量K4に比べて充分小さく、無視
することができる。
【0029】基板15内を流れる熱量K2 は遮蔽装置3
5より光源11に移動する熱量K3と光源11の発熱量
0 との和であるから、次の数4の式によって表される
関係式が成立する。
【0030】
【数4】K2 =K3 +K0
【0031】この数4の式で上述のように熱量K3 を充
分小さいとして無視すると、基板15内を流れる熱量K
2 は光源11の発熱量K0 に等しくなる。光源11の発
熱量K0 は一定である。こうして、本例によると基板1
5内を流れる熱量K2 はケース31より光源11及び基
板15に移動する熱量K1 に依存しないから、数2の式
に基づいて光源11の温度制御を容易に行うことができ
る。
【0032】図3に本発明の光源装置の第2の例を示
す。この例では、遮蔽装置35の形状が図1の第1の例
の場合と異なる。本例の遮蔽装置35は光源11の上方
ばかりでなく側面も覆うように構成されている。
【0033】図4に本発明の光源装置の第3の例を示
す。この例はTバー方式の光源モジュールと称され、光
ファイバの支持台23はTバー状に形成されている。し
かしながら、遮蔽装置35の形状は図1の第1の例の場
合と同様である。
【0034】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【0035】
【発明の効果】本発明によると、遮蔽装置35を光源1
1とケース31との間に配置し、斯かる遮蔽装置35を
基板15内に配置された温度センサ29より隔れた位置
にて基板15に熱的に接続することによって、正確に且
つ容易に光源11の温度制御を行うことができる利点が
ある。
【0036】本発明によると、光源装置を大型化するこ
となく、より正確に且つ容易に光源11の温度制御を行
うことができる利点がある。
【0037】本発明によると、遮蔽装置35は高い寸法
精度や強度を必要としないから、製造費を増加させるこ
となく精度が高い光源11の温度制御装置を提供するこ
とができる利点がある。
【0038】本発明によると、光源11の周囲の熱流を
減少させることができるから、光源装置内に温度勾配が
発生することを防止することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光源装置の第1例を示す図である。
【図2】図1の光源装置内の熱移動を示す図である。
【図3】本発明の光源装置の第2の例を示す図である。
【図4】本発明の光源装置の第3の例を示す図である。
【図5】従来の光源装置の例を示す図である。
【図6】図5の光源装置内の熱移動を示す図である。
【図7】従来の光源装置の他の例を示す図である。
【図8】温度差と輻射による熱伝達率の関係を示す図で
ある。
【符号の説明】 11 光源 13 光源支持台 15 基板 15A 穴 21 光ファイバ 23 支持台 25、25A、25B ペルチェ素子 27 放熱板 29 温度センサ 31 ケース 35 遮蔽装置 37A、37B 恒温槽 41 レンズ 43 孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ケースと該ケース内に基板を介して収容
    された光源と該光源に整合して配置された単一モードの
    光ファイバと上記光源の温度を監視する温度センサとを
    有する光源装置において、上記光源と上記光ファイバの
    接合端近傍を覆う遮蔽装置が設けられていることを特徴
    とする光源装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の光源装置において、上記
    基板には上記光源の取り付け位置の近傍まで延在し上記
    温度センサを配置するための取り付け用穴が形成されて
    いることを特徴とする光源装置。
JP4292702A 1992-10-30 1992-10-30 光源装置 Pending JPH06138351A (ja)

Priority Applications (1)

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JP4292702A JPH06138351A (ja) 1992-10-30 1992-10-30 光源装置

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JP4292702A JPH06138351A (ja) 1992-10-30 1992-10-30 光源装置

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ID=17785203

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