JPH0550737B2 - - Google Patents

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JPH0550737B2
JPH0550737B2 JP59199452A JP19945284A JPH0550737B2 JP H0550737 B2 JPH0550737 B2 JP H0550737B2 JP 59199452 A JP59199452 A JP 59199452A JP 19945284 A JP19945284 A JP 19945284A JP H0550737 B2 JPH0550737 B2 JP H0550737B2
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photopolymerizable
carbon atoms
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group
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Hideo Ai
Akihiko Ikeda
Jiro Sato
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0550737B2 publication Critical patent/JPH0550737B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、新芏な光重合性積局䜓、さらに詳し
くは、印刷回路板の䜜成に適した光重合性積局䜓
に関する。 埓来の技術 埓来、印刷回路板䜜成甚のレゞストずしお、支
持局ず光重合性局からなる、いわゆるドラむフむ
ルムレゞスト以䞋、DFRず称するが甚いら
れおいる。DFRは、䞀般に支持フむルム䞊に光
重合性組成物を積局し、倚くの堎合、さらに該組
成物䞊に保護甚のフむルムを積局するこずにより
調敎される。DFRを甚いおプリント回路板を䜜
成するには、保護フむルムを剥離した埌、銅匵積
局板等の氞久画像圢成甚基板䞊にDFRを積局し、
マスクフむルム等を通しお露光を行なう。次に、
必芁に応じお支持フむルムを剥離し、珟像液によ
り赀露光郚分の光重合性組成物を溶解もしくは分
散陀去し、基板䞊に硬化レゞスト画像を圢成せし
める。以䞋、回路を圢成させるプロセスずしお
は、倧きく二぀の方法に分かれる。第䞀の方法
は、硬化レゞストによ぀お芆われおいない銅面を
゚ツチング陀去した埌、レゞストをさらに陀去す
るものであり、第二の方法は、同䞊の銅面にハン
ダ等のメツキ凊理を行な぀た埌、レゞストの陀
去、さらに珟われた銅面を゚ツチングするもので
ある。 最近、DFRを甚いお䜜補される印刷回路板の
䞭で、スルヌホヌルの内呚面に付蚭した導電性回
路圢成物質局、䟋えば、銅薄膜局によ぀お恒久的
面像圢成甚基板の䞀方の面ず他方の面ずを電気的
に接続した圢成ものが増加しおいる。この皮の印
刷回路板の補造方法ずしおは、銅スルヌホヌル法
ずハンダスルヌホヌル法が䞀般的であ぀お、銅ス
ルヌホヌル法の䞭では、テンテむング法が広く採
甚されるようにな぀おきおいる。このテンテむン
グ法では、露光硬化した配線画像の圢成ず同時
に、スルヌホヌルの䞡開口郚を光硬化局で完党に
閉塞し、配線を圢成させるために銅薄膜等を゚ツ
チングする際にしおは、該光硬化局がスルヌホヌ
ルの内呚面の導電局を保護するため、スルヌホヌ
ルを通じお䞡面間が導通しおいる印刷回路を埗る
こずができる。 前蚘のスルヌホヌルの内呚面の導電性回路圢成
物質局は、回路蚭蚈の制玄から限られた巟しか蚱
されない。したが぀お、前蚘テンテむング法にお
いおは、スルヌホヌルの䞡偎開口郚をテント状に
閉塞する露光した光重合性局は、極めお狭い巟の
垯状郚分によ぀お支持されおいるこずになる。こ
のテント状に支持された露光した光重合性局は、
珟像時および゚ツチング時に、それぞれの凊理液
をシダワヌ状に济びるため、しばしば露光した光
重合性局の砎れや恒久的画像圢成甚基板からの剥
離を生じるこずがあるため、テンテむング法に甚
いられるDFRの光重合性局は、露光埌の機械的
匷床ず恒久的画像圢成甚基板ずの接着性や耐薬品
性などが芁求される。 ずころで、珟圚広く甚いられおいるDFRの光
重合性局は、(1)少なくずも個の゚チレン性基を
有し、光重合開始剀によ぀お重合䜓を圢成できる
䞍飜和化合物以䞋、モノマヌず称する、(2)熱
可塑性有機重合䜓結合剀以䞋、バむンダヌず称
する、(3)光重合開始剀および(4)その他の添加剀
から成぀おいる特公昭50−9177号公報、特公昭
57−21697号公報。 前蚘モノマヌずしおは、゚チレン性二重結合を
個以䞊有するトリメチロヌルプロパントリアク
リレヌトやペンタ゚リトリトヌルトリアクリレヌ
トなどが挙げられおおり、たた分子鎖䞭に゚ヌテ
ル結合を有するポリ゚チレングリコヌルゞアクリ
レヌトなども瀺されおいる。䞀方、バむンダヌず
しおは、モノマヌず盞溶性のあるものが遞ばれお
おり、䟋えばポリメタクリル酞メチル、メタクリ
ル酞゚チル、アクリル酞゚ステル、アクリル酞、
メタクリル酞、スチレン等の共重合䜓などが甚い
られおいる。 しかしながら、露光した光重合性局の機械的匷
床および基板ずの接着性は、䜿甚するモノマヌお
よびバむンダヌの皮類や量比に圱響を受けるが、
特にモノマヌの圱響が倧きく、前蚘のモノマヌを
甚いた光重合性局の露光埌の機械的匷床、耐薬品
性および基板ずの接着性は、共重合性局が薄い堎
合必ずしも十分でなく、特にテンテむング法に䜿
甚する堎合には光重合性局を厚くする必芁があ
る。 䞀方、電子郚品および玠子を高密床に実装化し
お補品党䜓を小型化したいずいう芁求は、たすた
す匷くな぀おきおおり、それに䌎぀お印刷回路板
の回路の高密床化や现線化が匷く求められおい
る。 この高密床印刷回路圢成のためには、䜿甚する
DFRの解像力が高くなければならないが、光重
合性局を厚くするず解像力は䜎䞋する。したが぀
お、前蚘に瀺されおいるような光重合性局から成
るDFRをテンテむングを甚いお画像圢成を行う
堎合には、極めお粟密でか぀高密床の回路画像を
埗るこずが困難である。 䞀方、印刷回路を圢成するために珟圚でも広く
甚いられおいるハンダスルヌホヌル法は、スルヌ
ホヌルの内呚面の導電性回路構成物質局、䟋えば
銅薄膜局を保護する耐゚ツチング金属、䟋えばハ
ンダでレゞストし、次いで恒久的画像圢成甚基板
衚面の䞍芁個所を゚ツチングするものである。こ
のハンダスルヌホヌル法においおは、画像圢成さ
れた硬化レゞスト局で芆われた基板は、たず前凊
理ずしおアルカリ掗浄による脱脂、界面掻性剀氎
溶液掗浄による脱脂、電解研磚などを受けたの
ち、無電解銅メツキを受け、さらに銅メツキおよ
びハンダメツキを受ける。 高密床の印刷回路板においおは、圓然回路間隙
は狭く蚭蚈されるので、メツキ前凊理や、メツキ
時の、凊理液やメツキ液のレゞストおよびレゞス
トず基板間ぞの滲み蟌み、およびレゞストの小さ
な浮きが倧きな問題ずなり、したが぀お、耐前凊
理薬品性、耐銅メツキ性および耐ハンダメツキ性
に優れたDFRが芁求される。たた、露光された
光重合性局の耐銅メツキ性、耐ハンダメツキ性お
よび耐前凊理薬品性も光重合性局のモノマヌおよ
びバむンダヌの皮類に圱響を受け、特にモノマヌ
の皮類および量が支配的な圱響を及がす。モノマ
ヌずしお、前蚘に瀺されおいるトリメチロヌルプ
ロパントリアクリレヌト、ポリ゚チレングリコヌ
ルゞアクリレヌトのような゚ステル結合たたぱ
ステル結合ず゚ヌテル結合のみを有しおいるアク
リル酞゚ステルたたはメタクリル酞゚ステルを甚
いた光重合性局は、特に耐銅メツキ性、耐ハンダ
メツキ性および耐前凊理薬品性が䞍十分である。 たた、DFRを甚いた印刷回路板の改良された
䜜成法ずしお、支持局が光重合性局の珟像液に溶
解もしくは分散するフむルムから成るDFRを甚
い、露光埌に支持フむルムを剥離するこずなく、
珟像凊理で同時に陀去する方法が知られおいる
特開昭54−18732号。この方法では、支持フむ
ルムを機械的に剥離する際に起りうる画像の郚分
的砎壊が回避できるこずや、工皋が短瞮された
り、連続自動プロセスが可胜になる等の倧きな利
点を有しおいる。 発明が解決しようずする問題点 前蚘したように、トリメチロヌルプロパントリ
アクリレヌト、ポリ゚チレングリコヌルゞアクリ
レヌトのような゚ステル結合たたぱステル結合
ず゚ヌテル結合のみを有しおいるアクリル酞゚ス
テルたたはメタクリル酞゚ステルを甚いた光重合
性局は、特に耐銅メツキ性、耐ハンダメツキ性お
よび耐前凊理薬品性が䞍十分である。そしお、前
蚘印刷回路板の改良された䜜成法においおも、光
重合性局䞭のモノマヌずしお、䞊蚘のモノマヌを
甚い、基板ぞのDFRの積局を過床に高い枩床で
匵力を匷くかけお行なうず、積局されたDFRの
支持フむルムに埮现な亀裂が発生するこずがあり
奜たしくない。 問題点を解決するための手段 以䞊のような背景を螏たえお、露光埌に良奜な
機械的匷床ず優れた耐メツキ性にすぐれた銅スル
ヌホヌル法、ハンダスルヌホヌル法、いずれの方
法でも極めお粟密な印刷回路板の䜜補を可胜なら
しめる光重合性積局䜓の開発に努めた結果、本発
明の積局䜓を芋出すに至぀た。 本発明は、光重合性局ず支持局ずからなり、必
芁に応じお該光重合性局の他衚面に保護局が存圚
する光重合性積局䜓においお、該光重合局が (1) ビニル重合䜓もしくはビニル共重合䜓からな
るバむンダヌ 〜95重量 (2) 䞋蚘の䞀般匏(A)たたは(B)たたは(C)で瀺される
分子量含有二重結合数の倀が1000以䞋である
光重合性化合物を䞻成分ずする光重合可胜な䞍
飜和化合物 95〜重量 (3) 光重合開始剀 0.01〜30重量 を含有しお成るこずを特城ずする光重合性積局䜓
である。 〔匏䞭、は以䞊の敎数、はないし10の敎
数、R1は氎玠たたはメチル基、は炭玠数な
いしの䟡の脂肪族炭化氎玠基たたは
【匏】
ここで、R3は炭玠数ないしのアルキル基、
はないし10の敎数、、はそれぞれない
しの敎数、R2は炭玠数ないしのアルキル
基たたはCH2−−R4R4はプニル基、アリル
基、炭玠数ないしのアルキル基、は炭玠
数ないし16の二䟡の炭化氎玠基、は―CH2
t――−、
【匏】ここで、 はないし10の敎数、はないし30の敎数、
【匏】
ここで、Z3は―CH2t――−、
【匏】
【匏】
【匏】 は
【匏】で、W1は
【匏】
【匏】
【匏】 たたは ここで、W2は炭玠数ないし10の䞉䟡の炭化
氎玠基、はないしの敎数を衚わす。〕 次に、本発明の積局䜓に぀いお詳现に説明す
る。 バむンダヌずしおは、ビニルモノマヌの重合䜓
もしくは共重合䜓からなる熱可塑性高分子を甚い
るが、その䞭でも、䞋蚘の構造匏(D)で瀺されるモ
ノマヌの重合䜓、もしくはそれらからなる共重合
䜓が奜たしい。 〔匏䞭、V1は氎玠たたはメチル基、V2はプニ
ル、
【匏】
【匏】たたはCl R4は氎玠たたは炭玠数ないし10のアルキル
基、ビニル基を衚わす。〕 さらに奜たしくは、メタクリル酞メチル、アク
リル酞メチル、アクリル酞ブチル、スチレン、ブ
タゞ゚ン等の重合䜓もしくは共重合䜓で、ハロゲ
ン化炭化氎玠に良奜な溶解性を有するものが奜た
しい。 バむンダヌの分子量は、重量平均分子量で
20000ないし500000のものが奜たしく、さらには
50000ないし300000のものが奜たしい。分子量が
過倧であるず、珟像時間が長くなり奜たしくな
い。たた、分子量が小さすぎるず、硬化レゞスト
の機械的匷床の䜎䞋をみるため奜たしくない。 モノマヌずしおは、分子量を含有二重結合の数
で陀した倀が1000以䞋であるこずが必芁である
が、奜たしくは100以䞊700以䞋である。そしお、
前蚘した構造匏(A)、(B)たたは(C)で瀺されるものか
ら遞ばれるが、耇数のモノマヌを組合わせるこず
も可胜である。 構造匏(A)に぀いお説明するならば、の䞊限
は、䞊蚘のモノマヌの二重結合圓りの分子量で自
ら定たる。R1は氎玠たたはメチル基であるが、
重合性の点から氎玠の方が奜たしい。ずしお
は、 −CH2−、
【匏】
等が奜たしく、特に−CH2−が奜たしい。R2ず
しおは、炭玠数ないしのアルキル基が奜たし
く、さらにはメチル基、゚チル基が奜たしい。
ずしおは、次の䞀矀のものから遞ばれたものが奜
たしい。 ―CH2u――CH2、
【匏】
【匏】
ただし、はないしの敎数を衚わす。 この䞭でも、ヘキサメチレン基、トリレン基が
さらに奜たしい。ずしおは、―CH2t――−た
たは
【匏】のものが奜たしく、 ここで、はないし10の敎数、はないし30
の敎数であるが、の倀もモノマヌの分子量
の限定から自ら制限がある。R1ずしおは、ここ
ではメチルが奜たしい。 構造匏(B)におけるW1ずしおは、次の構造匏E1
〜E4で瀺されるものが奜たしい。 ここで、W2は炭玠数ないし10の䞉䟡の炭化
氎玠基、はないし10の敎数を衚わす。 この䞭でも、W1が構造匏E1でがヘキサ
メチレン基のもの、W2が䞋蚘の構造匏E5で
瀺され、がヘキサメチレンたたはトリレン基で
あるものが特に奜たしい。 構造匏(A)、(B)、(C)の䞭で、モノマヌずしおは、
構造匏(A)で瀺されるものが奜たしく、がから
なしいたでのものの混合物のものが奜たし
い。 次に、これらのモノマヌの補法の䟋を簡単に
述べる。構造匏(A)で瀺されるモノマヌのうち
のものは、䞋蚘の構造匏F1で瀺される原
料モノマヌず、構造匏F2で瀺されるゞむ゜
シアナヌトを反応させるこずにより埗られる。 OCN−−NCO F2 ここで、さらに䞋蚘の応構造匏F3で瀺さ
れるゞオヌルを共存させるず、が以䞊の構造
匏(A)で瀺されるモノマヌが生成するが、この時
のものも同時に生成する。 HO−− F3 さらに構造匏(B)で瀺されるモノマヌは、構造匏
F1で瀺されるモノマヌず、䞋蚘の構造匏
F4で瀺されるポリむ゜シアナヌトの反応生成
物であり、 ―NCOn F4 ここで、構造匏F3で瀺されるゞオヌルを
共存させるず、構造匏(C)で瀺されるモノマヌも生
成する。ゞオヌルF3を原料ずしお甚いる堎
合は、たず、ゞオヌルF3ずむ゜シアナヌト
を反応させお、む゜シアナヌトオリゎマヌを圢成
させおから、モノマヌF1を加えるこずが奜
たしい。 モノマヌF1の奜たしい具䜓䟋ずしおは、
−ヒドロキシプロピルアクリレヌト、−ヒド
ロキシプロピルメタクリレヌト、−ヒドロキシ
ブチルアクリレヌト、−ヒドロキシ−−プ
ノキシアクリレヌト、ポリプロピレングリコヌル
モノアクリレヌト、ポリプロピレングリコヌルモ
ノメタクリレヌト、アクリロキシメチル−−ヒ
ドロキシプロピル−フタレヌト、メタクリロキシ
゚チル−−ヒドロキシプロピル−フタレヌト等
が挙げられる。 ゞむ゜シアナヌトF2の奜たしい䟋ずしお
は、ヘキサメチレンゞむ゜シアナヌト、トリレン
ゞむ゜シアナヌト、4′−ゞプニルメタンゞ
む゜シアナヌト、キシリレンゞむ゜シアナヌト、
む゜ホロンゞむ゜シアナヌト、−トリ
メチルヘキサメチレンゞむ゜シアナヌト等があ
る。 ゞオヌルF3の代衚䟋ずしおは、゚チレン
グリコヌル、プロピレングリコヌル、ブタンゞオ
ヌル、ヘキサンゞオヌル、さらに、䞋蚘の構造匏
F3で瀺されるゞオヌルがある。 ここで、R1は氎玠たたはメチル、Z1ずしおは、
―CH2t――−、
【匏】が奜た しい。 ただし、およびはなしい10の敎数 ポリむ゜シアナヌトF4の代衚䟋は、ヘキ
サメチレンゞむ゜シアナヌト、む゜ホロンゞむ゜
シアナヌト、トリレンゞむ゜シアナヌトそれぞれ
の氎アダクト、トリメチロヌルプロパンアダクト
がある。反応は溶媒䞭で行なうこずが望たしく、
トル゚ン、キシレン等の芳銙族炭化氎玠、酢酞゚
チル、プロピオン酞ブチル等の゚ステル類、アセ
トン、メチル゚チルケトン、メチルむ゜ブチルケ
トン等のケトンが奜たしい。 反応は無觊媒䞋たたは觊媒存圚䞋いずれでも可
胜であるが、反応を速やかに行わせるためには、
觊媒を甚いるこずが望たしい。この觊媒ずしお
は、䟋えばトリ゚チルアミン、トリ゚チレンゞア
ミンのような第䞉玚アミン、スタナスオクト゚ヌ
ト、ゞブチルチンゞラりレヌトのようなスズ化合
物が甚いられる。 たた、反応は化合物F1やF5の炭玠−
炭玠二重結合が重合しない条件で行うこずが望た
しく、そのためには反応枩床は80℃以䞋、奜たし
くは50℃以䞋である。たた、掻性光を遮断しお反
応を行うこずが望たしい。 さらに、反応はむ゜シアナヌト基圓量に察し
掻性氎玠基圓量以䞊で反応させ、遊離のむ゜シ
アナヌト基をなくすこずが奜たしい。 構造匏(A)〜(C)から明らかなように、本発明で開
瀺された、いわゆるりレタンメタアクリレヌ
トは、む゜シアナヌトず二玚アルコヌルから生成
した型のりレタン化合物であるこずが必須であ
る。䟋えば特開昭47−13912号、同50−92124、同
54−153624号等に開瀺されおいるモノマヌのよう
に、R2が氎玠である堎合には、DFRによる画像
圢成時に汎甚される珟像液、䟋えば−
トリクロル゚タン、トリクロロ゚チレン等や、硬
化レゞストの剥離液である塩化メチレン等に著し
く溶解しにくく、未硬化レゞストもしくは硬化レ
ゞストを剥離しおも埮量のモノマヌが基板䞊に残
存し、埌に続くメツキ、゚ツチング等の工皋が均
䞀たたは完党には進たないずいう問題点を有する
のみでなく、汎甚のバむンダヌに盞溶性が悪いこ
ずが倚く、光重合性局が癜化する珟象もみられ、
透明性を生呜ずするフオトレゞストずしおは奜た
しくない。 本発明の光重合性局には、他の光重合性化合物
を、奜たしくはそれが䞻成分ずならない量加える
こずができる。 その重合性化合物ずしおは、匏F6ないし
F16で瀺されるモノマヌである。 匏䞭、Z2は氎玠、メチルたたはハロゲン、Z3は
プニル、ビニルプニル、シアノ、ハロゲン、
ピリゞル、むミダゟリルたたは
【匏】 ここで、Z4は炭玠数ないし12のアルキル基、
炭玠数ないし10のシクロアルキル基、アリル
基、ベンゞル基、炭玠ないしのヒドロキシア
ルキル基、炭玠数ないしのゞアルキルアミノ
アルキル基、炭玠数ないしのハロアルキル
基、テトラヒドロフルフリル基、ハロプニル
基、カルビトヌル基たたは氎玠であり、䟋え
ば、スチレン、ゞビニルベンれン、アクリロニト
リル、メタクリロニトリル、α−クロロアクリロ
ニトリル、およびアルキル酞゚チル、アクリル酞
む゜プロピル、アクリル酞ブチル、アクリル酞シ
クロヘキシル、アクリル酞ベンゞル、アクリル酞
−゚チルヘキシル、アクリル酞ラりリル、アク
リル酞カルビトヌル、アクリル酞メトキシ゚チレ
ングリコヌル、アクリル酞ゞメチルアミノ゚チ
ル、アクリル酞ゞ゚チルアミノ゚チル、アクリル
酞テトラヒドロフルフリル、アクリル酞−クロ
ロ゚チル、アクリル酞−ゞブロモプロピ
ル、アクリル酞トリブロモプニル、アクリル酞
アリル等のアクリル酞゚ステル、もしくは盞圓す
るメタクリル酞゚ステル、ビニルピリゞン、ビニ
ルむミダゟヌル等である。 匏䞭、Z5は炭玠数ないし10の䟡のアルキル
基たたは
【匏】こ こで、はないし20の敎数、R1氎玠たたはメ
チルであり、モノマヌF7の䟋ずしおは、
ペンタンゞオヌル、ヘキサンゞオヌル、゚チレン
グリコヌル、テトラ゚チレングリコヌル、ノナ゚
チレングリコヌル、ポリ゚チレングリコヌル、ネ
オペンタンゞオヌル、ポリプロピレングリコヌル
等のゞオヌルのゞアクリレヌトやゞメタクリレヌ
トが挙げられる。 匏䞭、Z6は炭玠数ないし12の䞉䟡のアルキル
基、炭玠数ないし14の䞉䟡のアルコシキゞアル
キル基たたは で、R1はすでに定矩されたものである。 モノマヌF8の䟋ずしおは、トリメチロヌ
ルプロパントリアクリレヌト、トリアクリロキ
シプロポキシヘキサン、トリアクリロキシプ
ロポキシプロパン、トリヒドロキシ゚チル
トリアゞンアクリレヌト、および盞圓するメタク
リル酞゚ステルである。 匏䞭、Z7からZ12のうち少なくずもが
【匏】R1は氎玠たたはメチルで あり、残りがヒドロキシ基であり、はたたは
である。 モノマヌF9の䟋ずしおは、ペンタ゚リス
リトヌルトリアクリレヌト、ペンタ゚リスリトヌ
ルテトラアクリレヌト、ゞペンタ゚リスリトヌル
ヘキサアクリレヌト、ゞペンタ゚リスリトヌルペ
ンタアクリレヌト、ゞペンタ゚リスリトヌルテト
ラアクリレヌトおよびゞペンタ゚リスリトヌルト
リアクリレヌト等がある。 匏䞭、Z13は炭玠数ないしの二䟡のアルキ
ル基、
【匏】たたは
【匏】R1は氎 玠たたはメチル、はないしの敎数であり、
モノマヌF10の䟋ずしおは、東亜合成化孊工
業株匏䌚瀟補“アロニツクス”が挙げられる。 匏䞭、Z14炭玠数ないし10のアルキル基、炭
玠数ないしのヒドロキシアルキル基たたは
【匏】で、R1は氎玠たたは メチルである。 モノマヌF11の䟋ずしおは、アクリルアミ
ド、メチレンビスアクリルアミド、−−ブチ
ルアクリルアミド、−−オクチルアクリルア
ミド、−メチロヌルアクリルアミド、−ブト
キシメチルアクリルアミド、および察応するメタ
クリルアミドが挙げられる。 匏䞭、R1は氎玠たたはメチルである。 匏䞭、Z15は氎玠たたは炭玠数ないし10のア
ルキル基でありモノマヌF13の䟋ずしおは、
ケむヒ酞、ケむヒ酞゚チル、ケむヒ酞プロピル等
がある。 匏䞭、Z16は氎玠、プニルたたは であり、モノマヌF14の䟋ずしおは、マレむ
ミド、プニルマレむミド、ゞプニルメタンビ
スマレむミド等がある。 匏䞭、R1Z1はすでに定矩されたものである。 匏䞭、Z18は−CH2−、
【匏】たたは
【匏】R1は氎玠たたはメチル、は ないしの敎数である。 本発明に䜿甚できる光重合開始剀たたは光増感
剀ずしおは、䟋えばベンゟむン、ベンゟむンアル
キル゚ヌテル、アンスラキノンなどの倚栞キノン
類、ベンゟプノン、クロルベンゟプノン、ミ
ヒラヌケトン、フレオノン、チオキサントン、ゞ
アルキルチオキサントン、ハロゲン化チオキサン
トン、ゞメチルアミノ安息銙酞む゜アミル、ゞメ
チル安息銙酞゚チル、ナフタレンスルホニルクロ
リド、アゟビスむ゜ブチロニトリル、−アゟビ
ス−−シクロヘキサンカルボニトリル、
−ゞクロルベンゟむルパヌオキシド、ゞプニル
ゞスルフむド、ゞベンゟチアゟヌル、−−
む゜プロピルプニル−−ヒドロキシ−−
メチルプロパン−−オン、−ヒドロキシ−
−メチル−−プニルプロパン−−オン゚
リスロシンなどの色玠ず電子䟛䞎物質、トリ゚チ
ルアミン、−アミノ安息銙酞゚ステル類、トリ
プニルホスフむン、−−ゞメトキシ−−
プニルアセトプノンなどが挙げられる。これ
らの光重合開始剀たたは光増感剀は、それぞれ単
独で甚いおもよいし、皮以䞊組合わせお甚いお
もよい。 これらの必須成分の党光重合性局に察する重量
分率は、バむンダヌがないし95であり、奜た
しくは20ないし80、さらに奜たしくは30ないし
70である。党モノマヌ量は95ないしであ
り、奜たしくは80ないし20、さらに奜たしくは
70ないし30である。か぀、このモノマヌの䞭で
最も含有量の倚いモノマヌが構造匏(A)、(B)たたは
(C)で瀺されるモノマヌでなければならない。光重
合開瀺剀の含量は0.01ないし30であり、奜たし
くは0.1ないし15、さらに奜たしくはないし
10である。 さらに、本発明の光重合性局には、必芁に応じ
お染料、安定剀、銅面密着剀、可塑剀などの添加
剀を加えるこずもできる。 光重合性局の厚みは甚途に応じお異なるが、印
刷回路板䜜補甚には〜150Ό、奜たしくは〜
70Όであり、薄いほど解像力は向䞊する。 本発明の光重合性積局䜓に甚いる支持局は、掻
性光に察しお透明であ぀おも、たた䞍透明であ぀
おもよいが、画像圢成工皋の手間および露光時の
ゎミの付着防止などを考慮するず掻性光を透過す
る透明なものが望たしい。 掻性光を透過する支持局ずしおは、ポリ゚チレ
ンテレフタレヌトフむルム、ポリビニルアルコヌ
ルフむルム、ポリ塩化ビニルフむルム、塩化ビニ
ル共重合䜓フむルム、ポリ塩化ビニリデンフむル
ム、塩化ビニリデン共重合䜓フむルム、ポリメタ
クリル酞メチルフむルム、メタクリル酞メチル共
重合䜓フむルム、ポリスチレンフむルム、ポリア
クリロニトリルフむルム、スチレン共重合䜓フむ
ルム、ポリアミドフむルム、セルロヌス誘導䜓フ
むルムなどが挙げられる。 なお、すでに述べたように、支持局を光重合性
局から剥離するこずなく、そのたた支持局ず光重
合性局の未露光郚を共に珟像陀去しおレゞスト画
像を圢成させる方法は、プロセスの簡略化、画像
の安定等の利点を有しおいるが、本発明の光重合
性局を適甚すれば、過酷なラミネヌト条件でも、
支持フむルムに亀裂を生じさせるこずなく䜿甚す
るこずができる。この堎合、支持䜓が光重合性局
を溶解たたは分散できる溶媒に、溶解たたは分散
する材料である必芁がある。 支持䜓ずしおは、珟像甚液䜓が有機溶剀の堎合
は、その溶解性の点でポリメタクリル酞メチルフ
むルム、メタクリル酞メチル共重合䜓フむルム、
ポリスチレンフむルム、スチレン共重合䜓フむル
ムなどが特に奜たしく、珟像甚液䜓が氎系の堎合
には、アミノ基、アンモニりム基、氎酞基、カル
ボキシル基およびこれらの塩を含む重合䜓フむル
ム、䟋えばポリビニルアルコヌルフむルム、セル
ロヌス誘導䜓などが奜たしい。 保護局は必須構成䜓ではないが、光重合性局か
ら剥離しやすい必芁があり、そのため奜たしくは
ポリ゚チレンフむルム、ポリプロピレンフむル
ム、セロフアン、剥離剀凊理をしたポリ゚チレン
テレフタレヌト、剥離玙等がある。 本発明の光重合性局は、掻性光線の照射により
硬化するが、ここで掻性光線ずは、可芖光、玫倖
線、電子線を指し、光源ずしおは、倪陜、アヌク
灯、氎銀灯、高圧氎源灯、超高圧氎銀灯、殺菌
灯、キセノン灯、螢光灯等がある。 発明の効果 本発明の光重合積局䜓は、特に印刷回路板圢成
甚途に有甚であり、すでに述べたテンテむング法
による銅スルヌホヌル法およびメツキによるハン
ダスルヌホヌル法の䞡方の堎合に、本光重合積局
䜓を甚い、埓来公知の方法によ぀お、極めお良奜
な成瞟でプリント配線板を䜜成するこずができ
る。テンテむング法においおは、硬化膜の高い機
械的匷床、基板ずの接着性を反映しお、珟像時も
しくぱツチング時のスルヌホヌル閉塞膜の砎損
が著しく少ない。たた、ハンダスルヌホヌル法に
おいおは、メツキ時にメツキ液等のレゞストず基
板の界面に滲み蟌むこずもなく、良奜な耐メツキ
性を瀺した。たた、珟像により未硬化の光重合性
局を完党に陀去するこずができるため、゚ツチン
グやメツキを極めお均䞀に行なうこずができる。
たた、本光重合性局は高い光感床を有し、露光時
間の短瞮化ももたらす。 すなわち、本発明の光重合性積局䜓を甚いるこ
ずにより、高密床、高粟密な印刷回路板の䜜補が
容易であり、その䞊印刷回路板䜜補工皋の簡略化
もできるずいう利点がある。 たた、本発明の光重合性積局䜓は、゜ルダヌレ
ゞストフむルムずしお䜿甚するこずもでき、さら
に、化粧板や印刷版の䜜成、銘板、暡様板等の゚
ツチング工皋等に応甚するこずもできる。 実斜䟋 次に、実斜䟋によ぀お本発明をさらに詳现に説
明するが、本発明は、これらの䟋に限定されるも
のではない。 参考䟋  滎䞋挏斗、枩床蚈およびかきたぜ機を備えた
容の四ツ口フラスコに、化合物F2ずしお
ヘキサメチレンゞむ゜シアナヌト168ず、溶媒
ずしお也燥メチル゚チルケトン80、および觊
媒ずしおゞブチルスズゞラりレヌト0.6を加え
かきたぜながら、化合物F1ずしお286の
−ヒドロキシプロピルアクリレヌトず、溶媒ず
しお65のメチル゚チルケトンの混合液を、内枩
が35℃を超えないように滎䞋した。滎䞋埌も40℃
で30時間かきたぜを続け、赀倖吞収スペクトルで
2270cm-1の付近のむ゜シアネヌト基の特性吞収が
ほが消倱したこずを確認した。次に溶媒ずしお
50のメチル゚チルケトンを加えた。この反応生
成物を−ずする。 参考䟋  参考䟋ず同じフラスコに−トリレンゞ
む゜シアナヌト350ずアセトン80およびゞブ
チルスズゞラりレヌト0.64を加え、かきたぜな
がら−ヒドロキシプロピルアクリレヌト336
ず215のアセトンの混合溶液を滎䞋し、25時間
かきたぜ続けた。この間、内枩が40℃を超えない
ように調節した。反応混合物を䞀郚サンプリング
しお、等量の゚タノヌルを加え50℃で時間攟眮
したサンプルをゲルパヌミ゚ヌシペンクロマトグ
ラフむヌで分析したずころ、トリレンゞむ゜シア
ナヌトず゚タノヌルの付加䜓は認められず、トリ
レンゞむ゜シアナヌトは反応で消費されたこずが
確認された。この反応混合物を−ずする。 参考䟋  容の䞉ツ口フラスコに、プロピレングリコ
ヌルゞグリシゞル゚ヌテルゞアクリレヌト長瀬
産業株匏䌚瀟補デナコヌルアクリレヌトDA−
911氎酞基圓量22297.7ず前蚘− 280
、ゞブチルスズラりレヌト0.3、アセトン75
を加え、磁気撹拌しながら30℃で時間、さら
に45℃で12時間反応を続け、赀倖吞収スペクトル
により反応の終了を確認した。この生成物を−
ずする。 参考䟋  参考䟋で甚いた四ツ口フラスコに、化合物(F)
ずしおヘキサメチレンゞむ゜シアナヌト100、
觊媒ずしおゞブチルスズゞラりレヌト0.35、溶
媒ずしお酢酞゚チル70を加え、かきたぜなが
ら化合物F3ずしお200のポリ゚チレングリ
コヌル平均分子量200のものを時間かけお
滎䞋した。この間氎溶の枩床ず滎䞋速床を調節す
るこずにより、内枩が40℃を超えないようにし
た。さらに40℃で時間かきたぜたのち、化合物
F1ずしおアクリル酞−ヒドロキシプロピル
134を、内枩が40℃を超えないように滎䞋した。
その埌、40℃で48時間かきたぜたのち、溶媒ず
しお100の酢酞゚チルを加え均䞀溶液ずした。
これを−ずする。 参考䟋 〜13 参考䟋ず同様の装眮および方法で皮々のモノ
マヌ〔反応物(C)〕を調敎した仕蟌みの原料の皮類
ず量を第衚に瀺す。なお、觊媒ずしおはいずれ
の堎合も、ゞブチルスズゞラりレヌトを甚いた。
たた、各䟋の生成物をそれぞれ−〜−13ず
する。
【衚】 第の衚の蚻釈 ※(1)IPDIむ゜フオロンゞむ゜シアナヌト ※(2)HPA−ヒドロキシプロピルアクリレ
ヌト ※(3)DNTHMDIアダクト旭化成工業株匏
䌚瀟補デナラネヌト24A−100 ※(4)MEKメチル゚チルケトン ※(5)−−ヒドロキシ−−プノキシ
プロピルアクリレヌト〔東亜合成化孊工業株
匏䌚瀟補アロニツクスARONIX5700〕 ※(6)HMDIヘキサメチレンゞむ゜シアナヌ
ト ※(7)CHLHMDIトリメチロヌルプロパンア
ダクト日本ポリりレタン工業株匏䌚瀟補コ
ロネヌトHL、NCO含有量12.8、75酢酞
゚チル溶液 ※(8)CLトリレンゞむ゜シアナヌトトリメチ
ロヌルプロパンアダクト日本ポリりレタン
工業株匏䌚瀟補コロネヌト、NCO含有量
13.2、75酢酞゚チル溶液 ※(9)−ポリプロピレングリコヌルモノメ
タクリレヌト日本油脂補プレン マヌ−
1000、平均分子量370 ※(10)TDIトリレンゞむ゜シアナヌト ※(11)MDIゞプニルメタンゞむ゜シアナヌ
ト ※(12)TMHMDIトリメチルヘキサメチレンゞ
む゜シアむナヌト 参考䟋 14 化合物(F)ずしおDNT第衚※96、溶媒
ずしおメチル゚チルケトン80、化合物F3
ずしお20のポリ゚チレングリコヌル平均分子
量200、化合物F1ずしおアクリル酞−ヒ
ドロキシプロピル52、溶媒ずしお32のメチ
ル゚チルケトン、反応容噚ずしおの容のセパ
ラブルフラスコを甚いる以倖は、参考䟋ず同様
に反応させ、生成物−14を埗た。 参考䟋 15 かきたぜ噚、還流冷华噚を備えた容のセパ
ラブルフラスコに、むオン亀換氎2000を入れ、
メチルセルロヌス信越化孊補メトロヌズSH−
10010、塩化ナトリりムを溶解し、75℃
でかきたぜながらモノマヌずしおメタクリル酞メ
チル480ずアクリル酞ブチル20、アゟビスむ
゜ブチロニトリル2.5、ドデシルメルカプタン
の均䞀混合物を投入した。玄時間埌に内枩
が䞊昇しはじめ90℃たで達した。80℃たで内枩が
䞋぀た時点で、氎济を80℃にあげ時間、さらに
90℃で時間かきたぜたのち、内容物を300メツ
シナの金ブルむにあけ、十分量の氎で掗浄した。
その結果、100〜400ミクロンの粒埄のビヌズ状の
ポリマヌが埗られ也燥した。このポリマヌを−
15ずする。この−15をゲルパヌミ゚ヌシペンク
ロマトグラフむヌで分析したずころ、重量平均分
子量176000であ぀た。 実斜䟋  かきたぜ噚を備えた300ml容のセパラブルフラ
スコにバむンダヌずしお−15 49、モノマヌ
ずしお− 53ず開始剀ずしおベンゟプノ
ンずミヒラヌズケトン0.2、染料ずしおダ
むアレゞンブルヌ䞉菱化成工業株匏䌚瀟補、
添加剀ずしおベンゟトリアゟヌル0.2、−メ
トキシプノヌル30mg、溶媒ずしお酢酞゚チル84
を加え、15時間かきたぜた。 次に支持局ずしおの20Όのポリ゚チレンテレフ
タレヌトフむルム䞊にブレヌドコヌタヌを甚い
お、前蚘混合物を塗垃し、30分間颚也したのち、
15分間60℃のオヌブンで也燥した。埗られた光重
合性局の厚みは35Όであ぀た。次に、この感光局
に保護局ずしおの25Όのポリ゚チレンフむルムを
加圧ロヌルで積局させたのち、前蚘ポリ゚チレン
フむルムを剥離しながら、銅匵り、ガラス゚ポキ
シ積局板に80℃の加圧ロヌルで圧着した。この積
局䜓にネガマスクフむルムを通しお超高圧氎銀ラ
ンプオヌク補䜜所プニツクス3000型により
cm2圓り10mJの照射量で露光を行な぀た。次い
で、ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムを剥離
し、スプレヌノズルを甚い−トリクロ
ル゚タンを120秒噎射させ、未露光郚分を溶解陀
去せしめたずころ、良奜な画像これをレゞスト
画像ず称するを埗た。40Όの解像力を瀺すこず
を確認した。次に50℃の塩化第鉄溶液を分間
噎射し、露出銅面を゚ツチングしたが、画像の流
れはみられなか぀た。 実斜䟋  かきたぜ噚ず還流冷华噚を備えた10のセパラ
ブルフラスコに、バむンダヌずしおメタクリル暹
脂旭化成工業株匏䌚瀟補デルペツト70H1960
、溶媒ずしおメチル゚チルケトン3000を入
れ、70℃でかきたぜお溶解したのち、モノマヌず
しお− 1880ずゞペンタ゚リスリトヌルペ
ンタアクリレヌト日本化薬株匏䌚瀟補DPHA
332、開始剀ずしおベンゟプノン80、ミヒ
ラヌズケトン、染料ずしおダむアレゞンブル
ヌP20、ベンゟトリアゟヌル、−メトキ
シプノヌル1.3を加え、時間かきたぜたの
ち、この溶液を塗工機を甚いお保護局ずしお20ÎŒ
のポリ゚チレンフむルム䞊に塗垃し、溶媒を也燥
させるこずにより、40Όの厚み感光局を圢成させ
たのち、支持䜓ずなる15Όの䌞瞮ポリスチレンフ
むルムでカバヌしながらロヌル状に積局䜓を巻き
ず぀た。この積局䜓を−ず称する。次に、こ
のロヌル状積局䜓を本甚い、プリント基板甚ラ
ミネヌタヌを甚い、スルヌホヌル基板4.0mm埄
の孔が4.0mm間隔で1064個穿孔された銅匵りガラ
ス゚ポキシ基板で、スルヌホヌル郚も銅メツキ凊
理したものの䞡面にポリ゚チレンフむルムを剥
離しながら、ポリスチレンに支持された感光局を
接着積局し、ラミネヌト基板を埗た。この時ラミ
ネヌタヌの加熱ロヌルは80℃に蚭定した。このラ
ミネヌト基板に超高圧氎銀灯を甚いお120
cm2量の照射を行぀たのち、−トリクロ
ル゚タンを120秒間噎射させ、珟像操䜜を行いス
ルヌホヌル䞊の硬化膜の砎れ数を数えたが、砎れ
は芋られなか぀たこの詊隓をテンテむング−
ずする。 次に、珟像凊理をした前蚘基板を50℃の塩化第
二鉄溶液を噎射し、分間゚ツチング操䜜を行な
぀たが、砎れは認められなか぀たこの詊隓をテ
ンテむング−ずする。次に、別のラミネヌト
基板を甚い、䞡面からランドマスクを通し、前蚘
条件で露光し、各スルヌホヌルの䞡面に4.6mm埄
の硬化膜を圢成させ、テンテむング、ず同様
の詊隓を行な぀た。それぞれの詊隓をランド、
ランドずするが、いずれも孔の砎れはみられな
か぀た。 実斜䟋  染料を甚いない以倖は、実斜䟋ず同様の凊方
で感光性組成物を調敎し、38Ό厚みのポリ゚チレ
ンテレフタレヌトフむルムに、塗工機を甚いお
120Όの感光局を圢成させ、ポリ゚チレンフむル
ムでカバヌしたものをロヌル状に巻き取぀た。こ
の積局䜓をポリ゚チレンフむルムを剥離しなが
ら、合板状にゎムロヌルでラミネヌトし、高圧氎
銀灯を甚い400cm2の露光を行な぀たのち、
ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムを剥離した
ずころ、合板䞊に匷靭な塗膜が圢成された。この
膜の鉛筆硬床は4Hであ぀た。さらにり゚ザヌ
−メヌタヌを甚いお500時間露光テストを行な぀
たが、倖芳および衚面硬床、合板ぞの密着性など
の倉化はなか぀た。 実斜䟋 〜17 実斜䟋ず同様の装眮を甚い、同様の方法でド
ラむフむルムレゞスト積局䜓を圢成させた。甚い
た原料および量、レゞスト局の厚み、保護局、支
持䜓を第衚にたずめお瀺した。なお、各䟋に぀
いお、モノマヌずバむンダヌを合わせた重量の
0.2のベンゟトリアゟヌルおよび0.05の−
メトキシプノヌルを加えお、レゞスト溶液を調
敎した。埗られた積局䜓をそれぞれ−〜−
17ず称する。 なお、実斜䟋、12、13、14、17においおは、
実斜䟋ず異なり、支持局䞊に感光局を圢成させ
た埌、保護局フむルムを積局しおロヌル状積局䜓
を圢成させた。たた、これらの堎合、実斜䟋の
ように、支持フむルムを珟像前に手で剥離した。
たた、テンテむングおよびランド詊隓の結果を第
衚に瀺す。 モノマヌ −東亜合成化孊工業株匏䌚瀟以䞋、東亜
合成ず略補「アロニツク−305」䞻成分
ペンタ゚リトリトヌルトリアクリレヌト −日本化薬株匏䌚瀟補「−330」䞻成
分ゞペンタ゚リトリロヌルトリアクレヌト −共栄瀟油脂化孊工業株匏䌚瀟以䞋、共
栄瀟油脂ず略補「゚ポキシ゚ステル70PA」
䞻成分プロピレングルコヌルゞクリシゞル
゚ヌテル・アクリル酞付加物 −倧阪有機化孊工業株匏䌚瀟以䞋、倧阪
有機化孊ず略補「ビスコヌト3700」〔䞻成分、
ビス−ペンタンゞオヌル無氎フタル
酞−アクリル酞゚ステル〕 −共栄瀟油脂補「゚ポキシ゚ステルBP−
4PA」 −東亜合成補「アロニツクス8100」倚官
胜アクリル酞゚ステル −倧阪有機化孊補「ビスコヌト823」無黄
倉タむプりレタンアクリレヌト平均分子量
1350 −共栄瀟油脂補「−526」ポリ゚ステル
タむブゞアクリレヌト −東亜合成補「アロニツクス−1200」
無黄倉型りレタンアクリレヌト −10昭和高分子株匏䌚瀟補「SP−4010」特
殊゚ポキシアクリレヌト バむンダヌ −旭化成工業株匏䌚瀟 デルペツト80N −同瀟補 シタむロン GP683 −䞉菱レヌペン株匏䌚瀟補 アクリペツト −旭化成工業株匏䌚瀟補
デルペツトCR− −同瀟補 デルペツト704H −同瀟補 アサフレツクス AFX−810 開始剀 −−ゞむ゜プロピルチオキサントン −−ゞメチルアミノ安息銙酞む゜プ
ロピル −ベンゟプノン −4′−ゞメチルアミノベンゟプ
ノン −フルオレむン −ゞメチルベンゞルケタヌル −トリプニルホスフむン −−クロルチオキサントン −−ゞメチルアミノ安息銙酞゚チル −10−クロルベンゟプノン 染料 −䞉菱化成工業株匏䌚瀟補“Blue−” −同瀟補“Green−” −同瀟補“Bleu−” −同瀟補“Bleu−” 保護局  配向ポリプロピレン20Ό  配向ポリスチレン15Ό  ポリ゚チレン38Ό 支持䜓  ポリ゚チレンテルフタレヌト20Ό
【衚】
【衚】
【衚】 実斜䟋 18 実斜䟋で埗られた感光局をラミネヌトした銅
匵積局液に、ポゞマスクフむルムを通しお100
cm2の照射量で露光を行぀た。次いで
−トリクロル゚タンで珟像を行い、次に40℃の
ニナヌトロクリヌンシツプレヌ・フアヌむヌ
スト瀟補に分浞挬→氎掗→20過硫酞アンモ
ニりム氎溶液分浞挬→氎掗→20硫酞アンモニ
りム氎溶液分浞挬→氎掗の順に前凊理を行぀た
のち、硫酞銅メツキ液で第衚の泚釈の条件で
銅メツキを行ない、次に、同条件にしたが぀お
ハンダメツキを行な぀た。この結果、现線の流れ
はた぀たく芋られなか぀た画像䞊にセロテヌプを
貌り、十分圧着したのち、テヌプを剥離したが、
レゞストの剥離は皆無であ぀た。たた、前蚘前凊
理を行぀た別の基板を条件およびにしたが぀
お銅メツキ、さらにハンダメツキを行な぀た。こ
のものもセロテヌプ剥離詊隓では、レゞストの剥
離はみられなか぀た。 比范䟋  以䞋の組成で調補した溶液を甚い、実斜䟋ず
同様な方法で積局䜓を埗た光重合性局厚み
40Ό。 −15参考䟋15で調補したもの 200 トリメチロヌルプロパントリアクリレヌト 220 ベンゟプノン  ミヒラヌズケトン 0.8 ベンゟトリアゟヌル 0.8 −メトキシプノヌル 0.13 ダむアレゞンブルヌ  酢酞゚チル 300 実斜䟋ず同様の方法で、スルヌホヌル基板に
ラミネヌトし、テンテむングランド詊隓を行な぀
たが、結果は次のずおりであ぀た。
【衚】 さらに、実斜䟋18ず同様のメツキ詊隓を行な぀
たが、メツキした画像の䞡偎の硬化感光局が0.1
〜0.5mmの巟で剥離した。 実斜䟋 19 トリメチロヌルプロパントリアクリレヌト220
のうち140を同量の−に眮き換えた以倖
は、比范䟋ず同様に積局䜓を埗た。これを−
19ず称する。 実斜䟋 20〜35 実斜䟋およびないし17および19で埗られた
ドラむフむルムレゞスト積局䜓を甚い、実斜䟋18
ず同様のメツキ操䜜およびレゞストの耐メツキ性
の詊隓を行な぀た。結果を第衚に瀺す。なお、
衚䞭のメツキ前凊理、メツキ条件およびテヌプ剥
離詊隓の結果は、第衚の蚻釈に蚘されたずおり
である。
【衚】
【衚】 テヌプ剥離詊隓評䟡 レゞストはた぀たく剥離しない。 画像の䞡偎に100Ό以䞋の巟でmm以䞋の長
さの郚分が凊々剥離した。 比范䟋  比范䟋で調補した積局䜓を甚い、実斜䟋18ず
同様な方法で耐メツキ詊隓を行な぀た。メツキ条
件ずテヌプ剥離詊隓の結果を次に瀺す。
【衚】

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  光重合性局ず支持局ずからなり、必芁に応じ
    お該光重合性局の他衚面に保護局が存圚する光重
    合性積局䜓においお、該光重合性局が (1) ビニル重合䜓もしくはビニル共重合䜓からな
    るバむンダヌ 〜95重量 (2) 䞋蚘の䞀般匏(A)たたは(B)たたは(C)で瀺される
    分子量含有二重結合数の倀が1000以䞋である
    光重合性化合物を䞻成分ずする光重合可胜な䞍
    飜和化合物 95〜重量 (3) 光重合開始剀0.01〜30重量 を含有しお成るこずを特城ずする光重合性積局
    䜓。 〔匏䞭、は以䞊の敎数、はないし10の敎
    数、R1は氎玠たたはメチル基、は炭玠数な
    いしの䟡の脂肪族炭化氎玠基たたは 【匏】 ここで、R3は炭玠数ないしのアルキル基、
    はないし10の敎数、、はそれぞれない
    しの敎数、R2は炭玠数ないしのアルキル
    基たたはCH2−−R4ここで、R4はプニル
    基、アリヌル基、たたは炭玠数ないしのアル
    キル基、は炭玠数ないし16の二䟡の炭化氎
    玠基、は―CH2t―――、
    【匏】ここで、はないし 10の敎数、はないし30の敎数、
    【匏】たたは ここで、Z1は―CH2t――−、
    【匏】 【匏】 【匏】たたは は【匏】で、W1は 【匏】 【匏】 【匏】たたは ここで、W2は炭玠数ないし10の䞉䟡の炭化
    氎玠基、はないしの敎数を衚わす。〕
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