JPH0555076A - セラミツクコンデンサー電極用導体ペースト - Google Patents
セラミツクコンデンサー電極用導体ペーストInfo
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- JPH0555076A JPH0555076A JP3218654A JP21865491A JPH0555076A JP H0555076 A JPH0555076 A JP H0555076A JP 3218654 A JP3218654 A JP 3218654A JP 21865491 A JP21865491 A JP 21865491A JP H0555076 A JPH0555076 A JP H0555076A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 空隙の少ない緻密な内部電極膜を形成するこ
とができるセラミックコンデンサー電極用導体ペースト
を提供する。 【構成】 ニッケル粉末１００重量部に対し、窒化ホウ
素粉末が０．５〜１５重量部含有されているペーストで
ある。
とができるセラミックコンデンサー電極用導体ペースト
を提供する。 【構成】 ニッケル粉末１００重量部に対し、窒化ホウ
素粉末が０．５〜１５重量部含有されているペーストで
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックコンデンサ
ー電極用導体ペーストに関するものである。
ー電極用導体ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】積層
セラミクコンデンサーとしては、図１に示すようなもの
が公知である。図において、１は内部電極、２は外部電
極、３はセラミック（誘電体）、４ａ、４ｂはメッキ層
である。そして、内部電極１としては、パラジウム、白
金あるいは銀／パラジウム等の貴金属が用いられ、メッ
キ層４ａ、４ｂとしては各々ニッケルメッキ、半田メッ
キが施されていた。
セラミクコンデンサーとしては、図１に示すようなもの
が公知である。図において、１は内部電極、２は外部電
極、３はセラミック（誘電体）、４ａ、４ｂはメッキ層
である。そして、内部電極１としては、パラジウム、白
金あるいは銀／パラジウム等の貴金属が用いられ、メッ
キ層４ａ、４ｂとしては各々ニッケルメッキ、半田メッ
キが施されていた。
【０００３】しかし、内部電極および外部電極には高価
な貴金属が用いられていたので、近年、コストダウンを
目的として、内部電極を卑金属であるニッケルに置換し
ようとする試みがなされている。ところで、誘電体材料
として、チタン酸バリウムを主体としたペロブスカイト
型構造のセラミックを用いた場合、その焼成は１０００
℃以上、例えば１３００℃前後の高温で行われることが
多い。この場合、内部電極材料としてニッケルを用いた
場合、ニッケル粒子の過焼結（粒成長）が起こり、その
結果空隙が発生し、極端な場合には焼成膜が島状に分断
される。これは、静電容量をはじめとするコンデンサー
としての諸特性を大幅に劣化させる原因となる。特に、
積層セラミックコンデンサーの小型・大容量化に伴っ
て、電極膜の薄層化を図った場合、この点が大きな問題
となる。
な貴金属が用いられていたので、近年、コストダウンを
目的として、内部電極を卑金属であるニッケルに置換し
ようとする試みがなされている。ところで、誘電体材料
として、チタン酸バリウムを主体としたペロブスカイト
型構造のセラミックを用いた場合、その焼成は１０００
℃以上、例えば１３００℃前後の高温で行われることが
多い。この場合、内部電極材料としてニッケルを用いた
場合、ニッケル粒子の過焼結（粒成長）が起こり、その
結果空隙が発生し、極端な場合には焼成膜が島状に分断
される。これは、静電容量をはじめとするコンデンサー
としての諸特性を大幅に劣化させる原因となる。特に、
積層セラミックコンデンサーの小型・大容量化に伴っ
て、電極膜の薄層化を図った場合、この点が大きな問題
となる。
【０００４】本発明は、このような従来の技術の有する
問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、空
隙の少ない緻密な内部電極膜を形成することができるセ
ラミックコンデンサー電極用導体ペーストを提供するこ
とにある。
問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、空
隙の少ない緻密な内部電極膜を形成することができるセ
ラミックコンデンサー電極用導体ペーストを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、積層セラミックコンデンサーの焼成温度で
の内部電極膜の過焼結を抑制し、充分低い空隙率を保つ
ようにしたペーストであって、本発明の要旨は、金属粉
末と窒化ホウ素粉末と適量の有機ビヒクルよりなるセラ
ミックコンデンサー電極用導体ペーストにある。
するために、積層セラミックコンデンサーの焼成温度で
の内部電極膜の過焼結を抑制し、充分低い空隙率を保つ
ようにしたペーストであって、本発明の要旨は、金属粉
末と窒化ホウ素粉末と適量の有機ビヒクルよりなるセラ
ミックコンデンサー電極用導体ペーストにある。
【０００６】窒化ホウ素粉末の添加量は、後記する理由
により、金属粉末１００重量部に対し０．５〜１５重量
部が好ましい。
により、金属粉末１００重量部に対し０．５〜１５重量
部が好ましい。
【０００７】効率的にニッケル粒子の焼結を抑制するた
め、窒化ホウ素粉末の粒径はニッケル粉末のそれに比し
て同程度以下にするのが好ましい。例えば、ニッケル粉
末として平均粒径０．５〜１．０μのものを用いた場
合、窒化ホウ素粉末の平均粒径は０．５μ以下のものを
用いるのが好ましい。
め、窒化ホウ素粉末の粒径はニッケル粉末のそれに比し
て同程度以下にするのが好ましい。例えば、ニッケル粉
末として平均粒径０．５〜１．０μのものを用いた場
合、窒化ホウ素粉末の平均粒径は０．５μ以下のものを
用いるのが好ましい。
【０００８】有機ビヒクルとしては、一般的に導電ペー
スト用として常用されているすべてのものが使用可能で
ある。例えば、有機ビヒクル中の樹脂成分としては、エ
チルセルロースやレジン類等が使用できる。また、樹脂
成分を溶解するための溶媒としては、高沸点のターピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、ジブチルフタレート、または１，１，３−トリ
メチルペンタンジオールのモノエステルおよびジエステ
ル化合物を挙げることができる。
スト用として常用されているすべてのものが使用可能で
ある。例えば、有機ビヒクル中の樹脂成分としては、エ
チルセルロースやレジン類等が使用できる。また、樹脂
成分を溶解するための溶媒としては、高沸点のターピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、ジブチルフタレート、または１，１，３−トリ
メチルペンタンジオールのモノエステルおよびジエステ
ル化合物を挙げることができる。
【０００９】
【作用】セラミックコンデンサー電極用導体ペーストと
して、金属粉末に対し適量の窒化ホウ素粉末を添加した
ものを用いることにより、金属粉末の焼結を適度に抑制
し、空隙の少ない緻密な電極膜を形成することができ
る。変化する窒化ホウ素の最適量は窒化ホウ素粉末の粒
径により異なってくる。すなわち、窒化ホウ素粉末の粒
径が小さくなるほど、添加する窒化ホウ素の量は少なく
てよい。しかし、窒化ホウ素粉末の添加量として、０．
５重量部未満では過焼結の抑制効果が充分でなく、一
方、添加量が１５重量部を超えると、焼成膜のシート抵
抗が著しく増大し、電極材料として不適当となる。
して、金属粉末に対し適量の窒化ホウ素粉末を添加した
ものを用いることにより、金属粉末の焼結を適度に抑制
し、空隙の少ない緻密な電極膜を形成することができ
る。変化する窒化ホウ素の最適量は窒化ホウ素粉末の粒
径により異なってくる。すなわち、窒化ホウ素粉末の粒
径が小さくなるほど、添加する窒化ホウ素の量は少なく
てよい。しかし、窒化ホウ素粉末の添加量として、０．
５重量部未満では過焼結の抑制効果が充分でなく、一
方、添加量が１５重量部を超えると、焼成膜のシート抵
抗が著しく増大し、電極材料として不適当となる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００１１】（実施例１）平均粒径０．５μのニッケル
粉末１００重量部に対し平均粒径０．５μの窒化ホウ素
粉末を表１に示す割合で配合し、これらに対し有機ビヒ
クルを５０重量部添加して３本ロールミルを用いて混合
し、ペーストを得た。なお、有機ビヒクルとしては、タ
ーピネオールにエチルセルロースを溶解したものを用い
た。
粉末１００重量部に対し平均粒径０．５μの窒化ホウ素
粉末を表１に示す割合で配合し、これらに対し有機ビヒ
クルを５０重量部添加して３本ロールミルを用いて混合
し、ペーストを得た。なお、有機ビヒクルとしては、タ
ーピネオールにエチルセルロースを溶解したものを用い
た。
【００１２】そして、４００メッシュのスクリーンを用
いて粒径０．５μのチタン酸バリウム粉末に適量のアク
リル系樹脂、溶剤を添加したものから得たグリーンシー
ト上に上記各ペーストを印刷し、バッチ式炉にて１２０
℃で５分間乾燥後空気雰囲気中で徐々に加熱し、４００
℃で２時間保持することにより脱脂を行った。さらに、
これをベルト式炉にて窒素雰囲気（Ｏ2 １ppm 以下）中
で最高温度１３００℃で２時間保持することにより焼結
を行った。
いて粒径０．５μのチタン酸バリウム粉末に適量のアク
リル系樹脂、溶剤を添加したものから得たグリーンシー
ト上に上記各ペーストを印刷し、バッチ式炉にて１２０
℃で５分間乾燥後空気雰囲気中で徐々に加熱し、４００
℃で２時間保持することにより脱脂を行った。さらに、
これをベルト式炉にて窒素雰囲気（Ｏ2 １ppm 以下）中
で最高温度１３００℃で２時間保持することにより焼結
を行った。
【００１３】次いで、得られたニッケル焼成膜の表面の
ＳＥＭ像を写真撮影し、この写真より画像情報をイメー
ジスキャナーを介してパーソナルコンピューターに取り
込み、焼成膜の空隙率を算出した。その結果をシート抵
抗と合わせて以下の表１に示す。
ＳＥＭ像を写真撮影し、この写真より画像情報をイメー
ジスキャナーを介してパーソナルコンピューターに取り
込み、焼成膜の空隙率を算出した。その結果をシート抵
抗と合わせて以下の表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１に明らかなように、焼成膜の空隙率は
窒化ホウ素の添加量が多いほど小さくなる。これは、ニ
ッケル粒子相互間に窒化ホウ素が介在することにより、
ニッケル粒子の過焼結が抑制され、空隙発生が抑えられ
たことによるものと考えられる。
窒化ホウ素の添加量が多いほど小さくなる。これは、ニ
ッケル粒子相互間に窒化ホウ素が介在することにより、
ニッケル粒子の過焼結が抑制され、空隙発生が抑えられ
たことによるものと考えられる。
【００１６】一方、シート抵抗は窒化ホウ素添加量が５
重量部で極小を示す。窒化ホウ素添加量が０のとき導通
が得られなかったのは、ニッケル粒子の過焼結により焼
成膜が島状に分断されたことによる。そして、窒化ホウ
素添加量が１重量部から５重量部にかけてシート抵抗が
僅かに減少しているのは、過焼結が抑制され、焼成膜の
連続性がよくなったためと考えられる。また、窒化ホウ
素添加量が５重量部以上になるとシート抵抗が増加する
のは、ニッケル粒子間に介在する電気抵抗率の大きな窒
化ホウ素の量が増加して、電気的導通が妨げられたから
であると考えられる。
重量部で極小を示す。窒化ホウ素添加量が０のとき導通
が得られなかったのは、ニッケル粒子の過焼結により焼
成膜が島状に分断されたことによる。そして、窒化ホウ
素添加量が１重量部から５重量部にかけてシート抵抗が
僅かに減少しているのは、過焼結が抑制され、焼成膜の
連続性がよくなったためと考えられる。また、窒化ホウ
素添加量が５重量部以上になるとシート抵抗が増加する
のは、ニッケル粒子間に介在する電気抵抗率の大きな窒
化ホウ素の量が増加して、電気的導通が妨げられたから
であると考えられる。
【００１７】（実施例２）ニッケル粉末の平均粒径を
１．０μ、グリーンシートのチタン酸バリウム粉末の平
均粒径を０．１μ、焼成温度を１２５０℃とした以外は
実施例１と同様の方法でニッケル焼成膜を得た。この焼
成膜の空隙率およびシート抵抗を同上方法で評価した結
果を以下の表２に示す。
１．０μ、グリーンシートのチタン酸バリウム粉末の平
均粒径を０．１μ、焼成温度を１２５０℃とした以外は
実施例１と同様の方法でニッケル焼成膜を得た。この焼
成膜の空隙率およびシート抵抗を同上方法で評価した結
果を以下の表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２に明らかなように、実施例１と同様に
焼成膜の空隙率は窒化ホウ素の添加量が多くなるほど小
さくなる。
焼成膜の空隙率は窒化ホウ素の添加量が多くなるほど小
さくなる。
【００２０】また、シート抵抗についても実施例１と略
同様の傾向を示している。すなわち、窒化ホウ素添加量
が０のときは、過焼結を抑制することができず、焼成膜
が島状に分断され、電気的導通が得られなくなったもの
と考えられる。この場合、窒化ホウ素添加量が１重量部
でシート抵抗が最も小さくなり、それ以上に添加量が増
えるとシート抵抗は増加する。
同様の傾向を示している。すなわち、窒化ホウ素添加量
が０のときは、過焼結を抑制することができず、焼成膜
が島状に分断され、電気的導通が得られなくなったもの
と考えられる。この場合、窒化ホウ素添加量が１重量部
でシート抵抗が最も小さくなり、それ以上に添加量が増
えるとシート抵抗は増加する。
【００２１】なお、実施例１と比較して、シート抵抗を
最も小さくする窒化ホウ素添加量が少なくなっているの
は、実施例１と比べてニッケル粒子が大きいため単位面
積当たりの粒界が少なくなったことと焼成温度が低くい
ことにより、焼結抑制に必要な窒化ホウ素量が少なくて
よいためであると考えられる。
最も小さくする窒化ホウ素添加量が少なくなっているの
は、実施例１と比べてニッケル粒子が大きいため単位面
積当たりの粒界が少なくなったことと焼成温度が低くい
ことにより、焼結抑制に必要な窒化ホウ素量が少なくて
よいためであると考えられる。
【００２２】
【発明の効果】本発明のセラミックコンデンサー電極用
導体ペーストによれば、金属粉末に対して適量の窒化ホ
ウ素粉末を添加することにより、電極膜の過焼結が抑制
されるとともにシート抵抗が適正値に維持された、空隙
の少ない緻密な電極膜を得ることができる。
導体ペーストによれば、金属粉末に対して適量の窒化ホ
ウ素粉末を添加することにより、電極膜の過焼結が抑制
されるとともにシート抵抗が適正値に維持された、空隙
の少ない緻密な電極膜を得ることができる。
【図１】積層セラミックコンデンサーの断面図である。
１…内部電極 ２…外部電極 ３…セラミック ４ａ、４ｂ…メッキ層
Claims (4)
- 【請求項１】 金属粉末と窒化ホウ素粉末と適量の有機
ビヒクルよりなるセラミックコンデンサー電極用導体ペ
ースト。 - 【請求項２】 金属粉末１００重量部に対し、窒化ホウ
素粉末が０．５〜１５重量部含有されていることを特徴
とする請求項１記載のセラミックコンデンサー電極用導
体ペースト。 - 【請求項３】 金属粉末が卑金属粉末であることを特徴
とする請求項１または２記載のセラミックコンデンサー
電極用導体ペースト。 - 【請求項４】 卑金属粉末がニッケルであることを特徴
とする請求項３記載のセラミックコンデンサー電極用導
体ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218654A JP2999303B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | セラミックコンデンサー電極用導体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218654A JP2999303B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | セラミックコンデンサー電極用導体ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555076A true JPH0555076A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2999303B2 JP2999303B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=16723336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218654A Expired - Fee Related JP2999303B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | セラミックコンデンサー電極用導体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2999303B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130038983A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste for internal electrode of multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component using the same |
| US9310395B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-04-12 | Isc Co., Ltd. | Probe member for pogo pin |
| US9726693B2 (en) | 2013-04-18 | 2017-08-08 | Isc Co., Ltd. | Probe member for pogo pin |
| US20180162780A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3218654A patent/JP2999303B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130038983A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste for internal electrode of multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component using the same |
| JP2013038377A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品の内部電極用導電性ペースト及びこれを利用した積層セラミック電子部品 |
| US9310395B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-04-12 | Isc Co., Ltd. | Probe member for pogo pin |
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