JPH0549472B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集光したレーザ光等の光照射によ
り、基板上に形成された情報記録層の光学的濃淡
の変化や段差を生じせしめて情報を記録し、また
その情報を読みとつて再生することが可能な情報
記録媒体及び記録再生方法に関するものである。

従来の技術 従来の情報記録媒体及び記録再生方法には、基
板上に設けられたTe等を主成分とする薄膜にレ
ーザ光を照射してその熱的作用によりこの薄膜の
溶融・蒸発による除去やこの薄膜が非晶質から結
晶質へあるいはその逆の相転位による光学的濃淡
すなわち屈折率・反射率の変化を利用して情報の
記録を行なうものや、基板上にガス発生層、その
上に金属薄膜を設け、同じくレーザ光照射により
加熱された前記ガス発生層から発生するガス圧に
より前記金属薄膜を変形せしめて情報の記録を行
なうもの例えば特開昭58−177538号公報があり、
再生は通常前記方法によつて記録された部分と未
記録部分の反射率の差あるいは光の回折光量の差
を信号として取り出すことによつて行なわれる。

発明が解決しようとする問題点 本発明は従来よりも大きな再生信号が得られる
情報記録媒体及び記録再生方法を提供することを
目的とする。

問題点を解決するための手段 本発明は光照射によつて基板上に設けられた情
報記録層の光学的濃淡を変化させると共に、その
情報記録層と基板との間に段差を生じせしめるこ
とによつて情報の記録を行ない前記情報記録層の
光学的濃淡の変化と前記段差による光の回折ある
いは干渉状態の変化を光で読みとつて再生を行な
うものである。

作 用 本発明は上記した構成により、情報記録層の光
学的濃淡の変化と、段差生成による光の回折ある
いは干渉状態の変化の２つの変化を用いて記録並
びに再生を行なうものであるから従来に比較して
大きな再生信号を取り出すことができる。

実施例 本発明の一実施例を第１図〜第４図に基いて説
明する。第２図において１は透明な高分子材料例
えばアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等によ
り形成された基板であり、一方の面にインジエク
シヨン成形等によつて断面が方形状のトラツキン
グガイド溝２が形成されている。通常このガイド
溝２の深さｄはnλ／16〜3nλ／16（但し、λは記録再
生 用光源の波長、ｎは溝を構成する物質の屈折率で
ある）で巾ｗが0.5λ〜1.2λに設定される。通常本
発明のように記録再生可能なデイスクにおいては
図示しないが検索を高速で行なうこと等のために
前記ガイド溝２に凹凸を設けるとによつてトラツ
クの番地を示す信号等が記録されているのが普通
である。前記トラツキングガイド溝２の深さ、巾
はそのガイド溝から得られるトラツキング信号の
大きさや、前記ガイド溝に凹凸により設けられた
信号の大きさ及びこの後述べるレーザ光等によつ
てデイスクに書き込まれた追記信号の大きさのバ
ランスがとれるように設定される。

一般に溝が前記範囲で浅く広くなると溝におけ
る光の回折が弱くなつてトラツキング信号や凹凸
信号は小さくなるが、反射率が高くなるよう書き
込まれる追記信号は大きくなる。溝が深く狭くな
るとその逆となる。３はTe等を主成分とする情
報記録層で蒸着あるいはスパツタ等の方法で基板
１に設けられる。４は前記情報記録層３を機械的
外力や湿度から保護する目的で高分子材料から成
る接着剤５により貼合せられる保護板である。

記録は対物レンズ６によりレーザ光７を基板１
の側からトラツキングガイド溝２の情報記録層３
へ集光して行なわれる。

集光されたレーザ光７が情報記録層３へ照射さ
れると第３図に示すように情報記録層３の前記照
射を受けたクロスハツキングで示す部分８は加熱
されて非晶質から結晶質へ相転位して反射率が上
る。また前記クロスハツチ部が軟化する程度まで
温度が上るようにレーザ光７の強度が設定されて
いるので反射率が上ると同時に軟化する。この時
クロスハツチ部８は高温になつているのでそれか
らの熱伝導あるいは輻射等によつて基板１の前記
クロスハツチ部８との接触部は瞬時に高温に加熱
される。そうすると基板１は高分子材料で構成さ
れているので加熱された高分子材料は分解してガ
スを発生し、第１図に示すように矢印ａで示すガ
ス圧力が前記クロスハツチ部８に作用する。クロ
スハツチ部８はすでに加熱されて軟化しているの
で前記ガス圧力により第１図に示すよう容易に上
方に押上げられ、結果として溝深さd′は浅くな
る。もちろんこの時はクロスハツチ部８に接する
接着剤５も加熱されて軟化しているのでクロスハ
ツチ部８の変位に対して適度の抵抗にはなるがそ
の変位を強固にさまたげるものではなくむしろク
ロスハツチ部８の全域に亘つて均一に変化させる
作用を有するものである。レーザ照射が終了する
と、クロスハツチ部８及びその周辺は冷却され、
第１図の形状が維持される。

したがつてレーザ光７が照射された情報記録層
３は第１図、第４図にクロスハツチ部８で示すよ
うに反射率の変化と溝深さの変化の２つの変調を
受けることになり、上記実施例の場合、反射率の
増加と溝深さの減少による反射光量の増加の相乗
効果により非常に大きな変調度が得られるので大
きな再生信号が得られる。したがつてＳ／Ｎが向
上し、基板表面の汚れ等に対しても有利となる。

次に本発明の他の実施例について説明する。

前記実施例において情報記録層を反射率の低い
状態から高い状態に変化させることによつて記録
する場合の構成について述べたが、それとは逆に
反射率の高い状態から低い状態に変化させること
によつて記録する場合は第５図に示す構成とすれ
ばよい。

前記実施例の第１図と同一構成要素は同一番号
で示す。第５図においてトラツキングガイド溝９
は第１図とは逆向き、すなわちレーザ光源から見
て凹溝としてある。この構成においてレーザ光７
が照射されるとクロスハツチ部１０の反射率が下
ると共に、第１図の場合と同様に基板１から発生
するガスの圧力によつてクロスハツチ部１０は情
報に押上げられ結果として溝深さd″は深くなる。
そうすると情報記録層の反射率の低下と溝深さの
増加による反射光量の減少の相乗効果により、前
記実施例と同様大きな再生信号を得ることができ
る。なお、この場合はトラツキングガイド溝が無
い場合も適用することが可能である。

前記実施例において第２図に示すように情報記
録層３を保護するために保護板４を接着剤５で貼
合せるかわりに高分子材料を情報記録層３に塗布
して保護層としてもよい。

また情報記録層はTeを主成分とする薄膜に限
るものでも非晶質から結晶質へあるいはその逆の
相転位により光学的性質の変化するものに限るも
のでもなく、光照射により光学的濃淡が変化する
情報記録層であればよい。

またトラツキング溝の形成方法はインジエクシ
ヨン成形に限るものではなく2P法と称せられる
光硬化性樹脂を用いる方法であつても何ら支障は
ない。すなわち情報記録層の両側が高分子材料で
構成されておれば目的を達することができる。

また情報媒体層を湿度等から保護するために情
報媒体層の両側あるいは片側にSiO₂等の誘電体
層が設けられていることがある。この時誘電体層
の厚さが300〜500Å程度であればさほど情報媒体
層の変位をさまたげるものではなくレーザ光のパ
ワーを少し上げることによつて十分情報媒体層を
変位させることができる。

また第６図に示すように基板１１の情報記録層
１２の近傍の部材１３を未架橋分子の含有率の高
い高分子材料により構成し、適度の強さのレーザ
光１４で加熱することによつて前記情報記録層１
２を軟化させないで相転位等によつて反射率のみ
低下せしめると共に前記未架橋分子を架橋せしめ
て体積を収縮させ、前記情報記録層１２との間に
段差１５を形成して情報記録を行なつてもよい。
クロスハツチ部１６は前記レーザ光１４の照射に
より反射率が下つた部分である。

再生する時、レーザ光が照射されるが、そのレ
ーザ光の光線１７に着目した時、光線１７の前記
段差１５で反射される光１８と前記クロスハツチ
部１６の表面から反射される光１９が反射信号光
となる。光１９はクロスハツチ部１６の反射率が
低下しているので未記録部からの反射光よりも弱
くなつており、なお且、光１８との干渉によりさ
らに弱められているので記録部の反射光量は非常
に小さくなる。この時段差１５とクロスハツチ部
１６との距離ｄがλ／４である場合反射光量は
最も小さくなる。

すなわちこの場合も反射率の低下と段差による
光の干渉の相乗効果により前記実施例と同様に大
きな再生信号が得られる。

また以上の実施例すべてにおいて情報記録層の
濃淡のみ、あるいは段差の成生のみを生じる光照
射強度と前記濃淡及び段差成生の両方を生じる光
照射強度の２種類の照射強度で記録を行なえば
０、１、−１を表わす３値記録を行なうこも可能
である。

発明の効果 本発明は情報の記録を情報記録層の光学的濃淡
の変化と、情報記録層あるいは基板に形成された
段差によつて生じる光の回折あるいは干渉状態の
変化のこの２つの変化によつて行なうものであ
り、その相乗効果により非常に大きな変調度が得
られる。

したがつて従来にはない大きな再生信号を得る
ことができるので信号のＳ／Ｎが向上し、基板表
面の汚れ等に対しても有利となり信頼性の高い記
録再生が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図は本発明の一実施例における情
報記録媒体の要部拡大断面図、第２図は同実施例
の断面図、第４図は第１図のＢ−B′断面図、第
５図、第６図は本発明の他の実施例におけるデイ
スクの要部拡大断面図である。 １……基板、２……トラツキングガイド溝、３
……情報記録層、４……保護板、５……接着剤、
６……対物レンズ、７……レーザ光。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 高分子材料からなる光に透明な基板と、前記
   基板上に密着して形成され、前記光の照射による
   加熱で起こる相転移による光学的濃淡の変化で情
   報を記録する情報記録層と、前記情報記録層上に
   密着して形成された高分子材料からなる保護部材
   とを備え、前記基板側を記録・再生光の照射面と
   する情報記録媒体であつて、 前記基板の高分子材料を、記録時における前記
   記録層の温度上昇により、前記情報記録層との界
   面部分において分解・昇華してガスを発生する
   か、または未架橋分子が架橋されて体積が収縮す
   る高分子材料で構成し、 また、前記保護部材の高分子材料を、前記発生
   ガスの圧力によつて少なくとも前記情報記録層と
   の接触界面部分が変形可能な高分子材料で構成す
   ることにより、 前記情報記録層の記録時の温度上昇で、前記発
   生ガスの圧力もしくは前記基板の前記体積収縮に
   よつて、前記情報記録層と前記基板との界面部分
   に、再生光の回折もしくは干渉状態を変化させて
   再生信号のＳ／Ｎ比を向上させる段差を形成可能
   に構成したことを特徴とする情報記録媒体。 ２ 高分子材料からなる光に透明な基板と、前記
   基板上に密着して形成され、前記光の照射による
   加熱で起こる相転移による光学的濃淡の変化で情
   報を記録する情報記録層と、前記情報記録層上に
   密着して形成された高分子材料からなる保護部材
   とを備え、前記基板側を記録・再生光の照射面と
   する情報記録媒体を用い、 前記基板の高分子材料は、記録時における前記
   記録層の温度上昇により、前記情報記録層との界
   面部分において分解・昇華してガスを発生する
   か、または、未架橋分子が架橋されて体積が収縮
   する高分子材料で構成され、 また、前記保護部材の高分子材料は、前記発生
   ガスの圧力によつて少なくとも前記情報記録層と
   の接触界面部分が変形可能な高分子材料で構成さ
   れ、前記情報記録層の記録時における温度上昇に
   より、前記基板と前記情報記録層との少なくとも
   界面部分において、ガスもしくは体積収縮を発生
   させ、これにより、前記界面部分に再生光の回折
   もしくは干渉状態を変化させる段差を形成して再
   生信号のＳ／Ｎ比を向上させることを特徴とする
   情報記録再生方法。