JPH0544439B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0544439B2 JPH0544439B2 JP59223079A JP22307984A JPH0544439B2 JP H0544439 B2 JPH0544439 B2 JP H0544439B2 JP 59223079 A JP59223079 A JP 59223079A JP 22307984 A JP22307984 A JP 22307984A JP H0544439 B2 JPH0544439 B2 JP H0544439B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- crystal
- diameter
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22307984A JPS61101486A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22307984A JPS61101486A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61101486A JPS61101486A (ja) | 1986-05-20 |
JPH0544439B2 true JPH0544439B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-07-06 |
Family
ID=16792506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22307984A Granted JPS61101486A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61101486A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7106978B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2022-07-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置及び単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5756768U (enrdf_load_stackoverflow) * | 1980-09-17 | 1982-04-02 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22307984A patent/JPS61101486A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61101486A (ja) | 1986-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6046998A (ja) | 単結晶引上方法及びそのための装置 | |
JP2008031019A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
JP3907727B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JP3698080B2 (ja) | 単結晶引上げ方法 | |
JP2509477B2 (ja) | 結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
JPH0544439B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP2011079693A (ja) | 半導体単結晶の製造装置 | |
JPS5930795A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JPS6054994A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
JPH04305091A (ja) | 単結晶引上方法及びその装置 | |
JPH09227278A (ja) | 単結晶育成方法 | |
JP3584497B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
JP2018177542A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法及び酸化物単結晶引き上げ装置 | |
JPH07109195A (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
JP2600944B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
JPS62197398A (ja) | 単結晶の引上方法 | |
JP2022186036A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPH09227279A (ja) | 単結晶育成方法 | |
JPH01164790A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
KR101339151B1 (ko) | 단결정 실리콘 잉곳 제조 장치 및 방법 | |
JPS60180993A (ja) | GaAs単結晶の引上方法 | |
JPH02124792A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JPH09227280A (ja) | 単結晶育成方法 | |
JPH04270191A (ja) | 酸化物単結晶の育成方法 | |
JPH068236B2 (ja) | 単結晶の育成方法 |