JPH0547615A - 半導体ウエハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 成膜不良や熱歪を伴うことなく熱処理するこ
とが可能な構造の半導体ウエハを提供することにある。 【構成】 中央部に貫通孔を設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
に使用される半導体ウエハに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、半導
体ウエハの酸化・拡散処理、ＣＶＤ処理等が行われる。
特に、最近においては、０．４μｍから０．２μｍへと
半導体デバイスのデザインルールの微細化が進み、ま
た、半導体ウエハについても８インチから１２インチへ
と大径化が進み、このような大面積の極薄膜形成技術に
対応すべく急速熱処理装置の開発が緊急の課題となって
きた。

【０００３】具体的に説明すると、半導体ウエハのプロ
セス処理では、サーマルバジェット（熱履歴）を小さく
することが必須の条件であり、例えば５０〜１００Åの
ドーピング処理、ゲート酸化膜やキャパシター絶縁膜の
極薄膜形成においては、急速熱処理すなわち短時間で熱
処理を行うことが不可欠である。また、例えばＰＮ接合
を０．１μｍ以下と浅くして、低抵抗化を図り、任意形
状表面への接合形成を可能にするためには、接合時の膜
劣化や結晶欠陥の発生を防止する必要があるが、ＰＮ接
合の活性領域が狭いために急速熱処理を行うことが必要
である。

【０００４】また、例えばＬＯＣＯＳ酸化膜の形成にお
いては、隣接するＬＯＣＯＳ酸化膜の圧縮応力が熱サイ
クルによる相乗効果で拡大し、表面電位の変動、リーク
電流、耐圧等の信頼性の低減が生じやすいが、これを防
止するためには急速熱処理により熱サイクルを低減する
ことが必要である。また、例えば高誘電体材料を使用し
てキャパシター絶縁膜を形成する場合には、メタルオキ
サイド（Ｔａ₂ Ｏ₅ 等）、ポリイミド（パッシベーショ
ン膜）等の成膜を可能にするメタル成膜とドーピングが
できる複合プロセス処理が可能なシステムが必要とされ
るに至った。

【０００５】そして、半導体ウエハの径が８インチから
１２インチへと大径化しつつある現状においては、半導
体ウエハの中央部と周辺部との温度差を小さくして均一
に急速熱処理ができ、半導体ウエハに生じやすいスリッ
プ、歪、ソリの低減化を図り、半導体デバイスの製作上
不都合が生じないようにする必要がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば１０イ
ンチ以上の大径の半導体ウエハを熱処理する場合には、
半導体ウエハの処理面上で処理ガスの滞留が生じやすい
ため、成膜不良や熱歪が生ずる問題がある。そこで、本
発明者は、熱処理装置の改良とは別に、処理の対象であ
る半導体ウエハ自体の改良により上記問題の解決を図る
べく鋭意研究を重ねたところ、中央部に貫通孔を設ける
というきわめて簡単な構成により、処理面上での処理ガ
スの滞留を防止することができることを見出して本発明
を完成したものである。本発明の目的は、成膜不良や熱
歪を伴うことなく熱処理することが可能な構造の半導体
ウエハを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明の半導体ウエハは、中央部に貫通孔を設けた
ことを特徴とする。

【０００８】

【作用】本発明においては、半導体ウエハの中央部に貫
通孔を設けたので、半導体ウエハを熱処理する際には、
処理ガスが当該貫通孔を通過するようになって処理面上
における処理ガスの滞留が防止され、良好に成膜するこ
とができる。また、処理ガスの滞留がなくなるので、熱
歪の発生も防止することができる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 〔実施例１〕図１は、本実施例に係る半導体ウエハの断
面図であり、１は半導体ウエハ、１５は貫通孔である。
半導体ウエハ１は、シリコンからなり、その中央部に貫
通孔１５が設けられている。貫通孔１５の大きさは、あ
まり大きすぎると歩留りが悪くなるので、例えば５〜２
０ｍｍ程度とされる。貫通孔１５は、シリコンのインゴ
ットの状態で設けてもよいし、インゴットをスライスし
た後に設けてもよい。また、貫通孔１５を形成するため
の手段としては、コアドリル等を用いることができる。
貫通孔１５の形状は特に限定されない。例えば図２に示
すような円形状、あるいは三角形状、四角形状等の種々
の形状を採用することができる。

【００１０】このような貫通孔１５を有する半導体ウエ
ハ１によれば、半導体ウエハ１の熱処理においては、図
３に示すように、処理ガス（矢印で示す）が当該貫通孔
１５を通過するようになるので、処理ガスの滞留が防止
され、良好な処理を行うことができる。また、処理ガス
の滞留がなくなるので、処理面の温度の不均一が生ぜ
ず、熱歪の発生も防止することができる。また、図４に
示すように、半導体ウエハ１の熱処理中においては、貫
通孔１５の周囲からも放熱（矢印で示す）が促進される
ようになるので、従来においては半導体ウエハ１の中央
部の温度が高くなりがちであったところ、そのような問
題が生ぜず、半導体ウエハ１の全面において均一な温度
で熱処理を行うことが可能となる。

【００１１】さらに、図５に示すように、半導体ウエハ
１の貫通孔１５を利用して半導体ウエハ１の保持および
位置決めを行うことができるので、ウエハ保持具３の構
造が簡単となる。すなわち、中央部に貫通孔のない従来
の半導体ウエハにおいては、半導体ウエハの外周の裏面
側を３〜５個の保持突起により保持し、さらに半導体ウ
エハの外周縁に対向するようストッパーを設けて位置決
めを行うようにしていたため、ウエハ保持具の構造が複
雑となっていたが、貫通孔１５を利用して位置決めする
ことによりストッパーが不要となるので保持構造が簡単
となる。図５において、３１は支軸、３２は保持突起で
ある。支軸３１は貫通孔１５に嵌合し得る外径を有して
いる。保持突起３２は、半導体ウエハ１の外周に沿って
ほぼ均等に離間した位置に合計３〜５個設けられてお
り、半導体ウエハ１の裏面側に当接して、当該半導体ウ
エハ１を保持している。この保持突起３２の先端すなわ
ち半導体ウエハ１に接触する端部には、１．０ｍｍφ程
度の丸みが設けられている。

【００１２】また、図６に示すように、多数枚の半導体
ウエハ１を縦に並列に配置して、バッチ式で熱処理を行
う場合には、各半導体ウエハ１の貫通孔１５に処理ガス
のノズル１６を挿通させ、隣接する半導体ウエハ１，１
間の間隙に矢印で示すように処理ガスを供給することが
可能となり、処理ガスの流れをスムーズにすることがで
きる。この場合、半導体ウエハ１を固定してノズル１６
を回転させるようにしてもよいし、ノズル１６を固定し
て半導体ウエハ１を回転させるようにしてもよい。ま
た、エッチング処理する場合においても、エッチングガ
スの流れが良好となるため精度の高い処理が可能とな
る。特に、半導体ウエハ１の外径が１０インチ以上のも
のにおいて上記効果が顕著に発揮される。

【００１３】〔実施例２〕図７は、本実施例に係る半導
体ウエハ１の平面図であり、本実施例では、貫通孔１５
を異方性のある形状としたものである。すなわち、貫通
孔１５は、円形状の大径の孔１７の周囲の一部に円形状
の小径の孔１８を設けた形状になっている。この小径の
孔１８は例えば半導体ウエハ１の結晶方法を示す目印と
なるものである。従って、このような半導体ウエハ１に
よれば、結晶方向を示すオリエンテーションフラット
（点線で示す）やノッチ等を形成する必要がないという
利点がある。

【００１４】次に、本発明の半導体ウエハを用いて熱処
理する場合の具体的態様について説明する。図８は、酸
化・拡散処理を行う場合に好適な熱処理装置の概略を示
す。半導体ウエハ１の貫通孔１５がウエハ保持具３の中
央に一体的に形成された支軸３１に係合するとともに、
半導体ウエハ１の処理面１１とは反対の裏面がウエハ保
持具３の周縁部に形成された３〜５個の保持突起３２に
当接し、これによって半導体ウエハ１が水平の姿勢に保
持されている。このウエハ保持具３は、例えば高純度炭
化ケイ素（ＳｉＣ）等のように耐熱性が優れ、かつ、汚
染の少ない材料により構成することが好ましい。特に、
高純度炭化ケイ素（ＳｉＣ）は石英（ＳｉＯ₂ ）よりも
耐熱性が優れており、約１２００℃の高温にも十分に耐
えることができるので、酸化・拡散処理用の材料として
好適なものである。

【００１５】半導体ウエハ１の処理面１１に対向するよ
う例えば直上部において面状発熱源２が保温材４の上部
内壁に固定配置されている。面状発熱源２と半導体ウエ
ハ１との最短離間距離Ｌは、装置を小型化する観点から
は短い方がよいが、大面積の半導体ウエハ１の全面を均
一な温度で加熱する観点からは長い方がよい。具体的に
は、両条件をある程度満足し得る距離、例えば５０〜１
５０ｍｍ程度とされる。ここで「最短離間距離」とは、
半導体ウエハ１の接近が停止されて静止した状態でプロ
セス処理されるときの所定位置から面状発熱源２までの
距離をいう。

【００１６】この面状発熱源２は、例えば二ケイ化モリ
ブデン（ＭｏＳｉ₂）、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）と
アルミニウム（Ａｌ）の合金線であるカンタル（商品
名）線等の抵抗発熱体を面状に配置することにより構成
することができる。特に、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳ
ｉ₂ ）は約１８００℃の高温にも十分に耐えることがで
きるので、酸化・拡散処理のための装置の材料としては
好適である。

【００１７】この面状発熱源２の発熱面は、半導体ウエ
ハ１の処理面と同様の形態、すなわち円形状であること
が好ましく、また、その外径が半導体ウエハ１の外径の
２倍以上であることが好ましい。このような条件を満た
す面状発熱源２によれば、半導体ウエハ１の中央部と周
辺部との間の温度差を十分に小さくすることができ、半
導体ウエハ１の全面をさらに均一な温度で熱処理するこ
とができる。

【００１８】面状発熱源２の温度は、半導体ウエハ１の
最高使用温度よりも１００〜３００℃高いことが好まし
い。面状発熱源２は加熱制御部（図示省略）により駆動
されるが、その温度コントロールは、面状発熱源２の適
宜の位置に熱電対等の温度センサー（図示省略）を配置
して、これよりの検出信号に基づいて行うことができ
る。

【００１９】また、面状発熱源２と半導体ウエハ１との
間に面状の均熱部材（図示省略）を配置するようにして
もよい。この均熱部材は、面状発熱源２に発熱ムラが存
在する場合にこの発熱ムラを解消して半導体ウエハ１に
向かう放射熱を十分に垂直方向に制御するものである。
また、均熱部材を例えば高純度炭化ケイ素（ＳｉＣ）等
のように汚染の少ない材料により構成し、さらにこの均
熱部材により面状発熱源２を処理空間から完全に隔離す
ることにより、面状発熱源２が汚染の原因となる重金属
を含む材料により構成されている場合にも、当該重金属
による汚染を有効に防止することができる。

【００２０】この均熱部材は半導体ウエハ１の処理面１
１に対向するよう配置され、その外径は面状発熱源２の
場合と同様に半導体ウエハ１の外径の２倍以上であるこ
とが好ましい。また、この均熱部材は、その中央部の肉
厚が周辺部の肉厚より厚いことが好ましい。このような
肉厚とすることにより、半導体ウエハ１の周辺部の熱放
散を少なくして中央部と周辺部との間の温度の均一性を
さらに高めることができる。また、この均熱部材は、そ
の周辺部が半導体ウエハ１に接近する方向に湾曲する形
態としてもよい。このような湾曲した周辺部を有するこ
とにより、半導体ウエハ１の周辺部の熱放散を少なくし
て中央部と周辺部との温度差を小さくすることができ
る。

【００２１】図８の５は移動機構であり、この移動機構
５は、ウエハ保持具３を面状発熱源２に対して急速に接
近移動させ、次いで急速に後退移動させるものであり、
モータ５１と、駆動軸５２と、駆動アーム５３とにより
構成されている。モータ５１は駆動軸５２に連結されて
いて、モータ５１により駆動軸５２が回転制御される。
駆動軸５２にはネジが設けられており、このネジを介し
て駆動アーム５３の一端と螺合されている。駆動アーム
５３の他端は後述するモータ６１を介してウエハ保持具
３に連結されている。モータ５１が駆動軸５２を回転さ
せると、この駆動軸５２に設けられたネジの作用により
駆動アーム５３が上昇または下降移動し、この駆動アー
ム５３の移動に伴ってウエハ保持具３が上昇または下降
移動する。従って、モータ５１の回転を制御回路により
制御することにより、ウエハ保持具３の上昇速度または
下降速度を適宜調整することができる。ウエハ保持具３
の移動距離は例えば３００〜６００ｍｍ程度であり、移
動速度は５０〜２００ｍｍ／ｓｅｃ以上の急速とするの
が好ましい。

【００２２】酸化・拡散処理における熱処理モードの一
例について説明すると、面状発熱源２の温度を例えば１
３００℃の一定温度とした状態で、窒素ガス（Ｎ₂ ）を
流しながら、半導体ウエハ１の温度が室温から約５００
℃に到達するように、例えば２００ｍｍ／ｓｅｃの上昇
速度でウエハ保持具３を上昇移動させる。半導体ウエハ
１の温度が約５００℃に到達したら、さらに半導体ウエ
ハ１の温度が約１２００℃に到達するように、例えば１
００ｍｍ／ｓｅｃの上昇速度でウエハ保持具３をさらに
上昇移動させる。半導体ウエハ１の温度が約１２００℃
に到達したら、ウエハ保持具３を当該位置に固定した状
態で、窒素ガスの供給を停止し、次いで酸素ガス
（Ｏ₂ ）を供給しながら、酸化・拡散処理を行う。酸化
・拡散処理が終了したら、上記の工程を逆の順番で繰返
すことにより、半導体ウエハ１の温度を室温まで冷却す
る。

【００２３】半導体ウエハ１の酸化・拡散処理中は、回
転機構６により半導体ウエハ１がその貫通孔１５を軸と
して回転移動される。回転機構６において、６１はモー
タであり、半導体ウエハ１をウエハ保持具３と共に回転
するものである。

【００２４】図８の保温材４は、例えばアルミナセラミ
ックスからなり、半導体ウエハ１の移動方向に沿って適
正な温度勾配をもたせるために、下部に向かうに従って
肉厚が薄くなっている。すなわち、下部に至るほど保温
効果を少なくしている。保温材４の下端部には、熱処理
の終了後に半導体ウエハ１を急速に冷却するための冷却
手段（図示省略）を設けることが好ましい。冷却手段と
しては、アンモニア、二硫化イオウ、水等の冷媒を用い
ることができる。冷媒の潜熱を利用して例えば３００〜
４００℃の温度に冷却することが好ましい。保温材４の
内径は、半導体ウエハ１の温度を考慮して定めることが
好ましいが、例えば半導体ウエハ１が１０インチの場合
には、その２倍程度の５００〜６００ｍｍφ程度が好ま
しい。

【００２５】図８の７は処理容器であり、例えば石英
（ＳｉＯ₂ ）等により形成することができる。この処理
容器７は下端に開口を有する筒状の形態を有しており、
ウエハ保持具３および半導体ウエハ１を面状発熱源２お
よび保温材４から隔離して半導体ウエハ１の雰囲気を外
部から分離するものである。

【００２６】図８の８はガス導入管であり、その一端が
処理容器７の下部から外部に突出し、その他端が処理容
器７の内部において上方に伸長して半導体ウエハ１の斜
め上方に位置されている。このガス導入管８は、処理容
器７に対して例えばＯリングをネジにより締め付けるこ
とにより気密に固定されている。

【００２７】図８の９はガス排出管であり、処理容器７
の下部において処理容器７の内外を貫通するように設け
られている。移動機構５によってウエハ保持具３が上昇
し、半導体ウエハ１が完全に処理容器７内に収納された
状態で、処理容器７がすべて密閉された状態となるよう
にしている。ガス導入管８から処理容器７内にプロセス
ガスを導入し、面状発熱源２による放射熱によって処理
容器７内の温度を酸化・拡散処理に必要な所定温度にす
る。処理容器７内の温度は、面状発熱源２からの距離が
一定であれば、一定の温度となるので、半導体ウエハ１
の最高位置（静止位置）をあらかじめ設定しておくこと
により、酸化・拡散処理に必要な所定温度（例えば１２
００℃）とすることができる。半導体ウエハ１は、加熱
下でのプロセスガスの反応により酸化・拡散処理がなさ
れる。

【００２８】その結果、半導体ウエハ１にスリップ、
歪、ソリ等が生ぜず、信頼性の高い熱処理が可能とな
り、また、最近の半導体デバイスのデザインルールの微
細化、半導体ウエハの大径化に対応した急速熱処理が可
能となる。従って、例えば５０〜１００Åのドーピング
処理、ゲート酸化膜やキャパシター絶縁膜の極薄膜形
成、０．１μｍ以下の浅いＰＮ接合の形成、ＬＯＣＯＳ
酸化膜の形成、高誘電体材料を使用したキャパシター絶
縁膜の形成等の種々の熱処理において、著しく優れた効
果を発揮する。

【００２９】図９は、ＣＶＤ処理を行う場合に好適な熱
処理装置の概略を示す。ウエハ保持具３、移動機構５、
回転機構６は、図８と同様の構成である。面状発熱源２
は、その周辺部が半導体ウエハ１に接近する方向に湾曲
した形態を有している。これにより半導体ウエハ１の周
辺部の放熱を抑制することができ、半導体ウエハ１の全
面の温度をさらに均一化することができる。保温材４の
上部内壁は、面状発熱源２の湾曲した周辺部を受容し得
る形態となっている。

【００３０】処理容器７は、外管７１と内管７２とを備
えた二重管構造になっており、外管７１は、石英（Ｓｉ
Ｏ₂ ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端
に開口を有する円筒状の形態である。内管７２は、上端
および下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、
外管７１内に間隔をおいて同心円状に配置されている。
内管７２の上部開口から上昇したガスは、内管７２と外
管７１との間の間隙を介して系外へ排出されるようにな
っている。外管７１および内管７２の下端開口には、例
えばステンレス等よりなるマニホールド７３が係合さ
れ、このマニホールド７３に外管７１および内管７２が
保持されている。このマニホールド７３は基台（図示省
略）に固定されている。

【００３１】外管７１の下端部およびマニホールド７３
の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジ７１Ａお
よび７３Ａが設けられ、フランジ７１Ａ，７３Ａ間には
弾性部材よりなるＯリング７４が配置され、両者の間が
気密封止されている。内管７２の下端部は、マニホール
ド７３の内壁の中段より内方へ突出させて形成した保持
部７５により保持されている。

【００３２】マニホールド７３の下段の一側には、上方
の熱処理部に向けて屈曲された例えば石英からなる第１
のガス導入管７６がシール部材（図示省略）を介して貫
通しており、処理容器７内に成膜用ガス、例えばジクロ
ルシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）ガスが供給されるようにな
っている。この第１のガス導入管７６は、ガス供給源
（図示省略）に接続されている。マニホールド７３の下
段の他側には、上方の熱処理部に向けて屈曲された例え
ば石英からなる第２のガス導入管７７がシール部材（図
示省略）を介して貫通しており、処理容器７内に成膜用
ガス、例えばアンモニア（ＮＨ₃ ）ガスが供給されるよ
うになっている。この第２のガス導入管７７は、ガス供
給源に接続されている。

【００３３】マニホールド７３の上段には、真空ポンプ
（図示省略）等の排気系に接続された排気管７８が接続
されており、内管７２と外管７１との間の間隙を流下す
る処理済ガスを系外に排出し、処理容器７内を所定の圧
力の減圧雰囲気に設定し得るようになっている。マニホ
ールド７３の下端開口部には、例えばステンレス等より
なる円盤状のキャップ部７９が、弾性部材よりなるＯリ
ング８０を介して気密封止可能に着脱自在に取付けられ
ている。

【００３４】このキャップ部７９のほぼ中心部には、例
えば磁気シールにより気密な状態で回転可能な回転軸６
２が貫通している。この回転軸６２はウエハ保持具３の
回転軸であって、その下端部には、これを所定の速度で
もって回転させるためのモータ６１が接続されている。
このモータ６１は、移動機構５の駆動アーム５３に固定
されており、駆動アーム５３の昇降により、キャップ部
７９と回転軸６２とが一体的に昇降して、ウエハ保持具
３をロード、アンロードするようになっている。

【００３５】図９の熱処理装置を用いたＣＶＤ処理の一
例を説明すると、まず、移動機構５によりウエハ保持具
３を下降させてアンロードにする。ウエハ保持具３に１
枚の半導体ウエハ１を保持する。次いで、面状発熱源２
を駆動して発熱させ、ウエハ保持具３の最高位置の雰囲
気を例えば７００℃の均熱状態にする。移動機構５によ
り、ウエハ保持具３を上昇させて処理容器７内にロード
し、処理容器７の内部温度を例えば７００℃に維持す
る。処理容器７内を所定の真空状態まで排気した後、回
転機構６により、ウエハ保持具３を回転させてその上に
保持された半導体ウエハ１を一体的に回転させる。

【００３６】同時に、第１のガス導入管７６から成膜用
ガス例えばジクロルシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）ガスを供
給し、第２のガス導入管７７から成膜用ガス例えばアン
モニア（ＮＨ₃ ）ガスを供給する。供給された成膜用ガ
スは、処理容器７内を上昇し、半導体ウエハ１の上方か
ら半導体ウエハ１に対して均等に供給される。処理容器
７内は、排気管７８を介して排気され、０．１〜０．５
Ｔｏｒｒの範囲内、例えば０．５Ｔｏｒｒになるように
圧力が制御され、所定時間成膜処理を行う。

【００３７】このようにして成膜処理が終了すると、次
の半導体ウエハの成膜処理に移るべく、処理容器７内の
処理ガスをＮ₂ 等の不活性ガスと置換するとともに、内
部圧力を常圧まで高め、その後、移動機構５によりウエ
ハ保持具３を下降させて、ウエハ保持具３および処理済
の半導体ウエハ１を処理容器７から取り出す。処理容器
７からアンロードされたウエハ保持具３上の処理済の半
導体ウエハ１は、未処理の半導体ウエハと交換され、再
度前述と同様にして処理容器７内にロードされ、成膜処
理がなされる。

【００３８】図９に示した熱処理装置において、ウエハ
保持具３を固定して、面状発熱源２を昇降させるように
してもよい。また、処理済の半導体ウエハ１を取り出す
際には、まず、面状発熱源２と保温材４と外管７１とを
上昇させ、次いで、内管７２を上昇させるようにするこ
とが好ましい。このようにウエハ保持具３を固定する場
合には、半導体ウエハ１が受ける機械的衝撃力が少なく
なるので、半導体ウエハ１上の薄膜にダメージを与えな
いようにすることができ、また、マニホールド７３を移
動させる必要がないことから、装置の構成を簡単にする
ことができる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
エハによれば、中央部に貫通孔を設けたので、処理面上
での処理ガスの滞留を防止することができ、成膜不良や
熱歪を伴うことなく熱処理することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る半導体ウエハの断面図である。

【図２】半導体ウエハの平面図である。

【図３】半導体ウエハの処理面における処理ガスの流れ
を示す説明図である。

【図４】半導体ウエハの放熱方向を示す説明図である。

【図５】半導体ウエハの保持の態様を示す説明図であ
る。

【図６】バッチ式処理を行う場合の処理ガスの流れを示
す説明図である。

【図７】実施例２に係る半導体ウエハの平面図である。

【図８】酸化・拡散処理を行う場合に好適な熱処理装置
の概略図である。

【図９】ＣＶＤ処理を行う場合に好適な熱処理装置の概
略図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ １５ 貫通孔 １６ 処理ガスのノズル １７ 大径の
孔 １８ 小径の孔 ２ 面状発
熱源 ３ ウエハ保持具 ３１ 支軸 ３２ 保持突起 ４ 保温材 ５ 移動機構 ５１ モータ ５２ 駆動軸 ５３ 駆動ア
ーム ６ 回転機構 ６１ モータ ６２ 回転軸 ７ 処理容
器 ７１ 外管 ７２ 内管 ７３ マニホールド ７１Ａ フラン
ジ ７３Ａ フランジ ７４ Ｏリン
グ ７５ 保持部 ７６ 第１の
ガス導入管 ７７ 第２のガス導入管 ７８ 排気管 ７９ キャップ部 ８ ガス導
入管 ８０ Ｏリング ９ ガス排
出管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中央部に貫通孔を設けたことを特徴とす
   る半導体ウエハ。