JPH0545669A - アクテイブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクテイブマトリクス型液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0545669A JPH0545669A JP20206991A JP20206991A JPH0545669A JP H0545669 A JPH0545669 A JP H0545669A JP 20206991 A JP20206991 A JP 20206991A JP 20206991 A JP20206991 A JP 20206991A JP H0545669 A JPH0545669 A JP H0545669A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- common electrode
- liquid crystal
- display device
- active matrix
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】この発明は、アクティブマトリクス型液晶表示
装置において、対向基板２６上の共通電極２５への電位
供給を、共通電極２５の少なくとも一辺に沿って導電性
フィルム２９を導電性接着剤３０により接続して行う。 【効果】この発明によれば、給電部の接続抵抗が小さく
なって共通電極２５の電位変動を小さく抑えることがで
き、パネルが大型化してもコントラストが高くクロスト
ークのないアクティブマトリクス型液晶表示装置が得ら
れる。
装置において、対向基板２６上の共通電極２５への電位
供給を、共通電極２５の少なくとも一辺に沿って導電性
フィルム２９を導電性接着剤３０により接続して行う。 【効果】この発明によれば、給電部の接続抵抗が小さく
なって共通電極２５の電位変動を小さく抑えることがで
き、パネルが大型化してもコントラストが高くクロスト
ークのないアクティブマトリクス型液晶表示装置が得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）をアクティブ素子として用いたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関する。
スタ（ＴＦＴ）をアクティブ素子として用いたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置
は、画素毎に設けられたスイッチング素子によって、表
示素子アレイに画像信号を選択的に印加し液晶を準スタ
ティック的に駆動することにより、高精細・高コントラ
スト・高応答速度でクロストークのない鮮明な画像を得
ようとするものである。
は、画素毎に設けられたスイッチング素子によって、表
示素子アレイに画像信号を選択的に印加し液晶を準スタ
ティック的に駆動することにより、高精細・高コントラ
スト・高応答速度でクロストークのない鮮明な画像を得
ようとするものである。
【０００３】一般に、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、走査線と信号線の交点付近にＴＦＴ及び表示電
極を形成してなるアレイ基板と、共通電極を形成してな
る対向基板との間に液晶層を挟持して構成されている。
ここで、共通電極はアレイ基板と数μｍ程度の薄い液晶
層を介して対向しているため、共通電極とアレイ基板上
の各配線・電極の電位変化に応じて、共通電極は容量カ
ップリングによる種々の電位変動を受ける。特に、共通
電極と信号線は表示領域全面にわたって重複しており、
更に、信号線電位は広い範囲にわたって一度に変化する
ため、共通電極電位は大きな変動を生じる。
装置は、走査線と信号線の交点付近にＴＦＴ及び表示電
極を形成してなるアレイ基板と、共通電極を形成してな
る対向基板との間に液晶層を挟持して構成されている。
ここで、共通電極はアレイ基板と数μｍ程度の薄い液晶
層を介して対向しているため、共通電極とアレイ基板上
の各配線・電極の電位変化に応じて、共通電極は容量カ
ップリングによる種々の電位変動を受ける。特に、共通
電極と信号線は表示領域全面にわたって重複しており、
更に、信号線電位は広い範囲にわたって一度に変化する
ため、共通電極電位は大きな変動を生じる。
【０００４】図３は従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置における共通電極と信号線の電位波形を示す図
である。図３からわかるように、共通電極電位（実線）
は信号線電位が変化すると同時に、容量カップリングに
より信号線電位変化と同じ方向に変動し、その後、所定
の電位（破線）に復帰する。この復帰時間が長くなる
と、表示上でコントラスト比の低下、クロストーク等の
問題が生じる。そこで、この復帰時間を短縮するため、
従来、共通電極を形成する導電膜のシート抵抗低減、共
通電極への給電箇所増加等が行われてきた。
表示装置における共通電極と信号線の電位波形を示す図
である。図３からわかるように、共通電極電位（実線）
は信号線電位が変化すると同時に、容量カップリングに
より信号線電位変化と同じ方向に変動し、その後、所定
の電位（破線）に復帰する。この復帰時間が長くなる
と、表示上でコントラスト比の低下、クロストーク等の
問題が生じる。そこで、この復帰時間を短縮するため、
従来、共通電極を形成する導電膜のシート抵抗低減、共
通電極への給電箇所増加等が行われてきた。
【０００５】図４は従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置における共通電極への給電方法の概略を示す図
であり、図４（ａ）は装置の外形図、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＡ部の断面図を表している。図４（ａ）におい
て、アレイ基板１上に、アレイ基板１よりサイズが小さ
い対向基板２が貼り合わせられている。そして、給電部
は対向基板２の外周（特に、図４（ａ）のＡに示したよ
うなコーナー部）に数箇所設けられている。図４（ｂ）
において、シール剤３で囲まれた液晶層４を含む領域の
外側で、アレイ基板１上のトランスファー電極５と対向
基板２上の共通電極６との間は導電ペースト７にて接続
されている。そして、共通電極６は、アレイ基板１上の
配線を介して、信号線やゲート線と同時に導電性接着剤
８にて導電フィルム９に接続され、外部回路と接続され
る。
表示装置における共通電極への給電方法の概略を示す図
であり、図４（ａ）は装置の外形図、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＡ部の断面図を表している。図４（ａ）におい
て、アレイ基板１上に、アレイ基板１よりサイズが小さ
い対向基板２が貼り合わせられている。そして、給電部
は対向基板２の外周（特に、図４（ａ）のＡに示したよ
うなコーナー部）に数箇所設けられている。図４（ｂ）
において、シール剤３で囲まれた液晶層４を含む領域の
外側で、アレイ基板１上のトランスファー電極５と対向
基板２上の共通電極６との間は導電ペースト７にて接続
されている。そして、共通電極６は、アレイ基板１上の
配線を介して、信号線やゲート線と同時に導電性接着剤
８にて導電フィルム９に接続され、外部回路と接続され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、パネルサイズが
大型化するのに従い、共通電極と信号線の間のカップリ
ング容量が増加し、共通電極電位の変動を抑えるため
に、更に共通電極のシート抵抗を低減し、且つ共通電極
電位の給電箇所を増やす必要が生じてきた。共通電極の
シート抵抗を低減する例としては、例えば特開昭６３−
９２９２３号公報に記載されているように、共通電極上
に例えばＡｌからなる金属を設ける技術があるが、この
場合、金属を設けるという製造工程の増加は避けられな
い。
大型化するのに従い、共通電極と信号線の間のカップリ
ング容量が増加し、共通電極電位の変動を抑えるため
に、更に共通電極のシート抵抗を低減し、且つ共通電極
電位の給電箇所を増やす必要が生じてきた。共通電極の
シート抵抗を低減する例としては、例えば特開昭６３−
９２９２３号公報に記載されているように、共通電極上
に例えばＡｌからなる金属を設ける技術があるが、この
場合、金属を設けるという製造工程の増加は避けられな
い。
【０００７】このように、製造工程を増やすことなく共
通電極のシート抵抗を低減するには限界があり、また、
アレイ基板上にトランスファ電極を形成するスペースが
限られている関係上、共通電極への給電箇所を無数に増
やすことは困難である。
通電極のシート抵抗を低減するには限界があり、また、
アレイ基板上にトランスファ電極を形成するスペースが
限られている関係上、共通電極への給電箇所を無数に増
やすことは困難である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁基板上
に複数本の行選択線及び列選択線を絶縁膜を介して互い
に交差するごとく配置し、一画素となる各交点部分に、
スイッチング素子及びこのスイッチング素子を介して表
示電極を設けてなるアレイ基板と、絶縁基板上に共通電
極を形成してなる対向基板との間隙に液晶層を挟持して
なるアクティブマトリクス型液晶表示装置についてのも
のである。そして、共通電極の少なくとも一辺に沿っ
て、導電性フィルムを導電性接着剤を介して接続するこ
とにより、共通電極への電位供給を行っている。
に複数本の行選択線及び列選択線を絶縁膜を介して互い
に交差するごとく配置し、一画素となる各交点部分に、
スイッチング素子及びこのスイッチング素子を介して表
示電極を設けてなるアレイ基板と、絶縁基板上に共通電
極を形成してなる対向基板との間隙に液晶層を挟持して
なるアクティブマトリクス型液晶表示装置についてのも
のである。そして、共通電極の少なくとも一辺に沿っ
て、導電性フィルムを導電性接着剤を介して接続するこ
とにより、共通電極への電位供給を行っている。
【０００９】
【作用】この発明では、アクティブマトリクス型液晶表
示装置における共通電極への電位供給方法を、導電ペー
ストを用いた点接続から面接続にすることにより、接続
抵抗を下げ、共通電極電位の変動を小さく抑えることを
可能としている。
示装置における共通電極への電位供給方法を、導電ペー
ストを用いた点接続から面接続にすることにより、接続
抵抗を下げ、共通電極電位の変動を小さく抑えることを
可能としている。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を詳細に説明
する。
する。
【００１１】図１はこの発明の一実施例における一画素
分の一例を示す概略図であり、図１（ａ）はアレイ基板
上の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ´面を矢
印方向からみたときに相当する断面図を表している。
分の一例を示す概略図であり、図１（ａ）はアレイ基板
上の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ´面を矢
印方向からみたときに相当する断面図を表している。
【００１２】図１において製造工程に従って説明する
と、まず、例えばガラスからなる絶縁基板１０の一主面
上には、例えば遮光性材料であるＣｒ膜をスパッタ法で
被膜した後、所定の形状にフォトエッチングすることに
よりゲ−ト電極１１、行選択線１２及び補助容量線１３
が形成され、更に、これを覆うように例えばＳｉＯX か
らなるゲ−ト絶縁膜１４がプラズマＣＶＤ法により形成
されている。そして、ゲ−ト絶縁膜１４上のゲ−ト電極
１１と対向する部分には、例えばｉ型の水素化アモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称す）からなる半
導体層１５がプラズマＣＶＤ法を利用して形成されてい
る。更に、半導体層１５上には互いに電気的に分離され
たｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなるドレイン領域１６とソ―ス
領域１７が、同じくプラズマＣＶＤ法を利用して設けら
れている。そして、半導体層１５のソ―ス領域１７側に
隣接するゲ−ト絶縁膜１４上には、例えばＩＴＯ（イン
ジウム・チン・オキサイド）膜をスパッタ法で被膜した
後、所定の形状にフォトエッチングすることにより表示
電極１８が形成されている。また、ソ―ス領域１７には
ソ−ス電極１９の一端が接続され、ソ−ス電極１９の他
端は表示電極１８上に延在して接続されている。更に、
ドレイン領域１６にはドレイン電極２０の一端が接続さ
れている。こうして、ゲ−ト電極１１、ゲ−ト絶縁膜１
４、半導体層１５、、ドレイン領域１６、ソ―ス領域１
７、ソ−ス電極１９及びドレイン電極２０から構成され
るスイッチング素子（ＴＦＴ）２１が得られる。ここ
で、ソ−ス電極１９とドレイン電極２０とは、例えばＭ
ｏ膜とＡｌ膜をスパッタ法で順次被膜した後、所定の形
状にフォトエッチングするという同じ工程で形成してお
り、また、列選択線２２もソ−ス電極１９及びドレイン
電極２０と同じ工程で形成している。こうして、絶縁基
板１０上に複数本の行選択線１２及び列選択線２２をゲ
ート絶縁膜１４を介して互いに交差するごとく配置し、
一画素となる各交点部分に、スイッチング素子２１及び
このスイッチング素子２１を介して表示電極１８を設け
てなるアレイ基板２３が得られる。
と、まず、例えばガラスからなる絶縁基板１０の一主面
上には、例えば遮光性材料であるＣｒ膜をスパッタ法で
被膜した後、所定の形状にフォトエッチングすることに
よりゲ−ト電極１１、行選択線１２及び補助容量線１３
が形成され、更に、これを覆うように例えばＳｉＯX か
らなるゲ−ト絶縁膜１４がプラズマＣＶＤ法により形成
されている。そして、ゲ−ト絶縁膜１４上のゲ−ト電極
１１と対向する部分には、例えばｉ型の水素化アモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称す）からなる半
導体層１５がプラズマＣＶＤ法を利用して形成されてい
る。更に、半導体層１５上には互いに電気的に分離され
たｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなるドレイン領域１６とソ―ス
領域１７が、同じくプラズマＣＶＤ法を利用して設けら
れている。そして、半導体層１５のソ―ス領域１７側に
隣接するゲ−ト絶縁膜１４上には、例えばＩＴＯ（イン
ジウム・チン・オキサイド）膜をスパッタ法で被膜した
後、所定の形状にフォトエッチングすることにより表示
電極１８が形成されている。また、ソ―ス領域１７には
ソ−ス電極１９の一端が接続され、ソ−ス電極１９の他
端は表示電極１８上に延在して接続されている。更に、
ドレイン領域１６にはドレイン電極２０の一端が接続さ
れている。こうして、ゲ−ト電極１１、ゲ−ト絶縁膜１
４、半導体層１５、、ドレイン領域１６、ソ―ス領域１
７、ソ−ス電極１９及びドレイン電極２０から構成され
るスイッチング素子（ＴＦＴ）２１が得られる。ここ
で、ソ−ス電極１９とドレイン電極２０とは、例えばＭ
ｏ膜とＡｌ膜をスパッタ法で順次被膜した後、所定の形
状にフォトエッチングするという同じ工程で形成してお
り、また、列選択線２２もソ−ス電極１９及びドレイン
電極２０と同じ工程で形成している。こうして、絶縁基
板１０上に複数本の行選択線１２及び列選択線２２をゲ
ート絶縁膜１４を介して互いに交差するごとく配置し、
一画素となる各交点部分に、スイッチング素子２１及び
このスイッチング素子２１を介して表示電極１８を設け
てなるアレイ基板２３が得られる。
【００１３】一方、例えばガラスからなる絶縁基板２４
の一主面上には、例えばＩＴＯからなる共通電極２５が
形成されることにより、対向基板２６が構成されてい
る。そして、アレイ基板２３と対向基板２６は互いの一
主面側が対向するように組み合わせられ、これにより得
られる間隙には液晶層２７が挟持されている。
の一主面上には、例えばＩＴＯからなる共通電極２５が
形成されることにより、対向基板２６が構成されてい
る。そして、アレイ基板２３と対向基板２６は互いの一
主面側が対向するように組み合わせられ、これにより得
られる間隙には液晶層２７が挟持されている。
【００１４】図２はこの実施例における共通電極への給
電方法の概略を示す図であり、図２（ａ）は装置の外形
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ部の断面図を表してい
る。図２において、対向基板２６はその一辺がアレイ基
板２３の外側に出るように、シール剤２８により貼り合
わせられている。また、アレイ基板２３に対して露出し
ている共通電極２５の少なくとも一辺に、導電性フィル
ム２９が導電性接着剤３０を介して接続されている。
電方法の概略を示す図であり、図２（ａ）は装置の外形
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ部の断面図を表してい
る。図２において、対向基板２６はその一辺がアレイ基
板２３の外側に出るように、シール剤２８により貼り合
わせられている。また、アレイ基板２３に対して露出し
ている共通電極２５の少なくとも一辺に、導電性フィル
ム２９が導電性接着剤３０を介して接続されている。
【００１５】この実施例では、導電性フィルム２９を、
共通電極２５の一辺全体に沿って、導電性接着剤３０を
介して接続することにより、共通電極２５への電位供給
を行っているので、従来に比べ、給電部の接続抵抗が小
さくなって共通電極２５の電位変動を小さく抑えること
ができる。
共通電極２５の一辺全体に沿って、導電性接着剤３０を
介して接続することにより、共通電極２５への電位供給
を行っているので、従来に比べ、給電部の接続抵抗が小
さくなって共通電極２５の電位変動を小さく抑えること
ができる。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、共通電極への電位供給を、
共通電極の少なくとも一辺に沿って導電性フィルムを導
電性接着剤により接続して行うことにより、共通電極へ
の電位供給箇所を広い範囲にわたって設けることが可能
となる。この結果、共通電極電位の変動を小さく抑える
ことができ、パネルが大型化してもコントラストが高く
クロストークのないアクティブマトリクス型液晶表示装
置が実現できる。
共通電極の少なくとも一辺に沿って導電性フィルムを導
電性接着剤により接続して行うことにより、共通電極へ
の電位供給箇所を広い範囲にわたって設けることが可能
となる。この結果、共通電極電位の変動を小さく抑える
ことができ、パネルが大型化してもコントラストが高く
クロストークのないアクティブマトリクス型液晶表示装
置が実現できる。
【図１】この発明の一実施例における一画素分の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】この発明の一実施例における共通電極への給電
方法の概略を示す図である。
方法の概略を示す図である。
【図３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おける共通電極と信号線の電位波形を示す図である。
おける共通電極と信号線の電位波形を示す図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おける共通電極への給電方法の概略を示す図である。
おける共通電極への給電方法の概略を示す図である。
１０，２４……絶縁基板 １２……行選択線 １８……表示電極 ２１……スイッチング素子 ２２……列選択線 ２３……アレイ基板 ２５……共通電極 ２６……対向基板 ２７……液晶層 ２９……導電性フィルム ３０……導電性接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に複数本の行選択線及び列選
択線を絶縁膜を介して互いに交差するごとく配置し、一
画素となる各交点部分に、スイッチング素子及びこのス
イッチング素子を介して表示電極を設けてなるアレイ基
板と、絶縁基板上に共通電極を形成してなる対向基板と
の間隙に液晶層を挟持してなるアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記共通電極の少なくとも一辺
に沿って、導電性フィルムを導電性接着剤を介して接続
することにより、前記共通電極への電位供給を行うこと
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20206991A JPH0545669A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20206991A JPH0545669A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545669A true JPH0545669A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16451436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20206991A Pending JPH0545669A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0545669A (ja) |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP20206991A patent/JPH0545669A/ja active Pending
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