JPH0545536U - 磁歪式トルクセンサ - Google Patents

磁歪式トルクセンサ

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JPH0545536U
JPH0545536U JP10276991U JP10276991U JPH0545536U JP H0545536 U JPH0545536 U JP H0545536U JP 10276991 U JP10276991 U JP 10276991U JP 10276991 U JP10276991 U JP 10276991U JP H0545536 U JPH0545536 U JP H0545536U
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政彦 島村
秀樹 上岡
一徳 千崎
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日本電子機器株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁歪式トルクセンサにおいて、検出回路をマ
ルチバイブレータ回路からなる発振回路、波形整形回路
および積分回路により構成し、パルスの波高値を調整す
ることにより、パルス面積を調整してトルク零時の初期
調整を容易に行なう。 【構成】 波形整形回路31を構成するオペアンプ32
の出力端子に外部電圧VCOを出力する調整抵抗37を備
えた定電圧回路35を接続する。そして、調整抵抗37
の抵抗調整により外部電圧VCOを調整し、出力電圧V3
の波高値を調整しすることにより、パルス面積を可変に
する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、例えば自動車用エンジンの出力軸等に発生するトルクを検出するの に好適に用いられる磁歪式トルクセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、自動変速機構を備えたオートマチック車等では、例えば自動変速機構 による変速タイミングを適性化するために、プロペラシャフト等にトルクセンサ を取付けるようにすることが提案されている。
【0003】 ここで、本出願人が先に出願した特願平3-254640号による発振回路にマルチバ イブレータを用いたトルクセンサを、図3ないし図6に示し説明する。
【0004】 図3は磁歪式トルクセンサのトルク検出部を示す。図3中において、1は例え ばクロムモリブデン鋼等の磁歪材料から形成された磁歪シャフトを示し、該磁歪 シャフト1は例えばプロペラシャフトの途中に設けられるもので、両端が入力側 取付部1A,出力側取付部1Bとなり、これらの中間はスリット形成部1Cとな り、該スリット溝形成部1Cの外周には下向き45°,上向きに45°に刻設し たスリット溝2,3とがそれぞれ対向して設けられている。
【0005】 4は前記スリット溝形成部1Cの外周を囲むように一対の軸受5,5を介して 磁歪シャフト1と相対的に回転自在に設けられたコイル固定部材を示し、該コイ ル固定部材4は車体側に固着して取付けられる。6は前記コイル固定部材4の内 周側に固着されたリング状のコア部材を示し、該コア部材6にはスリット溝2, 3とそれぞれ対向する位置に検出コイル7,8が設けられ、該検出コイル7,8 の自己インダクタンスはL1 ,L2 となっている。
【0006】 このように構成される2コイル型のトルク検出部においては、検出コイル7, 8に後述する基準電圧VCCを印加すると、磁歪シャフト1の表面に磁路が形成さ れるが、スリット溝形成部1Cの表面にスリット溝2,3が設けられているため 、表面磁界による磁路はスリット溝2,3に沿って形成される。
【0007】 一方、磁歪シャフト1の入力側取付部1Aに図3に示すような矢示方向のトル クTを加えたとすると、スリット溝2には引っ張り応力+σが発生し、スリット 溝3には圧縮応力−σが発生する。そして、磁歪シャフト1に正の磁歪材を用い ている場合、引っ張り応力+σにより透磁率μが増加し、圧縮応力−σにより透 磁率μが減少することが知られている。
【0008】 然るに、検出コイル7,8の自己インダクタンスL1 ,L2 は、
【0009】
【数1】 ただし、μ:透磁率 N:コイル巻線数 S:磁路断面積 となる。
【0010】 また、図4は検出回路を示し、該検出回路は後述する発振回路9,波形整形回 路17,積分回路23および増幅回路26とから大略構成されている。
【0011】 9は発振回路を示し、該発振回路9はコレクタ結合形非安定マルチバイブレー タ回路により構成され、基準電圧VCCおよびアース間に検出コイル7と直列に接 続されたスイッチングトランジスタ10と、該スイッチングトランジスタ10と 対向し、基準電圧VCCおよびアース間に検出コイル8と直列に接続されたスイッ チングトランジスタ11と、前記検出コイル7とスイッチングトランジスタ10 との間の接続点とスイッチングトランジスタ11のベースとの間に接続され、時 定数を設定する抵抗値R1 を有するベース抵抗12と、該ベース抵抗12と対向 するように、前記検出コイル8とスイッチングトランジスタ11との間の接続点 とスイッチングトランジスタ10のベースとの間に並列に接続され、時定数を設 定する抵抗値R2 (=R1 )を有するベース抵抗13とから大略構成されている 。また、14,14は前記検出コイル7,8の出力側とスイッチングトランジス タ10,11との間の接続点とアースとの間にそれぞれツェナーダイオード15 ,15と直列に接続された電流調整抵抗、16,16は前記ベース抵抗12,1 3にそれぞれ並列に接続され、スイッチングトランジスタ10,11での時定数 を小さくするスピードアップコンデンサを示す。なお、トランジスタ10,11 は同一トランジスタを用いるものとする。
【0012】 また、発振回路9は検出コイル7,8の自己インダクタンスL1 ,L2 および ベース抵抗12,13の抵抗値R1 ,R2 から設定される時定数によりスイッチ ングトランジスタ10,11が交互にON状態となり、スイッチングトランジス タ11側のツェナーダイオード15と抵抗14との接続点Aからはパルス波の出 力電圧V1 が波形整形回路17に出力される。
【0013】 そして、この出力電圧V1 のパルス波の波高値は基準電圧VCCに近づき、出力 の立ち上がり時間はトランジスタ10のON時間(TON1 )となり、立ち下がり 時間はトランジスタ11のON時間(TON2 )となる。
【0014】 ここで、トランジスタ10のTON1 は次の数式2のようになる。
【0015】
【数2】 ただし、V02 :検出コイル8の電圧損失 hie1 :トランジスタ22の入力抵抗 hfe :トランジスタ22の直流増幅率 r2 :検出コイル8の鉄損
【0016】 また、トランジスタ11のTON2 は次の数式3のようになる。
【0017】
【数3】 ただし、V01 :検出コイル7の電圧損失 hie1 :トランジスタ23の入力抵抗 hfe :トランジスタ23の直流増幅率 r1 :検出コイル7の鉄損
【0018】 これらの数式2,3により発振周波数fは、
【0019】
【数4】 となり、パルスデューティ比D1 は、
【0020】
【数5】 となる。
【0021】 17は波形整形回路を示し、該波形整形回路17はヒステリシスコンパレータ 回路により構成され、オペアンプ18と、基準電圧VCCとアースとの間に直列に 接続され、該オペアンプ18の非反転端子に入力される判定電圧Vi を設定する 抵抗19,20と、前記オペアンプ18の出力端子に接続されると共に、前記抵 抗19,20の各入力側に接続される帰還抵抗21,22とから構成され、前記 オペアンプ18の反転端子は発振回路9の出力電圧V1 が出力されるスイッチト ランジスタ11の側のツェナーダイオード15と抵抗14との接続点Aに接続さ れている。そして、発振回路9からの出力電圧V1 のパルス波を完全なパルス波 に整形すべく、判定電圧Vi 以下の入力電圧に対して、帰還抵抗21,22によ り設定される波高値の整形電圧V2 を出力する。なお、この波形整形においては 、波高値を設定し直すと共に、立ち上がり時間TON1 と立ち下がり時間TON2 と を反転させて出力するから、積分回路23に出力される整形電圧V2 のパルスデ ューティ比Dは、
【0022】
【数6】 となる。
【0023】 23は積分回路を示し、該積分回路23は抵抗24とコンデンサ25をL形に 接続することによりL形積分回路を構成し、前記波形整形回路17からの整形電 圧V2 を平滑して直流電圧E1 に変換する。
【0024】 26は増幅回路を示し、該増幅回路26はオペアンプ27により構成され、前 記積分回路23からの直流電圧E1 を増幅して、表示器等に出力する。
【0025】 また、図5は波形整形回路17からの整形電圧V2 を示したもので、磁歪シャ フト1にトルクを加えない場合、磁歪シャフト1に図3の矢示方向にトルク(以 下、「正方向のトルク」という)を加えた場合、磁歪シャフト1に図3の矢示方 向の逆にトルク(以下、「負方向のトルク」という)を加えた場合の特性線図を 表している。
【0026】 ここで、磁歪シャフト1にトルクを加えない場合には、ベース抵抗12,13 を調整することにより、前記数式5のパルスデューティ比D1 (即ち、パルスデ ューティ比D)が50%になるように設定されている。
【0027】 次に、磁歪シャフト1に正方向のトルクを加えた場合には、該磁歪シャフト1 に刻設されたスリット溝2側では引張り応力+σにより透磁率μが増加し、該ス リット溝2に対向する検出コイル7の自己インダクタンスL1 が増加し、一方ス リット溝3側では圧縮応力−σにより透磁率μが減少し、該スリット溝3に対向 する検出コイル8の自己インダクタンスL2 が減少する。これにより、発振回路 9から出力される出力電圧V1 の立ち上り時間TON1 および立ち下がり時間TON 2 との関係は、前記数式2,3からTON1 <TON2 となる。さらに、出力電圧V 1 は波形整形回路17により反転されるからTON1 >TON2 となり、図5中の中 段に示すような波形となる。
【0028】 一方、、磁歪シャフト1に負方向のトルクを加えた場合には、発振回路9から 出力される出力電圧V1 においては、TON1 >TON2 のパルス波形が出力され、 波形整形回路17により、TON1 <TON2 となって、図5中の下段に示すような 波形となる。
【0029】 次に、磁歪シャフト1にトルクを加えたときのパルスデューティ変化率αにつ いて説明する。このパルスデューティ変化率αは、トルクが零のときのパルスデ ューティ比D0 を基準とした変化率αを示し、次の数式7のように演算すること ができる。
【0030】
【数7】
【0031】 ここで、このパルスデューティ変化率αは積分回路23からの直流電圧E1 の 変化に対応しているから、トルク印加が零のときの直流電圧E1 の電圧値を基準 として、線形の特性を得ることができ、増幅回路26からは図6に示す特性線2 8の如く、トルクの大きさに比例した直流電圧Eを出力する。
【0032】 かくして、先行技術によれば、磁歪シャフト1に加わるトルクを検出する検出 コイル7,8を回路構成の一部にしたマルチバイブレータ回路により発振回路9 を構成し、この発振回路9からの出力電圧V1 に波形整形回路17,積分回路2 3等を接続することにより、磁歪シャフト1に加わるトルクにより、波形整形回 路17からの整形電圧V2 のパルスデューティ比Dを変化させ、このパルスデュ ーティ比Dの変化により、トルクを直流電圧Eとして検出し、高精度のトルク検 出を行なうことができる。
【0033】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、上述した先行技術では、初期調整(磁歪シャフト1にトルクを加え ないとき)において、磁歪シャフト1に加えるトルクTの方向によらず検出精度 を向上させるために、TON1 =TON2 (パルスデューティ比を50%)となるよ うに発振器9のベース抵抗12,13を調整してパルス幅を変化させ、図6に示 すように特性線28になるようにしている。そして、特性線28に対して点線の ようなずれがあった場合では、各トランジスタ10,11の立ち上がり時間を調 整することで、特性線28になるようにしているため、ベース抵抗12,13の 微調整が非常に困難になるという問題がある。
【0034】 本考案は上述した先行技術の問題に鑑みなされたもので、本考案は初期調整を 簡単にできる磁歪式トルクセンサを提供することを目的としている。
【0035】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために本考案が採用する構成の特徴は、検出回路の初 期調整時のパルス波高値を可変するため、波形整形回路の出力側に可変電圧印加 手段を設けたことにある。
【0036】
【作用】
上記構成により、磁歪シャフトにトルクを加えていない初期状態の時に、発振 回路から発生するパルスのパルスデューティが50%でない場合でも、波高値を 調整することにより、パルス面積を一定に設定することができる。
【0037】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図1および図2に基づき説明する。なお、実施例では 前述した先行技術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するも のとする。
【0038】 図中、31は本実施例の波形整形回路を示し、該波形整形回路31は発振回路 9と積分回路23との間に接続されている。そして、該波形整形回路31は先行 技術の波形整形回路17とほぼ同様にヒステリシスコンパレータ回路により構成 され、オペアンプ32と、基準電圧VCCとアースとの間に直列に接続され、該オ ペアンプ32の非反転端子に入力される判定電圧Vi を設定する抵抗33,34 とを有しているものの、前記オペアンプ32はオープンコレクタ式のコンパレー タが用いられ、その出力端子には外部に設けられた直流の外部電圧VCOを発生す る定電圧回路35が抵抗36を介して接続されている点で異なる。
【0039】 ここで、定電圧回路35には調整抵抗37が備えられ、該調整抵抗37を調整 することにより定電圧回路35から出力される外部電圧VCOを調整するようにな り、この定電圧回路35で可変電圧印加手段を構成している。
【0040】 また、発振回路9からの出力電圧V1 のパルス波を完全なパルス波に整形すべ く、判定電圧Vi 以下の入力電圧に対して、外部電圧VCOを調整抵抗37で調整 した波高値V3Oの整形電圧V3 (図2参照)を出力する。
【0041】 このように構成される磁歪式トルクセンサにおいては、前述した先行技術と同 様の検出動作によって、磁歪シャフト1に加わるトルクTを検出することができ る。
【0042】 次に、磁歪シャフト1に加わるトルクTが零のときの初期調整について、図2 および図6を参照しつつ説明する。
【0043】 ここで、初期状態(トルク零)の時に、直流電圧Eがトルク零時の電圧E0 よ りも高いとき(即ち、図6の点線28´のとき)には、定電圧回路35から出力 される外部電圧VCOを調整抵抗37を調整することにより小さくし、図2に示す 整形電圧V3 の波高値V3Oを点線で示す波高値V3O´に減少させる。そして、積 分回路23ではこの波高値V3O´となったパルスの面積を算出するから、図6に 示す特性線28に容易に調整することができる。
【0044】 一方、初期状態(トルク零)の時に、直流電圧Eがトルク零時の電圧E0 より も低いとき(即ち、図6の点線28´´のとき)には、定電圧回路35から出力 される外部電圧VCOを調整抵抗37を調整することにより大きくして、パルス面 積を大きくして特性線28に調整する。
【0045】 かくして、本実施例においては、発振回路9からのパルス波形の波高値を波形 整形回路31の外部電圧VCOを調整抵抗37で調整することにより、容易に変化 させることができ、磁歪シャフト1にトルクを加えないときの初期調整を先行技 術に較べて容易に行なうことができる。
【0046】 なお、前記実施例では、波形整形回路31の出力側に設けた可変電圧印加手段 を調整抵抗37を備えた定電圧回路35を用いるようにしたが、本考案の可変電 圧印加手段はこれに限らず、電圧調整用レギュレータを用いてもよい。
【0047】 また、前記実施例では2コイル型のトルクセンサについて述べたが、本考案は これに限らず、4コイル型のトルクセンサに用いることもできる。
【0048】
【考案の効果】
以上詳述した如く、本考案によれば、検出回路のパルスの波高値を可変にする 可変電圧印加手段を波形整形回路の出力側に設けたから、磁歪シャフトにトルク が加わらないときの初期調整時には、可変電圧印加手段を用いてパルス波の波高 値を調整することによりパルス面積を調整すればよく、容易に初期調整を行なう ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例による磁歪式トルクセンサの検
出回路を示す回路構成図である。
【図2】実施例による初期調整時に波形整形回路からの
出力されるパルス波の波高値を調整する状態を示す説明
図である。
【図3】先行技術による磁歪式トルクセンサの構成図で
ある。
【図4】先行技術による磁歪式トルクセンサの検出回路
を示す回路構成図である。
【図5】トルクを加えた場合のトルクと波形整形回路か
らの出力されるパルスとの関係を示す特性線図である。
【図6】トルクと増幅回路から出力される直流電圧との
関係を示す特性線図である。
【符号の説明】
1 磁歪シャフト 7,8 検出コイル 9 発振回路 23 積分回路 31 波形整形回路 35 定電圧回路 37 調整抵抗 L1 ,L2 自己インダクタンス VCO 外部電圧

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁歪シャフトと、該磁歪シャフトの外周
    側に設けられた少なくとも一対の検出コイルと、該各検
    出コイルのインダクタンスの変化を電圧として出力する
    検出回路を備え、該検出回路は、各検出コイルからのイ
    ンダクタンスにより発振させてパルスに変換するマルチ
    バイブレータ式の発振回路と、該発振回路からの発振パ
    ルスを整形する波形整形回路と、該波形整形回路からの
    整形パルスを積分する積分回路とから構成してなる磁歪
    式トルクセンサにおいて、前記検出回路の初期調整時の
    パルス波高値を可変するため、前記波形整形回路の出力
    側に可変電圧印加手段を設けたことを特徴とする磁歪式
    トルクセンサ。
JP1991102769U 1991-11-18 1991-11-18 磁歪式トルクセンサ Expired - Lifetime JP2545763Y2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6044841A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Mitsubishi Electric Corp トルク検出装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6044841A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Mitsubishi Electric Corp トルク検出装置

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