JPH0541611A - 誘電体発振器 - Google Patents
誘電体発振器Info
- Publication number
- JPH0541611A JPH0541611A JP21659391A JP21659391A JPH0541611A JP H0541611 A JPH0541611 A JP H0541611A JP 21659391 A JP21659391 A JP 21659391A JP 21659391 A JP21659391 A JP 21659391A JP H0541611 A JPH0541611 A JP H0541611A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oscillator
- dielectric
- field effect
- effect transistor
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 周波数の安定化を損ねることなく、小型の誘
電体発振器を得ることを目的とする。 【構成】 セラミック基板をセラミック基板（ａ）１
０，セラミック基板（ｂ）１１に２分割し、電界効果ト
ランジスタ９の上面がこのセラミック基板１０，１１の
表面より下方に位置するように、この電界効果トランジ
スタ９をこの分割されたセラミック基板１０，１１間に
装着するとともに、安定化誘電体共振器６を、電界効果
トランジスタ９よりこの電界効果トランジスタ９が発生
する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近傍に装
着させた構成とした。
電体発振器を得ることを目的とする。 【構成】 セラミック基板をセラミック基板（ａ）１
０，セラミック基板（ｂ）１１に２分割し、電界効果ト
ランジスタ９の上面がこのセラミック基板１０，１１の
表面より下方に位置するように、この電界効果トランジ
スタ９をこの分割されたセラミック基板１０，１１間に
装着するとともに、安定化誘電体共振器６を、電界効果
トランジスタ９よりこの電界効果トランジスタ９が発生
する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近傍に装
着させた構成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、誘電体共振器を利用
して発振周波数の安定化を図った、マイクロ波用の誘電
体発振器に関するものである。
して発振周波数の安定化を図った、マイクロ波用の誘電
体発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は例えば実公昭６１−４３２９４号
公報に示された従来の誘電体発振器を示す回路図であ
り、図において、１は周期的な電気振動を発生する電界
効果トランジスタ、２は電界効果トランジスタ１のソー
ス・リード線Ｓより出力端子３に接続するソース・マッ
チング・ストリップライン（ストリップライン）、４は
電界効果トランジスタ１のゲート・リード線Ｇより他端
が接地された無反射終端抵抗５に接続するゲート結合ス
トリップライン（ストリップライン）、６はゲート結合
ストリップライン４に結合して装着された円柱状の安定
化誘電体共振器（誘電体共振器）である。
公報に示された従来の誘電体発振器を示す回路図であ
り、図において、１は周期的な電気振動を発生する電界
効果トランジスタ、２は電界効果トランジスタ１のソー
ス・リード線Ｓより出力端子３に接続するソース・マッ
チング・ストリップライン（ストリップライン）、４は
電界効果トランジスタ１のゲート・リード線Ｇより他端
が接地された無反射終端抵抗５に接続するゲート結合ス
トリップライン（ストリップライン）、６はゲート結合
ストリップライン４に結合して装着された円柱状の安定
化誘電体共振器（誘電体共振器）である。
【０００３】このように、いわゆる誘電体発振器は例え
ば、ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ
ＦＥＴ）１を利用したマイクロ波発振器のゲート結合ス
トリップライン４に、チタン酸バリウム等の安定化誘電
体共振器６を結合させて発振周波数の安定化を図り、小
型にもかかわらず高出力で安定した発振周波数を出力す
るため、広くミリ波を含むマイクロ波通信装置に使用さ
れている。
ば、ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ
ＦＥＴ）１を利用したマイクロ波発振器のゲート結合ス
トリップライン４に、チタン酸バリウム等の安定化誘電
体共振器６を結合させて発振周波数の安定化を図り、小
型にもかかわらず高出力で安定した発振周波数を出力す
るため、広くミリ波を含むマイクロ波通信装置に使用さ
れている。
【０００４】次に動作について説明する。電界効果トラ
ンジスタ１のドレインリード線Ｄは接地されており、ソ
ース・リード線Ｓはソース・マッチング・ストリップラ
イン２を介して出力端子３に接続され、ゲートリード線
Ｇはゲート結合ストリップライン４および無反射終端抵
抗５を介して接地されている。
ンジスタ１のドレインリード線Ｄは接地されており、ソ
ース・リード線Ｓはソース・マッチング・ストリップラ
イン２を介して出力端子３に接続され、ゲートリード線
Ｇはゲート結合ストリップライン４および無反射終端抵
抗５を介して接地されている。
【０００５】また、主として電界効果トランジスタ１よ
り、この電界効果トランジスタ１が発生する周期的な電
気振動の１／４波長（λ／４）の位置に、円柱状の安定
化誘電体共振器６が装着されて、ゲート結合ストリップ
ライン４と磁界結合して発振周波数を安定化させる。
り、この電界効果トランジスタ１が発生する周期的な電
気振動の１／４波長（λ／４）の位置に、円柱状の安定
化誘電体共振器６が装着されて、ゲート結合ストリップ
ライン４と磁界結合して発振周波数を安定化させる。
【０００６】図６，図７は各々図５にもとづいた従来の
誘電体発振器を示す実装配置平面図および実装配置断面
図である。図６において、７はセラミック基板、８は接
地導体であり、セラミック基板７上に、電界効果トラン
ジスタ１をはさんで左右にソース・マッチング・ストリ
ップライン２およびゲート結合ストリップライン４がそ
れぞれ形成されている。誘電体共振器６は、その中心か
ら電界効果トランジスタ１まで、λ／４（破線表示）と
３λ／４（実線表示）離れた実装状態を示している。
誘電体発振器を示す実装配置平面図および実装配置断面
図である。図６において、７はセラミック基板、８は接
地導体であり、セラミック基板７上に、電界効果トラン
ジスタ１をはさんで左右にソース・マッチング・ストリ
ップライン２およびゲート結合ストリップライン４がそ
れぞれ形成されている。誘電体共振器６は、その中心か
ら電界効果トランジスタ１まで、λ／４（破線表示）と
３λ／４（実線表示）離れた実装状態を示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の誘電体発振器は
以上のように構成されているので、発振周波数が高く、
例えば発振周波数が１３ＧＨｚになるとセラミック基板
７上での実効波長λは、誘電率を９．８とすると７．３
ｍｍとなり、したがって、λ／４は２ｍｍにもみたず、
かなり小さい安定化誘電体共振器６（発振周波数１３Ｇ
Ｈｚ用として直径４．８ｍｍ、厚さ２ｍｍ程度のものが
使用される。）といえども、隣接する電界効果トランジ
スタ１に妨げられて実装が不可能となる。
以上のように構成されているので、発振周波数が高く、
例えば発振周波数が１３ＧＨｚになるとセラミック基板
７上での実効波長λは、誘電率を９．８とすると７．３
ｍｍとなり、したがって、λ／４は２ｍｍにもみたず、
かなり小さい安定化誘電体共振器６（発振周波数１３Ｇ
Ｈｚ用として直径４．８ｍｍ、厚さ２ｍｍ程度のものが
使用される。）といえども、隣接する電界効果トランジ
スタ１に妨げられて実装が不可能となる。
【０００８】この配置を可能にするまで安定化誘電体共
振器６を上方に移すことは、ゲート結合ストリップライ
ン４との結合を疎にすることになって、発振安定化の目
的を阻害する。そこで、図６で実線表示したように、安
定化誘電体共振器６を等価的にインピーダンスの等しい
３λ／４の位置に実装することはできるが、安定化誘電
体共振器６としての占有面積が大きくなり、誘電体発振
器の小型化に支障をきたすなどの問題点があった。
振器６を上方に移すことは、ゲート結合ストリップライ
ン４との結合を疎にすることになって、発振安定化の目
的を阻害する。そこで、図６で実線表示したように、安
定化誘電体共振器６を等価的にインピーダンスの等しい
３λ／４の位置に実装することはできるが、安定化誘電
体共振器６としての占有面積が大きくなり、誘電体発振
器の小型化に支障をきたすなどの問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、発振周波数の安定化を損ねるこ
となく、小型の誘電体発振器を得ることを目的とする。
ためになされたもので、発振周波数の安定化を損ねるこ
となく、小型の誘電体発振器を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る誘
電体発振器は、基板を分割し、発振素子上面が基板の表
面より下方に位置するように、発振素子をこの分割され
た基板間に装着するとともに、誘電体共振器を、発振素
子よりこの発振素子が発生する周期的な電気振動の１／
４波長離れた位置近傍に装着させたものである。
電体発振器は、基板を分割し、発振素子上面が基板の表
面より下方に位置するように、発振素子をこの分割され
た基板間に装着するとともに、誘電体共振器を、発振素
子よりこの発振素子が発生する周期的な電気振動の１／
４波長離れた位置近傍に装着させたものである。
【００１１】請求項２の発明に係る誘電体発振器は、基
板にくぼみを設け、発振素子上面が基板の表面より下方
に位置するように、発振素子をこの基板のくぼみに装着
するとともに、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振
素子が発生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位
置近傍に装着させたものである。
板にくぼみを設け、発振素子上面が基板の表面より下方
に位置するように、発振素子をこの基板のくぼみに装着
するとともに、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振
素子が発生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位
置近傍に装着させたものである。
【００１２】
【作用】請求項１の発明における誘電体発振器は、発振
素子を、この発振素子上面が基板の表面より下方になる
ように位置させ、分割された基板間に装着されたことに
より、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振素子が発
生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近傍に
装着させても発振素子と接触することがない。
素子を、この発振素子上面が基板の表面より下方になる
ように位置させ、分割された基板間に装着されたことに
より、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振素子が発
生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近傍に
装着させても発振素子と接触することがない。
【００１３】請求項２の発明における誘電体発振器は、
発振素子を、この発振素子上面が基板の表面より下方に
なるように位置させ、基板のくぼみに装着されたことに
より、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振素子が発
生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近傍に
装着させても発振素子と接触することがない。
発振素子を、この発振素子上面が基板の表面より下方に
なるように位置させ、基板のくぼみに装着されたことに
より、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振素子が発
生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近傍に
装着させても発振素子と接触することがない。
【００１４】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。なお、図中従来技術である図５〜図７
に示したものと、同一の構成部分には同一符号を付し
て、その重複する説明を省略する。
ついて説明する。なお、図中従来技術である図５〜図７
に示したものと、同一の構成部分には同一符号を付し
て、その重複する説明を省略する。
【００１５】図１は請求項１の発明の一実施例による誘
電体発振器を示す実装配置図であり、図２は図１の断面
図である。図において、９は上面がセラミック基板の表
面より下方位置するように配置された発振素子としての
電界効果トランジスタ、１０，１１は２分割された基板
としてのセラミック基板（ａ）とセラミック基板（ｂ）
である。
電体発振器を示す実装配置図であり、図２は図１の断面
図である。図において、９は上面がセラミック基板の表
面より下方位置するように配置された発振素子としての
電界効果トランジスタ、１０，１１は２分割された基板
としてのセラミック基板（ａ）とセラミック基板（ｂ）
である。
【００１６】このような構成とすることにより、安定化
誘電体共振器６を電界効果トランジスタ９から波長λの
１／４離れた近傍に装着するのになんの支障もきたすこ
ともない。また、波長λの３／４離れた近傍に装着した
従来技術と比較して、実装面積が狭小で済むので誘電体
発振器全体として小型化される。
誘電体共振器６を電界効果トランジスタ９から波長λの
１／４離れた近傍に装着するのになんの支障もきたすこ
ともない。また、波長λの３／４離れた近傍に装着した
従来技術と比較して、実装面積が狭小で済むので誘電体
発振器全体として小型化される。
【００１７】なお、上記実施例においては、電界効果ト
ランジスタ９を使用して、安定化誘電体共振器６とゲー
トリードにてストリップライン結合を行なったが、他の
発振素子、例えばシリコントランジスタ、ガンパットダ
イオード等でもよく、結合も他の結合、例えばソース・
リード等でもよいことは勿論である。
ランジスタ９を使用して、安定化誘電体共振器６とゲー
トリードにてストリップライン結合を行なったが、他の
発振素子、例えばシリコントランジスタ、ガンパットダ
イオード等でもよく、結合も他の結合、例えばソース・
リード等でもよいことは勿論である。
【００１８】実施例２．図３は請求項２の発明の一実施
例による誘電体発振器を示す実装配置図であり、図４は
図３の断面図である。図において、９は実施例１同様、
上面がセラミック基板の表面下に配置された電界効果ト
ランジスタ、１２は実施例１ではセラミック基板（ａ）
とセラミック基板（ｂ）に２分割していたが、本実施例
では、電界効果トランジスタ９を配置するため、くぼみ
を設けたセラミック基板（基板）である。
例による誘電体発振器を示す実装配置図であり、図４は
図３の断面図である。図において、９は実施例１同様、
上面がセラミック基板の表面下に配置された電界効果ト
ランジスタ、１２は実施例１ではセラミック基板（ａ）
とセラミック基板（ｂ）に２分割していたが、本実施例
では、電界効果トランジスタ９を配置するため、くぼみ
を設けたセラミック基板（基板）である。
【００１９】このような構成とすることにより、上記実
施例１と同様な効果を奏する。
施例１と同様な効果を奏する。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、誘電体発振器の基板を分割し、発振素子上面が基板
の表面より下方に位置するように、発振素子をこの分割
された基板間に装着するとともに、誘電体共振器を、発
振素子よりこの発振素子が発生する周期的な電気振動の
１／４波長離れた位置近傍に装着させた構成としたの
で、発振素子と誘電体共振器が接触することがなく、発
振周波数の安定化を損ねることのない小型の誘電体発振
器が得られる効果がある。
ば、誘電体発振器の基板を分割し、発振素子上面が基板
の表面より下方に位置するように、発振素子をこの分割
された基板間に装着するとともに、誘電体共振器を、発
振素子よりこの発振素子が発生する周期的な電気振動の
１／４波長離れた位置近傍に装着させた構成としたの
で、発振素子と誘電体共振器が接触することがなく、発
振周波数の安定化を損ねることのない小型の誘電体発振
器が得られる効果がある。
【００２１】また、請求項２の発明によれば、誘電体発
振器の基板にくぼみを設け発振素子上面が基板の表面よ
り下方に位置するように、発振素子をこの基板のくぼみ
に装着し、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振素子
が発生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近
傍に装着させた構成としたので、発振素子と誘電体共振
器が接触することがなく、発振周波数の安定化を損ねる
ことのない小型の誘電体発振器が得られる効果がある。
振器の基板にくぼみを設け発振素子上面が基板の表面よ
り下方に位置するように、発振素子をこの基板のくぼみ
に装着し、誘電体共振器を、発振素子よりこの発振素子
が発生する周期的な電気振動の１／４波長離れた位置近
傍に装着させた構成としたので、発振素子と誘電体共振
器が接触することがなく、発振周波数の安定化を損ねる
ことのない小型の誘電体発振器が得られる効果がある。
【図１】請求項１の発明の一実施例による誘電体発振器
を示す実装配置図である。
を示す実装配置図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】請求項２の発明の一実施例による誘電体発振器
を示す実装配置図である。
を示す実装配置図である。
【図４】図３の断面図である。
【図５】従来の誘電体発振器を示す回路図である。
【図６】従来の誘電体発振器を示す実装配置図である。
【図７】図６の断面図である。
２ ソース・マッチング・ストリップライン（ストリッ
プライン） ４ ゲート結合ストリップライン（ストリップライン） ６ 安定化誘電体共振器（誘電体共振器） ９ 電界効果トランジスタ（発振素子） １０ セラミック基板（ａ）（基板） １１ セラミック基板（ｂ）（基板） １２ セラミック基板（基板）
プライン） ４ ゲート結合ストリップライン（ストリップライン） ６ 安定化誘電体共振器（誘電体共振器） ９ 電界効果トランジスタ（発振素子） １０ セラミック基板（ａ）（基板） １１ セラミック基板（ｂ）（基板） １２ セラミック基板（基板）
Claims (2)
- 【請求項１】 分割された基板と、上面を上記基板の表
面より下方に位置するように該基板間に装着され、周期
的な電気振動を発生する発振素子と、該発振素子のリー
ド線と接続され、上記基板上にこのリード線の延長線方
向に配設されたストリップラインと、該ストリップライ
ンに結合し、上記発振素子より上記電気振動の１／４波
長離れた位置近傍に装着された誘電体共振器とを備えた
誘電体発振器。 - 【請求項２】 くぼみを設けた基板と、上面を上記基板
の表面より下方に位置するように該基板のくぼみに装着
され、周期的な電気振動を発生する発振素子と、該発振
素子のリード線と接続され、上記基板上にこのリード線
の延長線方向に配設されたストリップラインと、該スト
リップラインに結合し、上記発振素子より上記電気振動
の１／４波長離れた位置近傍に装着された誘電体共振器
とを備えた誘電体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21659391A JPH0541611A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 誘電体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21659391A JPH0541611A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 誘電体発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541611A true JPH0541611A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16690855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21659391A Pending JPH0541611A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 誘電体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541611A (ja) |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP21659391A patent/JPH0541611A/ja active Pending
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