JPH0553127A - アクテイブマトリツクス液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＦＴ基板の素子アレイ部の信号線や走査線
と接続パッド間を接続する引き出し配線部での短絡・断
線事故を削減する。 【構成】 素子アレイ部でソース・ドレインと接続され
る信号線は第２層配線４を用いて形成され、ゲートと接
続される走査線は第１層配線２を用いて形成される。一
方、外部回路と接続される接続パッドは第２層配線を用
いて形成される。素子アレイ部の信号線と接続パッドと
を接続する引き出し配線に関しては、Ａに示す第１層配
線２を用いて形成したものとＢに示す第２層配線４を用
いて形成したものとを交互に配置する。同様に走査線用
の引き出し配線に関しては、Ｃに示す第１層配線２を用
いて形成したものと、Ｄに示す第２層配線４を用いて形
成したものとが交互に配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス液晶表示装置に関し、特に画素電極基板における引き
出し配線部での金属配線の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス液晶表示装置
は、ＴＦＴ等の素子が形成されている画素電極基板と、
必要に応じてカラーフィルタが形成される共通電極基板
とを有する。画素電極基板の素子アレイ部には走査線と
これと直交する信号線とが延在しており、これら各配線
は引き出し配線を介して基板周辺部に設けられた接続パ
ッドと接続される。

【０００３】図３は、引き出し配線部の接続状態を示す
平面図である。同図において、１１は走査線または信号
線である素子アレイ部配線、１２は配線接続部、１３は
引き出し配線、１４は外部に設けられた駆動回路と接続
される接続パッドである。

【０００４】この引き出し配線部付近の従来の各種構造
を、断面図にて図４に示す。これらはいずれも逆スタガ
ード型ＴＦＴを用いた場合の例であって、第１層配線を
ゲート電極に接続される走査線として用い、第２層配線
をソース・ドレイン電極に接続される信号線として用い
ている。一方、接続パッドは通常第２層配線を用いて形
成される。

【０００５】図４において、１はガラス基板、２は第１
層配線、３は、ゲート絶縁膜と同時に形成された絶縁膜
（以下、便宜上ゲート絶縁膜と記す）、４は第２層配線
である。

【０００６】図４の（ａ）に示す第１の従来例では、信
号線に関しては素子アレイ部の信号線、引き出し配線お
よび接続パッドのすべてが第２層配線により形成され、
走査線については素子アレイ部の走査線および引き出し
配線とが第１層配線により、また接続パッドが第２層配
線により形成されている。

【０００７】図４の（ｂ）に示す第２の従来例は、上記
第１の従来例の接続配線部での断線不良をなくすべく改
良を加えたものであって、この従来例では、接続配線部
での配線が第１層配線２と第２層配線４との２層構造と
なっている。

【０００８】図４の（ｃ）に示す第３の従来例は、引き
出し配線を成膜およびエッチングが比較的安定して行わ
れる第１層配線を用いて形成することにより断線・短絡
不良を削減しようとしたものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の引き出
し配線構造では、断線・短絡等の不良を発生し易いとい
う問題点があった。これは、引き出し配線が、図３に摸
式的に示したように斜めの配線を使うため、最小線間隔
が狭くなること、引き出し配線の配線長が数mmから数十
mm程度と比較的長くなること、引き出し配線部と素子ア
レイ部とでは下地構造が異なっているため、特にドライ
法で配線をパターニングする際にそれぞれの領域でのエ
ッチング速度が異なり終点の設定が難しいこと等の理由
による。

【００１０】即ち、図４の（ａ）に示す従来例では、信
号線、走査線のいずれについても断線・短絡が発生しや
すく、また第２の従来例では、断線不良は削減されるが
短絡不良が増加する。一方、図４の（ｃ）の例は第１の
従来例と基本的に異なるものではないため、第１の従来
例と同程度に不良が発生する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス液晶表示装置における画素電極基板では、素子
アレイ部での配線と接続パッドとの間を接続する引き出
し配線が、第１層配線と第２層配線とを一本おきに交互
に用いて構成されている。

【００１２】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。本実施例は逆スタガード型ＴＦＴを用いた例
に関する。

【００１３】Ａに示された接続方法では、素子アレイ部
の信号線は第１層配線２を用いた引き出し配線を介して
接続パッドと接続されている。またＢに示された接続方
法では、素子アレイ部の信号線は第２層配線４を用いた
引き出し配線を介して接続パッドと接続されている。そ
して、本実施例においてはＡ、Ｂに示された引き出し配
線が１本おきに交互に配置されている。

【００１４】一方、走査線においては、第１層配線２に
より形成された素子アレイ部の走査線はＣに示すよう
に、第１層配線２による引き出し配線を介して接続パッ
ドと接続され、あるいはＤに示すように第２層配線４に
よる引き出し配線を介して接続パッドと接続されてい
る。そして、走査線においても、Ｃに示すものとＤに示
すものとは１本おきに交互に配置される。

【００１５】信号線および走査線に関して、引き出し配
線は第１層配線と第２層配線とが交互に用いられてお
り、隣接する引き出し配線は異なる層内に存在している
ため短絡事故の発生は大きく削減される。また、同一面
内では引き出し配線間のピッチが従来例の２倍となって
いるため、配線の線幅を十分に大きく設定することがで
き断線事故を激減させることができる。

【００１６】なお、本実施例における各配線は、素子ア
レイ部のＴＦＴを形成する際に同時に形成されるもので
あるので、本実施例により工程数が増加することはな
い。

【００１７】図２は本発明の第２の実施例を示す引き出
し配線部付近の断面図である。本実施例はＴＦＴが順ス
タガード型である場合に関する。順スタガード型のＴＦ
Ｔでは、ソース・ドレイン電極に接続される信号線が第
１層配線を用いて形成され、また、ゲート電極に接続さ
れる走査線が第２層配線を用いて形成される。

【００１８】本実施例は、ＴＦＴが順スタガード型とな
ったことに応じた変更を第１の実施例に加えたものであ
って、第１の実施例と同様に、信号線に関しては、第１
層配線２により形成された引き出し配線（Ａに示す）
と、第２層配線４により形成された引き出し配線（Ｂに
示す）とが、１本おきに交互に配置され、走査線に関し
ては、第１層配線２により形成された引き出し配線（Ｃ
に示す）と、第２層配線４により形成された引き出し配
線（Ｄに示す）とが、１本おきに交互に配置されてい
る。

【００１９】以上の実施例では、信号線および走査線の
双方に関して引き出し配線の交互配置を採用していた
が、通常は信号線の方が配線数が多く短絡・断線不良を
起こし易い。それゆえ走査線に関しては従来構造とし、
信号線のみに交互配置を実施するようにしてもよい。勿
論走査線側において不良が発生しやすい場合には走査線
に関してのみ交互配置を採用するようにすることができ
る。また、本発明はＴＦＴを用いたものばかりでなく、
他のスイッチング素子を用いた液晶表示装置に対しても
適用しうるものである。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、液晶表
示装置の画素電極基板において、信号線や走査線と接続
パッドとの間を接続する引き出し配線を、第１層配線と
第２層配線とを交互に用いて形成したものであるので、
本発明によれば、隣接した引き出し配線が同一層内に存
在することがなくなり短絡事故が大幅に削減される。

【００２１】さらに、引き出し配線のピッチが従来例の
２倍となるので、短絡事故が発生しない範囲で配線幅を
十分に大きくできる。従って、本発明によれば、引き出
し配線の断線事故を激減させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す画素電極基板の断
面図。

【図２】本発明の第２の実施例を示す画素電極基板の断
面図。

【図３】画素電極基板の引き出し配線部付近のパターン
を摸式的に示した平面図。

【図４】従来例の画素電極基板の断面図。

【符号の説明】

１…ガラス基板、 ２…第１層配線、 ３…ゲート
絶縁膜、 ４…第２層配線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１層配線により構成された互いに平行
   な複数の第１の配線と、 第２層配線により構成された、前記第１の配線とは直交
   する方向に延びる複数の第２の配線と、 外部回路に接続される接続パッドと、 前記第１の配線および前記第２の配線と前記接続パッド
   との間を接続する引き出し配線と、 を具備するアクティブマトリックス液晶表示装置におい
   て、 前記第１の配線と接続される引き出し配線と前記第２の
   配線と接続される引き出し配線のうち少なくとも一方
   は、第１層配線または第２層配線によって形成されかつ
   隣接する引き出し配線とは異なる層の配線によって形成
   されていることを特徴とするアクティブマトリックス液
   晶表示装置。