JPH0543197B2 - - Google Patents
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- JPH0543197B2 JPH0543197B2 JP60023275A JP2327585A JPH0543197B2 JP H0543197 B2 JPH0543197 B2 JP H0543197B2 JP 60023275 A JP60023275 A JP 60023275A JP 2327585 A JP2327585 A JP 2327585A JP H0543197 B2 JPH0543197 B2 JP H0543197B2
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- Japan
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- thin film
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- electrode
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- electrodes
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は変位発生素子、焦電素子あるいは振動
子として使用できる柔軟性に優れた圧電素子に係
り、特に高分子圧電体の両面に薄膜電極を設け、
その一方の面の薄膜電極を共通の薄膜電極とし、
他方の面の薄膜電極を２つに分割してなる可撓性
圧電素子に関する。
子として使用できる柔軟性に優れた圧電素子に係
り、特に高分子圧電体の両面に薄膜電極を設け、
その一方の面の薄膜電極を共通の薄膜電極とし、
他方の面の薄膜電極を２つに分割してなる可撓性
圧電素子に関する。
先行技術としては本発明者らが特願昭59−
162670号として既に提案した可撓性圧電素子があ
る。この可撓性圧電素子は第５、第６図示のよう
に高分子圧電体１の一方の面に薄膜電極１１ａを
設け、この高分子圧電体１の一方の面の薄膜電極
１１ａに接続される薄膜リード部１３ａと、高分
子圧電体１の他方の面に接合される薄膜電極１１
及びそのリード部１３ｂとを高分子フイルム１４
の同一面に設けて可撓性電極シート９を形成し、
この可撓性電極シート９の薄膜電極１１に、高分
子圧電体１の他方の面を接合すると共に、この高
分子圧電体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓
性電極シート９の薄膜リード部１３ａとを接続用
導電体１２で接続してなるものである。１０は高
分子圧電体１の一方の面の薄膜電極１１ａの露出
面に接合された保護膜、１１ｂは高分子圧電体１
の他方の面に設けた薄膜電極で、設けなくてもよ
い。
162670号として既に提案した可撓性圧電素子があ
る。この可撓性圧電素子は第５、第６図示のよう
に高分子圧電体１の一方の面に薄膜電極１１ａを
設け、この高分子圧電体１の一方の面の薄膜電極
１１ａに接続される薄膜リード部１３ａと、高分
子圧電体１の他方の面に接合される薄膜電極１１
及びそのリード部１３ｂとを高分子フイルム１４
の同一面に設けて可撓性電極シート９を形成し、
この可撓性電極シート９の薄膜電極１１に、高分
子圧電体１の他方の面を接合すると共に、この高
分子圧電体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓
性電極シート９の薄膜リード部１３ａとを接続用
導電体１２で接続してなるものである。１０は高
分子圧電体１の一方の面の薄膜電極１１ａの露出
面に接合された保護膜、１１ｂは高分子圧電体１
の他方の面に設けた薄膜電極で、設けなくてもよ
い。
このような先行素子は、省スペースで取り付け
ることができること、大きな変位を生じせしめる
ことができること、大きな曲げ変位を与えて大き
な信号出力を得ることができること、リード部１
３ａ，１３ｂにリード線をハンダ付け等により十
分な強度で取り付けることができること及びリー
ド部１３ａ，１３ｂのソケツトへの挿入・抜き出
しを容易に行うことができること等の優れた特長
を有している。
ることができること、大きな変位を生じせしめる
ことができること、大きな曲げ変位を与えて大き
な信号出力を得ることができること、リード部１
３ａ，１３ｂにリード線をハンダ付け等により十
分な強度で取り付けることができること及びリー
ド部１３ａ，１３ｂのソケツトへの挿入・抜き出
しを容易に行うことができること等の優れた特長
を有している。
しかしながら上記先行素子にあつては、高分子
圧電体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電
極シート９の薄膜リード部１３ａとを接続する接
続用導電体１２が必要であり、場合によつてはリ
ード部１３ａ，１３ｂ間を絶縁する絶縁体１５も
必要であるため、構造が複雑で安価に容易に製造
できないばかりでなく、接続用導電体１２が剥離
し接触不良を起こすおそれも大きいという問題点
がある。
圧電体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電
極シート９の薄膜リード部１３ａとを接続する接
続用導電体１２が必要であり、場合によつてはリ
ード部１３ａ，１３ｂ間を絶縁する絶縁体１５も
必要であるため、構造が複雑で安価に容易に製造
できないばかりでなく、接続用導電体１２が剥離
し接触不良を起こすおそれも大きいという問題点
がある。
本発明素子は上記の問題点を解決するため、第
１図及び第２図示のように高分子圧電体１の一方
の面に共通の薄膜電極１１ａを設け、この高分子
圧電体１の他方の面に、この共通の薄膜電極１１
ａに対向する２つの膜状電極１１′，１１を設け
てなる構成としたものである。
１図及び第２図示のように高分子圧電体１の一方
の面に共通の薄膜電極１１ａを設け、この高分子
圧電体１の他方の面に、この共通の薄膜電極１１
ａに対向する２つの膜状電極１１′，１１を設け
てなる構成としたものである。
このような構成とすることにより本発明素子２
１は、両薄膜電極１１′，１１と共通の薄膜電極
１１ａとの間に形成される素子部分２１ａ，２１
ｂが共通の薄膜電極１１ａで直列に接続された等
価回路を構成するので、当該素子２１に曲げ変形
あるいは振動を与えた場合には、これに比例した
信号を当該等価回路を介して両薄膜電極１１′，
１１より取り出すことができる。また、両薄膜電
極１１′，１１間に交流電圧を印加した場合には
この交流電圧によつて当該素子２１を振動させる
ことができる。
１は、両薄膜電極１１′，１１と共通の薄膜電極
１１ａとの間に形成される素子部分２１ａ，２１
ｂが共通の薄膜電極１１ａで直列に接続された等
価回路を構成するので、当該素子２１に曲げ変形
あるいは振動を与えた場合には、これに比例した
信号を当該等価回路を介して両薄膜電極１１′，
１１より取り出すことができる。また、両薄膜電
極１１′，１１間に交流電圧を印加した場合には
この交流電圧によつて当該素子２１を振動させる
ことができる。
第１図は本発明素子の第１実施例を示す斜視図
である。
である。
第１実施例は高分子圧電体１の一方の面に共通
の薄膜電極１１ａを設け、この高分子圧電体１の
他方の面に、この共通の薄膜電極１１ａに対向す
る小面積及び大面積の薄膜電極１１′，１１とそ
れぞれのリード部１３ａ，１３ｂとを設ける。そ
して薄膜電極１１ａ，１１′，１１の露出面には
保護膜１０を接着するとよい。
の薄膜電極１１ａを設け、この高分子圧電体１の
他方の面に、この共通の薄膜電極１１ａに対向す
る小面積及び大面積の薄膜電極１１′，１１とそ
れぞれのリード部１３ａ，１３ｂとを設ける。そ
して薄膜電極１１ａ，１１′，１１の露出面には
保護膜１０を接着するとよい。
高分子圧電体１としては、例えばポリアセター
ル樹脂とアクリロニトリル・ブタジエンラバーの
混合物等のプラスチツクにチタン酸・ジルコン酸
鉛やチタン酸鉛もしくはチタン酸バリウム等の強
誘電性セラミツクスの微粉末を分散させ、これを
高電圧下で分極処理して得られた圧電体、あるい
はポリ弗化ビニリデン樹脂やポリ（シアン化ビニ
リデン・酢酸ビニル）共重合体樹脂のキヤストス
イルムもしくは加熱成形フイルムを延伸した配向
フイルム等を高電圧下で分極処理して得られた圧
電体を用いることができる。
ル樹脂とアクリロニトリル・ブタジエンラバーの
混合物等のプラスチツクにチタン酸・ジルコン酸
鉛やチタン酸鉛もしくはチタン酸バリウム等の強
誘電性セラミツクスの微粉末を分散させ、これを
高電圧下で分極処理して得られた圧電体、あるい
はポリ弗化ビニリデン樹脂やポリ（シアン化ビニ
リデン・酢酸ビニル）共重合体樹脂のキヤストス
イルムもしくは加熱成形フイルムを延伸した配向
フイルム等を高電圧下で分極処理して得られた圧
電体を用いることができる。
保護膜１０は薄膜電極部分を保護するもので、
保護膜１０としては可撓性を有し高分子圧電体１
よりも弾性率の小さいものが圧電素子の特性を損
なわないので好ましく、厚さ25〜50μｍのポリイ
ミドや厚さ50〜250μｍのポリエステルあるいは
ナイロンなどの耐薬品性、耐熱性に優れ、また剛
性が高く機械的強度の大きなプラスチツクフイル
ムあるいはシリコンゴムなどの可撓性シートや各
種のコーテイング剤を用いることができる。
保護膜１０としては可撓性を有し高分子圧電体１
よりも弾性率の小さいものが圧電素子の特性を損
なわないので好ましく、厚さ25〜50μｍのポリイ
ミドや厚さ50〜250μｍのポリエステルあるいは
ナイロンなどの耐薬品性、耐熱性に優れ、また剛
性が高く機械的強度の大きなプラスチツクフイル
ムあるいはシリコンゴムなどの可撓性シートや各
種のコーテイング剤を用いることができる。
第２図は第２実施例を示す部分分解斜視図、第
３図はその断面図である。
３図はその断面図である。
この第２実施例は、高分子フイルム１４の一面
に、小面積及び大面積の薄膜電極１１′，１１を
それぞれのリード部１３ａ，１３ｂが一端部に幅
方向に隣接して並設されるよう形成して可撓性電
極シート９を構成し、この可撓性電極シート９の
２つの薄膜電極１１′，１１側を高分子圧電体１
の他方の面に積層せしめてなるものである。高分
子圧電体１の一方の面の共通の薄膜電極１１ａの
露出面には上記と同様の保護膜１０を接着すると
よい。
に、小面積及び大面積の薄膜電極１１′，１１を
それぞれのリード部１３ａ，１３ｂが一端部に幅
方向に隣接して並設されるよう形成して可撓性電
極シート９を構成し、この可撓性電極シート９の
２つの薄膜電極１１′，１１側を高分子圧電体１
の他方の面に積層せしめてなるものである。高分
子圧電体１の一方の面の共通の薄膜電極１１ａの
露出面には上記と同様の保護膜１０を接着すると
よい。
なお、高分子圧電体１の他方の面に、可撓性電
極シート９の２つの薄膜電極１１′，１１と接合
される薄膜電極を形成してもよい。
極シート９の２つの薄膜電極１１′，１１と接合
される薄膜電極を形成してもよい。
高分子フイルム１４としては厚さ25〜50μｍの
ポリイミドや厚さ50〜250μｍのポリエステルあ
るいはナイロンなどの耐薬品性、耐熱性に優れ、
また剛性が高く機械的強度の大きなプラスチツク
フイルムを用いることができる。
ポリイミドや厚さ50〜250μｍのポリエステルあ
るいはナイロンなどの耐薬品性、耐熱性に優れ、
また剛性が高く機械的強度の大きなプラスチツク
フイルムを用いることができる。
上記第１、第２実施例において、本発明素子２
１は両薄膜電極１１′，１１と共通の薄膜電極１
１ａとの間に形成される素子部分２１ａ，２１ｂ
が共通の薄膜電極１１ａで直列に接続された等価
回路を構成する。
１は両薄膜電極１１′，１１と共通の薄膜電極１
１ａとの間に形成される素子部分２１ａ，２１ｂ
が共通の薄膜電極１１ａで直列に接続された等価
回路を構成する。
第１、第２図示のように一方の薄膜電極１１′
が他方の薄膜電極１１に比較して小面積のとき
は、一方の素子部分２１ａの等価回路は第４図示
のように高抵抗と小容量コンデンサの並列回路と
なり、負荷インピーダンスが極めて大きい場合に
適する。この場合、一方の素子部分２１ａは電気
的結合を行うだけとなり、他方の素子部分２１ｂ
に発生する信号を両薄膜電極１１′，１１のリー
ド部１３ａ，１３ｂ間より取り出すことができ
る。特に一方の素子部分２１ａを形成する小面積
の薄膜電極１１′側のシグナル側とし、他方の素
子部分２１ｂを形成する大面積の薄膜電極１１側
をアース側として信号を取り出すのが、ノイズを
小さくできるので好ましい。
が他方の薄膜電極１１に比較して小面積のとき
は、一方の素子部分２１ａの等価回路は第４図示
のように高抵抗と小容量コンデンサの並列回路と
なり、負荷インピーダンスが極めて大きい場合に
適する。この場合、一方の素子部分２１ａは電気
的結合を行うだけとなり、他方の素子部分２１ｂ
に発生する信号を両薄膜電極１１′，１１のリー
ド部１３ａ，１３ｂ間より取り出すことができ
る。特に一方の素子部分２１ａを形成する小面積
の薄膜電極１１′側のシグナル側とし、他方の素
子部分２１ｂを形成する大面積の薄膜電極１１側
をアース側として信号を取り出すのが、ノイズを
小さくできるので好ましい。
第４図中の１６はインピーダンス変換用の電界
効果型トランジスタ、１７はその電源端子、１８
は出力抵抗、１９は出力端子、２０はアース端子
であり、信号は電界効果型トランジスタ１６の導
通により出力端子１９とアース端子２０間より取
り出される。
効果型トランジスタ、１７はその電源端子、１８
は出力抵抗、１９は出力端子、２０はアース端子
であり、信号は電界効果型トランジスタ１６の導
通により出力端子１９とアース端子２０間より取
り出される。
また、両薄膜電極１１′，１１のリード部１３
ａ，１３ｂ間に交流電圧を印加すると、交流電圧
は一方の素子部分２１ａを介して他方の素子部分
２１ｂの電極１１ａ，１１間に加わり、当該素子
２１を振動させることができる。
ａ，１３ｂ間に交流電圧を印加すると、交流電圧
は一方の素子部分２１ａを介して他方の素子部分
２１ｂの電極１１ａ，１１間に加わり、当該素子
２１を振動させることができる。
本発明においては、負荷インピーダンスが小さ
い場合には両薄膜電極１１′，１１をほぼ等しい
面積とすればよい。
い場合には両薄膜電極１１′，１１をほぼ等しい
面積とすればよい。
上述のように本発明によれば、高分子圧電体１
の一方の面に共通の薄膜電極１１ａを設け、この
高分子圧電体１の他方の面に、この共通の薄膜電
極１１ａに対向する２つの膜状電極１１′，１１
を設けてなるので、高分子圧電体１の一方の面の
薄膜電極１１ａと可撓性電極シート９の薄膜リー
ド部１３ａとを接続する接続用導電体１２やリー
ド部１３ａ，１３ｂ間を絶縁する絶縁体１５を必
要とせず、構造が簡単で安価に容易に製造できる
ばかりでなく、電気的接続部分をなくすことがで
きるので、剥離による接触不良を起こすおそれが
ない等の効果を奏する。
の一方の面に共通の薄膜電極１１ａを設け、この
高分子圧電体１の他方の面に、この共通の薄膜電
極１１ａに対向する２つの膜状電極１１′，１１
を設けてなるので、高分子圧電体１の一方の面の
薄膜電極１１ａと可撓性電極シート９の薄膜リー
ド部１３ａとを接続する接続用導電体１２やリー
ド部１３ａ，１３ｂ間を絶縁する絶縁体１５を必
要とせず、構造が簡単で安価に容易に製造できる
ばかりでなく、電気的接続部分をなくすことがで
きるので、剥離による接触不良を起こすおそれが
ない等の効果を奏する。
第１図は本発明素子の第１実施例を示す斜視
図、第２図は第２実施例を示す部分分解斜視図、
第３図はその断面図、第４図は第１、第２実施例
の等価回路と信号出力回路を示す図、第５図は先
行素子の一例を示す部分分解斜視図、第６図はそ
の断面図である。 １……高分子圧電体、９……可撓性電極シー
ト、１０……保護膜、１１′，１１……薄膜電極、
１１ａ……共通の薄膜電極、１３ａ，１３ｂ……
リード部、１４……高分子フイルム、２１……本
発明素子、２１ａ，２１ｂ……素子部分。
図、第２図は第２実施例を示す部分分解斜視図、
第３図はその断面図、第４図は第１、第２実施例
の等価回路と信号出力回路を示す図、第５図は先
行素子の一例を示す部分分解斜視図、第６図はそ
の断面図である。 １……高分子圧電体、９……可撓性電極シー
ト、１０……保護膜、１１′，１１……薄膜電極、
１１ａ……共通の薄膜電極、１３ａ，１３ｂ……
リード部、１４……高分子フイルム、２１……本
発明素子、２１ａ，２１ｂ……素子部分。
Claims (1)
- １ 高分子圧電体１の一方の面に共通の薄膜電極
１１ａを設け、この高分子圧電体１の他方の面
に、この共通の薄膜電極１１ａに対向する２つの
薄膜電極１１，１１′を並設してなることを特徴
とする可撓性圧電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023275A JPS61182286A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 可撓性圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023275A JPS61182286A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 可撓性圧電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182286A JPS61182286A (ja) | 1986-08-14 |
| JPH0543197B2 true JPH0543197B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=12106049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023275A Granted JPS61182286A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 可撓性圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182286A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101448102B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2014-10-10 | (주)멜파스 | 절연층 없이 감지 패턴을 이용한 터치 센싱 장치 및 터치 센싱 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101448102B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2014-10-10 | (주)멜파스 | 절연층 없이 감지 패턴을 이용한 터치 센싱 장치 및 터치 센싱 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182286A (ja) | 1986-08-14 |
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