JPH0544074A - 酸化防止剤、めつき浴用助剤およびこれを用いためつき浴 - Google Patents
酸化防止剤、めつき浴用助剤およびこれを用いためつき浴Info
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- JPH0544074A JPH0544074A JP3324594A JP32459491A JPH0544074A JP H0544074 A JPH0544074 A JP H0544074A JP 3324594 A JP3324594 A JP 3324594A JP 32459491 A JP32459491 A JP 32459491A JP H0544074 A JPH0544074 A JP H0544074A
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Abstract
特徴とする酸化防止剤。この化合物はめっき浴用助剤と
して有用であり、これを添加しためっき浴は易酸化性の
金属イオンと併用したとき特に有効である。 【効果】本発明の酸化防止剤は、酸化を受け易い金属イ
オンの低い原子価から高い原子価への酸化を極めて有効
に防止する。また、ヒドロフェノール系酸化防止剤のよ
うに非イオン系界面活性剤の点を低下させることもな
い。また、本発明のめっき浴用助剤を添加しためっき浴
を用いれば、外観の良好な電着物皮膜が得られ、かつ、
陰極電流効率が高く、浴中成分の酸化が長期間に亘って
防止できる。
Description
酸化を受け易い金属を含有するめっき浴に酸化防止のた
めに用いるのに適しためっき浴用助剤およびそれを用い
ためっき浴に関する。
オンを含有するめっき浴においては、低い原子価として
存在する金属イオンが空気酸化や電解酸化等により高い
原子価に変えられる。かかる高原子価の金属イオンは、
しばしば不溶性沈殿物を生じ、めっき皮膜に悪影響を及
ぼす可能性がある。また、めっき液中の低原子価金属イ
オン濃度が減少するために析出速度が低下したり、合金
においてはめっき皮膜中の析出比率が変化する等の悪影
響を受ける。
剤としては、例えば、ヒドラジン化合物、アスコルビン
酸、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ホルマ
リン、p−クレゾールスルホン酸、フェノールスルホン
酸等が知られている。
が充分でないという問題点を有する。その為多量に使用
して廃液処理の問題が生じる場合がある。また、カテコ
ール等のヒドロキンフェノール系酸化防止剤は、めっき
浴成分としてしばしば用いられる非イオン性界面活性剤
の曇点を低下させ、浴のにごりの原因となる場合もあ
る。
代表的である。これらのめっき浴には従来より種々の基
剤および助剤が用いられており、めっき皮膜の外観を良
好にし、陰極電流効率の向上や浴の安定化を図る試みが
なされている。
書には、錫および/または鉛めっき浴中にナフタレンモ
ノカルボキシアルデヒドを単独でまたは或種の置換オレ
フィンと組合わせて助剤として使用することにより電着
物皮膜の光沢が改良されることが記載されている。
アルカンスルホン酸またはアルカノールスルホン酸と、
スルホン酸の2価錫塩または2価鉛塩の何れか或いはこ
れらの混合物とを基剤として含有するめっき浴に、1種
またはそれ以上の特定されたカチオン性、両性および/
または非イオン性界面活性剤と1種またはそれ以上のス
ルファニル酸誘導体等の平滑剤とを助剤として添加する
ことによって調製されるめっき浴が開示されている。該
明細書には、かかるめっき浴の性能がホウフッ化物を含
有するめっき浴に比し勝るとも劣らないことが示唆され
ている。
エン酸またはその塩を基剤とする錫または錫合金めっき
浴に、或種のポリオキシアルキレン化合物および、所望
によりアルデヒド誘導体を助剤として添加することによ
り良好な電着物皮膜が得られることが記載されている。
置換または非置換のモノヒドロキシベンゼンスルホン酸
ならびにα−およびβ−ナフトールスルホン酸誘導体が
めっき浴の助剤として使用されることが開示されてい
る。これらのスルホン酸化合物は、浴の安定性を維持し
て電着物の光沢性を良くし、かつ粒子を緻密にすること
が記載されている。
は、公知の酸性浴基剤である硫酸、ホウフッ酸、ピロリ
ン酸等の無機酸あるは無機酸塩に代えて下記の一般式
4 、R5 、R6 、R7 はそれぞれ水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アリール基、水酸基、アルデヒド基、
カルボキシル基、ニトロ基、アミノ基、メルカプト基、
スルホン酸基より選ばれる]にて示される芳香族系スル
ホン酸と該芳香族スルホン酸の錫、鉛、銅、亜鉛、ニッ
ケル等の金属錯塩を基剤とする電着浴より該金属塩に相
当する金属電着物を得ることを特徴とする電着方法が開
示されており、かかる基剤を用いた浴は廃水処理等の公
害問題の解決を容易ならしめ、従来の無機酸よりも本質
的に良好な電着物を与えることが記載されている。
α線発生量の少ない芳香族スルホン酸および芳香族スル
ホン酸の鉛塩、錫塩を基剤として含有するハンダ用めっ
き液が開示されている。かかるめっき浴を用いてめっき
を行った基板は、α線発生量が少なく、メモリーエラー
発生を著しく抑制するハンダ合金をめっきすることがで
きると記載されている。
剤および基剤を種々組合わせて添加した錫または鉛ある
いはこれらの合金めっき浴においては未だ充分満足でき
る程度に電着物皮膜の外観や陰極電流効率ならびに浴中
成分の酸化防止を達成するまでには到っていない。さら
に、本発明のごとく、2個以上のOH基を有する芳香族
スルホン酸をかかる問題点を解消するためにめっき浴中
に助剤として添加することを開示した分献も見当たらな
い。
防止能が極めて高く、かつ廃液問題を生じさせず、非イ
オン界面活性剤の曇点を低下させない酸化防止剤を提供
しようとするにある。
おいて良好なめっき皮膜を形成でき、かつ陰極の電流効
率を高め、めっき浴中成分の酸化防止を長期間持続し得
るめっき浴用助剤およびこれを用いためっき浴を提供し
ようとするにある。
とき問題点に鑑み、酸化防止能が極めて高く、かつ、廃
液問題を生じさせず、非イオン界面活性剤の曇点を低下
させない酸化防止剤を得るべく鋭意研究を重ねてきた。
点に鑑み、広い電流密度範囲において良好なめっき皮膜
を形成でき、かつ、陰極の電流効率を高め、めっき浴中
成分の酸化防止を長期間持続しうるめっき浴用助剤を得
るべく鋭意研究を重ねてきた。
族スルホン酸化合物の少なくとも1種よりなるものが酸
化防止剤として極めて有用であることを見い出した。そ
して、この酸化防止剤は易酸化性めっき種を含むめっき
浴用の助剤として用いると上記の目的をよく達成するこ
とを見い出し本発明に至った。
基、炭素数1〜6のアルコキシ基、CF3 基、ニトロ
基、ハロゲン基、−COR基(Rは炭素数1〜6のアル
キル基)、−CO2 H基、−N(R)(R’)基(Rお
よびR’は同一または異なっていてもよい炭素数1〜6
のアルキル基でRおよびR’が一緒になって環を形成し
てもよい)、−SH基、−SR基(Rは炭素数1〜6の
アルキル基)、−OR”基(R”はアリール基)、アリ
ール基;lは0〜5の整数;mは2〜5の整数、nは1
〜5の整数;但し、l+m+nは8を越えることはな
く、Arがベンゼン環の場合OH同士が互いにパラ位に
位置することはない]で示される化合物の1種または2
種以上からなることを特徴とする酸化防止剤を提供する
ものである。
剤として極めて有用である。
性金属イオンおよび式(I)で示されるめっき浴用助剤
を添加しためっき浴を提供する。このめっき浴には、ア
ルカンスルホン酸またはアルカノールスルホン酸、界面
活性剤、錯化剤などを添加してもよい。
ず、本発明の酸化防止剤について述べる。
にて示される化合物を少なくとも1種含むものである。
この酸化防止剤は、以下の説明では易酸化性金属イオン
を含むめっき浴を代表例としてその効能を説明するが、
この用途に限られず、例えば、金属表面処理、工業用冷
却水、熱交換器用媒体などに防錆、防蝕の目的で用いる
ことができる。
化合物としては、カテコールスルホン酸、レゾルシンス
ルホン酸、ピロガロールスルホン酸、フロログルシンス
ルホン酸、2,7−ジヒドロキシナフタレンスルホン
酸、1,4−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸、1,
7−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸等のジヒドロキ
シナフタレンスルホン酸、カテコールジスルホン酸、ハ
イドロキノンジスルホン酸、レゾルシンジスルホン酸、
ピロガロールジスルホン酸、フロログルシンジスルホン
酸、2,7−ジヒドロキシナフタレンジスルホン酸、
1,4−ジヒドロキシナフタレンジスルホン酸、1,7
−ジヒドロキシナフタレンジスルホン酸、2,3−ジヒ
ドロキシ−1−ホルミルベンゼンスルホン酸、2,3−
ジヒドロキシ−1−カルボキシベンゼンスルホン酸、
3,4−ジヒドロキシ−1−クロロベンゼンスルホン
酸、1,2−ジヒドロキシ−3−メトキシベンゼンスル
ホン酸、1,2−ジヒドロキシ−4−メチルベンゼンス
ルホン酸、1,8−ジヒドロキシナフタレン−3,6−
ジスルホン酸、2,3−ジヒドロキシピリジンスルホン
酸、2,4−ジヒドロキシノリンスルホン酸、2,3−
ジヒドロキシキノキサリンスルホン酸、1,3−ジヒド
ロキシ−1−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸等
が挙げられる。
法で製造でき、その一例を挙げると、ジヒドロキシ芳香
族化合物をスルホン化することにより製造することがで
きる。
を用いためっき浴について詳細に説明する。
化防止能故に易酸化性金属イオンを含むめっき浴用助剤
として有用である。しかし、これは単に酸化防止を行う
のみではなく、広い電流密度範囲において良好なめっき
皮膜を形成でき、かつ、陰極の電流効率を高める作用を
有する。
0.01〜50g/l、好ましくは、0.1〜10g/
lの濃度にて配合する。配合量は、0.01g/l未満
では酸化防止が十分に行なわれず、50g/lをこえて
も効果が飽和するだけでなく、過剰添加による無駄とな
るだけなので、0.01〜50g/lの範囲内とするの
がよい。
できるめっき浴としては、多数の原子価段階で現れ酸化
され易い金属イオンを、好ましくは0.5〜300g/
l含有する一般公知の、あるいは新規のめっき浴を用い
ることができる。
浴、有機スルホン酸塩浴、ホウフッ化物浴、スルファミ
ン酸塩浴、ピロリン酸塩浴、塩化物を用いる塩化物浴等
の酸性浴、塩化アンモニウム、ほう酸アンモニウム、酢
酸ナトリウムやクエン酸、グルコン酸等の有機酸を含有
する中性浴およびNaOH、KOH、Na4 P2 O5、
Na2 HPO4 ・12H2 O、K2 P2 O7 ・3H2
O、K4 P2 O7 ・3H 2 O等を含むアルカリ浴等の一
般公知の電気めっき浴および無電解めっき浴が挙げられ
る。
例えば、錫、鉄、鉛、モリブデン、タングステン等が挙
げられる。特に、容易に酸化されやすい金属イオンに有
効である。めっき浴にはこれらの金属イオンの他に、こ
れらの金属と合金をなすための他の金属イオンを含有せ
しめてもよいし、Al2 O3 、SiO2 などの複合めっ
きを行なうための酸化物を含有せしめてもよい。
金属イオンを少なくとも1種、および上述した一般式
(I)で示される化合物を少なくとも1種を必須成分と
して含む。この他に、錯化剤、アルカンスルホン酸また
はアルカノールスルホン酸、界面活性剤を含有していて
もよい。
ルホン酸またはアルカノールスルホン酸の例を以下に示
す。メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンス
ルホン酸、2−プロパンスルホン酸、ブタンスルホン
酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキ
サンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン
酸などである。これらのアルカンスルホン酸は単独でま
たは2種以上の混合物として使用できる。
ン酸(2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸)、2−
ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、1−ヒドロキシ
プロパン−2−スルホン酸、3−ヒドロキシプロパン−
1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタン−1−スルホン
酸、4−ヒドロキシブタン−1−スルホン酸、2−ヒド
ロキシペンタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシヘキ
サン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシデカン−1−ス
ルホン酸、2−ヒドロキシドデカン−1−スルホン酸で
ある。これらのヒドロキシ含有アルカンスルホン酸は単
独でまたは2種以上の混合物として使用できる。
性剤の例を以下に示す。
び高級アルコール、アルキルフェノール、脂肪酸、アミ
ン、アルキレンジアミン、脂肪酸アミド、スルホンアミ
ド、りん酸、多価アルコール、グルコシド等のポリオキ
シアルキレン付加物が好ましく、具体的には、エマルゲ
ンB−66、エマルゲンL−40(花王(株)製)、ア
デカトールPC−10、テトロニック701、702、
704(旭電化(株)製)、ノイゲンEN−10、ディ
スコールN−512、ディスコールAN−715(第一
工業薬(株)製)、ニューコール2616F、BA−8
グリコール、BA−10グリコール、ニューコール70
7、ニューコール569E(日本乳化剤(株)製)、T
DMNS−8、TAMNO−15(日光ケミカル(株)
製)、アミゼット10C(川研ケミカル(株)製)、エ
ソマイドHT/60(ライオン(株)製)、サーフィノ
ール465(日信化学(株)製)、セドランFF21
0、50HB−100、50HB−660、50HB−
5100(三洋化成(株)製)等があげられる。
〜100g/l、好ましくは0.5〜20g/lの量で
使用される。
形で表わして、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウ
ム塩、セチルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルト
リメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアン
モニウム塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニ
ウム塩、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステ
アリルジメチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベン
ジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジル
アンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモ
ニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエ
チルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウ
ム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム
塩、ラウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリ
ニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミ
ンアセテート、オクタデシルアミンアセテート等が挙げ
られる。
〜30g/l、好ましくは0.1〜5g/lの量で使用
される。
が使用でき、例えば、アルキルカルボキシベタイン型と
して、アンヒトール20BS(花王)、スワノールAM
−301(日本サーファクタント)、アモーゲンK(第
一工業製薬);アルキルアミノカルボン酸型として、レ
ボン15(三洋化成)、オバノール516(東邦化
学)、リポミンLA(ライオン);アルキルイミダゾリ
ン型として、レボン101−H(三洋化成)、オバゾリ
ン662(東邦化学)、エナジコールCNS(ライン)
等が挙げられる。
g/l、好ましくは0.1〜5g/lの量で使用され
る。
しては、グルコン酸、くえん酸、酒石酸、マロン酸など
を代表的に挙げることができる。
還元剤、pH調整剤、緩衝剤等の他の助剤を本発明の効
果を損わない範囲にて適宜使用することができる。
き、ラックめっき、高速連続めっき、スルーホールめっ
き、ジェットめっき等任意の方式のめっき浴に好適に用
いることができる。
度0.1〜800A/dm2 、浴温1〜80℃およびp
H1〜12の範囲にて使用できる、電解電流としては直
流電流の他にパルス電流あるいは特殊波形電流を用いる
こともできる。めっき浴の撹拌は高速めっきを行なう場
合には重要であり、特に、鋼帯の高速連続めっきの場合
には相対速度で100〜200m/分程度の撹拌が望ま
しい。
は特に限定されず、例えば、銅、真ちゅう等の銅合金、
ニッケル、鉄、鉄合金等に好適にめっきを行なうことが
できる。
らに具体的に説明する。しかし、本発明はこれらに限定
されるものではない。
調整し、フッ素樹脂製回転子にて撹拌しながら内径5m
mのプラスチックチューブより600ml/分の流量に
て空気を吹き込んだ。ついで、4週間後に2価の錫イオ
ン濃度をI2 による酸化還元滴定法にて測定し、初期濃
度と比較することにより酸化防止効果を評価した。その
結果を表1に示す。
電解条件、無撹拌条件下にて、溶剤脱脂後陰極電解脱脂
を行なった100mm×70mm×0.3mmの純銅板
を用い、ハルセルテストを行なった。その結果を目視に
よるめっき外観とともに表2に示す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
撹拌下にて実施例1と同じ純銅板を用いてハルセルテス
トを行なった。結果をめっき外観とともに表2に示す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
撹拌下にて実施例1と同じ純銅板を用いてハルセルテス
トを行なった。結果をめっき外観とともに表2に示す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
撹拌下にて実施例1と同じ純銅板を用い、ハルセルテス
トを行なった。結果をめっき外観とともに表2に示す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
調整し、浴温35℃、2A−5分、ゆるやかな撹拌下に
て実施例1と同じ純銅板を用い、ハルセルテストを行な
った。結果をめっき外観とともに表2に示す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
かな撹拌下にて実施例1と同じ純銅板を用い、ハルセル
テストを行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
ストと行なった。結果をめっき外観とともに表2に示
す。
激しい撹拌条件下にてハルセルテストを行った。結果を
めっき外観とともに表2に示す。
ストを行った。めっき外観とともに表2に示す。
水洗した後、硫酸水溶液中で酸洗し、水洗した後上記め
っき浴中(20℃)でリン青鋼板を陰極として、2m/
分の陰極移動を行ないながら陰極電流密度2A/dm2
で10分間めっきを行なった。この時、Sn/Pb=9
1/9の組成のめっき皮膜が得られ、めっき外観は、極
めて良好な鏡面光沢となった。また、陰極電流効率は9
3%であった。
めっきを行なった。この時、Sn/Pb=92/8の組
成のめっき皮膜が得られたがめっき外観は乳白色のムラ
を生じた。また陰極電流効率は76%であった。
し水洗した後、硫酸水溶液で酸洗し、水洗した後、上記
めっき浴中(40℃)で鋼板を陰極として相対流速40
0m/分、陰極電流密度100A/dm2 、電解時間
0.2秒で錫めっきを行なった。この時の陰極電流効率
は89%であり、得られためっき皮膜の外観は極めて均
一であった。また走査型電子顕微鏡でめっき表面を観察
したところ、非常に、平滑な表面が得られることがわか
った。
件で錫めっきを行なった。陰極電流効率は62%であ
り、得られためっき皮膜の外観は試験片周辺部に白色の
条根が現われ、均一性に欠け、また、走査型電子顕微鏡
により表面を観察したところ多数の突起物が認められ
た。
ハイドロキノンスルホン酸に変えた以外、実施例10と
同じ条件で錫めっきを行った。陰極電流効率は83%で
あったが、得られためっき皮膜の外観は乳白色のムラを
生じた。
た後水酸化ナトリウム水溶液で電解脱脂を行ない、水洗
した後、上記めっき浴に70℃、3分浸漬した。その結
果、均一で良好な外観の錫めっき皮膜が得られ、膜厚は
0.6μmであった。さらにくり返しめっきを行なった
が、めっき液1lにつき、1m2の試験片を処理するま
で良好な外観と析出速度が確保できた。
テコールスルホン酸の代りにフェノールスルホン酸5g
/lを加えてめっき液を調整した。実施例11と同じ条
件で浸漬めっきを行なったが、膜厚は0.45μmと低
く、くり返しめっきについても、めっき液1lにつき
0.3m2 程度の処理で外観析出速度ともに劣化した。
好な外観の皮膜が得られ、錫対鉛の組成比は6:4であ
った。また膜厚は0.8μmであった。1ケ月めっき浴
を放置した後再びめっきを行なったが、上記と同じ結果
が得られた。
テコールスルホン酸をフェノールスルホン酸5g/lに
変えてめっき浴を調製した。実施例11と同じ条件で浸
漬めっきを行なったが、膜厚は、0.6μmと低く、1
ケ月の放置後の再めっきでは液の分解が生じ、膜厚も
0.1μm以下となった。
金属イオンの低い原子価から高い原子価への酸化を極め
て有効に防止する。また、ヒドロフェノール系酸化防止
剤のように非イオン系界面活性剤の曇点を低下させるこ
ともない。
めっき浴を用いれば、外観の良好な電着物皮膜が得ら
れ、かつ、陰極電流効率が高く、浴中成分の酸化が長期
間に亘って防止できる。
Claims (7)
- 【請求項1】 【化1】 [式中、Arは芳香族環;Xは炭素数1〜6のアルキル
基、炭素数1〜6のアルコキシ基、CF3 基、ニトロ
基、ハロゲン基、−COR基(Rは炭素数1〜6のアル
キル基)、−CO2 H基、−N(R)(R’)基(Rお
よびR’は同一または異なっていてもよい炭素数1〜6
のアルキル基でRおよびR’が一緒になって環を形成し
てもよい)、−SH基、−SR基(Rは炭素数1〜6の
アルキル基)、−OR”基(R”はアリール基)、アリ
ール基;lは0〜5の整数;mは2〜5の整数、nは1
〜5の整数;但し、l+m+nは8を越えることはな
く、Arがベンゼン環の場合OH同士が互いにパラ位に
位置することはない]で示される化合物の1種または2
種以上からなることを特徴とする酸化防止剤。 - 【請求項2】請求項1に記載の式(I)で示される化合
物の1種または2種以上からなるめっき浴用助剤。 - 【請求項3】少なくとも1種の酸化性の金属イオン、お
よび請求項2に記載のめっき浴用助剤を含むことを特徴
とするめっき浴。 - 【請求項4】前記酸化性の金属イオンが錫、鉛、鉄、モ
リブデンおよびタングステンよりなる群より選ばれる少
なくとも1種の金属イオンである請求項3に記載のめっ
き浴。 - 【請求項5】請求項3または4に記載のめっき浴に、さ
らに少なくとも1種のアルカンスルホン酸またはアルカ
ノールスルホン酸を添加してなるめっき浴。 - 【請求項6】請求項3〜5のいずれかに記載のめっき浴
に、さらに界面活性剤を添加してなるめっき浴。 - 【請求項7】請求項3〜6のいずれかに記載のめっき浴
に、さらに錯化剤を添加してなるめっき浴。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3324594A Expired - Fee Related JP2667323B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-12-09 | 酸化防止剤、めっき浴用助剤およびこれを用いためっき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2667323B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997032058A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Nippon Steel Corporation | Procede et bain d'etamage presentant un fonctionnement optimal dans une plage large de densites de courant |
JP2004002970A (ja) * | 2002-03-05 | 2004-01-08 | Shipley Co Llc | スズ又はスズ合金電気メッキ浴液における酸化によるスズ損失の制限 |
WO2004111287A3 (ja) * | 2003-06-10 | 2005-03-03 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
JP2012087393A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Rohm & Haas Denshi Zairyo Kk | スズめっき液 |
US8440066B2 (en) * | 2006-04-14 | 2013-05-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin electroplating bath, tin plating film, tin electroplating method, and electronic device component |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4916176A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-13 | ||
JPS54408A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Kajima Corp | Method of construction of sinking caisson |
JPH02301588A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-13 | C Uyemura & Co Ltd | 錫,鉛,錫―鉛合金電気めっき浴及び電気めっき方法 |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP3324594A patent/JP2667323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4916176A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-13 | ||
JPS54408A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Kajima Corp | Method of construction of sinking caisson |
JPH02301588A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-13 | C Uyemura & Co Ltd | 錫,鉛,錫―鉛合金電気めっき浴及び電気めっき方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997032058A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Nippon Steel Corporation | Procede et bain d'etamage presentant un fonctionnement optimal dans une plage large de densites de courant |
JP2004002970A (ja) * | 2002-03-05 | 2004-01-08 | Shipley Co Llc | スズ又はスズ合金電気メッキ浴液における酸化によるスズ損失の制限 |
JP2009242948A (ja) * | 2002-03-05 | 2009-10-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | スズ又はスズ合金電気メッキ浴液における酸化によるスズ損失の制限 |
KR101013189B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2011-02-10 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 주석 또는 주석 합금 전기도금조 용액에서 산화를 통해주석의 손실을 제한하는 방법 |
WO2004111287A3 (ja) * | 2003-06-10 | 2005-03-03 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
US8440066B2 (en) * | 2006-04-14 | 2013-05-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin electroplating bath, tin plating film, tin electroplating method, and electronic device component |
JP2012087393A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Rohm & Haas Denshi Zairyo Kk | スズめっき液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2667323B2 (ja) | 1997-10-27 |
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