JPH0537715A

JPH0537715A - 光電変換装置

Info

Publication number: JPH0537715A
Application number: JP3208806A
Authority: JP
Inventors: Koji Tomota; 幸治友田; Isao Kobayashi; 功小林; Tadao Endo; 忠夫遠藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-07-26
Filing date: 1991-07-26
Publication date: 1993-02-12

Abstract

(57)【要約】【目的】信号出力を均一化でき、この信号出力を用い
て再生した画像が高品質である光電変換装置を提供す
る。【構成】複数の信号配線５のうち最も外側の信号配線
（Ｓout ）と導電層とにより形成される浮遊容量成分を
Ｃout 、複数の信号配線５のうち前記最も外側の信号配
線以外の他の一つの信号配線（Ｓin）と前記導電層とに
より形成される浮遊容量成分をＣin、とした時、前記信
号配線（Ｓout ）に対応して設けられた蓄積手段７の容
量ＣＳout と前記信号配線（Ｓin）に対応して設けられ
た蓄積手段７の容量ＣＳinとの差が、前記浮遊容量成分
Ｃout と前記浮遊容量成分Ｃinとの差を補償するに充分
な大きさをもつ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光電変換装置に係り、
特にファクシミリ装置、デジタル複写機等の画像読み取
り装置に用いられる光電変換装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下、画像読み取り装置に用いられる光
電変換装置の一構成例について説明する。図３はかかる
光電変換装置の一構成例となる回路図である。但しここ
では９個の光センサを有する光センサアレイの場合を一
例として、取り上げる。

【０００３】同図において、光センサＳ１１〜Ｓ３３
は、３個で１ブロックを構成し、３ブロックで光センサ
アレイを構成している。光センサＳ１１〜Ｓ３３に各々
対応している蓄積コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ３３、スイ
ッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ３３も同様である。

【０００４】また光センサＳ１１〜Ｓ３３の各ブロック
内で同一順番を有する個別電極は、各々スイッチングト
ランジスタＴ１１〜Ｔ３３を介して、共通線１０１〜１
０３の一つに接続されている。詳細にいえば、各ブロッ
クの第１のスイッチングトランジスタＴ１１，Ｔ２１，
Ｔ３１が共通線１０１に、各ブロックの第２のスイッチ
ングトランジスタＴ１２，Ｔ２２，Ｔ３２が共通線１０
２に、そして各ブロックの第３スイッチングトランジス
タＴ１３，Ｔ２３，Ｔ３３が共通線１０３に、それぞれ
接続されている。

【０００５】スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ３３
のゲート電極は、ブロック毎に共通接続され、ブロック
ごとにシフトレジスタ２０１の並列出力端子に接続され
ている。したがって、シフトレジスタ２０１のシフトタ
イミングによってスイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ
３３はブロック毎に順次ＯＮ状態となる。共通線１０１
〜１０３は、各々スイッチングトランジスタＴＳ１〜Ｔ
Ｓ３を介して、アンプ２０４に接続されている。シフト
レジスタ２０３のシフトタイミングによってスイッチン
グトランジスタＴＳ１〜ＴＳ３は順次ＯＮ状態となる。

【０００６】スイッチングトランジスタＲ１１〜Ｒ３３
のゲート電極は、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ
３３のゲート電極と同様に、ブロック毎に共通接続さ
れ、ブロックごとにシフトレジスタ２０２の並列出力端
子に接続されている。したがって、シフトレジスタ２０
２のシフトタイミングによってスイッチングトランジス
タＲ１１〜Ｒ３３はブロック毎に順次ＯＮ状態となる。

【０００７】また図３において、共通線１０１〜１０３
は、それぞれ負荷コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３を介して接
地され、且つスイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３
を介して接地されている。

【０００８】負荷コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３の容量は蓄
積コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ３３のそれよりも十分大き
くとっておく。スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ
３の各ゲート電極は共通に接続され、端子１０４に接続
されている。すなわち、端子１０４にハイレベルが印加
されることで、スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ
３は同時にオン状態となり共通線１０１〜１０３が接地
されることになる。

【０００９】次にこのような構成を有する光電変換装置
の動作を図４に示すスイッチングトランジスタＲＳ１〜
ＲＳ３及びＲ１１〜Ｒ３３のタイミングチャートを用い
て説明する。ただし図４では、各スイッチングトランジ
スタがオン状態となるタイミングを示しているが、むろ
んこのタイミングはシフトレジスタ２０１，２０２およ
び２０３から出力されるハイレベルのタイミングでもあ
る。

【００１０】まず光センサＳ１１〜Ｓ３３に光が入射す
ると、その強度に応じて電源１０５からコンデンサＣＳ
１１〜ＣＳ３３に電荷が蓄積される。そして、まずシフ
トレジスタ２０１の第１の並列端子からハイレベルが出
力され、スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３がオ
ン状態になる〔図４（ａ）〕。

【００１１】スイッチングトランジスタＴ１１〜Ｔ１３
がオン状態になることで、コンデンサＣＳ１１〜ＣＳ１
３に蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＬ１
〜ＣＬ３へ転送される。

【００１２】続いて、シフトレジスタ２０３から出力さ
れるハイレベルがシフトして、スイッチングトランジス
タＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となる〔図４（ｄ）〜
（ｆ）〕。

【００１３】これによって、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ３
に転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ２
０４を通って順次読み出される。第１ブロックの情報が
読み出されると、端子１０４にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＲＳ１〜ＲＳ３は同時にオン
状態となる〔図４（ｇ）〕。

【００１４】この動作により、コンデンサＣＬ１〜ＣＬ
３の残留電荷が完全に放電される。コンデンサＣＬ１〜
ＣＬ３の残留電荷が完全に放電された時点で、シフトレ
ジスタ２０１がシフトし、第２の並列端子からハイレベ
ルが出力される。これによってスイッチングトランジス
タＴ２１〜Ｔ２３がオン状態になり〔図４（ｂ）〕、第
２ブロックのコンデンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積され
ている電荷がコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される。
同時点においてシフトレジスタ２０２の第１の並列端子
からハイレベルが出力され、スイッチングトランジスタ
Ｒ１１〜Ｒ１３がオン状態となり〔図４（ｈ）〕、コン
デンサＣＳ１１〜ＣＳ１３の残留電荷が完全に放電され
る。

【００１５】このように、第１ブロックのコンデンサＣ
Ｓ１１〜ＣＳ１３の放電動作と、第２ブロックのコンデ
ンサＣＳ２１〜ＣＳ２３に蓄積されている電荷がコンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３へ転送される転送動作とが並行して
行なわれる。そして第１ブロックの場合と同様に、シフ
トレジスタ２０３のシフトにより、スイッチングトラン
ジスタＴＳ１〜ＴＳ３が順次オン状態となり、コンデン
サＣＬ１〜ＣＬ３に蓄積されている第２ブロックの光情
報が順次読み出される〔図４（ｄ）〜（ｆ）〕。

【００１６】第３ブロックの場合も同様に、転送動作
〔図４（ｃ）〕と並行して、第２ブロックのコンデンサ
ＣＳ２１〜ＣＳ２３の放電動作が行なわれ〔図４
（ｉ）〕、以下同様に、上記動作がブロックごとに繰り
返される。

【００１７】図２および図５は上記光電変換装置に係る
従来の光電変換部の模式的な断面図および平面図であ
る。

【００１８】本例ではａ−Ｓｉ：Ｈを用いて、光電変換
素子部１、蓄積コンデンサ部２、ＴＦＴ部３および４、
マトリクス信号配線部５、ゲート駆動配線部６および共
通コンデンサ部７等が透光性絶縁基板１０上に同一プロ
セスにより一体的に形成されている。なお、図２及び図
５の構成は図３の構成と同一なものではなく、ここで
は、ＴＦＴ部３のトランジスタと共通コンデンサ７のコ
ンデンサとは数が同じであって、図３に示したような共
通線１０１〜１０３を用いたマトリクス接続とはなって
いない。

【００１９】透光性絶縁基板１０上には、Ａｌ、Ｃｒ等
の第１の導電体層２４、ＳｉＮ等の第１の絶縁層２５、
ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６、ｎ⁺ 型ａ
−Ｓｉ：Ｈのオーミックコンタクト層２７、Ａｌ、Ｃｒ
等の第２の導電体層２８が形成されている。

【００２０】光電変換素子部１において、３０および３
１は上層電極配線である。原稿Ｐで反射された信号光
Ｌ′はａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電性半導体層２６の導
電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線３０，
３１間に流れる電流を変化させる。なお、３２は金属の
遮光層であり、適宜の駆動源に接続して、主電極３０
（ソース電極あるいはドレイン電極）および３１（ドレ
イン電極あるいはソース電極）に対向する制御電極（ゲ
ート電極）となるようにしてもよい。

【００２１】蓄積コンデンサ部２は、下層電極配線３３
と、この下層電極配線３３上に形成された第１の絶縁層
２５と光導電性半導体２６と、光導電性半導体２６上に
形成された光電変換部１の上層電極配線３１に連続した
配線とから構成される。この蓄積コンデンサ部２の構造
はいわゆるＭＩＳコンデンサの構造である。バイアス条
件は正負いずれも用いることができるが、下層電極配線
３３を常に負にバイアスする状態で用いることにより、
安定な容量と周波数特性を得ることができる。ＴＦＴ部
３および４は、ゲート電極たる下層電極配線３４と、ゲ
ート絶縁層をなす第２の絶縁層２５と、半導体層２６
と、ソース電極たる上層電極配線３５と、ドレイン電極
たる上層電極配線３６等とから構成される。

【００２２】マトリクス信号配線部５においては、基板
１０上に第１の導電層からなる個別信号配線２２、個別
信号配線２２を被う絶縁層２５、半導体層２６、オーミ
ックコンタクト層２７、そして個別信号配線と交差する
第２の導電層からなる共通信号配線３７が順次積層され
ている。３８は、個別信号配線２２と共通信号配線３７
とオーミックコンタクトをとるためのコンタクトホー
ル、３９は蓄積コンデンサ部２の接地配線である。

【００２３】ＴＦＴ駆動用ゲート線の配線部６において
は、基板１０上に第１の導電層２４からなる個別ゲート
配線４０、個別ゲート配線を被う絶縁層２５、半導体層
２６、オーミックコンタクト層２７、そして個別ゲート
配線４０と交差する、第２の導電層２８からなる共通ゲ
ート配線４１が順次積層されている。４２は個別ゲート
配線４０と共通ゲート配線４１とのオーミックコンタク
トを取るためのコンタクトホールである。

【００２４】共通コンデンサ部７は、個別信号配線たる
下層電極配線２２と、この下層電極配線２２上に形成さ
れた第１の絶縁層２５と光導電性半導体層２６と、光導
電性半導体層２６上に形成される第２導電層２８からな
る上層電極配線４３とから構成される。この共通コンデ
ンサ部７の構造は蓄積コンデンサ部２と同様のＭＩＳコ
ンデンサの構造である。バイアス条件は正負いずれも用
いることができるが、上層電極配線４３を常に正にバイ
アスする状態で用いることにより、安定な容量と周波数
特性を得ることができる。

【００２５】以上のように本従来例の光電変換装置は、
光電変換素子部、蓄積コンデンサ部、ＴＦＴ部、マトリ
クス信号配線部、ゲート駆動配線部および共通コンデン
サ部のすべてが光導電性半導体層および絶縁層、導電体
層等の積層構造を有するので、各部は同一プロセスによ
り同時形成されている。

【００２６】更に、第２の導電層２８上には、主として
光電変換素子部１およびＴＦＴ部３，４の半導体層表面
の保護安定化のためにＳｉＮ等からなるパッシベーショ
ン層１１、原稿Ｐとの摩擦から光電変換素子等を保護す
るためにマイクロシートガラス等からなる耐摩擦層８が
形成されている。

【００２７】パッシベーション層１１と耐摩耗層８との
間には、透光性導電層からなる静電気対策層１５（導電
層）が形成されている。

【００２８】静電気対策層１５は、原稿Ｐと耐摩耗層８
との摩擦により発生する静電気が光電変換素子等に悪影
響を及ぼさないようにするために配置されている。静電
気対策層１５の材料としては、照明光Ｌおよび信号光
Ｌ′を透過させる必要があるため、ＩＴＯ等の酸化物半
導体透明導電膜が用いられる。

【００２９】本従来例では静電気対策層を形成した対摩
耗層を接着層によりパッシベーション層１１の上に接着
し、静電気対策層１５を接地して用いている。

【００３０】本従来例の構成において、図３の負荷コン
デンサＣＬ１〜ＣＬ３は、該共通コンデンサ部７と、静
電気対策層１５と共通信号配線３７との間に形成される
浮遊コンデンサと、ＴＦＴ部３におけるゲート電極たる
下層電極配線３４と個別信号配線２２に接線される上層
電極配線３５との間に形成される容量（以下Ｃｇｓと称
する）とで構成されている。実際に製品となって世に出
ているＡ４サイズの光電変換装置においては、ファクシ
ミリＧ３規格に準ずると光電変換素子の個数は、１７２
８個である。この１７２８ビットの光電変換素子をマト
リクス接続を用いて４８ビットずつ３６ブロックに分割
した場合の上記負荷コンデンサの具体的な構成例を示す
と、共通コンデンサ部が約２００〜３００ｐＦ、共通信
号配線における浮遊コンデンサが約１０〜２０ｐＦ、Ｔ
ＦＴ部におけるＣｇｓが１素子あたり約１ｐＦであり、
３６ブロック分割である為、約３６ｐＦとなる。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光電変換装置においては、静電気対策層１５と共通
信号線３７との間に形成される浮遊コンデンサがマトリ
クス信号配線部５の各信号配線の位置によりバラツキを
生ずる。すなわち、静電気対策層１５と共通信号線３７
との距離と、共通信号線３７の幅と、共通信号線３７の
線間幅とが同程度の場合、マトリクス信号配線部５にお
いて最も外側の共通信号線３７と静電気対策層１５との
間に形成される浮遊コンデンサと、かかる最も外側の共
通信号線３７以外の共通信号線３７と静電気対策層１５
との間に形成される浮遊コンデンサとの間に約２０％ほ
どの容量値の差が生じる。浮遊コンデンサは、負荷コン
デンサの一部として働くため負荷コンデンサ容量に差が
生じ、その結果出力信号電圧に差が生じる。

【００３２】ファクシミリＧ３規格に準ずるＡ４サイズ
１７２８ビットの光電変換素子をマトリクス接続を用い
て４８ビット３６ブロックに分割した光電変換装置の場
合、濃度の均一な原稿を読み取った時の信号出力は、マ
トリクス両端の信号線（１ビット目と４８ビット目）の
出力信号が小さくなるため、階調読みのような高品位の
画像処理を行なった場合、４８ビット分６ｍｍ幅毎に、
本来の原稿の濃度とは異なる濃い濃度で表わされ、画像
全体としては黒いすじが６ｍｍピッチで現れるという問
題があった。

【００３３】前記浮遊容量の差を計算により求めるた
め、図６に示すようなマトリクス信号配線部を考える。
以下、図６を用いて前記マトリクス配線部の構成を説明
する。誘電率ε₁＝４．０のガラス基板６１上に誘電率
ε₃＝９．４、厚さｄ₃＝１μｍのａ−Ｓｉ：Ｈからな
る光導電性半導体層２０１〜２０５、厚さｄ₄＝１μｍ
の導体層１０１〜１０５が幅Ｌ＝１０μｍ、間隔Ｓ＝１
１μｍで配線されている、さらにε₂＝４．０のポリイ
ミド等からなるパッシベーション層６２が、導体層上で
厚さｄ₂＝８μｍで形成され、さらにその上部に静電気
対策層のＩＴＯ膜６３で構成されたもので、ＩＴＯ膜と
導体層１０１〜１０５からなる信号線１〜５間の容量を
算出する。

【００３４】導体層１０１〜１０５のもつ全電荷をＱ₁
〜Ｑ₅、電位をφ₁〜φ₅、ＩＴＯ膜の全電荷をＱ₆、
電位をφ₆とすると、

【００３５】

【数１】という式が成り立つ。

【００３６】但しＣ_ijは容量係数行列要素である。

【００３７】上記式を有限要素法等により容量を計算し
た結果、図７に示すようになる。図７によると信号線両
端の１，５と信号線中央の３では１６．５ｐＦ／ｍの容
量差が生じる事が判る。

【００３８】なお、上記式の算出法等については、以下
の文献の定義に従っている。

【００３９】河野照哉，宅間薫，共著、「数値電解
計算法」、（コロナ社、昭和５５年）、ｐ．１２６．川村雅恭著、「電磁気学−基礎と例題−」、（昭晃
堂、昭和４９年）、ｐ．７０．

【００４０】

【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置
は、基板上に配列された複数の信号配線と、複数の光セ
ンサと前記複数の信号配線とを電気的に接続し該複数の
信号配線と交差するように配置された複数の接続配線
と、を備えるとともに、前記複数の信号配線と浮遊容量
を形成する導電層を有する光電変換装置において、前記
複数の信号配線のうち最も外側の信号配線（Ｓout ）と
前記導電層とにより形成される浮遊容量成分をＣout 、
前記複数の信号配線のうち前記最も外側の信号配線以外
の他の一つの信号配線（Ｓin）と前記導電層とにより形
成される浮遊容量成分をＣin、とした時、前記信号配線
（Ｓout ）に対応して設けられた蓄積手段の容量ＣＳou
t と前記信号配線（Ｓin）に対応して設けられた蓄積手
段の容量ＣＳinとの差が、前記浮遊容量成分Ｃout と前
記浮遊容量成分Ｃinとの差を補償するに充分な大きさを
もつことを特徴とする。

【００４１】また、本発明の光電変換装置は、複数の光
センサからの出力信号を取り出す複数のスイッチ手段
と、該複数のスイッチ手段からの信号を出力するための
配列された複数の信号配線と、前記複数の光センサと前
記複数の信号配線とを電気的に接続し該複数の信号配線
と交差するように配置された複数の接続配線と、を備え
るとともに、前記複数の信号配線と浮遊容量を形成する
導電層を有する光電変換装置において、前記複数の信号
配線のうち最も外側の信号配線（Ｓout ）と前記導電層
とにより形成される浮遊容量成分をＣout 、前記複数の
信号配線のうち前記最も外側の信号配線以外の他の一つ
の信号配線（Ｓin）と前記導電層とにより形成される浮
遊容量成分をＣin、とした時、前記信号配線（Ｓout ）
に対応して設けられた蓄積手段の容量ＣＳout と前記信
号配線（Ｓin）に対応して設けられた蓄積手段の容量Ｃ
Ｓinとの差が、前記浮遊容量成分Ｃout と前記浮遊容量
成分Ｃinとの差を補償するに充分な大きさをもつことを
特徴とする。

【００４２】

【作用】前述したように、配列された複数の信号配線上
に、対向する静電気対策層のような導電層が設けられた
光電変換装置では、各信号配線に接続される蓄積容量の
他に信号配線と導電層とによって生ずる容量等があり、
最も外側の信号配線による容量（Ｃｏｕｔ）とそれ以外
の他の一の信号配線による容量（Ｃｉｎ）とでは差があ
る（Ｃｏｕｔ＞Ｃｉｎ）。

【００４３】そこで、本発明は、最も外側の信号配線に
接続されている蓄積容量の値を、それ以外の他の一の信
号配線に接続されている蓄積容量の値よりもＣｏｕｔ−
Ｃｉｎ分だけ小さくすることで、信号配線と導電層とに
よって生ずる容量の差を補正せんとしたのである。又、
逆に回路レイアウトや層構成の変更によりＣout ＜Ｃin
となる場合には、最も外側の信号配線に接続される蓄積
容量の値を他の一つの信号線に接続されている蓄積容量
の値よりもＣｉｎ−Ｃｏｕｔ分だけ大きくする。又、蓄
積容量間の差は正確にＣｏｕｔとＣｉｎとの差に一致す
る必要はなく、信号の読み出しにおいて容量分割による
バラツキを十分に補償できる大きさであればよい。

【００４４】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。

【００４５】図１は、本発明の光電変換装置に係る一実
施例の光電変換部の模式的な平面図である。なお、その
断面図は前述した図２の構成と同じなので、断面構造に
ついては、図２を用いて説明する。

【００４６】図１において、図５の従来例と同一又は相
当する構成部材については同一符号を付し、詳細な説明
を省略する。また、本実施例の動作に関しては、従来例
の図３，図４を用いて説明した動作と同様なので説明を
省略する。

【００４７】図１に示すように、本実施例においては、
マトリクス信号配線部５の両端に配置された共通信号配
線に接続された共通コンデンサの面積Ａ，Ｂが、他の共
通信号配線に接続された共通コンデンサの面積よりも小
さくなっている。面積を小さくすることで共通コンデン
サの容量を小さくしている。共通コンデンサの容量は上
下電極間の距離や誘電体の誘電率等の構造を変えること
によっても変えることができる。

【００４８】ここで説明した共通コンデンサは、この共
通コンデンサが接続されている共通信号配線の負荷コン
デンサの一部であることから、すべての共通信号配線に
おいて負荷コンデンサの容量を均一にすることができ
る。共通コンデンサの面積Ａ，Ｂは、図６および図７で
説明した浮遊コンデンサの差を補正するために最適設計
されている。すなわち、かかる共通コンデンサの面積
Ａ，Ｂは、マトリクス信号配線部５の最も外側の信号配
線と静電気対策層１５（図２に図示）とにより形成され
る容量が、マトリクス信号配線部５の該最も外側の信号
配線以外の他の一の信号配線と静電気対策層１５とによ
り形成される容量よりも大きくなる容量分、小さくなる
ように設計されている。

【００４９】以上説明したように、本実施例によれば、
信号出力の差を簡易な方法で補正できるため、均一な信
号出力を得る事が可能となりこの信号出力を用いて再生
した画像が高品質である光電変換装置を提供することが
できる。

【００５０】なお、本実施例では、図１に示されるよう
に、個別信号配線２２と共通信号配線３７の数が同じと
なっているが、一本の共通信号配線に複数の個別信号配
線が接続される場合にも本発明を適用できることは勿論
である。さらに、ＴＦＴ部３のトランジスタと共通コン
デンサ７のコンデンサとは数が同じとなっているが、図
３に示したような共通線１０１〜１０３を用いたマトリ
クス接続とした場合に本発明を適用できることは勿論で
ある。

【００５１】図８は、本実施例に係るセンサユニットを
用いて構成した画像情報処理装置として通信機能を有す
るファクシミリの一例を示す概略的構成図である。

【００５２】ここで、302 は原稿Ｐを読み取り位置に向
けて給送するための給送手段としての給送ローラ、304
は原稿Ｐを一枚ずつ確実に分離給送するための分離片で
ある。306 はセンサユニットに対して読み取り位置に設
けられて原稿Ｐの被読み取り面を規制するとともに原稿
Ｐを搬送する搬送手段としてのプラテンローラである。

【００５３】ＰＰは図示の例ではロール紙形態をした記
録媒体であり、センサユニットにより読み取られた画像
情報あるいはファクシミリ装置等の場合には外部から送
信された画像情報がここに再生される。310 は当該画像
形成をおこなうための記録手段としての記録ヘッドで、
サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種々のも
のを用いることができる。また、この記録ヘッドは、シ
リアルタイプのものでも、ラインタイプのものでもよ
い。312 は記録ヘッド310 による記録位置に対して記録
媒体Ｐを搬送するとともにその被記録面を規制する搬送
手段としてのプラテンローラである。

【００５４】320 は、入力／出力手段としての操作入力
を受容するスイッチやメッセージその他、装置の状態を
報知するための表示部等を配したオペレーションパネル
である。

【００５５】330 は制御手段としてのシステムコントロ
ール基板であり、各部の制御を行なう制御部（コントロ
ーラー）や、光電変換素子の駆動回路（ドライバー）、
画像情報の処理部（プロセッサー）、送受信部等が設け
られる。340 は装置の電源である。

【００５６】本発明の情報処理装置に用いられる記録手
段としては、例えば米国特許第4723129 号明細書、同第
4740796 号明細書にその代表的な構成や原理が開示され
ているものが好ましい。この方式は液体（インク）が保
持されているシートや液路に対応して配置されている電
気熱変換体に、記録情報に対応していて核沸騰を越える
急速な温度上昇を与える少なくとも一つの駆動信号を印
加することによって、電気熱変換体に熱エネルギーを発
生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰させて、結果
的にこの駆動信号に一対一に対応した液体（インク）内
の気泡を形成出来るので有効である。この気泡の成長、
収縮により吐出用開口を介して液体（インク）を吐出さ
せて、少なくとも一つの滴を形成する。

【００５７】更に、記録装置が記録できる最大記録媒体
の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録ヘ
ッドとしては、上述した明細書に開示されているような
複数記録ヘッドの組み合わせによって、その長さを満た
す構成や一体的に形成された一個の記録ヘッドとしての
構成のいずれでも良い。

【００５８】加えて、装置本体に装着されることで、装
置本体との電気的な接続や装置本体からのインクの供給
が可能になる交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あ
るいは記録ヘッド自体にインクタンクを一体的に設けら
れたカートリッジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも
本発明は有効である。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信号配線とこれに対向して設けられる導電層とで形成さ
れる容量の差を信号配線に接続された蓄積容量の値を調
整することで補正することにより、信号出力を均一化で
き、この信号出力を用いて再生した画像が高品質である
光電変換装置を提供することができる。

【００６０】より具体的には、ファクシミリＧ３規格に
準ずるＡ４サイズ１７２８ビットの光電変換素子をマト
リクス接続を用いて４８ビットずつ３６ブロックに分割
した光電変換装置の場合、濃度の均一な原稿を読み取っ
た時の信号出力は、マトリクス両端の信号線（１ビット
目と４８ビット目）の出力信号が他の出力信号と同程度
になり、階調読みのような高品位の画像処理を行なった
場合においても、４８ビット分６ｍｍ幅毎に、本来の原
稿の濃度とは異なる濃い濃度で表わされることがなく、
画像全体としても黒いすじが６ｍｍピッチで現れること
がなくなる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電変換装置に係る光電変換部の模式
的な平面図である。

【図２】本発明および従来例の光電変換装置に係る光電
変換部の模式的な断面図である。

【図３】本発明および従来例の光電変換装置の等価回路
図である。

【図４】本発明および従来例の光電変換装置の動作を説
明するためのタイミングチャート図である。

【図５】従来例の光電変換装置に係る光電変換部の模式
的な平面図である。

【図６】従来例の光電変換装置の容量計算するためのモ
デル図である。

【図７】図６の構成の容量計算の結果を示す特性図であ
る。

【図８】本実施例に係るセンサユニットを用いて構成し
た画像情報処理装置として通信機能を有するファクシミ
リの一例を示す概略的構成図である。

【符号の説明】

１光電変換素子部２蓄積コンデンサ部３ＴＦＴ部４ＴＦＴ部５マトリクス信号配線部６ゲート駆動配線部７共通コンデンサ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 31/10 8422−4ＭＨ０１Ｌ 31/10 Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に配列された複数の信号配線と、
複数の光センサと前記複数の信号配線とを電気的に接続
し該複数の信号配線と交差するように配置された複数の
接続配線と、を備えるとともに、前記複数の信号配線と
浮遊容量を形成する導電層を有する光電変換装置におい
て、前記複数の信号配線のうち最も外側の信号配線（Ｓout
）と前記導電層とにより形成される浮遊容量成分をＣo
ut 、前記複数の信号配線のうち前記最も外側の信号配
線以外の他の一つの信号配線（Ｓin）と前記導電層とに
より形成される浮遊容量成分をＣin、とした時、前記信
号配線（Ｓout ）に対応して設けられた蓄積手段の容量
ＣＳout と前記信号配線（Ｓin）に対応して設けられた
蓄積手段の容量ＣＳinとの差が、前記浮遊容量成分Ｃou
t と前記浮遊容量成分Ｃinとの差を補償するに充分な大
きさをもつことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】複数の光センサからの出力信号を取り出
す複数のスイッチ手段と、該複数のスイッチ手段からの
信号を出力するための配列された複数の信号配線と、前
記複数の光センサと前記複数の信号配線とを電気的に接
続し該複数の信号配線と交差するように配置された複数
の接続配線と、を備えるとともに、前記複数の信号配線
と浮遊容量を形成する導電層を有する光電変換装置にお
いて、前記複数の信号配線のうち最も外側の信号配線（Ｓout
）と前記導電層とにより形成される浮遊容量成分をＣo
ut 、前記複数の信号配線のうち前記最も外側の信号配
線以外の他の一つの信号配線（Ｓin）と前記導電層とに
より形成される浮遊容量成分をＣin、とした時、前記信
号配線（Ｓout ）に対応して設けられた蓄積手段の容量
ＣＳout と前記信号配線（Ｓin）に対応して設けられた
蓄積手段の容量ＣＳinとの差が、前記浮遊容量成分Ｃou
t と前記浮遊容量成分Ｃinとの差を補償するに充分な大
きさをもつことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】請求項２記載の光電変換装置において、
前記スイッチ手段が光センサの出力信号を一定数ずつ１
ブロックとして順次取り出すスイッチ手段であって、前
記蓄積手段が該スイッチ手段によって取り出された１ブ
ロックの信号を蓄積する蓄積手段である光電変換装置。