JPS61182286A - 可撓性圧電素子 - Google Patents
可撓性圧電素子Info
- Publication number
- JPS61182286A JPS61182286A JP60023275A JP2327585A JPS61182286A JP S61182286 A JPS61182286 A JP S61182286A JP 60023275 A JP60023275 A JP 60023275A JP 2327585 A JP2327585 A JP 2327585A JP S61182286 A JPS61182286 A JP S61182286A
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- Japan
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- thin film
- film
- lead
- electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
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- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は変位発生素子、焦電素子あるいは振動子として
使用できる柔軟性に優れた圧電素子に係り、特に高分子
圧電体の両面に薄膜電極を設け、その一方の面の薄膜電
極を共通の薄膜電極とし、他方の面の薄膜電極を２つに
分割してなる可撓性圧電素子に関する。
使用できる柔軟性に優れた圧電素子に係り、特に高分子
圧電体の両面に薄膜電極を設け、その一方の面の薄膜電
極を共通の薄膜電極とし、他方の面の薄膜電極を２つに
分割してなる可撓性圧電素子に関する。
先行技術としては本発明者らが特願昭５９−１６２６７
０号として既に提案した可撓性圧電素子がある。
０号として既に提案した可撓性圧電素子がある。
この可撓性圧電素子は第５．第６図示のように高分子圧
電体１の一方の面に薄膜電極１１ａを設け、この高分子
圧電体ｌの一方の面の薄膜電極１１ａに接続される薄膜
リード部１３ａと、高分子圧電体１の他方の面に接合さ
れる薄膜電極１１及びそのリード部１３ｂとを高分子フ
ィルム１４の同一面に設けて可撓性電極シート９を形成
し、この可撓性電極シート９の薄膜電極１１に、高分子
圧電体１の他方の面を接合すると共に、この高分子圧電
体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電極シート９
の薄膜リード部１３ａとを接続用導電体１２で接続して
なるものである。１０は高分子圧電体１の一方の面の薄
膜電極１１ａの露出面に接合された保護膜、１１ｂは高
分子圧電体１の他方の面に設けた薄膜電極で、設けなく
てもよい。
電体１の一方の面に薄膜電極１１ａを設け、この高分子
圧電体ｌの一方の面の薄膜電極１１ａに接続される薄膜
リード部１３ａと、高分子圧電体１の他方の面に接合さ
れる薄膜電極１１及びそのリード部１３ｂとを高分子フ
ィルム１４の同一面に設けて可撓性電極シート９を形成
し、この可撓性電極シート９の薄膜電極１１に、高分子
圧電体１の他方の面を接合すると共に、この高分子圧電
体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電極シート９
の薄膜リード部１３ａとを接続用導電体１２で接続して
なるものである。１０は高分子圧電体１の一方の面の薄
膜電極１１ａの露出面に接合された保護膜、１１ｂは高
分子圧電体１の他方の面に設けた薄膜電極で、設けなく
てもよい。
このような先行素子は、省スペースで取り付けることが
できること、大きな変位を生じせしめることができるこ
と、大きな曲げ変位を与えて大きな信号出力を得ること
ができること、リード部１３ａ、１３ｂにリード線をハ
ンダ付は等により十分な強度で取り付けることができる
こと及びリード部１３ａ、１３ｂのソケットへの挿入・
抜き出しを容易に行うことができること等の優れた特長
を有している。
できること、大きな変位を生じせしめることができるこ
と、大きな曲げ変位を与えて大きな信号出力を得ること
ができること、リード部１３ａ、１３ｂにリード線をハ
ンダ付は等により十分な強度で取り付けることができる
こと及びリード部１３ａ、１３ｂのソケットへの挿入・
抜き出しを容易に行うことができること等の優れた特長
を有している。
しかしながら上記先行素子にあっては、高分子圧電体１
の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電極シート９の薄
膜リード部１３ａ とを接続する接続用導電体１２が必
要であり、場合によってはリード部１３ａ 、１３ｂ
間を絶縁する絶縁体１５も必要であるため、構造が複雑
で安価に容易に製造できないばかりでなく、接続用導電
体１２が剥離し接触不良を起こすおそれも大きいという
問題点がある。
の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電極シート９の薄
膜リード部１３ａ とを接続する接続用導電体１２が必
要であり、場合によってはリード部１３ａ 、１３ｂ
間を絶縁する絶縁体１５も必要であるため、構造が複雑
で安価に容易に製造できないばかりでなく、接続用導電
体１２が剥離し接触不良を起こすおそれも大きいという
問題点がある。
本発明素子は上記の問題点を解決するため、第１図及び
第２図示のように高分子圧電体１の一方の面に共通の薄
膜電極１１ａを設け、この高分子圧電体１の他方の面に
、この共通の薄膜電極１１ａに対向する２つの膜状電極
１１’、１１を設けてなる構成としたものである。
第２図示のように高分子圧電体１の一方の面に共通の薄
膜電極１１ａを設け、この高分子圧電体１の他方の面に
、この共通の薄膜電極１１ａに対向する２つの膜状電極
１１’、１１を設けてなる構成としたものである。
このような構成とすることにより本発明素子２１は、両
画膜電極１１’、１１と共通の薄膜電極１１ａとの間に
形成される素子部分２１ａ 、２１ｂが共通の薄膜電
極１１ａで直列に接続された等価回路を構成するので、
当該素子２１に曲げ変形あるいは振動を与えた場合には
、これに比例した信号を当該等価回路を介して両画膜電
極１１’、１１より取り出すことができる。また、両画
膜電極１１’、１１間に交流電圧を印加した場合にはこ
の交流電圧によって当該素子２１を振動させることがで
きる。
画膜電極１１’、１１と共通の薄膜電極１１ａとの間に
形成される素子部分２１ａ 、２１ｂが共通の薄膜電
極１１ａで直列に接続された等価回路を構成するので、
当該素子２１に曲げ変形あるいは振動を与えた場合には
、これに比例した信号を当該等価回路を介して両画膜電
極１１’、１１より取り出すことができる。また、両画
膜電極１１’、１１間に交流電圧を印加した場合にはこ
の交流電圧によって当該素子２１を振動させることがで
きる。
第１図は本発明素子の第１実施例を示す斜視図である。
第１実施例は高分子圧電体１の一方の面に共通の薄膜電
極１１ａを設け、この高分子圧電体１の他方の面に、こ
の共通の薄膜電極１１ａに対向する小面積及び大面積の
薄膜電極１１’、１１とそれぞれのリード部１３ａ、１
３ｂとを設ける。そして薄膜電極１１ａ 、１１’
、１１の露出面には保護膜１０を接着するとよい。
極１１ａを設け、この高分子圧電体１の他方の面に、こ
の共通の薄膜電極１１ａに対向する小面積及び大面積の
薄膜電極１１’、１１とそれぞれのリード部１３ａ、１
３ｂとを設ける。そして薄膜電極１１ａ 、１１’
、１１の露出面には保護膜１０を接着するとよい。
高分子圧電体１としては、例えばポリアセタール樹脂と
アクリロニトリル・ブタジェンラバーの混合物等のプラ
スチックにチタン酸・ジルコン酸鉛やチタン酸鉛もしく
はチタン酸バリウム等の強誘電性セラミックスの微粉末
を分散させ、これを高電圧下で分極処理して得られた圧
電体、あるいはポリ弗化ビニリデン樹脂やポリ （シア
ン化ビニリデン・酢酸ビニル）共重合体樹脂のキャス１
〜スイルムもしくは加熱成形フィルムを延伸した配向フ
ィルム等を高電圧下で分極処理して得られた圧電体を用
いることができる。
アクリロニトリル・ブタジェンラバーの混合物等のプラ
スチックにチタン酸・ジルコン酸鉛やチタン酸鉛もしく
はチタン酸バリウム等の強誘電性セラミックスの微粉末
を分散させ、これを高電圧下で分極処理して得られた圧
電体、あるいはポリ弗化ビニリデン樹脂やポリ （シア
ン化ビニリデン・酢酸ビニル）共重合体樹脂のキャス１
〜スイルムもしくは加熱成形フィルムを延伸した配向フ
ィルム等を高電圧下で分極処理して得られた圧電体を用
いることができる。
保護膜１０は薄膜電極部分を保護するもので、保護膜１
０としては可撓性を有し高分子圧電体１よりも弾性率の
小さいものが圧電素子の特性を損なわないので好ましく
、厚さ２５〜５０μｍのポリイミドや厚さ５０〜２５０
μｍのポリエステルあるいはナイロンなどの耐薬品性、
耐熱性に優れ、また剛性が高く機械的強度の大きなプラ
スチックフィルムあるいはシリコンゴムなどの可撓性シ
ートや各種のコーティング剤を用いることができる。
０としては可撓性を有し高分子圧電体１よりも弾性率の
小さいものが圧電素子の特性を損なわないので好ましく
、厚さ２５〜５０μｍのポリイミドや厚さ５０〜２５０
μｍのポリエステルあるいはナイロンなどの耐薬品性、
耐熱性に優れ、また剛性が高く機械的強度の大きなプラ
スチックフィルムあるいはシリコンゴムなどの可撓性シ
ートや各種のコーティング剤を用いることができる。
第２図は第２実施例を示す部分分解斜視図、第３図はそ
の断面図である。
の断面図である。
この第２実施例は、高分子フィルム１４の一面に、小面
積及び大面積の薄膜電極１１’、１１をそれぞれのリー
ド部１３ａ、１３ｂが一端部に幅方向に隣接して並設さ
れるよう形成して可撓性電極シート９を構成し、この可
撓性電極シート９の２つの薄膜電極１１’、１１側を高
分子圧電体１の他方の面に積層せしめてなるものである
。高分子圧電体１の一方の面の共通の薄膜電極１１ａの
露出面には上記と同様の保護膜１０を接着するとよい。
積及び大面積の薄膜電極１１’、１１をそれぞれのリー
ド部１３ａ、１３ｂが一端部に幅方向に隣接して並設さ
れるよう形成して可撓性電極シート９を構成し、この可
撓性電極シート９の２つの薄膜電極１１’、１１側を高
分子圧電体１の他方の面に積層せしめてなるものである
。高分子圧電体１の一方の面の共通の薄膜電極１１ａの
露出面には上記と同様の保護膜１０を接着するとよい。
なお、高分子圧電体１の他方の面に、可撓性電極シート
９の２つの薄膜電極１１’、１１と接合される薄膜電極
を形成してもよい。
９の２つの薄膜電極１１’、１１と接合される薄膜電極
を形成してもよい。
高分子フィルム１４としては厚さ２５〜５０μｍのポリ
イミドや厚さ５０〜２５０μｍのポリエステルあるいは
ナイロンなどの耐薬品性、耐熱性に優れ、また剛性が高
く機械的強度の大きなプラスチックフィルムを用いるこ
とができる。
イミドや厚さ５０〜２５０μｍのポリエステルあるいは
ナイロンなどの耐薬品性、耐熱性に優れ、また剛性が高
く機械的強度の大きなプラスチックフィルムを用いるこ
とができる。
上記第１．第２実施例において、本発明素子２１は両画
膜電極１１’、１１と共通の薄膜電極１１ａとの間に形
成される素子部分２］、ａ 、２１ｂが共通の薄膜電
極１１ａで直列に接続された等価回路を構成する。
膜電極１１’、１１と共通の薄膜電極１１ａとの間に形
成される素子部分２］、ａ 、２１ｂが共通の薄膜電
極１１ａで直列に接続された等価回路を構成する。
第１．第２図示のように一方の薄膜電極１１′が他方の
薄膜電極１１に比較して小面積のときは、一方の素子部
分２１ａの等価回路は第４図示のように高抵抗と小容量
コンデンサの並列回路となり、負荷インピーダンスが極
めて大きい場合に適する。
薄膜電極１１に比較して小面積のときは、一方の素子部
分２１ａの等価回路は第４図示のように高抵抗と小容量
コンデンサの並列回路となり、負荷インピーダンスが極
めて大きい場合に適する。
この場合、一方の素子部分２１ａは電気的結合を行うだ
けとなり、他方の素子部分２１ｂに発生する信号を両画
膜電極１１’、１１のリード部１３ａ、１３ｂ間より取
り出すことができる。特に一方の素子部分２１ａを形成
する小面積の薄膜電極１１′側をシグナル側とし、他方
の素子部分２１ｂを形成する大面積の薄膜電極１１側を
アース側として信号を取り出すのが、ノイズを小さくで
きるので好ましい。
けとなり、他方の素子部分２１ｂに発生する信号を両画
膜電極１１’、１１のリード部１３ａ、１３ｂ間より取
り出すことができる。特に一方の素子部分２１ａを形成
する小面積の薄膜電極１１′側をシグナル側とし、他方
の素子部分２１ｂを形成する大面積の薄膜電極１１側を
アース側として信号を取り出すのが、ノイズを小さくで
きるので好ましい。
第４図中の１６はインピーダンス変換用の電界効果型ト
ランジスタ、１７はその電源端子、１８は出力抵抗、１
９は出力端子、２０はアース端子であり、信号は電界効
果型トランジスタ１６の導通により出力端子１９とアー
ス端子２０間より取り出される。
ランジスタ、１７はその電源端子、１８は出力抵抗、１
９は出力端子、２０はアース端子であり、信号は電界効
果型トランジスタ１６の導通により出力端子１９とアー
ス端子２０間より取り出される。
また、両画膜電極１１’、１１のリード部１３ａ、 １
３ｂ間に交流電圧を印加すると、交流電圧は一方の素子
部分２１ａを介して他方の素子部分２１ｂの電極１１ａ
、１１間に加わり、当該素子２１を振動させることがで
きる。
３ｂ間に交流電圧を印加すると、交流電圧は一方の素子
部分２１ａを介して他方の素子部分２１ｂの電極１１ａ
、１１間に加わり、当該素子２１を振動させることがで
きる。
本発明においては、負荷インピーダンスが小さい場合に
は両画膜電極１１’、１１をほぼ等しい面積とすればよ
い。
は両画膜電極１１’、１１をほぼ等しい面積とすればよ
い。
上述のように本発明によれば、高分子圧電体１の一方の
面に共通の薄膜電極１１ａを設け、この高分子圧電体１
の他方の面に、この共通の薄膜電極１１ａに対向する２
つの膜状電極１１’、１１を設けてなるので、高分子圧
電体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電極シート
９の薄膜リード部１３ａとを接続する接続用導電体１２
やリード部１３ａ、ｌａｂ間を絶縁する絶縁体１５を必
要とせず、構造が簡単で安価に容易に製造できるばかり
でなく、電気的接続部分をなくすことができるので、剥
離による接触不良を起こすおそれがない等の効果を奏す
る。
面に共通の薄膜電極１１ａを設け、この高分子圧電体１
の他方の面に、この共通の薄膜電極１１ａに対向する２
つの膜状電極１１’、１１を設けてなるので、高分子圧
電体１の一方の面の薄膜電極１１ａと可撓性電極シート
９の薄膜リード部１３ａとを接続する接続用導電体１２
やリード部１３ａ、ｌａｂ間を絶縁する絶縁体１５を必
要とせず、構造が簡単で安価に容易に製造できるばかり
でなく、電気的接続部分をなくすことができるので、剥
離による接触不良を起こすおそれがない等の効果を奏す
る。
第１図は本発明素子の第１実施例を示す斜視図、第２図
は第２実施例を示す部分分解斜視図、第３図はその断面
図、第４図は第１．第２実施例の等価回路と信号出力回
路を示す図、第５図は先行素子の一例を示す部分分解斜
視図、第６図はその断面図である。 １・・・・・・高分子圧電体、９・・・・・・可撓性電
極シート、１０・・・・・・保護膜、１１’、１１・・
・・・・薄膜電極、ｌｌａ・・・・・・共通の薄膜電極
、１３ａ、１３ｂ・・・・・・リード部、１４・・・・
・・高分子フィルム、２１・・・・・・本発明素子、２
１ａ、２１ｂ・・・・・・素子部分。 洛３目 箋ｇ曹 箋５目 算Ｃ固
は第２実施例を示す部分分解斜視図、第３図はその断面
図、第４図は第１．第２実施例の等価回路と信号出力回
路を示す図、第５図は先行素子の一例を示す部分分解斜
視図、第６図はその断面図である。 １・・・・・・高分子圧電体、９・・・・・・可撓性電
極シート、１０・・・・・・保護膜、１１’、１１・・
・・・・薄膜電極、ｌｌａ・・・・・・共通の薄膜電極
、１３ａ、１３ｂ・・・・・・リード部、１４・・・・
・・高分子フィルム、２１・・・・・・本発明素子、２
１ａ、２１ｂ・・・・・・素子部分。 洛３目 箋ｇ曹 箋５目 算Ｃ固
Claims (1)
- 高分子圧電体１の一方の面に共通の薄膜電極１１ａを
設け、この高分子圧電体１の他方の面に、この共通の薄
膜電極１１ａに対向する２つの薄膜電極１１′、１１を
設けてなることを特徴とする可撓性圧電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023275A JPS61182286A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 可撓性圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023275A JPS61182286A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 可撓性圧電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182286A true JPS61182286A (ja) | 1986-08-14 |
| JPH0543197B2 JPH0543197B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=12106049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023275A Granted JPS61182286A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 可撓性圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105988B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Vibration-X Di Bianchini Emanulee E C. Sas | Piezoelectric device and method to manufacture a piezoelectric device |
| EP1471637A3 (en) * | 2003-04-22 | 2007-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating cantilevered type film bulk acoustic resonator and film bulk acoustic resonator fabricated by the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101448102B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2014-10-10 | (주)멜파스 | 절연층 없이 감지 패턴을 이용한 터치 센싱 장치 및 터치 센싱 장치의 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4963392A (ja) * | 1972-10-20 | 1974-06-19 | ||
| JPS502892A (ja) * | 1973-05-10 | 1975-01-13 | ||
| JPS5056889A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-17 | ||
| JPS57126123A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Piezoelectric or pyroelectric element |
| JPS59190559A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Nippon Cable Syst Inc | ワイヤの伸び吸収機構 |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP60023275A patent/JPS61182286A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4963392A (ja) * | 1972-10-20 | 1974-06-19 | ||
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| JPS57126123A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Piezoelectric or pyroelectric element |
| JPS59190559A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Nippon Cable Syst Inc | ワイヤの伸び吸収機構 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471637A3 (en) * | 2003-04-22 | 2007-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating cantilevered type film bulk acoustic resonator and film bulk acoustic resonator fabricated by the same |
| US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
| US7105988B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Vibration-X Di Bianchini Emanulee E C. Sas | Piezoelectric device and method to manufacture a piezoelectric device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543197B2 (ja) | 1993-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |