JP4439748B2 - 回路保護装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度異常を検出し電気回路を保護する回路保護装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の回路保護装置は、図2に示したように構成されている。図2に示すように、電気回路1に接続された入力端子3の一端と電気回路1との間に温度ヒューズF1を用いていた。このとき、温度ヒューズF1は電気回路1のメイン素子等の温度検出を必要とする温度検出部分に密着させて実装する。このように配置することで温度検出部分が設定温度を超えたとき、温度ヒューズF1の切断により電気回路1の入力端子3からの電力供給の入力を遮断する。
【0003】
また、他の例として図3に示すように、電気回路1に接続された入力端子3の一端と電気回路1との間にトランジスタQ1が接続されており、トランジスタQ1のベースと電気回路1に接続された入力端子3の他端との間に抵抗R1とトランジスタQ2が直列に接続されている。さらに、トランジスタQ2のベースと電気回路1内に設けられた温度検出手段4が接続されている。
【0004】
温度検出手段4により電気回路1内の過熱等の異常温度を検出した場合、トランジスタQ2がOFFされ、それによりトランジスタQ1がOFFして電気回路1への入力端子3からの電力供給を遮断し、電気回路1を保護していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成の回路保護装置に用いられる従来の温度ヒューズは、価格が高いことや、取り付ける際のハンダ付けの温度で温度ヒューズが切断してしまうなどの問題があった。
【0006】
また、図3に示した従来例の回路保護装置の場合には、過熱状態から通常の状態に戻るとトランジスタもONとなり電気回路への電力供給が再開されるため、過熱の原因が電力供給に伴う電気回路の異常にあるような場合、再度過熱することになり、電気回路の根本的な破壊に至るという問題があった。
【0007】
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、ハンダ付けによる取り付け時の温度により温度ヒューズを切断してしまう可能性のある温度ヒューズを用いることなく、電気回路への電力供給を完全に断ち、何度も異常状態を繰り返す電力供給を防ぎ、電気回路を完全に破壊させることのない回路保護装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明に係る回路保護装置は、電気回路に接続された入力端子の一端と電気回路との間に設けた第1のトランジスタと、第1のトランジスタのベースと電気回路に接続された入力端子の他端との間に直列接続された第1の抵抗およびヒューズと、第1の抵抗とヒューズとの接続端と入力端子の一端との間に並列接続された第2の抵抗および第2のトランジスタと、第2のトランジスタのベースと接続された電気回路内に設けた温度検出手段とを備え、温度検出手段の異常温度検出によりヒューズに過電流を流してヒューズを切断することを特徴とする。
【0009】
また、前記第1のトランジスタをMOSFETとしたことを特徴とする。
【0010】
これらの構成によれば、温度検出手段により異常温度を検出するとヒューズに過電流を流して切断することで、電気回路への電力供給を完全に断ち、何度も異常状態を繰り返して電気回路に電力供給することを防ぎ、また、トランジスタに代えMOSFETを用いて、より電力損失を少なくすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【0012】
図1は本発明の実施の形態における回路保護装置の構成を示したものである。図1に示すように、電気回路1に接続される入力端子3の一端と電気回路1との間にMOSFET Q4が接続されており、さらに、MOSFET Q4のゲートと電気回路1に接続された入力端子3の他端との間に抵抗R2およびヒューズF2が直列に接続されている。
【0013】
また、抵抗R2とヒューズF2の接続端と電気回路1に接続された入力端子3の他端との間に抵抗R3およびトランジスタQ3が並列に接続されており、さらに、トランジスタQ3のベースは電気回路1内に設けた温度検出手段4と接続されている。
【0014】
以上のように構成される本実施の形態の動作を図1を参照し説明する。いま、電気回路1の部品や回路に故障等の異常が発生して、電気回路1内の温度が異常に上昇した場合に、温度検出手段4により電気回路1内の異常温度を検出する。この温度検出手段4からの出力によってトランジスタQ3をONさせる。トランジスタQ3がONすることでヒューズF2に過大な電流が流れるため、ヒューズF2は切断される。
【0015】
そして、ヒューズF2が切断されることによりMOSFET Q4のゲート−ソース間の電圧が常にスレッショルド電圧より低くなり、MOSFET Q4は永久にOFFしているので、電気回路1に電力を供給することがなくなり、安全に電気回路1を保護することができる。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、取り付け時のハンダ付け温度により温度ヒューズを切断してしまう可能性のある高価な温度ヒューズを用いる必要がなく、電気回路の異常温度上昇の検出により過大な電流をヒューズに流してヒューズを切断してMOSFETを常にOFFさせることで、電気回路の異常温度上昇が一度検出されれば電気回路への電力供給を完全に断ち、何度も異常状態を繰り返して電気回路を完全に破壊されることを防ぐことができ、MOSFETを用いることでより電力損失を少なくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における回路保護装置の構成を示す図
【図2】従来の回路保護装置の構成を示す図
【図3】従来の回路保護装置の他の構成を示す図
【符号の説明】
1 電気回路
3 入力端子
4 温度検出手段
Q1,Q2,Q3 トランジスタ
Q4 MOSFET
F1 温度ヒューズ
F2 ヒューズ
R1,R2,R3 抵抗
Claims (2)
- 電気回路に接続された入力端子の一端と前記電気回路との間に設けた第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのベースと前記電気回路に接続された入力端子の他端との間に直列接続された第1の抵抗およびヒューズと、前記第1の抵抗と前記ヒューズの接続端と前記入力端子の一端との間に並列接続された第2の抵抗および第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのベースと接続された前記電気回路内に設けた温度検出手段とを備え、
前記温度検出手段の異常温度検出により前記ヒューズに過電流を流して前記ヒューズを切断することを特徴とする回路保護装置。 - 前記第1のトランジスタをMOSFETとしたことを特徴とする請求項1記載の回路保護装置。
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