JPH054512U - 温度ヒユーズ内蔵電界効果トランジスタ - Google Patents

温度ヒユーズ内蔵電界効果トランジスタ

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Publication number
JPH054512U
JPH054512U JP057187U JP5718791U JPH054512U JP H054512 U JPH054512 U JP H054512U JP 057187 U JP057187 U JP 057187U JP 5718791 U JP5718791 U JP 5718791U JP H054512 U JPH054512 U JP H054512U
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JP
Japan
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effect transistor
field effect
built
field
temperature fuse
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Pending
Application number
JP057187U
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English (en)
Inventor
博 竹村
敦 広野
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電界効果トランジスタの異常発熱時に発煙や
発火を伴うことなく電流を遮断することができる手段を
提供する。 【構成】 この温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ
８は、電界効果トランジスタ８ａと、そのソースまたは
ドレインに直列に接続されていて当該電界効果トランジ
スタ８ａの接合温度の最高値付近で溶断する温度ヒュー
ズ８ｂとを同一のパッケージ内に収納して成る。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この考案は、例えばスイッチング電源装置のスイッチング素子やその他の電気 回路等に用いられる温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は、スイッチング電源装置の基本的な構成例を示す回路図である。
【０００３】 このスイッチング電源装置は、トランス２の一次巻線２ａにスイッチング素子 としての電界効果トランジスタ４を直列に接続し、かつ同トランス２の帰還巻線 ２ｃの出力を抵抗６等を介して電界効果トランジスタ４のゲートに帰還するよう 構成されている。２ｂは二次巻線である。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
上記のようなスイッチング電源装置においては、何らかの原因で電界効果トラ ンジスタ４が異常発熱を起こしてそれが過熱破壊する場合があるが、このとき従 来は発煙や発火を伴う恐れがあり、これが製造物責任（ＰＬ）等の観点から問題 になっている。
【０００５】 そこでこの考案は、電界効果トランジスタの異常発熱時に発煙や発火を伴うこ となく電流を遮断することができる手段を提供することを主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この考案の温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ は、電界効果トランジスタと、そのソースまたはドレインに直列に接続されてい て当該電界効果トランジスタの接合温度の最高値付近で溶断する温度ヒューズと を同一のパッケージ内に収納して成ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】
上記構成によれば、電界効果トランジスタが異常発熱を起こした場合、内蔵の 温度ヒューズが溶断して電流を遮断するので、発煙や発火を防ぐことができる。
【０００８】
【実施例】
図１は、この考案に係る温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタを用いたスイ ッチング電源装置の構成例を示す回路図である。図２の例と同一または相当する 部分には同一符号を付し、以下においては当該例との相違点を主に説明する。
【０００９】 この実施例においては、スイッチング素子として従来の電界効果トランジスタ ４の代わりに温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ８を用いている。この温度 ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ８は、電界効果トランジスタ８ａと温度ヒュ ーズ８ｂとを同一のパッケージ（例えばモールド樹脂）内に収納したものである 。この温度ヒューズ８ｂは、電界効果トランジスタ８ａの接合温度の最高値付近 で溶断するものであり、図示例のように電界効果トランジスタ８ａのドレイン側 に直列に挿入しても良いし、ソース側に直列に挿入しても良い。
【００１０】 このような温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ８を用いれば、何らかの原 因によってその電界効果トランジスタ８ａが異常発熱を起こした場合、それが発 煙、発火する前に内蔵の温度ヒューズ８ｂが電界効果トランジスタ８ａの熱を検 知して溶断して電流を遮断するので、発煙や発火を防ぐことができる。従って安 定性を高めることができる。
【００１１】 なお、このような温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ８は、図示例以外の スイッチング電源装置、更には他の電気回路、電気機器等に広く利用することが できる。
【００１２】
【考案の効果】
以上のようにこの考案によれば、電界効果トランジスタが異常発熱を起こした 場合、内蔵の温度ヒューズが溶断して電流を遮断するので、発煙や発火を防ぐこ とができ、従って安定性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この考案に係る温度ヒューズ内蔵電界効果ト
ランジスタを用いたスイッチング電源装置の構成例を示
す回路図である。
【図２】 スイッチング電源装置の基本的な構成例を示
す回路図である。
【符号の説明】
８ 温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ ８ａ 電界効果トランジスタ ８ｂ 温度ヒューズ

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 電界効果トランジスタと、そのソースま
    たはドレインに直列に接続されていて当該電界効果トラ
    ンジスタの接合温度の最高値付近で溶断する温度ヒュー
    ズとを同一のパッケージ内に収納して成ることを特徴と
    する温度ヒューズ内蔵電界効果トランジスタ。
JP057187U 1991-06-26 1991-06-26 温度ヒユーズ内蔵電界効果トランジスタ Pending JPH054512U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260542A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Tokin Corp ヒューズ内蔵型静電誘導型トランジスタ
JP2011503895A (ja) * 2007-11-12 2011-01-27 韓國電子通信研究院 金属−絶縁体転移素子を用いたトランジスタの発熱制御回路及びその発熱制御方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260542A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Tokin Corp ヒューズ内蔵型静電誘導型トランジスタ
JP2011503895A (ja) * 2007-11-12 2011-01-27 韓國電子通信研究院 金属−絶縁体転移素子を用いたトランジスタの発熱制御回路及びその発熱制御方法

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