JPH05506059A - ネマチック液晶組成物 - Google Patents

ネマチック液晶組成物

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JPH05506059A JP92503969A JP50396992A JPH05506059A JP H05506059 A JPH05506059 A JP H05506059A JP 92503969 A JP92503969 A JP 92503969A JP 50396992 A JP50396992 A JP 50396992A JP H05506059 A JPH05506059 A JP H05506059A
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リーガー,ベルンハルト
吉竹 広喜
沢田 温
プラハ,ヘルベルト
ヴェーバー,ゲオルク
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メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
ネマチック液晶組成物
【 本発明は、末端及びラテラルフッ素化化合物を基礎とするネマチック液晶化合物 に間する。これらの組成物はアクティブ及びパッシブマトリックスに適用するの が有利であアクティブマトリックスディスプレイ(AMD)は高情報量を有する 商業的に興味のあるディスプレイに特に好まれる。そのようなAMDはTV用そ してまた自動車及び飛行機の高情報量のディスプレイに使用される。 AMD類は各画素に組み合わされた非線形スイッチ素子を有している。非線形駆 動素子として、薄膜トランジスタ(TPT)[オークボ(Okubol 、 U 、等、5ID82年度ダイジェスト、40〜41頁(1982) ]またはダイ オード(例えば、金属−絶縁体一金属:MIM)[ニワ(Niya)、 K、等 、5ID84年度ダイジェスト、304〜307頁(1984) ]を適用する ことができる。良好な視角特性を得ることができるならば、これらの非線形駆動 素子はかなり平坦な電気光学特性を有する電気光学効果の使用を可能とする。そ こで、90’のねじれ角を有するTN型LCセル[シャット[5chadtl、  M、及びヘルフリッヒ(HeLfrichl、 Vl−1App1. Phy s。 Lett、 、 L8.127頁(1971) ]を使用することができる。広 い視角にわたって良好なコントラストを得るために、第一の透過極小[ボール( Pohl)、 Ll、アイデンシンク(Eidenschinkl 、 R,、 ピノ(Pino)、 F、及びウェーバ−(Web6rl 、 G、、独国特許 DBP 3022818 (198(1)及び米国特許4398803(198 1) 、ボール、Ll、ウェーバ−1GO、アイデンシンク、R1、バウア(B aurl、 G、及びヘーレンバッハ(Fehrenbach)、w、、App l、 Phys、 Lett、、38.497頁(1981) ;ウェーバ−1 Gl、フィンケンゼラー(Finkenzeller)、 U、、ギールハール (Geerhaar)、 T、、ブラッハfP1ach1. H,J、 、リー ガー (Riegerl 、 B、及びボール、L、液晶に関する国際シンポジ ウム(Int、 5yvp、 on Liq、 G:ryst、 l、フライブ ルク、Liq、 Crys、においで公表(191311) ]での操作を必要 とする。これらのAMDはTV用に非常に適しており、したがって商業的におお いに興味がある。これらの用途に関し、液晶のいくつかの物性がパッシブTNデ ィスプレイ用の場合より重要になる。AMDの性能に決定的な特性のあるものは 液晶の比抵抗及び安定性である[トガシ(Togashi) 。 Sl、セキグチ(Sekiguchi) 、 K、、タナベ(丁anabe)  、 fL、ヤマモト(Yamaioto) 、 E、、ソリマチ(Sorima chi)、 K、。 カジマ(Kajiwa) 、 E、、ワタナベ(Watanabe) 、 H, 、シミズ(Shimizul 、 H,、Proc、 Eurodisplay  84 (1984年9月): 「二股ダイオードリンクによって制御されるA 210〜288マトリツクスL CD (A 210−288 Matrix  LCD Controiled by Double Stage Diode  RingslJ 、 +44頁以降、バリ:ストロマー(’Stromerl 、 IJ、、Proc、 Eurodisplay 84(1984年9月): 「テレご用液晶ディスプレイのマトリックスをアドレスするための薄膜トランジ スタの設計(Design of Th1n Film Transistor s for Matrix Addressing ofTelevision  Liquid Crystal Displaysl J 、 245頁以降 、パリ]。 AMDに3いては、非線形スイッチ素子はマルチプレックス式にアドレスされる 。それで、これらのスイッチ素子はそれらが活性なわずかな時間に画素の電極に 電荷を与える。次に、それらは次のサイクルで再びアドレスされるまで不活性に なる。したがって、活性化(帯電)画素に関する電圧の変化がそのようなディス プレイの望ましくないが決定的な特徴である。画素の放電は2つのファクターに よって決定される。それらは画素のit極の容量及び電極間の誘電材料、すなわ ち液晶の比抵抗である。画素における電圧の特性消滅時定数(RC時間)ば2ア ドレスサイクル間の時間(t adr、 )より著しく大きくなければならない 。AMDの性能を説明するためによく使用されるパラメーターは画素の電圧保持 率: 画素における電圧は指数的に消滅するので、保持率を増大させるために!J4常 に高い比抵抗を有する液晶材料を必要とする。 ディスプレイ内部の液晶の比抵抗に関するい(つかの重要な旺点、例えば、配向 層、配向材料の硬化条件がある。 しかし、使用される液晶の電気特性が余り重要でないというのではけっしてない 、特に、ディスプレイ中の液晶の比抵抗は画素における電圧降下の大きさを決定 する。 最近、非常に良好なHR値を有するLC組成物がシアノ化合物に基づ〈従来のL C組成物の代わりにもっばらフッ素化化合物だけを使用することによって得るこ とができた。しかしながら、あいにく、フッ素化化合物に基づくそのようなLC 組成物はなおいくつかの問題を提起する。多くの場合に、それらの組成物はシア ノ化合物に基づく混合物より低いプレチルト角を有する傾向にあり、またそれら は低温においてスメクチック相および/または結晶化問題を示しがちであり、ま たシアノ化合物を使用することなく非常に低いしきい電圧を実現することも非常 に困難である。最後に、フッ素化化合物に基づく組成物は多くの場合に逆ドメイ ン現象(逆チルト回位)を示す。この問題の1つの理由はシアノ系LCに基づく 組成物に比べてこれらの組成物が比較的小さな表面チルト角を有することにある 。 もう1つの理由として、弾性定数、特にに22値の影響もあるかもしれない。 したがって、高い比抵抗及び極めて低いスメクチック−ネマチック転移温度を有 する広いネマチックメソ相範囲、低温での非結晶化及び逆ドメイン現象(逆チル ト回位)がまったくないこと等のAMDに使用するために適した材料特性を有す る液晶組成物をなお大いに必要としている。 本発明の目的は、他の要求にもかなう、非常に高い比抵抗を有する液晶組成物を 提供することにある。 フッ素化化合物は一般にシアノ化合物より低いプレチルト角の性質を示す、それ にもかかわらず、本発明者等は異なる構造のフッ素化化合物の間に大きなプレチ ルト角の相違があることを見出した。フッ素化LC類がシアノ系LC類のプレチ ルト角に近付くことができることを示している以下の表1にいくつかの例を挙げ る。 表 1 種々の混合物のチルト角 村 各化合物、L−Pは25ニア5の割合でMix、 Xと混合されている。 傘2 この化合物は25ニア5(7)割合テZLI−3086(ドイツ、ダルム シュタットのEヌル2社の市阪品)と混合されている。 中3 日本合成ゴムから入手した低温ベーキング型ポリイミド類を配向試薬とし て使用した。 中4 シアノ化合物を含有せず、また13%のPCI−32,15%のpc■− 53,20%のPCI−301、15%のPCH−302,15%のPCI−3 04,6%のBCH−32,6%のBCH−52,4%の(:BG−33F及び 4%のCBC−53Fから成る。 表1に使用したフッ素化化合物の構造 的8〜70重量%の1群: (但し、R’は2〜5個の炭素原子を有する直鎖アルキルであり、LはHまたは Fであり、そしてQは0CF2.0CFI(,0CFCL、 CFxまたは単結 合である)からの1種以上の化合物、約8〜601を量%の2群: (但し、R”は2〜5個の炭素原子を有する直鎮アルキルる)からの1種以上の 化合物、および/または約8〜40重量%の3詳: (但し、R3は2〜5個の炭素原子を有する直鎖アルキル基を表し、Elは0. 夕とcoo−または0C00−であり、そしてQ及びLば、R3がトランス−1 ,4−シクロヘキシレン、である場合、Lは共にFであるという条件の下に上に 定義した通りである。)からの1種以上の化合物から成ることを特徴とする末端 及びラテラルフッ素化化合物類に基づくネマチック液晶組成物はAMD用途に非 常に適していることをここに見出した。AMD使用した場合、非常に高いRC時 間値が得られる。これらの組成物はまた粘度の低下を示し、第一の透過極小での 操作を可能とし、−30℃ていかなる結晶化も示さず、そして逆ドメイン問題( 逆チルト回位)もない、後者の問題の回避はかなり大きなプレチルト角を達成す ることを可能とするフッ素化化合物をごく特定して選択することによる。 そのような組成物は1群からの2.3または4f1の化合物を含んでいるのが好 ましい、好ましい組成物は1詳からの1種以上の化合物を12重量%より多く含 んでいる。 1〜3群からの化合物は欧州特許出願番号0387032及び0280902  、欧州特許番号0051738及び0125653、国際特許出願番号No 8 9102884並びに米国特許番号4,302゜352.4,710,315及 び4.419.264から公知であり、また公知の化合物に準じて製造すること ができる。 好ましい組成物はla及びlb詳: の各々からの1種以上の化合物を同時に含んでいる。 組成物は次式: から選択される2群からの1種以上の化合物を含んでいるのが好ましい。 組成物は式38〜3f: から選択される3群からの1種以上の化合物を含んでいるのが好ましい。 1群からの好ましい化合物は、L=F及びQ=単結合であるもの(=下位群1′ )である。しかしながら、QがQCFx、0CFH1C1(:F(1:lまたは CF、であり、及びLがHまたはFであるl詳からの化合物C=下位群1″)も 含んでいる組成物が特に好ましい。下位群l−において、QはOCF、またはC F、であるのが好ましく、OCF、が特に好ましい、下位群1′と下位群1′か らの化合物の重量比は≧1であるのが好ましい。下位群1′/下位群1″≧2: 1である組成物が特に好ましい、もちろん、下位群1′成分に主としてまたはも っばら基づく組成物も特に重要である。 la及びlb群の各々からの1種以上 の化合物を同時に含む下位群l゛成分に基づく組成物も好ましい。 好ましい組成物は2つの環を有するQ詳:(但し、Roば2〜5mの炭素原子を 有する直鎖アルキル基を表し、EOは−(CHzl−1lCLlz−、−Co− 0−*タハ単結合であり、L及びQは1群で定義した通りである)からの1 f 1以上の化合物も含んでいる。Eoは=(CH21i−または単結合であり、Q は単結合であり、Lの1つはHであり、そして他方のLはHまたはFであるのが 好ましい。 本発明の組成物は30〜60重量%、特に35〜55重量%の1群からの成分を 含んでいるのが好ましい、他の群(存在するならば)の好ましい重量%範囲は次 の通りである:0詳:5〜30%、特に10〜25% 2群:12〜40%、特に15〜25%3群:12〜30%、特に15〜25% 請求の範囲に記載した組成物の根拠から1.2及び3群からの成分は組成物の少 なくとも60重量%(好ましくは少なくとも75重量%)を構成するのが好まし い、しかしながら、0〜3群からの成分以外に請求の範囲に記載した組成物を微 細に調節するために少ない割合で他のLC成分も使用することができる。 多くの実験研究から、2群からの最も有効な化合物は式%式% これらの成分は18〜30重量%の量で使用するのが好ましい。それより多い量 も可能であるが、「逆ドメイン」挙動をそれ以上改善しない。 本発明の組成物の製造は通常の方法で行われる。一般に、所望の量の少量成分を 主構成要素形成成分に好ましくは高温で溶解する。この温度を主構成要素の透明 点以上であるように選択すると、完全な溶解操作を特に容易に認めることができ る。 しかしながら、適切な有機溶媒、例えばアセトン、クロロホルムまたはメタノー ルに溶解した各成分の溶液を混合し、そして十分に混合後、例えば減圧蒸留によ って溶媒を除去することも可能である。この方法に関し、溶媒がいかなる汚染物 または望ましくないドーピング剤も確実に導入しないようにせねばならないこと は自明のことである。 適切な添加剤によって、本発明の液晶相を、それらが従来開示された種類のAM Dに使用することができるように改質することができる。 チルト角の測定に間し1本発明者等は結晶回転法を使用した。本研究に使用した 全ての試験セルのセルギャップは約50μmであった。試験セルはソーダ石灰+ ポリイミド配向層を有するDNTによるITO(8産化学製、5E−150)か ら製造されたセルであった。チルト角を測定する前に、全てのセルを、等方性処 理としてLCfi合物を充填した後120℃で20分加熱した。 以下の実施例は本発明を説明するものであって限定するものではない、実施例に おいて、液晶物質の融点及び透明点は℃表示である。パーセントは重量基準であ る。 実」L遡」2 以下の成分から成る液晶組成物は91°の透明点及び00871の複屈折性△n を示す。この組成物は結晶化することなく一30°で貯蔵することができ、約1 011Ω・am以上の高い比抵抗を示し、また逆ドメイン現象がなく (チルト 角47°)、AMDに十分に適している。 11%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−ペンチルシクロヘキサ ン、 11%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−へキシルシクロヘキサ ン、 14%の1−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロフェニル)−エタン、 14%の1−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロフェニル)−エタン、 7%の1−[トランス−4−〔トランス−4−n−プロピルシクロへキシル)− シクロヘキシル]−2−(p−フルオロフェニル)−エタン、 7%の1−[トランス−4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキシル)− シクロヘキシル]−2−(p−フルオロフェニル)−エタン、 10%の4’ −(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−3,4−ジ フルオロビフェニル、10%の4′−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキ シル)−3,4−ジフルオロビフェニル。 8%のトランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキ サンカルボン酸p−フルオロフェニル、及び 8%のトランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シクロヘキ サンカルボン酸p−フルオロフェニル。 叉JLII 以下の成分から成る液晶組成物は98°の透明点及び0.0917の複屈折を示 す。この組成物は結晶化することなく一30°で貯蔵することができ、約101 3Ω・COの高い比抵抗を示し、また逆ドメイン現象がなく(チルト角4.2° )、AMDに十分に適している。 8%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−ベンチルシクロヘキサン 、 8%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−へキシルシクロヘキサン 、 5%のp−フルオロフェニル−トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ ヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート、 5%のp−フルオロフェニル−トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロ ヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート、 11%の4’ −(トランス−4〜プロビルシクロヘキシル)−3,4−ジフル オロビフェニル、11%の4′−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)− 3,4−ジフルオロビフェニル、6%のp−[トランス−4−(トランス−4− エチルシクロヘキシル)−シクロへキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 5%のp−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シク ロへキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 5%のp−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−シクロ へキシル〕−トリフルオロメトキ5%のp−[トランス−4−(トランス−4− ペンチルシクロヘキシル)−シクロへキシルコートリフルオロメトキシベンゼン 、 13%の1−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロフェニル)−エタン、 12%の1−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル3−2− (3,4−ジフルオロフェニル)−エタン、 3%の1−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シク ロヘキシル] −2−(p−フルオロフェニル)−エタン、及び 3%の1−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シク ロヘキシル]−2−(p−フルオロフェニル)−エタン。 11■ユ 以下の成分から成る液晶組成物は93°の透明点及び0.0899の複屈折を示 す、この組成物は結晶化することなく−30”で貯蔵することができ、約101 1Ω・C+++の高い比抵抗を示し、また逆ドメイン現象がなく (チルト角4 .2°)、AMDに十分に適している。 11%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−ペンチルシクロヘキサ ン、 10%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−へキシルシクロヘキサ ン、 10%のp−フルオロフェニル−トランス−4−(トランス−4−プロピルシク ロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート、 10%のp−フルオロフェニル−トランス−4−(トランス−4−ペンチルシク ロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート、 11%の4’ −(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−3,4−ジフル オロビフェニル、11%の4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −3,4−ジフルオロビフェニル、3%のp−[トランス−4−(トランス−4 −エチルシクロヘキシル)−シクロヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン 、 3%のp−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シク ロへキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 3%のp−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−シクロ へキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 3%のp−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シク ロへキシル]−トリフルオロメト13%の1−[トランス−4−(トランス−4 −プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロ フェニル)−エタン、及び 12%の1−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロフェニル)−エタン。 見立±1 以下の成分から成る液晶組成物は90°の透明点及び0.0900の複屈折を示 す、この組成物は結晶化することなく一30°で貯蔵することができ、約10’ ″Ω・CIHの高い比抵抗を示し、また逆ドメイン現象がなく (チルト角3. 9°)、AMDに十分に適している。 6%のトランス−t−p−フルオロフェニル−4−n −ペンチルシクロヘキサ ン、 8%のトランス−t−p−フルオロフェニル−4−n−へキシルシクロヘキサン 、 4%のトランス−t−p−フルオロフェニル−4−n−ヘプチルシクロヘキサン 、 11%の4′−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−3,4−ジフルオ ロビフェニル、11%の4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)− 3,4−ジフルオロビフェニル、6%のp−[トランス−4−(トランス−4− エチルシクロヘキシル)−シクロヘキシル]−)リフルオロメトキシベンゼン、 6%のp−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シク ロヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 6%のp−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−シクロ ヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 6%のp−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シク ロへキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 13%の1−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロフェニル)−エタン、 13%の1−〔トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル] −2−(3,4−ジフルオロフェニル)−エタン、 5%の1−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シク ロヘキシル]−2−(p−フルオロフェニル)−エタン、及び 5%の1−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シク ロヘキシル]−2−(p−フルオロフェニル)−エタン。 支i里1 以下の成分から成る液晶組成物は96°の透明点及び0.094の複屈折を示す 、この組成物は結晶化することなく一30°で貯蔵することができ、約10”Ω ・cmの高い比抵抗を示し、また逆ドメイン現象がな((チルト角4.2°)、 AMDに十分に適している。 10%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−ペンチルシクロヘキサ ン、 8%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−ヘキシルシクロヘキサン 、 6%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−へブチルシクロヘキサン 、 5%のり−トリフルオロメトキシフェニルートランスー4−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート、 5%のp−トリフルオロメトキシフェニル−トランス−4−(トランス−4−ペ ンチルシクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート、 12%の4′−()−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−3,4−ジフル オロビフェニル、10%の4′−(1−ランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −3,4−ジフルオロビフェニル、8%のp−[トランス−4−(トランス−4 −エチルシクロヘキシル)−シクロヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン 、 12%のp−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロへキシル)−シ クロヘキシル]−1−リフルオロメトキシベンゼン、 7%のp−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−シクロ ヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 11%のp−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シ クロヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 2%の4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フル オロビフェニル、2%の4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ シル)−2−フルオロビフェニル、及び2%の4−(トランス−4−ペンチルシ クロヘキシル)−4’ −(1−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)2−フ ルオロビフェニル。 110九五 以下の成分から成る液晶組成物は98°の透明点及び0.101の複屈折を示す 。この組成物は結晶化することなく一30°で貯蔵することができ、約10′1 Ω・cmの高い比抵抗を示し、また逆ドメイン現象がなく、AMDに十分に適し ている。 10%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−ペンチルシクロヘキサ ン。 8%のトランス−1−p−フルオロフェニル−4−n−へキシルシクロヘキサン 、 6%のトランス−t−p−フルオロフェニル−4−n−へブチルシクロヘキサン 、 5%の3,4−ジフルオロフェニル−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル エチル)−ベンゾエート、5%の3.4−ジフルオロフェニル−(トランス−4 −ペンチルシクロヘキシルエチル)−ベンゾエート、12%の4′−(1−ラン ス−4−プロピルシクロヘキシル)−3,4−ジフルオロビフェニル、10%の 4′−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−3,4−ジフルオロビフェ ニル、8%のp−[トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)− シクロへキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 12%のp−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シ クロヘキシルコートリフルオロメトキシベンゼン、 7%のp−[トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−シクロ へキシル】−トリフルオロメトキシベンゼン、 11%のp−[トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シ クロヘキシル]−)リフルオロメトキシベンゼン、 2%の4.4′ −ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フ ルオロビフェニル、2%の4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘ キシル)−2−フルオロビフェニル、及び−4′−(トランス−4−プロピルシ クロヘキシル)2−フルオロビフェニル。 本願及び以下の実施例において、液晶化合物の構造は頭字語によって示す、した がって、化学式への変換は以下の表AおよびBに従って行う、基C,,H□、l は全てnまたはm個の炭素原子を含有する直鎖アルキル基である0表Bにおける 符号化は自明である0表Aにおいて、母構造に関する頭字語だけを示す、それぞ れの場合に、母膚造の頭字語はハイフンで分けて、その後に置換基R’、R”、 L’、L2及びLlに関する符号がつく。 訓QH2n−I QH2m+I HHl(”ff1”nH2,、−10CJ’2 m+I HHH”” O”nH2ny CleJ(2a+I HHHn Cn’ 2a*I CN HHH nNJ C,lH2,、、I CN HF HnF C,)+21.l、L F  HHHnOF oCl、H2I、*I E’ HHHnomFF C,H2, 、L Or、H2,,1’f p” )lrLl′rIFCIlH2,、elL :、H2a*s E’ HHns Cl1H2,、I NC5HHHrVsN  C,H2r、(−CH?1CJ(<、H2j−CN HHHrEsN C,)+ 2..1−0−C,H2,−CN HHHnNFCn’2n+I CN F H HnAm CnH2n、、 C00C,I(、、、、HHHnF、F、F Cl 1H2,、F HF Fncl、F、F C,H2I、、、 CI HF Fn CF)、FJ C1,H2,、、CF3 HF FnOcF)、F、F C,、 H2,,10CF3 HF FnOcF2.F、F C,、H2,B QC)l F2 HIi” FnOcF、、F C6H5,,10CF、 HF 8表−エ [二 JTP ECCP O:CP ジCEI 。 MJ:P口 PDX P四 BECEI 四口 Q)C(:oJ3 CCB C0B−n 、n C3H11+M CnH2ne1@伽 に3n BcH−!1−FX C15CB15 CPJ CCpC−am Q!−nm O5−nm コ E(BC−圓 CnH2,、、%C2H,%C,)+2.、、 CnH2,,1%ρ鳴H2wl ECCH−nm CcIX−nl珈 −nFn CCEQ)−nXj CCI!−02O−CCP−rJ”、FJ、、 Bcll −n!FJJCCI!−皿σ。 叉J1引ユ S−N [”CI < 40 透明点[’CI ÷103 粘度[mm”s−’] 20℃ 21 △n (589nm、20”C) +0.0848n # (589nm、 2 0℃) 1.5559V ++a、 o、 io+ [V ] 1.81V ( go、 o、 2G+ [V ] 2.24■I@。。、2゜+ [V] 2. 83組成[%] : PCI−5F 5.0PCI−7F 5.0 CCP−20CF3 8.0 CCP−30CF3 9.0 CCP−50CF3 9.O E(:CP−3F、F 11.0 ECCP−5F、F 10.0 CUP−3F、F 5.0 CUP−5F、F 4.0 CCP−30CF2.F、F 8.0 CCP−50CF2.F、F 14.0CP−30CF3 6.0 CP−50CF3 6.0 衷JJL旦 5−1N [”CI < −40 透明点[”CI +99 粘度[mm”s−’] 20℃ 23 △n (589n+i、20℃) ÷0.0960n * (589nm、20 ℃) 1.5751組成[%] : PCI−5F 6.0PC:H−7F 6 .0 CCP−20CF3 6.0 CCP−30CF3 8.0 CCP−50CF3 7.O E(:CP−3F、F 11.0 ECCP−5F、F 11.0 BCH−3F、F 6.0 CUP−3F、F 7.0 CUP−5F、F 6.0 CCP−30CF2.F、F 7.0 (:CP−50CF2.F、F 11.0CBC−33F 4.0 (:BG−55F 4.0 医10九旦 S−N[”CI− 透明点[℃j ÷93 粘度[mm”s−’] 20℃ 21 Δn (589no+、20℃) +0.0772n # (589nm、20 ℃) 1.5478組成[%] : PCH−5F 6.[ICCI(−301 6,(I CCK−3035,0 CCH−5OL 6.0 CCP−20CF3 B、D CCP−30CF3 7.D CCP−40CF3 6.0 CCP−50CF3 7.0 εCCP−3F、F 7.0 εCCP−5F、F B、D CUP−3F、F 3.Q CUP−5F、F 4.0 CCP−30CF2.F、F 11.0CCP−50CF2.F、F 12.0 CP−30CF3 7.0 叉m旦 透明点[”CI ÷102 粘度[mm″s−’] 20℃ − △n (589nm、20℃) +(1,(+970n e (589nm、2 (1℃) 1.58011V 116.11. to+ E V ] 3.15 組成[%] : PCH−7F 14.000 CCP−20CF3 5.00 0 CCP−30CF3 5.00 0 CCP−40CF3 5. G。 OCCP−50CF3 5.00 0 CCP−30CF3 5.00 ” CCP−50CF3 5.00 7 BCH−3F、 F 14.00 ] BCH−5F、 F 14. GOJ ECCP−3F 5.00 1 ECCP−5F 5.00 ’ ECCP−3F、 F 9.00 ECCP−5F、F 9.00 寒JLfLLユ 透明点E ’CI +102 粘度(tnm”s−’320℃ 2゜ △n (589na+、20℃) +I)、0952n ++ (589na+ 、20℃) 1.5791V(10、口、zO+ [V] 2.05V +go 、 o、 to+ [V’l 2.51組成[%] : Pc+(−7F 11 .(if)CCP−20CF3 5.(10 CCP−30C,F3 5.(10 CCP−40CF3 5.00 CCP−50CF3 5.00 CCP−30CF2.F、F 5.[1(ICCP−50CF2.F、F 5. (1(IBCH−3F、F 12.00 BCH−5F、F 12.00 ECCP−3F g、00 ECCP−5F 7.00 ECCP−3F、F 10.0(I ECCP−5F、F 1G、00 透明点[’C] +73 粘度[a++n”s−’] 20℃ −Δn (589nm、20℃) +0. 0879n * (589nm、20℃) 1.5688組成[%] : P( :H−5F s、o。 PCH−7F 8.00 CCP−20CF3 5.00 CCP−30CF3 6.00 CCP−40CF3 6.00 CCP−50CF3 6.00 εCCP−3F、F 5.00 EC(:P−5F、F 5.00 8CH−3F、F、F 14.DO BCH−5F、F、F 13.DD CCP−3F、F、F 9.DD CCP−5F、F、F 9.0口 mユ 透明点[’C] 95 粘度[+a+o”s−’] 20℃ −Δn (589nm、20℃) 0.( 189n o (589n+a、20℃) 1.567組成[%] : CP− 30CF3 10.00CP−50CF3 10.0O PCH−5F g、 G。 PC)I−6F 7.00 PCH−7F 6.00 CCP−20CF3 7.0I CCP−30CF3 7.01 CCP−40(:F3 7.0[ CCP−50(:F3 7.0( ECCP−3F、F 5.0( ECCP−5F、F 5.(10 8CH−3F、F 11.H BCI−5F、F I(1,00 叉互JLLL 透明点[”CI +93 粘度[IoIIl″s−’] 20℃ −△n (589n+++、20℃)  +0.0899n e (589nm、20℃) 1.5765組成E組成 :  Pc+(−5F 11.00PCI−6F IO,00 CP−3F l(1,00 CP−5F 10.0(I BCH〜3F、 F I 1. CI[1BC)r−5F、F Il、00 CCP〜20CF3 3.QQ CCP−30CF3 3.00 10 CCP−40CF3 3. QOOCCP−50CF3 3.00 0 ECCP−3F、 F 13.000 ECCP−5F、F 12.00 0 夫、tm五 〇 透明点[’Cl +100 0 粘度[tmm”s−’ ] 220℃ −a △n (589r+m、 2 (1’c ) +0.0971n、(589r+a+、2(1’c) 1.58 23V H6、a、 *oI[V ] 1.99V(H6、o、 tor E  V ] 2.43V too、 o、 *a+ [Vコ 2.95組組成%]  : pcH−yp 12.[l[1CCP−20CF3 5. DO C(:P−30CF3 5.0O CCP−40CF3 5.0O I CCP−50CF3 5. (11)I CCP−30CF2.F、F 3 .00I CCP−50CF2.F、F 3.00BCH−3F、F 14.0 0 BCH−5F、 F 14.0D ECCP−3F 7. DO εCCP−5F 7.0D ECCP−3F、 F 10.00 ECCP−5F、F 10.00 ℃m互 S−N [”CI < −40 透明点[”CI too。 粘度[too”s−’] 20℃ 19粘度[nua”s−’] 0℃ 55 粘度[+u+”s−’]−20℃ 276粘度[am”s−’]−30℃ 76 7粘度[ma+”s−’ ]−440℃2609△n (S89nm、20℃)  +0.0929r1 、(589nm、20℃) 1.5722組成[%]  : PCH−5F 6.00PCI−6F 3.00 PCI−7F 5.00 BCI−3F、F 9.00 BCI−5F、F 6.00 CC,P−20CF3 8.00 CCP−30CF3 9.00 CCP−40CF3 5.G。 CCP−50CF3 g、50 ECCP−3F、F 11.50 ECCP−5F、F L50 ECCP−30CF3 2.5D CUP〜3F、 F 3.5D CUP−5F、F 3.00 CCP−30CF2.F、F 3.50CCP−50CF2.F、F 5.50 (:BG−33F 3. (10 CBC−53F 2.50 衷JLLLZ S−N[’C]− 透明点[’ll 、93 粘度[+wa+”s−’] 20℃ −Δn (589n+m、20℃) Q、 0884n m (5g9n+1.20℃) 1.5635V、・0.。、to r [V] 2.44組組成%] : PCH−6F 4.(10PCH−7F  9. DO CCP−20CF3 5.00 CCP−30CF3 5. DO CCP−40CF3 5.00 CCP−50CF3 5.00 ECCP−3F、 F 5. G。 ECCP−5F、F 5.00 B(:)I−3F、F 5.00 8CH−5F、F 5.0n CIJP−3F、F 6.00 CUP−5F、F 6.00 CCP−30CF2.F、F 15.00CCP−50(、F2.F、F 2[ 1,11[1℃旦 S−N[”Cコ − 透明点[”C] +83 粘度[rsm”s−’ ] 220℃ −△n (589n+*、 20℃)  +0.097(1no (589nWI、20℃) 1.5753組成[%]  : PCH−6F 3.00PCI−7F 9.00 CCP−20CF3 5.D。 CCP−30CF3 5.00 CCP−40CF3 5.00 CCP−50CF3 5.00 B(:H−3F、F 10.00 BCI(−5F、F 10.00 CUP−3F、F 6.00 CUP−5F、F 6.00 CCP−30CF2.F、F 15.00CCP−50CF2.F、F 20. 00CBC−33F 1.00 !a旦 S−N[”C]− 透明点[’CJ ÷83 粘度[n+m”s−’ ] 220℃ 18粘度(IIIffI2s−’J 0 ℃ 51粘度[+o+++”s−’]−20℃ 24B粘度[mm”s−’ ] −330℃69B粘度[+am”s−’]−40℃ 2515Δn (589n +m、20℃) 0.0885n、(589n+L2(1’c) 1.5680 V no、 o、 to+ [V ] 1.72V +−0,−、z。+ E  V ] 3−10V t−0,o、 *o+ [V ] 2.62組成[%]  : PCI−5F 6.00PCH−6F 6.QQ PCH−7F 6.00 CCP−20CF3 8.00 CCP−30CF3 7.00 C(:P−50CF3 7.00 ECCP−3F、F ]0.00 εCCP−5F、F IQ、00 CCP−30CF2.F、F 10.00CCP−50CF2.F、F IQ、 QOBCH−3F、F 10.00 BCH−5F、F IO,DO !旦 5−4N[’C] − 透明点[”C] +76 粘度[mm2s−’ ] 220℃ 21粘度[mm’s−’] 0℃ 64 △n (589nm、20℃) +0.0900n a (589nw、20℃ ) 1.5665組成[%] : PCI−7F 10.00CCI(−303 9,00 CCP−20CF3 8.00 CCP−30CF3 8.00 CCP−50CF3 8.00 8CH−3F、F 8.00 BCH−5F、F 8.DO (:tlP−3F、 F 8.00 CUP−5’F、F 8.00 CCP−30CF2.F、F 10.00CCP−50CF2.F、F 15. 001m± S−N[”C]− 透明点[”l::] +92 n * (589nra、20℃) 1.5736組成[%] : PCI−5 F 4.00PCI−7F 4.0゜ C,CP−20CF3 7.(l[1 CCP−30CF3 7.00 CCP−40CF3 7.00 CCP−50CF3 8.00 ECCP−3F、F 8.G。 ECCP−5F、F 8.OO BCM−3F、F、F 14.00 BCH−5F、F、F 13.D。 CCP−3F、F、F 9.00 CCP−5F、F、F 9.00 GBG−33F 2.00 夾1」LLl S−N[’C]− 透明点[T、] ++7 △n (589n+s、20℃) +0.0893n * (589na、20 ℃) 1.57114V ++a、 a、 aa+ (V ] 1.49V n o、 a、 tot [V ] 1.81v (10、o、tot [V] 2 .22組成[%] : PCH−5F 11.00PCI−7F 6.00 CCP−20CF3 6.00 CCP−30CF3 7.00 CCP−40CF3 5.00 CCP−50CF3 6.QO ECCP−3F、F 8.00 EC,CP−5F、F 8.00 BCH−3F、F、F 14.00 8CH−5F、F、F 13.00 CCP−3F、F、F 9.G。 CCP−5F、F、F 9.00 医j目1λ」− 5−N[”CI− 透明点[”CI +86 Δn (589nm、20℃) ÷0.0954n ++ (589na+、2 0℃) 1.5728V +io、 O,zO+ [V ] 1.94V(w。 、。、8゜、[V] 2.41組成[%] : PCH−6F 3.00PCI −7F 7.00 CCP−20CF3 5.0D CCP−30CF3 5.QQ CCP−40CF3 5.00 CCP−5OCF3 5.口O E(:CP−3F、F 5.GO BCH−3F、F 9.0口 BCH−5F、F 9.00 CIIP−3F、F 6.0D CUP−5F、F 6.00 CCP−30CF2.F、F 15.00CCP−50CF2.F、F 20. 00罠m豆 S−N[’C]− 透明点[’CJ +81 粘度[a+i”s−’ l 20℃ 23Δn (589nm、20℃) +O ,(1914n a (589nm、20℃) 1.5684CP−50CF3  8.0O PCI−5F B、0Q PCH−6F 8.00 PCI−7F 8.00 CCP−20CF3 8.0D CCP−30CF3 8.00 CCP−40CF3 8.00 CCP−50CF3 8.0O BCH−3F、F 9.00 8CH−5F、F 9.00 叉mユ S−N[”Cコ 〈 −40 透明点[”CI +las 粘度[o+n”s−’] 20℃ 19粘度 [mm’s−’コ ロ ’C57 粘度[■’s−’]−20℃ 312 粘度[a+m”s−’]−30℃ 941粘度[mm’s−’]−40℃ 38 28△n (589n組20℃) ÷0.0914n m (589nm、20 ℃) 1.5yyr組成[%] : PCH−5F 7.00PCI−6F 7 .00 PCH−30CF3 8.00 PCI−50CF3 8.0n ECCP−3F 12.0n ECCP−5F 12.00 8CH−3F、F 11.(IQ BCH−5F、F 11.00 E(:CP−3F、F 12.00 ECCP−5F、F J2.DO 医m互 S−N[”CI− 透明点[”CI ÷83 △n (589nm、20℃) 十〇、(1903n @ (589n+a、2 0℃) 1.5689V1+。、。1.。、[V]’ 1.88V(so、a、 to+ E V ] 2’−25■3.。、。、2゜l [V] 2.76組成 [%] : PCH−5F 5.00P(:H−6F 13.00 PCH−7F 7.I)O CCP−20CF3 10.00 CCP−30CF3 11.G。 CCP〜40CF3 10.00 CCP−50CF3 12.00 BCH−3F、F 12.00 B(:H−5F、F 12.00 CP−30CF3 4.00 CP−50CF3 4.00 罠iui旦 S−N[”CI − 透明点[’Cj+102 Δn (589nm、20℃) +0.0939n、(589nm、20℃)  1.5767組成c組成 : PCH−6F 7.00PCH−7F 7.0D CCP−20(:F3 6.00 CCP−30(:F3 6.00 CCP−50CF3 4.00 CP−30CF3 7.00 CP−50CF3 6.00 ECCP−3F 、 6.00 ECCP−5F 4.0D ECCP−3F、F 13.D。 ECCP−5F、F 11.00 9C)l−3F、F 12.00 BCFI−5F、F l 1.00 !ユ S−N[”CI− 透明点[’C] +1(13 △n (589nm、20℃) +0.0928n 、 (589n+w、20 ℃) 1.5752組成[%] : P(:H−5F 7.00PCH−6F  ?、0n CP−30CF3 6.00 CP−5OCF3 6.00 BCH−3F、F 11.00 BCH−5F、F 11.00 CCP−20CF3 6.0n CCP−30CF3 6.00 CCP−40CF3 4.00 CCP−50CF3’ 5.QO ECCP−3F、F 10.00 ECCP−5F、F 1G、0D ECCP−3F 6.口0 ECCP−5F 5.00 !l」LL上 S−N[”C]’− 透明点[’C] +93 △n (589nm、20℃) +0.0955n # (589r++w、  20℃) 1.5845V、I。、。、2゜、[V] 2.11V +so、  o、 zo+ [V ] 2.52V t*。、 o、 、=1 [V ] ] 308組成[%] : PICH−5F Cl−6F CP−30CF3 CP−50CF3 8e)l−3F、F BCH−5F、F HP−30CF3 BCH−32 ECCP−3F、F ECCP−5F、F ECCP−3F ECCP−5F fi S−N [’C] < −40 透明点[’C] 96 粘度[o+m”s−’ ] 220℃ 15粘度[mm”s−’] 0℃ 41 粘度[+nm”s−’ ]−220℃189粘度[a+m”s−’]−30で  581粘度[mm”s−’]−40℃ 1882△n (589na+、20℃ ) 0.0940n * (589nm、20℃) 1.5733V、l。、。 、2゜+、[V] 2.08■3.。、。、2゜、[V] 2.1610.00  V (so、 o、 tal[V ] 3.019・00 組成[%] :  PCH−5F 10,005、00 PCI−6F 8.00 5、00 PCドアF 6.00 13.00 CCP−2(lcF3 8.0014.00 CCP−30CF3  12.002.00 CCP−40CF3 7.002、口OCCP−50に F3 11.0010.00 BCH−3F、 F 12.0010.00 8 CH−5F、F 1G、0010.00 CCP−30(:F3 S、0n10 .00 CCP−50CF3 5.00CBG−33F 2.00 CBC−53F 2.00 CBC−53F 2.00 !」「暦」L旦 S−N[’C]− 透明点[’C] 96 △n (S89nm、20℃) 0.0923n m (589nm、20℃)  1.5656v1.。、o、tal [vl 2.33組成[%] : PC I(−5F 、00PCH−7F 5.00 CCP−20CF3 6.00 CCP−30CF3 6. G。 CCP−50CF3 5. G。 ECCP−3F、 F 5.00 BCH−3F、 F 4.00 BCH−5F、 F 4.00 CCP−20CF2.F、F 17.00CCP−30CF2.F、F 19. 00CCP−50CF2.FJ 21.00CUP−3F、 F 4.00 CUP−5F、 F 4. G。 II五ユA S−N[’C]− 透明点[’CI +106 Δn (589n+m、20℃) +0.0928n 、(589na+、 2 0℃) 1.5752V(1゜、。、2゜、[V] 2.42V (*o、o、 z。+ [V] 2.89■、、。、。、2゜+ [V] − 組成E%] : PCH−5F 7.00PCI−6F 7.00 CP−30CF3 10.0n CP−50CF3 10.00 8CH−3F、F 11.00 B(:H−5F、F 11.00 CCP−20CF3 3.00 (:CP−30CF3 3.G。 CCP−40CF3 3.00 0CP〜50CF3 3.00 EC(:P−3F 6.00 ECCP−5F 6.00 ECCP−3F、F 10.00 ECCP−5F、F 10.00 !1」L二重 S−N[’C]− 透明点[’C] +103 Δn (5119nm、 20℃) +0.0932n e (589no+、 20℃) 1.5731V ++。、。、*** [V] 2.11V iIO ,o、 !01 [V ] 2.52■(。。、。1.。l [V] 3.07 組成[%] : PICH−6F 7.00PCH−7F 6.00 (:CP−20CF3 7.00 CCP−30CF3 7.00 CCP−40CF3 7.00 CCP−50CF3 7.00 CP−30(:F3 6.00 CP−50CF3 6.0n ECCP−3F、F 13.00 ECCP−5F、F 11.00 BCI−3F、F 12.0n BCH−5F、F 11.00 ℃互 S−N[”CI− 透明点[’C−] +to。 △n (589n+L20℃) +0.0924n * (589nm、20℃ ) 1.5733組成[%] : 、PCI−6F 7.00PCI−7F 8 .0口 CCP−20CF3 7.00 CCP−30CF3 7.G。 CCP−40CF3 7.00 CCP−50C:F3 7.00 ECCP−3F 5.00 ECCP−5F 3.00 ECCP−3F、F 13.00 EにCP−5F、F 11.00 BCH−3F、F 10.00 BCH−5F、F 4.00 HP−30CF3 6.00 HP−50CF3 5.00 衷JLLLZ S−N [’C] < −40 透明点[’C] 96 粘度[o+m”s−’] 20℃ 15粘度[mm”s−’] 0℃ 41 粘度[+a+++”s−’]−20℃ 189粘度[++m”s−’]−30℃  5ill粘度[mm”s−’]−40℃ 1882△n (589nm、20 ℃) 0.0940n @ (589nm、20℃) 1.5733V ++a 、 o、 to、[V ] 2.08V +sO,o、 xa+ [V ] 2 .16V (*o、o、2oI[V] 3・O1組成[%] + PCI−5F  10.00PCI−6F 8.00 PCI−7F 6.0D CCP−20CF3 8.00 (:(:P−30(:F3 12.00CCP−40CF3 7.00 G(:P−50(:F3 11.00 8CH−3F、F 12.GO BCI(−5F、F 10.00 CP−30CF3 5.00 CP−50CF3 5.00 CB(ニー33F 2.00 (:BC−53F 2.0O CBC−5SF 、 2.00 叉J!Jl旦 S−N[”CI− 透明点[”CI +95 Δn (589旧L20℃) ÷0.0902n e (589nm、20”C ) 1.5774V ++a、 o、 zol[V ] 2.40V +so、  o、 x。l[V ] 2.84V+I。、。1゜、[V] 3.50 組成〔%〕 二 PCI−5F 11.0nPC)!−6F 11.00 CP−30CF3 8.(10 CP−50CF3 8.00 8CH−3F、F 8.00 BCH−5F、F 8.00 BCI(−323,00 8CH−523,00 ECCP−3F、F 10.QO ECCP−5F、F 10.00 ECCP−3F 10.QQ EにCP−5F 10.0G 犬m旦 S−N[’C]、− 透明点[”CJ +92 Δn (589nm、20’C) +O,Q958n * (589nm、20 ℃) 1.51159V、I。、。、、。、[V] 2.17V +so、 。 、−ol[V ] 2.61V 1*o、 o、 zol [V ] 3.25 組成[%] : PCH−5F I[1,0GPCH−6F 9.00 CP−30CF3 4.00 CP−50CF3 4.00 8CH−3F、F 13.00 BCH−5F、F 14.00 8CH〜32 3.00 ECCP−3F、F 11.QO ECCP−5F、F 11.QO ECCP−3F 11.00 ECCP−5F 10.00 LUL乞旦 S−N[”C]− 透明A[’C] +91 △n (589nm、20℃) 子0.0871n、(589no+、20℃)  1.5758組成[%] : PC:H−5F 11.00PCI−6F 1 1.00 CP−3F 8.DO CP−5F 8.00 EC(:P−3F 7.00 ECCP−5F 7.00 BCH−3F、F 10.00 BCH−5F、F 10.00 ECCP−3F、F 14.00 ECCP−5F、F 14.DO 叉」L皿上L± S−N[”C]− 透明点[’l:] 4118 Δn (589n+++、20℃) +0.0891n s (589nm、2 0℃) 1.5754組成[%] : P(:H−5F 12.00PC)!− 6F 11.00 8CH−3F、F 11.00 8C)I−5F、F 11.00 CCP−20CF3 3.00 (:CP−30CF3 3.00 CCP−40CF3 3.0O CCP−50CF3 3.00 E(:CP−3F、F 13.00 ECCP−5F、F 12.00 叉1」L先ヱ S−N[”C]− 透明点[’C] 85 △(+ (589nm、20℃) 0.089n m (589r+n+、20 ℃) 1.569V +10. 。、tor [V ] 1.90Vfl 。、  。、 、。+ [V ) 2.83組成し%] : CP−30CF3 10 .0OPCH−5F 9.00 PCI−6F 7.20 PCH−7F 7.20 CCP−20CF3 8.10 CCP−30CF3 8.10 CCP−40CF3 8.10 CCP−50CF3 g、10 ECCP−3F、F 、5.40 ECCP−5F、F 5.40 8CH−3F、F 11.70 BCI−5F、F 11.70 叉」L撚!L旦 S−N[’C]− 透明点[’CI ÷107 粘度[1mm’s−’ ] 220℃ 18粘度[am”s−’] 0℃ 53 粘度[mn+”s−’]−20℃ 268粘度[m+e”s−’]−30℃ 7 82粘度[mII”s−’]−40℃ 3174△n (589nrir、 2 0℃) ÷0.0956n 、(589nm、20℃) 1.5758組成[% ] : PC,H−5F 6.QQP(:H−6F 6.00 CCP−20CF3 5.00 CCP−30CF3 6.00 (:CP−40CF3 4.00 CCP−50CF3 5.00 8CH−3F、F 12.G。 BCI−5F、F 12.(10 ECCP−3F、F 12.00 ECCP−5F、F 12.00 CP−30CF3 10.00 CP−50CF3 10.00 ! S−N[”C]− 透明点[”C] +104 粘度[mw”s−’] 20℃ 18 粘度[mm”s−’] 0℃ 53 粘度[su+”s−’]−20℃ 272粘度[+i+w”s−’]−30℃  789粘度[mm”s−’]−40℃ 3010△n (589nm、20”C ’) +0.0954n 、(589nm、 20 ’C) 1.5786■n o、 o、 x。+ [V ] 2.09V liQ、。261 [V] 2. 53V tgo、 o、 tor 〔V ] 3.13組成[]: pcH−c rp e、o。 Pct(−6F 6.00 CCP−20CF3 6.00 CCP−30CF3 5.00 CCP−40CF3 4.00 CCP−50CF3 5.00 8CH−3F、F 12.00 BCH−5F、 F 12.00 ECCP−3F、F 12.00 ECCP−5F、F 12.00 ECCP−3F 5.00 EC(:P−5F 5.00 CP−30CF3 5.口0 CP−50CF3 5.00 !ifL先二 S−N[’C]+ 透明点[℃11o9 △n (589nm、20’C) 0.094n、(5g9n+++、20”C ) 1.571V Ilo、 o、 −0+ [V’] 2.18組成[%]  : CP−30C:F3 10.00CP−50CF3 10.01] PCH−5F 8.0O PCH−6F 6.40 PCI−7F 4.80 CCP−20CF3 6.40 CCP−30CF3 9.60 CCP−40CF3 5.60 CCP−50CF3 8.80 BC)l−3F、F 9.60 8CH−5F、F 8.00 ECCP−30CF3 4.00 ECCP−50CF3 4.00 CBC−33F 1.60 CBC−53F 1.60 CBC−55F 1.60 叉W先玉 5−IN [℃] − 透明点[”CI Ilo。 △n (589na+、20℃) +0.0944n a (589n+m、2 0℃) 1.5750V(16、。、2o+ 〔V] 1.94Vi。、。2□ 。、[V] 2.33 Vi。、。、2゜、[V] 2.87 組成[%] : PCH−5F 10.00PCI−6F 、 9.00 (:CP−20CF3 6.00 CCP−30CF3 7.00 (:CP−40CF3 5.00 CCP−50CF3 7.00 8CH−3F、F 8.0n BCH−5F、F 8.00 ECCP−3F、F 11.00 ECCP−5F、F 11.00 CCP−30CF2.F、F 5.00G(:P−50CF2.F、F 4.0 0CBC−33F 5.0口 (:BC−55F 4.00 Uユ S−N[’C]− 透明点[”CI +101 △n (589na+、 20℃) +0.0942n o (589nm、  20℃) 1.5769V Ilo、 o、 tor [V ] 2.1sVf s。、。、2゜+ [V] 2.56V tgo、 o、 2゜+ E V ]  3.11組成[%] : PCH−5F 7.00PCH−6F 7.00 CUP−3F、F 2.00 CCP−20CF3 6.0D CCP−30CF3 6.00 CCP−40CF3 5.00 CCP−50CF3 6.00 8CH−3F、F 10.0n BCH−5F、F 9.00 ECCP−3F、F 11.00 ECCP−5F、F 11.00 CCP−30CF2.F、F 4.QQ(:CP−50CF2.F、F 3.口 0(:P−30CF3 5.00 CP−50(:F3 5.GO CBC−33F 3.00 衷JJL土玉 S−N[’C]− 透明点[’tl 83 △n (5891m、20℃) 0.093n * (589nm、20℃)  1.574V too、 o、 tor [V ] 1.81V0゜、。1゜+  [V] − ■、、。、。、2゜、 [V] − 組成C%] : I(P−30(:F3 s、o。 HP−50CF3 5−G。 PCI−5F 9.00 PCI−6F 7.20 PCH−7F 7.20 (:fl:P−20CF3 8.10 CCP−30CF3 8.10 CCP−40CF3 8.10 CCP−50CF3 B、10 EC(:P−3F、F 5.40 ECCP−5F、F 5.40 BCH−3F、F 11.70 BCH−5F、F 11.70 !1」LL旦 S−N[’Cコ − 透明点[’C] 101 Δn (589nm、20℃) 0.0975n a (589nm、20℃)  1.5797■(。。、。、2゜+ [V] 2.94組組成%] : PC )!−6F 7.00PCH−7F 7.00 CCH−5022,00 CCP−20CF3 6.0D CCP−30CF3 6.GO CCP−40CF3 6.00 (:(:P−50CF3 6.00 ECCP−3F、F Il、0D ECCP−5F、F 11.00 BCH−3F、F 8.DO BCH−5F、F 8.00 CUP−3F、F 3.QQ CUP−5F、F 3.00 CCP−30CF2.F、F 4.00CCP−50CF2.F、F 4.00 (:B(ニー33F 4.0n CBC−53F 4.D。 叉1」L二ユ S−N[’CJ− 透明、屯[”CI +tot 粘度[mam”s伺コ 20℃ 17 粘度[mm2s−’] 0℃ 5゜ 粘度[mm”s−’]−20℃ 230粘度[mm2s−’]−30℃ スメク チック粘度〔m川”s−’]−40℃ − △n (589nm、 20℃) +0.0941n 4 (589nm、20 ℃) 1.5733V、、。、、、、l [V] 3.07組成[%] : P CH−5F 10.00PCI−6F 10.00 CCP−20CF3 6.DO (:(1:P−30CF3 7.00 CCP−40CF3 5.0D CCP−50CF3 7.00 BCFI−3F、F It、QO BCH−5F、F 7.00 ECCP−3F 2.00 εCCP−3F、F 12.DO E(:CP−5F、F 12.00 CCP−30CF2.F、F 3.00CCP−50CF2.F、F 3.00 CBC−33F 4.00 CBC−53F 4.00 m± 5−IJ[’C]− 透明点[”CI +102 粘度[ma+”s−’ ] 220℃ 16粘度[wIII”s−’] 0℃  47粘度[mm”s柑]−20℃ 222 粘度[mm2s−’]−30℃ 634粘度[mm”s−’ ]−440℃S+ m△n (589nra、20℃) +0−0876n m (589nm、2 0℃) 1.5631V、lo、。1.、、[V] 2.10 (第一)組成[ %] : P(:H−5F 8.00PCI−6F 8.00 CP−3F 5.00 CP−5F 5.00 BCH−3F、F 7.00 BCH−5F、F 7.G。 CCP−20CF3 g、DO (:CP−30CF3 7.00 CCP−40CF3 7.0D CCP−50CF3 7.0n ECCP−3F、F 9.QQ ECCP−5F、F 8.00 CCP−30CF2.F、F 7.00CCP−50CF2.F、F 7.00 PCI−5F 5% TNI92 ℃ PCH−7F ’ 6% △n O,091(:CP−30CF3 12% V 、、11.50 VCCP−50CF3 11% チルト角θ3.7“CCP− 30CF3.F 12% CCP−50CF3.F 10% BC)I−30CF3.F 12% BCH−3F、F、F 11% C(:P−3F、F、F 12% (:(:P−5F、F、F 9% 罠韮Hユ PCH−5F、F 11% TN185 ℃CCP−3F、F 12% Δn  0.086CCP−5F、F 11% V l。1.45 VCCP−3F、F 、F 11% チルト角03.8゜CCP−5F、F、F 10% BCH−3F、F 12% BCH−5F、F 10% BCH−3F、F、F 12% BCH−5F、F、F 10% !& EPCH−5F、F 5% TN、88 ℃EPCH−7F、F 6% Δn  (1,(186C(:P−3F、 F 1a% f // ト角e4.3゜CC P〜5F、F 11% C(:P−30CF3 12% (:CP−50CF3 IQ% BC:)l−3F、F 11% BCH−5F、F 12% C(:P−30CF2.F、F 9% CCP−50CF2.F、F 14% 要約書 本発明は、高い電圧保持率、良好な低温安定性を有し、かつ逆ドメインのない特 にアクティブマトリックスディスプレイ用のネマチック液晶組成物に関する。 国際調査報告 。、、7.。。。5701M。。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.約8〜70重量%の1群: 1群▲数式、化学式、表等があります▼(但し、R1は2〜5個の炭素原子を有 する直鎖アルキル基を表し、E1は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式 、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼であり、 LはHまたはFであり、そしてQはOCF2、OCFH、OCFC1、CF2ま たは単結合である)からの1種以上の化合物、約8〜60重量%の2群: 2群▲数式、化学式、表等があります▼(但し、R2は2〜5個の炭素原子を有 する直鎖アルキル基を表し、E2は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式 、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼であり、 そしてLはそれぞれHまたはFである)からの1種以上の化合物、および/また は約8〜40重量%の3群: 3群▲数式、化学式、表等があります▼(但し、R3は2〜5個の炭素原子を有 する直鎖アルキル基を表し、E3は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式 、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼であり、 そしてQ及びLは、E3がトランス−1,4−シクロヘキシレンである場合、L は共にFであるという条件の下に上に定義した通りである。)からの1種以上の 化合物から成ることを特徴とする末端及びラテラルフッ素化化合物類に基づくネ マチック液晶組成物。
  2. 2.1a及び1b群: 1a群▲数式、化学式、表等があります▼1b群▲数式、化学式、表等がありま す▼▲数式、化学式、表等があります▼ の各々からの1種以上の化合物を同時に含んでいることを特徴とする請求項1記 載のネマチック液晶組成物。
  3. 3.次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる2群からの1種以上の化合物を含んでいることを特徴とする請求項 1または2記載のネマチック液晶組成物。
  4. 4.次式3a〜3e: ▲数式、化学式、表等があります▼3a▲数式、化学式、表等があります▼3b ▲数式、化学式、表等があります▼3c▲数式、化学式、表等があります▼3d ▲数式、化学式、表等があります▼3eから選択される3群からの1種以上の化 合物を含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のネマチック 液晶組成物。
  5. 5.Qが単結合であり、そしてしがFであることを特徴とする請求項2記載のネ マチック液晶組成物。
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