JPH0551204A - 半導体磁器用微粉末の製造方法 - Google Patents
半導体磁器用微粉末の製造方法Info
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- JPH0551204A JPH0551204A JP3207870A JP20787091A JPH0551204A JP H0551204 A JPH0551204 A JP H0551204A JP 3207870 A JP3207870 A JP 3207870A JP 20787091 A JP20787091 A JP 20787091A JP H0551204 A JPH0551204 A JP H0551204A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶粒子が微細で、粒度分布幅の狭く、マン
ガンや希土類元素など微量添加物が分子レベルで均一に
分散した均質な半導体磁器用微粉末を得ること。 【構成】 一般式：ＡＢＯ3、（但し、Ａは少なくとも
一種のアルカリ土類金属元素、Ｂは少なくとも一種の４
価の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型複
合酸化物に半導体化剤を含有させてなる半導体磁器用粉
末の製造方法において、Ｂサイトを構成する金属元素に
対して１〜４倍のモル数の水酸化アルカリを含むＡサイ
トの金属元素の水酸化物の温水溶液に、Ｂサイトを構成
する金属元素のアルコキシドと、希土類元素のアルコキ
シドと、Ｍｎアルコキシドとを含む混合溶液を添加して
反応させる。
ガンや希土類元素など微量添加物が分子レベルで均一に
分散した均質な半導体磁器用微粉末を得ること。 【構成】 一般式：ＡＢＯ3、（但し、Ａは少なくとも
一種のアルカリ土類金属元素、Ｂは少なくとも一種の４
価の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型複
合酸化物に半導体化剤を含有させてなる半導体磁器用粉
末の製造方法において、Ｂサイトを構成する金属元素に
対して１〜４倍のモル数の水酸化アルカリを含むＡサイ
トの金属元素の水酸化物の温水溶液に、Ｂサイトを構成
する金属元素のアルコキシドと、希土類元素のアルコキ
シドと、Ｍｎアルコキシドとを含む混合溶液を添加して
反応させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体磁器用微粉末の製
造方法、特に、結晶粒子が微細で粒度分布が狭く均質な
半導体磁器用微粉末の製造方法に関するものである。
造方法、特に、結晶粒子が微細で粒度分布が狭く均質な
半導体磁器用微粉末の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸バリウム系半導体磁器な
どの半導体磁器用原料粉末の製造方法としては、（イ）
高純度のチタン酸バリウム、二酸化チタンおよび希土類
元素の酸化物を配合し、その混合物を高温で仮焼した
後、粉砕する工業的方法、（ロ）修酸バリウムチタニル
粉末に微量の希土類元素の修酸塩と、その修酸塩と等モ
ルの酸化チタンを配合し、高温で仮焼することにより正
の抵抗温度特性を有する半導体磁器用粉末を製造する方
法、（ハ）チタン酸バリウム系半導体磁器原料粉末にマ
ンガンを添加する際、硫酸マンガン水溶液の形態で加
え、これを１３０℃以上の温度で加熱してマンガンを不
溶性酸化物に変えることを特徴とする特開昭４８−３０
０８４号公報に記載の方法、及び（ニ）チタン酸バリウ
ム系半導体磁器からなる正特性サーミスタを製造するに
際して、仮焼、粉砕した原料粉末に有機バインダを加え
て混合し、粒径を揃える造粒工程で、前記有機バインダ
としてポリビニルアルコール等の有機バインダに硝酸マ
ンガン水溶液を加えたものを用いて造粒を行うことによ
り、抵抗値変動の小さい正特性サーミスタ用の粉末を得
る特開昭５７−１８７９０５号公報に記載の方法が知ら
れている。
どの半導体磁器用原料粉末の製造方法としては、（イ）
高純度のチタン酸バリウム、二酸化チタンおよび希土類
元素の酸化物を配合し、その混合物を高温で仮焼した
後、粉砕する工業的方法、（ロ）修酸バリウムチタニル
粉末に微量の希土類元素の修酸塩と、その修酸塩と等モ
ルの酸化チタンを配合し、高温で仮焼することにより正
の抵抗温度特性を有する半導体磁器用粉末を製造する方
法、（ハ）チタン酸バリウム系半導体磁器原料粉末にマ
ンガンを添加する際、硫酸マンガン水溶液の形態で加
え、これを１３０℃以上の温度で加熱してマンガンを不
溶性酸化物に変えることを特徴とする特開昭４８−３０
０８４号公報に記載の方法、及び（ニ）チタン酸バリウ
ム系半導体磁器からなる正特性サーミスタを製造するに
際して、仮焼、粉砕した原料粉末に有機バインダを加え
て混合し、粒径を揃える造粒工程で、前記有機バインダ
としてポリビニルアルコール等の有機バインダに硝酸マ
ンガン水溶液を加えたものを用いて造粒を行うことによ
り、抵抗値変動の小さい正特性サーミスタ用の粉末を得
る特開昭５７−１８７９０５号公報に記載の方法が知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、（イ）
の方法では原料粉末、特に、チタン酸バリウムと微量添
加物を混合しているため、これらを分子レベルで均一に
分散させることは不可能であり、従って、ミクロ的に均
一な粉末を得ることができないだけでなく、結晶成長に
よる粒径の増大をもたらす仮焼工程が必須であり、しか
も、高温で仮焼するため表面活性が低下するという問題
があった。また、（ロ）の方法では、原料である修酸塩
は共に市販されてはいるが、バリウムチタニルオキサレ
ートの一次粒子径が１μｍ以上と比較的大きく、また、
凝集し易いため凝集体の直径が１０μｍ前後に達してい
る場合があるため、希土類元素等の微量添加物の分散が
不均一になり易く、従って、安定した特性の正特性サー
ミスタが得られないという問題がある。しかも、成形を
行う前の工程として１０００℃前後で仮焼する工程が必
要不可欠であり、仮焼後の粉末の粒径が非常に大きく、
しかも、高温で仮焼するため粉末の表面活性が低いとい
う問題がある。
の方法では原料粉末、特に、チタン酸バリウムと微量添
加物を混合しているため、これらを分子レベルで均一に
分散させることは不可能であり、従って、ミクロ的に均
一な粉末を得ることができないだけでなく、結晶成長に
よる粒径の増大をもたらす仮焼工程が必須であり、しか
も、高温で仮焼するため表面活性が低下するという問題
があった。また、（ロ）の方法では、原料である修酸塩
は共に市販されてはいるが、バリウムチタニルオキサレ
ートの一次粒子径が１μｍ以上と比較的大きく、また、
凝集し易いため凝集体の直径が１０μｍ前後に達してい
る場合があるため、希土類元素等の微量添加物の分散が
不均一になり易く、従って、安定した特性の正特性サー
ミスタが得られないという問題がある。しかも、成形を
行う前の工程として１０００℃前後で仮焼する工程が必
要不可欠であり、仮焼後の粉末の粒径が非常に大きく、
しかも、高温で仮焼するため粉末の表面活性が低いとい
う問題がある。
【０００４】他方、（ハ）の方法は微量添加物であるマ
ンガンを溶液状態で添加するため、粉末を添加する場合
よりもその分散の均一性は向上すると考えられるが、
（イ）の方法と同じ方法で調製したチタン酸バリウム系
半導体磁器原料粉末にマンガンを添加しているため、原
料粉末の粒度や凝集状態などによってマンガンの均一性
が左右される恐れがある。また、（ニ）の方法では、組
成物中にポリビニルアルコール等の水溶性有機バインダ
と反応するホウ素、鉛及び銅などの元素が含まれている
と、ポリビニルアルコール等がゲル化していまい、均一
にコーテイングするというバインダの添加目的が達成で
きなくなるという問題がある。
ンガンを溶液状態で添加するため、粉末を添加する場合
よりもその分散の均一性は向上すると考えられるが、
（イ）の方法と同じ方法で調製したチタン酸バリウム系
半導体磁器原料粉末にマンガンを添加しているため、原
料粉末の粒度や凝集状態などによってマンガンの均一性
が左右される恐れがある。また、（ニ）の方法では、組
成物中にポリビニルアルコール等の水溶性有機バインダ
と反応するホウ素、鉛及び銅などの元素が含まれている
と、ポリビニルアルコール等がゲル化していまい、均一
にコーテイングするというバインダの添加目的が達成で
きなくなるという問題がある。
【０００５】従って、本発明は、結晶粒子が微細で粒度
分布幅の狭く、マンガンや希土類元素など微量添加物が
分子レベルで均一に分散した均質な半導体磁器用微粉末
を得ることを技術的課題とするものである。
分布幅の狭く、マンガンや希土類元素など微量添加物が
分子レベルで均一に分散した均質な半導体磁器用微粉末
を得ることを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するための手段として、一般式：ＡＢＯ3、（但し、
Ａは少なくとも一種のアルカリ土類金属元素、Ｂは少な
くとも一種の４価の金属元素を表す。）で表されるペロ
ブスカイト型複合酸化物に半導体化剤を含有させてなる
半導体磁器用粉末の製造方法において、Ｂサイトを構成
する金属元素に対して１〜４倍のモル数の水酸化アルカ
リを含むＡサイトの金属元素の水酸化物の温水溶液に、
Ｂサイトを構成する金属元素のアルコキシドと、希土類
元素のアルコキシドと、Ｍｎアルコキシドとを含む混合
溶液を添加して反応させるようにしたものである。
決するための手段として、一般式：ＡＢＯ3、（但し、
Ａは少なくとも一種のアルカリ土類金属元素、Ｂは少な
くとも一種の４価の金属元素を表す。）で表されるペロ
ブスカイト型複合酸化物に半導体化剤を含有させてなる
半導体磁器用粉末の製造方法において、Ｂサイトを構成
する金属元素に対して１〜４倍のモル数の水酸化アルカ
リを含むＡサイトの金属元素の水酸化物の温水溶液に、
Ｂサイトを構成する金属元素のアルコキシドと、希土類
元素のアルコキシドと、Ｍｎアルコキシドとを含む混合
溶液を添加して反応させるようにしたものである。
【０００７】前記一般式で表されるペロブスカイト型複
合酸化物のＡサイトを構成するアルカリ土類金属元素
（以下、Ａサイト構成元素と記す。）としては、バリウ
ム、ストロンチウム、カルシウム、及びマグネシウムが
挙げられるが、これらの元素は単独で若しくは２種以上
を併用することができる。また、Ｂサイトを構成する元
素（以下、Ｂサイト構成元素と記す。）としては、チタ
ン、ジルコニウム及び錫が挙げられるが、これらの元素
は単独で若しくは２種以上を併用することができる。
合酸化物のＡサイトを構成するアルカリ土類金属元素
（以下、Ａサイト構成元素と記す。）としては、バリウ
ム、ストロンチウム、カルシウム、及びマグネシウムが
挙げられるが、これらの元素は単独で若しくは２種以上
を併用することができる。また、Ｂサイトを構成する元
素（以下、Ｂサイト構成元素と記す。）としては、チタ
ン、ジルコニウム及び錫が挙げられるが、これらの元素
は単独で若しくは２種以上を併用することができる。
【０００８】また、水酸化アルカリとしては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどがある
が、これらは単独で若しくは二種以上を混合して使用す
ることができる。
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどがある
が、これらは単独で若しくは二種以上を混合して使用す
ることができる。
【０００９】Ｂサイト構成元素のアルコキシド、希土類
元素のアルコキシド、及びＭｎアルコキシドとしては、
公知の任意のものを使用できるが、アルコキシ基の炭素
数が１５以下、好ましくは、８以下のものが望ましい。
例えば、チタンアルコキシドを例にして代表的なものを
挙げると、チタン イソブトキシド(Ｔｉ(ＯＣ4Ｈ9)4)、
チタンイソプロポキシド(Ｔｉ(ＯＣ3Ｈ7)4)、チタネト
キシド、ジブトキシージトリエタノールーアミネートチ
タン、 ジブトキシ ジ（２−（ヒドロキシエチルアミ
ノ）エトキシ）チタン(Ｔｉ(Ｃ4Ｈ9Ｏ)2・〔Ｎ(Ｃ2Ｈ4Ｏ
Ｈ)2(Ｃ2Ｈ4Ｏ)〕2)などが挙げられる。
元素のアルコキシド、及びＭｎアルコキシドとしては、
公知の任意のものを使用できるが、アルコキシ基の炭素
数が１５以下、好ましくは、８以下のものが望ましい。
例えば、チタンアルコキシドを例にして代表的なものを
挙げると、チタン イソブトキシド(Ｔｉ(ＯＣ4Ｈ9)4)、
チタンイソプロポキシド(Ｔｉ(ＯＣ3Ｈ7)4)、チタネト
キシド、ジブトキシージトリエタノールーアミネートチ
タン、 ジブトキシ ジ（２−（ヒドロキシエチルアミ
ノ）エトキシ）チタン(Ｔｉ(Ｃ4Ｈ9Ｏ)2・〔Ｎ(Ｃ2Ｈ4Ｏ
Ｈ)2(Ｃ2Ｈ4Ｏ)〕2)などが挙げられる。
【００１０】
【作用】本発明においては、Ｂサイト構成元素、希土類
元素及びマンガンのアルコキシドが加水分解及び水酸化
アルカリのＯＨ基のアタック作用により中間体である金
属錯イオンを生成し、これとＡサイト構成元素の陽イオ
ンとのイオン反応により目的物である半導電性複合酸化
物を生成する。このため希土類元素やマンガンなどの添
加物イオンが分子レベルで均一に取り込まれ、また、液
相中で反応が進行するため、粒度分布が狭く、平均粒径
の小さな超微粒子が生成される。
元素及びマンガンのアルコキシドが加水分解及び水酸化
アルカリのＯＨ基のアタック作用により中間体である金
属錯イオンを生成し、これとＡサイト構成元素の陽イオ
ンとのイオン反応により目的物である半導電性複合酸化
物を生成する。このため希土類元素やマンガンなどの添
加物イオンが分子レベルで均一に取り込まれ、また、液
相中で反応が進行するため、粒度分布が狭く、平均粒径
の小さな超微粒子が生成される。
【００１１】なお、反応系中の水酸化アルカリの含有量
をＢサイト構成元素に対して１〜４倍のモル数としたの
は、水酸化アルカリの量がＢサイト構成元素のモル数の
１倍未満では十分な金属錯イオンが形成されず、また、
４倍を超えると、水酸化アルカリの添加効果が飽和し
て、その消費量が増えるだけであるからである。
をＢサイト構成元素に対して１〜４倍のモル数としたの
は、水酸化アルカリの量がＢサイト構成元素のモル数の
１倍未満では十分な金属錯イオンが形成されず、また、
４倍を超えると、水酸化アルカリの添加効果が飽和し
て、その消費量が増えるだけであるからである。
【００１２】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１３】
（実施例１）蒸留水３０００mlを入れた反応槽を窒素雰
囲気下に設置し、９５℃に加熱した後、１０Ｎの水酸化
ナトリウム溶液１０５mlを投入し、更に、この反応槽に
水酸化バリウム８水和物（Ｂa(ＯＨ)2・８Ｈ2Ｏ）８２.
４７ｇを投入して溶解させる。これとは別に、２００ml
のイソプロパノールに、チタン酸テトライソプロピル７
５ml、２．６３×１０-4molのセリウムブトキシドのイ
ソプロパノール溶液、及び２．６３×１０-4molのイソ
プロポキシマンガン（II）のイソプロパノール溶液を加
えて混合溶液を調製する。反応槽を高速撹拌し、その中
に得られた金属アルコキシドのイソプロパノール混合溶
液を投入して３時間反応させる。３時間経過後、反応槽
を自然冷却し、反応生成物を吸引濾過して白色のペース
トを得る。次いで、このペーストを１０００mlの蒸留水
で洗浄した後、吸引濾過する操作を２回繰り返す。洗浄
したペーストにイソプロパノール５００mlを加え、ウル
トラディスパーサで分散させた後、蒸発乾燥させて半導
電性ペロブスカイト型化合物粉末を得る。
囲気下に設置し、９５℃に加熱した後、１０Ｎの水酸化
ナトリウム溶液１０５mlを投入し、更に、この反応槽に
水酸化バリウム８水和物（Ｂa(ＯＨ)2・８Ｈ2Ｏ）８２.
４７ｇを投入して溶解させる。これとは別に、２００ml
のイソプロパノールに、チタン酸テトライソプロピル７
５ml、２．６３×１０-4molのセリウムブトキシドのイ
ソプロパノール溶液、及び２．６３×１０-4molのイソ
プロポキシマンガン（II）のイソプロパノール溶液を加
えて混合溶液を調製する。反応槽を高速撹拌し、その中
に得られた金属アルコキシドのイソプロパノール混合溶
液を投入して３時間反応させる。３時間経過後、反応槽
を自然冷却し、反応生成物を吸引濾過して白色のペース
トを得る。次いで、このペーストを１０００mlの蒸留水
で洗浄した後、吸引濾過する操作を２回繰り返す。洗浄
したペーストにイソプロパノール５００mlを加え、ウル
トラディスパーサで分散させた後、蒸発乾燥させて半導
電性ペロブスカイト型化合物粉末を得る。
【００１４】得られた粉末のＸ線回析分析を行ったとこ
ろ、立方晶のチタン酸バリウムの単相のピークが得られ
た。また、その粉末を透過型電子顕微鏡で観測したとこ
ろ、粒径が０.０５〜０.１μｍと微細で、分布幅が狭い
ことが確認された。さらに、窒素吸着法によりその比表
面積を測定したところ、１９.３ｍ2/gであった。
ろ、立方晶のチタン酸バリウムの単相のピークが得られ
た。また、その粉末を透過型電子顕微鏡で観測したとこ
ろ、粒径が０.０５〜０.１μｍと微細で、分布幅が狭い
ことが確認された。さらに、窒素吸着法によりその比表
面積を測定したところ、１９.３ｍ2/gであった。
【００１５】（実施例２）蒸留水３０００mlを入れた反
応槽を窒素雰囲気下に設置し、９０℃に加熱した後、１
０Ｎの水酸化ナトリウム溶液１０５mlを投入し、更に、
この反応槽に水酸化バリウム８水和物７４.３０ｇと水
酸化ストロンチウム８水和物６.９８ｇを投入して溶解
させる。これとは別に、２００mlのイソプロパノール
に、チタン酸テトライソプロピル７５ml、２．６３×１
０-4molのセリウムブトキシドのイソプロパノール溶
液、及び２．６３×１０-4molのイソプロポキシマンガ
ン（II）のイソプロパノール溶液を加えて混合溶液を調
製する。反応槽を高速撹拌し、その中に得られた金属ア
ルコキシドのイソプロパノール混合溶液を投入して３時
間反応させた後、実施例１と同様に濾別、洗浄、分散及
び蒸発乾燥処理して、白色の粉末を得る。
応槽を窒素雰囲気下に設置し、９０℃に加熱した後、１
０Ｎの水酸化ナトリウム溶液１０５mlを投入し、更に、
この反応槽に水酸化バリウム８水和物７４.３０ｇと水
酸化ストロンチウム８水和物６.９８ｇを投入して溶解
させる。これとは別に、２００mlのイソプロパノール
に、チタン酸テトライソプロピル７５ml、２．６３×１
０-4molのセリウムブトキシドのイソプロパノール溶
液、及び２．６３×１０-4molのイソプロポキシマンガ
ン（II）のイソプロパノール溶液を加えて混合溶液を調
製する。反応槽を高速撹拌し、その中に得られた金属ア
ルコキシドのイソプロパノール混合溶液を投入して３時
間反応させた後、実施例１と同様に濾別、洗浄、分散及
び蒸発乾燥処理して、白色の粉末を得る。
【００１６】得られた粉末のＸ線回析分析を行ったとこ
ろ、立方晶のチタン酸バリウム・ストロンチウムの単相
のピークが得られた。また、その粉末を透過型電子顕微
鏡で観測したところ、粒径が０.０５〜０.１μｍと微細
な粉末が観察され、窒素吸着法によりその比表面積を測
定したところ、１４.０ｍ2/gであった。
ろ、立方晶のチタン酸バリウム・ストロンチウムの単相
のピークが得られた。また、その粉末を透過型電子顕微
鏡で観測したところ、粒径が０.０５〜０.１μｍと微細
な粉末が観察され、窒素吸着法によりその比表面積を測
定したところ、１４.０ｍ2/gであった。
【００１７】（実施例３）蒸留水３０００mlを入れた反
応槽を窒素雰囲気下に設置し、８５℃に加熱した後、１
０Ｎの水酸化ナトリウム溶液１０５mlを投入し、更に、
この反応槽に水酸化バリウム８水和物８２.５５ｇを投
入して溶解させる。これとは別に、２００mlのイソプロ
パノールに、チタン酸テトライソプロピル６７.５５m
l、ジルコニウムブトキシド２.６３×１０-2molのイソ
プロパノール溶液、セリウムブトキシド２.６３×１０
-4molのイソプロパノール溶液、及びイソプロポキシマ
ンガン（II）２.６３×１０-4molのイソプロパノール溶
液を加えて混合溶液を調製する。得られた金属アルコキ
シドのイソプロパノール混合溶液を高速撹拌している反
応槽に投入し、３時間反応させた後、実施例１と同様に
濾別、洗浄、分散及び蒸発乾燥処理して、白色の粉末を
得る。
応槽を窒素雰囲気下に設置し、８５℃に加熱した後、１
０Ｎの水酸化ナトリウム溶液１０５mlを投入し、更に、
この反応槽に水酸化バリウム８水和物８２.５５ｇを投
入して溶解させる。これとは別に、２００mlのイソプロ
パノールに、チタン酸テトライソプロピル６７.５５m
l、ジルコニウムブトキシド２.６３×１０-2molのイソ
プロパノール溶液、セリウムブトキシド２.６３×１０
-4molのイソプロパノール溶液、及びイソプロポキシマ
ンガン（II）２.６３×１０-4molのイソプロパノール溶
液を加えて混合溶液を調製する。得られた金属アルコキ
シドのイソプロパノール混合溶液を高速撹拌している反
応槽に投入し、３時間反応させた後、実施例１と同様に
濾別、洗浄、分散及び蒸発乾燥処理して、白色の粉末を
得る。
【００１８】得られた粉末のＸ線回析分析を行ったとこ
ろ、立方晶のペロブスカイト単相のピークが得られた。
また、その粉末を透過型電子顕微鏡で観測したところ、
粒径が０.０５〜０.１μｍと微細な粉末が観察され、窒
素吸着法によりその比表面積を測定したところ、２１.
３ｍ2/gであった。
ろ、立方晶のペロブスカイト単相のピークが得られた。
また、その粉末を透過型電子顕微鏡で観測したところ、
粒径が０.０５〜０.１μｍと微細な粉末が観察され、窒
素吸着法によりその比表面積を測定したところ、２１.
３ｍ2/gであった。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、Ａサイト構成元素の水酸化物と、Ｂサイト構
成元素及び添加物元素のアルコキシドとを液相中で反応
させるようにしているので、反応が温和に進行し、超微
粒子で粒度分布幅が狭く、比表面積が大きく表面活性の
高い半導体磁器粉末が得られるという優れた効果を得る
ことができる。
によれば、Ａサイト構成元素の水酸化物と、Ｂサイト構
成元素及び添加物元素のアルコキシドとを液相中で反応
させるようにしているので、反応が温和に進行し、超微
粒子で粒度分布幅が狭く、比表面積が大きく表面活性の
高い半導体磁器粉末が得られるという優れた効果を得る
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式：ＡＢＯ3、（但し、Ａは少なく
とも一種のアルカリ土類金属元素、Ｂは少なくとも一種
の４価の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト
型複合酸化物に半導体化剤を含有させてなる半導体磁器
用粉末の製造方法において、Ｂサイトを構成する金属元
素に対して１〜４倍のモル数の水酸化アルカリを含むＡ
サイトの金属元素の水酸化物の温水溶液に、Ｂサイトを
構成する金属元素のアルコキシドと、希土類元素のアル
コキシドと、Ｍｎアルコキシドとを含む混合溶液を添加
して反応させることを特徴とする半導体磁器用微粉末の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20787091A JP3149467B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 半導体磁器用微粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20787091A JP3149467B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 半導体磁器用微粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551204A true JPH0551204A (ja) | 1993-03-02 |
| JP3149467B2 JP3149467B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=16546917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20787091A Expired - Lifetime JP3149467B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 半導体磁器用微粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149467B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012091956A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 複合酸化物粉末の製造方法 |
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1991
- 1991-08-20 JP JP20787091A patent/JP3149467B2/ja not_active Expired - Lifetime
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