JPH0536829A - 半導体集積回路装置およびそのレイアウト設計方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびそのレイアウト設計方法

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JPH0536829A
JPH0536829A JP3189103A JP18910391A JPH0536829A JP H0536829 A JPH0536829 A JP H0536829A JP 3189103 A JP3189103 A JP 3189103A JP 18910391 A JP18910391 A JP 18910391A JP H0536829 A JPH0536829 A JP H0536829A
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和広 坂下
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晃和 湯佐
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毅 橋爪
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達紀 菰池
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 大規模回路ブロックと論理回路素子が混載し
た半導体集積回路装置のレイアウト設計において、電源
接続配線を直線状に形成し、集積度を向上させ、電源ノ
イズを低減し、配置配線の自動化を実現させる。 【構成】 半導体集積回路装置1は1個の大規模回路ブ
ロック3と複数個の論理回路素子4とを含む。大規模回
路ブロック3を囲むようにVDDとGND環状電源配線
5と6が配置されている。横方向に延びる環状電源配線
5と6がそれぞれ2本に分割されて配置されている。論
理回路素子4と環状電源配線5,6との間の接続は直線
状のVDDとGND支線電源配線7,8によって行なわ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は一般的には半導体集積
回路装置およびそのレイアウト設計方法に関し、特に均
一な高さの論理回路素子(スタンダード・セル)と、そ
れよりも大きな大規模回路ブロックとが混載される半導
体集積回路装置の電源配線構造と、そのレイアウト設計
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子回路装置の進展は急速であ
る。性能、機能の高い電子回路装置を短期間に開発する
傾向はますます加速されている。したがって、このよう
な電子回路装置の短期開発の錠となる半導体集積回路装
置についても短期間に高性能、高機能なものを開発する
必要がある。短期間で半導体集積回路装置を開発するた
めには、その設計において自動配置配線プログラムを用
いるのが一般的である。自動配置配線プログラムを用い
る場合、任意の形状の論理回路素子を取扱うことはプロ
グラムを作成する上で困難である。そのため、論理回路
素子の形状の標準化が図られている。一般的には、配置
配線の対象とされる論理回路素子の高さを一定にする方
法(スタンダード・セル方式)が採用されている。適当
な数の論理回路素子(スタンダード・セル)が横方向に
一列に並べられたものが上下に積重ねられることによ
り、半導体集積回路装置の内部領域が形成される。
【0003】大規模集積回路装置(LSI)は、最近の
一般的分類方法としてLSIレイアウト設計の面から、
カスタムLSIとセミカスタムLSIとに分類される。
ここで、カスタムLSIとは、ある特定のLSIを設計
するにあたって、LSI全体または内部のブロックがそ
のLSI専用に設計されるものをいう。セミカスタムL
SIとは、共通回路として予め設計されているレイアウ
トパターンが登録されたライブラリーを用いて設計され
るものをいう。この定義によれば、上記のスタンダード
・セル方式はセミカスタムLSIの設計方法に分類され
る。
【0004】スタンダード・セル方式は、標準的な回路
ブロックセルを予め設計してセルライブラリーに登録し
ておき、これを用いてLSIを設計する方式で、セミカ
スタムLSIの設計方法の一種である。各回路ブロック
セルは、CADシステムの自動配置配線プログラムによ
り配置される。ライブラリーに登録される標準的な回路
ブロックセルとしてのスタンダード・セルは、通常、単
純な論理ゲートやフリップフロップ等の論理回路が予め
設計されたレイアウトパターンである。これらの標準的
なレイアウトパターンは、一度設計され、シミュレーシ
ョンまたは実験によって正確な動作が検証されると、デ
ータベースに登録される。これにより、セルライブラリ
ーが構成される。また、これらの標準的なレイアウトパ
ターンは幾何学的には高さ一定、幅が可変の形状を有す
る。要するに、スタンダード・セル方式によるLSIの
レイアウト設計は、ライブラリーから標準的なレイアウ
トパターンを取出し、CADシステムによって各レイア
ウトパターンの配置と配線を行なうものである。
【0005】図20は、従来のスタンダード・セル方式
による半導体集積回路装置の配置を示す平面図である。
図20を参照して、半導体集積回路装置1の基板となる
チップの周辺部分には、入力/出力バッファ回路などの
周辺回路2が配置されている。周辺回路2によって囲ま
れたチップの内部領域には、同一の高さを有する論理回
路素子4が複数個、横方向に一列に並ぶように配置され
ている。各論理回路素子4にVDD電位とGND電位と
をそれぞれ供給するために、VDDとGNDの支線電源
配線7と8が各論理回路素子4に接続されている。VD
DとGNDの幹線電源配線9と10は、それぞれ支線電
源配線7と8にVDDとGNDの電位を供給するために
チップ内の左右側と中央の部分に配置されている。論理
回路素子4の電源端子は論理回路素子4の左右辺に存在
する。隣接する2つの論理回路素子間の接続は直線上の
電源配線により行なわれる。その結果として、一列の論
理回路素子4に1組の支線電源配線7と8が形成され
る。また、上下に複数個、適宜設けられた支線電源配線
7と8に必要な電力を供給するために、幹線電源配線9
と10が形成されている。信号配線は図20においては
省略されているが、論理回路素子4の列の外側の領域、
あるいは論理回路素子4の列の上の領域を用いて比較
的、細い線幅で信号配線は配置されている。さらに、こ
れらの支線電源配線7と8、幹線電源配線9と10にお
いては、基本的に左右横方向の配線が第1の配線層、上
下縦方向の配線が第2の配線層となるように装置全体で
統一されている。異なる配線層間の接続は、配線層間の
絶縁層の所望の位置に接続孔を形成することによって行
われている。このように電源配線を含めて統一したチッ
プの形成方法を採用することにより、配置配線の自動化
が効果的にかつ容易に達成され得る。
【0006】ところで、最近、さらなる性能の向上が強
く要求され、高性能、高機能な半導体集積回路装置を短
期間で開発する必要が生じてきている。このような背景
の下で、これまでのようにすべて同一高さを有する論理
回路素子のみを用いた方法から、ある程度大規模な、ま
とまった機能を有する大規模回路ブロックと同一高さの
論理回路素子とを混載させることにより、半導体集積回
路装置を形成する必要が生じてきている。大規模回路ブ
ロックは予め高い性能を有するように高密度の素子から
構成されている。大規模回路ブロックとして、たとえ
ば、メモリ(RAM、ROM)、PLA、乗算器などを
挙げることができる。このような大規模回路ブロック
は、チップ全体の配置配線を実行する時点では既にその
パターンが形成済みである。また、大規模回路ブロック
において電源系の配線形状や端子位置も既に決定されて
いる。したがって、多くの場合、大規模回路ブロックと
隣接する高さの一定な論理回路素子との電源系の配線は
必ずしも容易ではない。その結果、論理回路素子と大規
模回路ブロックとの電源配線を標準化することはできな
いので、その配線の自動化が困難であった。
【0007】図21は大規模回路ブロックと論理回路素
子とが混載された半導体集積回路装置のレイアウト設計
方法を示すフローチャートである。図22〜図24は図
21に従って半導体集積回路装置の平面的配置を示す平
面図である。これらの図を参照して、従来の半導体集積
回路装置のレイアウト設計方法について説明する。
【0008】まず、図21のステップ201と図22を
参照して、半導体集積回路装置の基板となるチップ1の
周辺領域にI/Oバッファ回路などを含む周辺回路2が
配置される。
【0009】次に、図21のステップ202と図23を
参照して、周辺回路2によって囲まれた内部領域に機能
セルが配置される。機能セルとしては、たとえば、1個
の大規模回路ブロック3と、複数個の高さが一定の論理
回路素子4とが配置される。
【0010】図21のステップ203と図24を参照し
て、VDDとGNDの幹線電源配線9と10、VDDと
GNDの支線電源配線7と8が、各論理回路素子4と大
規模回路ブロック3との間を相互に接続するように配置
される。このとき、各論理回路素子4の間には信号配線
15も配置される。この電源配線や信号配線の配置は自
動配置配線プログラムによって行なわれる。
【0011】その後、図21のステップ204に示すよ
うに、自動配置配線プログラムによって行なわれた電源
配線と信号配線の配置が所定の条件を満足するかどうか
について判断される。配線の配置が所定の条件を満足し
ない場合、図21に示されるように、電源配線や信号配
線の配置のやり直し、機能セルの配置のやり直し、I/
Oバッファの配置のやり直しが行なわれる。このように
試行錯誤が繰返されることにより、所定の条件を満足す
るまで電源配線と信号配線の配置が行なわれる。
【0012】しかしながら、従来のレイアウト設計方法
によれば、自動配置配線プログラムによって電源配線を
配置しようとすると、図24に示すように太い配線、た
とえばVDDとGNDの幹線電源配線9と10が折れ曲
がるように配置される。これにより、所定の論理機能を
有する半導体集積回路装置の設計において必要とされる
チップの面積が増大する。このチップ面積の増大をでき
るだけ小さくするためには、マニュアル設計に頼らざる
を得なかった。
【0013】また、配線は概略配線と詳細配線に分けて
行なわれるのが普通である。概略配線の段階で信号配線
と電源配線の配置を別々に行なうことは可能である。し
かしながら、詳細配線は信号配線と電源配線の配置を混
合して行なうため、概略配線で電源配線が直線的になる
ように指定したとしても、詳細配線の段階で電源配線の
折れ曲りが生じてしまう。
【0014】上記のような問題を解決するために、大規
模回路ブロックの周囲に十分幅の広い環状電源配線を設
ける方法が、たとえば特開平2−82552号公報、特
開平2−86145号公報に提案されている。
【0015】上記公報の提案に従った半導体集積回路装
置の配置は図25に示される。図25を参照して、大規
模回路ブロック3の周囲を囲むように環状電源配線が設
けられている。環状電源配線は、VDD電位とGND電
位とをそれぞれ供給するためのVDDとGNDの電源配
線5と6から構成されている。
【0016】図26は図25の破線部分XXVIを拡大
して詳細に示す図である。図26に示すように、VDD
の環状電源配線は横方向の第1の配線層からなる第1V
DD環状配線51と、縦方向の第2の配線層からなる第
2VDD環状配線52とから構成される。GNDの環状
電源配線は、横方向の第1の配線層からなる第1GND
環状配線61と、縦方向の第2の配線層からなる第2G
ND環状配線62とから構成される。第1VDD環状配
線51と第2VDD環状配線52とは、層間絶縁膜に設
けられた接続孔53bを通じて互いに電気的に接続され
ている。第1GND環状配線61と第2GND環状配線
62とは接続孔63bを通じて互いに電気的に接続され
ている。
【0017】論理回路素子4a,4bには、VDD電位
とGND電位をそれぞれ供給するためにVDD端子47
とGND端子48とが設けられている。論理回路素子4
aと4bの内部では、互いに対向する2つのVDD端子
47と47、GND端子48と48は予め第1の配線層
によって接続されている。各VDD端子47には、第1
の配線層からなる横方向の第1VDD支線71が接続さ
れている。各GND端子48には、第1の配線層からな
る横方向の第1GND支線81が接続されている。
【0018】論理回路素子4aのGND端子48と第2
GND環状配線62とは、直線上の第1GND支線81
によって接続されている。また、論理回路素子4bのV
DD端子47と第1VDD環状配線51とは、直線状の
第1VDD支線71によって接続されている。第1GN
D支線81は接続孔63aを通じて第2GND環状配線
62に接続されている。しかしながら、論理回路素子4
aのVDD端子47と第2VDD環状配線52との接
続、論理回路素子4bのGND端子48と第1GND環
状配線61との接続は、直線状の電源支線によって行な
われていない。すなわち、論理回路素子4aのVDD端
子47に接続された第1VDD支線71は接続孔73b
を通じて、第2の配線層からなる縦方向の第2VDD支
線72に接続される。この第2VDD支線72は接続孔
73aを通じて第1VDD支線71に接続される。この
第1VDD支線71が接続孔53aを通じて第2VDD
環状配線52に接続される。一方、論理回路素子4bの
GND端子48に接続された第1GND支線81は接続
孔83bを通じて、第2の配線層からなる縦方向の第2
GND支線82に接続される。この第2GND支線82
は接続孔83aを通じて第1GND支線81に接続され
る。この第1GND支線81は第1GND環状配線61
に接続されている。
【0019】このように大規模回路ブロック3の周囲に
幅の広い環状電源配線を設けることにより、大規模回路
ブロックに隣接する多くの論理回路素子の支線電源配線
と環状電源配線との接続は標準化され、容易になる。す
なわち、支線電源配線が直線状に配置される。しかしな
がら、図26に示すように、一部の支線電源配線は折り
曲げられて配線せざるを得ない。そのため、環状電源配
線を設けるだけでは、電源配線の簡易化や標準化を行な
うことができない部分が残存する。
【0020】図27は、環状電源配線が設けられた従来
の半導体集積回路装置のもう1つの例を示す平面図であ
る。図28は図27の破線部分XXVIIIを拡大して
示す図である。図28を参照して、論理回路素子4aの
VDD端子47と第1VDD環状配線51との接続、論
理回路素子4bのGND端子48と第1GND環状配線
61との接続は、それぞれ直線状の第1VDD支線71
と第1GND支線81とによって行なわれている。ま
た、論理回路素子4bのVDD端子47と第2VDD環
状配線52との接続は、接続孔53bを通じて直線状の
第1VDD支線71によって行なわれている。しかしな
がら、論理回路素子4aのGND端子48と第1GND
環状配線61との接続は直線状の支線電源配線によって
は行なわれ得ない。すなわち、論理回路素子4aのGN
D端子48に接続された第1GND支線81は接続孔8
3aを通じて第2GND支線82に接続される。この第
2GND支線82は接続孔83bを通じて第1GND支
線81に接続されている。このように折れ曲がった配線
を行なうことにより、論理回路素子4aのGND端子4
8は第1GND環状配線61に接続される。
【0021】図26と図28に示される環状電源配線5
1,52,61,62は論理回路素子4a,4bの高さ
とほぼ同一の幅を有する。大規模回路ブロック3の消費
電力は大きいので、十分な電力を供給するために太い幅
を有する電源配線が設けられる。そのため、論理回路素
子に接続される2本の支線電源配線の間隔と環状電源配
線との整合性が取れなくなる。その結果、図26や図2
8に示されるように論理回路素子と環状電源配線との接
続において折れ曲がった支線電源配線が必要になる。
【0022】図29は、環状電源配線が設けられた従来
の半導体集積回路装置のさらに別の例を示す平面図であ
る。図30は図29の破線部分XXXを拡大して示す図
である。図30を参照して、この従来例では環状電源配
線51,52,61,62の幅は論理回路素子4の高さ
よりも小さくなっている。また、第1VDD環状配線5
1と第1GND環状配線61の配置は、第1VDD支線
71と第1GND支線81の配置と逆の関係になってい
る。そのため、論理回路素子4のVDD端子47と第1
VDD環状配線51との接続、論理回路素子4のGND
端子48と第1GND環状配線61との接続がそれぞ
れ、折れ曲がった支線電源配線によって行なわれてい
る。すなわち、VDD端子47に接続された第1VDD
支線71は接続孔73bを通じて第2VDD支線72に
接続されている。この第2VDD支線72は接続孔73
aを通じて第1VDD支線71に接続されている。この
ようにして、VDD端子47は第1VDD環状配線51
に接続される。また、GND端子48に接続された第1
GND支線81は接続孔83aを通じて第2GND支線
82に接続されている。この第2GND支線82は接続
孔83bを通じて第1GND支線81に接続されてい
る。このようにして、GND端子48は第1GND環状
配線61に接続されている。
【0023】図30に示すように、環状電源配線の電位
ごとの配置が支線電源配線の電位ごとの配置と逆の関係
になることによっても、環状電源配線と論理回路素子を
接続するための支線電源配線が折れ曲がる。その結果、
すべての電源配線の配置を簡易化し、標準化することが
できない。
【0024】図25、図27、図29においては、大規
模回路ブロック3と環状電源配線5,6との接続配線の
図示は省略されている。
【0025】図31は、環状電源配線が設けられた従来
の半導体集積回路装置において、特に大規模回路ブロッ
クと環状電源配線との接続を示す平面図である。図32
は図31の破線部分XXXIIに着目して示す拡大図で
ある。図32を参照して、大規模回路ブロック3にはV
DD端子13とGND端子14とが設けられている。V
DD環状電源配線は第1VDD環状配線51と第2VD
D環状配線52とから構成される。第1VDD環状配線
51と第2VDD環状配線52とは接続孔53a,53
b,53c,53dを通じて相互に電気的に接続されて
いる。また、GND環状電源配線は第1GND環状配線
61と第2GND環状配線62とから構成されている。
第1GND環状配線61と第2GND環状配線62とは
接続孔63a,63b,63c,63dを通じて相互に
電気的に接続されている。
【0026】大規模回路ブロック3のVDD端子13は
VDD接続配線11によって第2VDD環状配線52に
接続されている。VDD接続配線11は接続孔53p,
53qを通じて第2VDD環状配線52に接続されてい
る。また、大規模回路ブロック3のGND端子14はG
ND接続配線12によって第2GND環状配線62に接
続されている。GND接続配線12は接続孔63pを通
じて第2GND環状配線62に接続されている。
【0027】一方、論理回路素子4のVDD端子47と
第2VDD環状配線52との接続は、横方向に延びる第
1VDD支線71によって行なわれる。また、論理回路
素子4のGND端子48と第2GND環状配線62との
接続は第1GND支線81によって行なわれる。第1V
DD支線71は接続孔53eを通じて第2VDD環状配
線52に接続される。第1GND支線は接続孔63eを
通じて第2GND環状配線62に接続される。
【0028】このように、論理回路素子4と環状電源配
線との接続は、大規模回路ブロック3と環状電源配線と
の接続と同様に、横方向に延びる支線電源配線71,8
1によって行なわれる。そのため、論理回路素子4の位
置と大規模回路ブロック3のVDD,GND端子13,
14の位置との関係によっては、環状電源配線と大規模
回路ブロックとの接続配線の形状が複雑となる場合があ
る。すなわち、図32に示されるように、大規模回路ブ
ロック3のVDD端子13と第2VDD環状配線52と
の接続において、VDD接続配線11の形状が複雑とな
っている。これにより、大規模回路ブロックと環状電源
配線との接続配線が直線状に配置されない場合がある。
その結果、環状電源配線と大規模回路ブロックとの接続
配線の配置を標準化することができない。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置において電源配線は以上のように構成されていたの
で、論理回路素子にVDD電位とGND電位とを供給す
るために、環状電源配線に接続される支線電源配線を直
線状に形成することができないという問題点があった。
また、大規模回路ブロックと環状電源配線との接続にお
いて、その接続配線を直線状に形成することができない
という問題点があった。そのため、電源配線の配置を簡
易化し、標準化することが困難であった。
【0030】上記のような場合、一般の信号配線に比べ
て広い幅を有する支線電源配線が複雑に折れ曲がった状
態で形成されるので、半導体集積回路装置の集積度を低
下させる。また、支線電源配線のインピーダンスを上昇
させる結果として、電源ノイズの増加を招く。さらに、
支線電源配線や、大規模回路ブロックと環状電源配線と
の接続配線を一定の形状で形成することができないの
で、種々の論理回路ブロックの配置と電源配線等の配置
を自動化することが益々困難になるという問題点を招い
ている。
【0031】そこで、この発明の目的は上述の問題点を
解消することであり、接続配線や支線電源配線をできる
だけ直線状に形成して集積度を向上させ、電源ノイズを
低減し、容易に配置配線の自動化を実現することが可能
な半導体集積回路装置とそのレイアウト設計方法を提供
することである。
【0032】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の局面に
従った半導体集積回路装置は、第1の論理回路ブロック
と、第2の論理回路ブロックと、環状電源供給線と、電
源接続線とを備える。第1の論理回路ブロックは基板に
配置されている。第2の論理回路ブロックは基板に配置
され、第1の論理回路ブロックよりも小さい。環状電源
供給線は第1の論理回路ブロックを囲むように基板に配
置されている。環状電源供給線は第1の電源供給線と第
2の電源供給線とを含む。第1の電源供給線は第1の方
向に延びる。第2の電源供給線は第1の方向に交差する
第2の方向に延び、第1の電源供給線に接続されてい
る。第1の電源供給線は、第1の方向に延び、かつ複数
本に分割された配線部分を含む。電源接続線は第2の論
理回路ブロックと環状電源供給線とを接続し、かつ第1
の方向に延びるように基板に配置されている。
【0033】この発明の第2の局面に従った半導体集積
回路装置は、第1の論理回路ブロックと、第2の論理回
路ブロックと、環状電源供給線と、第1の電源接続線
と、第2の電源接続線とを備える。第1の論理回路ブロ
ックは基板に配置されている。第2の論理回路ブロック
は基板に配置され、第1の論理回路ブロックよりも小さ
い。環状電源供給線は第1の論理回路ブロックを囲むよ
うに基板に配置されている。環状電源供給線は第1の電
源供給線と第2の電源供給線とを含む。第1の電源供給
線は第1の方向に延びる。第2の電源供給線は第1の方
向に交差する第2の方向に延び、第1の電源供給線に接
続されている。第1の電源接続線は第1の論理回路ブロ
ックと第1の電源供給線とを接続し、かつ第2の方向に
延びるように基板に配置されている。第2の電源接続線
は第2の論理回路ブロックと第2の電源供給線とを接続
し、かつ第1の方向に延びるように基板に配置されてい
る。
【0034】この発明の第3の局面に従った半導体集積
回路装置のレイアウト設計方法によれば、まず、第1の
論理回路ブロックが基板に配置される。第1の論理回路
ブロックよりも小さい第2の論理回路ブロックが基板に
配置される。環状電源供給線が第1の論理回路ブロック
を囲むように基板に配置される。この環状電源供給線
は、第1の方向に延びる第1の電源供給線と、第1の方
向に交差する第2の方向に延び、第1の電源供給線に接
続された第2の電源供給線とを含むように配置される。
また、第1の電源供給線が、第1の方向に延び、かつ複
数本に分割された配線部分を含むように、環状電源供給
線が配置される。第2の論理回路ブロックと環状電源供
給線とを接続し、かつ第1の方向に延びるように電源接
続線が基板に配置される。
【0035】この発明の第4の局面に従った半導体集積
回路装置のレイアウト設計方法によれば、第1の論理回
路ブロックが基板に配置される。第1の論理回路ブロッ
クよりも小さい第2の論理回路ブロックが基板に配置さ
れる。環状電源供給線が第1の論理回路ブロックを囲む
ように基板に配置される。この環状電源供給線は、第1
の方向に延びる第1の電源供給線と、第1の方向に交差
する第2の方向に延び、第1の電源供給線に接続された
第2の電源供給線とを含むように配置される。電源接続
線が、第2の論理回路ブロックと第1の環状電源供給線
とを接続し、かつ第1の方向に延びるように基板に配置
される。電源接続線は、第1の電源供給線と整列するよ
うに配置される。
【0036】
【作用】この発明の第1の局面と第3の局面において
は、第1の電源供給線は、第1の方向に延び、複数本に
分割された配線部分を含んでいる。そのため、第2の論
理回路ブロックと環状電源供給線との接続において、電
源接続線が複数本の配線部分のいずれかに整列するよう
に配置され得る。また、第1の電源供給線が複数本に分
割されているので、その分割された配線部分の間の領域
に延びるように電源接続線を配置することができる。し
たがって、第2の論理回路ブロックと環状電源供給線と
を接続する電源接続線が第1の方向に沿って直線状に延
びるように配置され得る。これにより、電源接続線の形
状を単純にすることができる。また、電源接続線の配線
長を短くすることができる。
【0037】この発明の第2の局面においては、第1の
論理回路ブロックと環状電源供給線との接続において、
第1の電源接続線は第2の方向に延びるように配置され
る。また、第2の論理回路ブロックと環状電源供給線と
の接続において、第2の電源接続線は第1の方向に延び
るように配置される。そのため、第1の電源接続線は第
2の電源接続線と異なる方向に延びるように配置されて
いるので、直線状に配置され得る。これにより、第1の
電源接続線の形状が単純になる。
【0038】この発明の第4の局面においては、第1の
電源供給線と電源接続線とが整列するように配置され
る。そのため、第2の論理回路ブロックと環状電源供給
線との接続において、電源接続線が直線状に第1の方向
に延びるように配置される。したがって、電源接続線の
形状が単純になる。電源接続線の配線長が短くなる。
【0039】以上のことから、この発明においては電源
接続線が直線状に配置されることにより、電源接続線が
占有する面積を低減することができる。また、電源接続
線の配線長が短くなるので、配線インピーダンスが低く
なる。その結果として、電源ノイズを低減させることが
できる。さらに、半導体集積回路装置のレイアウト全体
において、電源接続線が直線状に配置され、単純な構造
にされるので、半導体集積回路装置のレイアウト設計に
おいて配置配線の自動化が容易に達成され得る。これら
のことから、短期間で高性能、高機能な半導体集積回路
装置を得ることができる。
【0040】
【実施例】図1はこの発明の一実施例による半導体集積
回路装置のレイアウト設計方法を示すフローチャートで
ある。図2〜図5は図1のフローチャートに従って半導
体集積回路装置の配置を示す平面図である。これらの図
を参照して本発明の半導体集積回路装置のレイアウト設
計方法の概略について説明する。
【0041】まず、図1のステップ101と図2を参照
して、半導体集積回路装置の基板となるチップ1の周辺
領域にI/Oバッファを含む周辺回路2が配置される。
【0042】図1のステップ102と図3を参照して、
機能セルが周辺回路2によって囲まれた領域に配置され
る。機能セルとしては、たとえば1個の大規模回路ブロ
ック3と複数個の同一高さを有する論理回路素子4とが
配置される。また、大規模回路ブロック3を囲むように
環状電源配線が形成される。この環状電源配線はVDD
環状電源配線5とGND環状電源配線6とによって構成
される。図3に示されるように、VDD環状電源配線5
とGND環状電源配線6において横方向に延びる電源配
線がそれぞれ2本に分割されている。大規模回路ブロッ
ク3とVDD環状電源配線5、GND環状電源配線6と
は、それぞれVDD接続配線21、GND接続配線22
によって電気的に接続されている。
【0043】図1のステップ103と図4に示すよう
に、VDD幹線電源配線9とGND幹線電源配線10と
がチップ内の左右側と中央部の領域に配置される。幹線
電源配線9と10、環状電源配線5と6のそれぞれに接
続するように、VDD支線電源配線7とGND支線電源
配線8とが横方向に直線状に延びるように配置される。
【0044】図1のステップ104と図5に示すよう
に、各論理回路素子4の間に信号配線15が配置され
る。
【0045】このようにVDD接続配線21とGND接
続配線22とが支線電源配線7と8の延びる方向と異な
る縦方向に延びるように配置される。また、後述するよ
うに、環状電源配線6の一部が分割されているので、環
状電源配線5,6と論理回路素子4との接続において支
線電源配線7と8が横方向に延びるように配置される。
その結果、接続配線21,22と支線電源配線7,8が
折れ曲がるように配置されることはない。これにより、
支線電源配線や接続配線の占有する面積が低減する。言
い換えれば、所定の論理機能を有する半導体集積回路装
置のレイアウト設計において必要なチップの面積を減少
させることができる。このことは、レイアウト設計の初
期の段階で、必要なチップ面積を見積もることが容易と
なる。
【0046】また、図1の破線で示されるループ処理、
すなわち試行錯誤の繰返し処理を削減することができ
る。このことは、半導体集積回路装置のレイアウト設計
において配置配線の自動化を容易にする。
【0047】図6は、本発明の一実施例による半導体集
積回路装置の配置を示す平面図である。図7は、図6の
破線部分VIIを拡大して示す図である。これらの図を
参照して、VDD環状電源配線5は第1VDD環状配線
51a,51bと第2VDD環状配線52とから構成さ
れる。GND環状電源配線6は第1GND環状配線61
a,61bと第2GND環状配線62とから構成され
る。第1VDD環状配線51a,51bと第1GND環
状配線61a,61bは第1の配線層からなり、横方向
に延びるように配置されている。第2VDD環状配線5
2は第2の配線層からなり、縦方向に延びるように配置
されている。第2GND環状配線62は第2の配線層か
らなり、縦方向に延びるように配置されている。第1V
DD環状配線51aは接続孔53bを通じて第2VDD
環状配線52に電気的に接続されている。第1VDD環
状配線51bは接続孔53cを通じて第2VDD環状配
線52に接続されている。第1GND環状配線61aは
接続孔63aを通じて第2GND環状配線62に電気的
に接続されている。第1GND環状配線61bは接続孔
63cを通じて第2GND環状配線62に接続されてい
る。このように横方向に延びるVDDとGNDの環状電
源配線がそれぞれ、二分割されている。
【0048】一方、論理回路素子4a,4bにはVDD
電位とGND電位を供給するためにVDD端子47とG
ND端子48が設けられている。各論理回路素子4a,
4bの内部においては、互いに対向する2つのVDD端
子47と47、2つのGND端子48と48は相互に接
続されている。論理回路素子4aのVDD端子47と第
2VDD環状配線52とは第1VDD支線71によって
接続されている。第1VDD支線71は第1の配線層か
らなり、横方向に延びるように形成されている。この第
1VDD支線71は接続孔53aを通じて第2VDD環
状配線52に接続されている。論理回路素子4aのGN
D端子48と第2GND環状配線62とは第1GND支
線81によって接続されている。第1GND支線81は
第1の配線層からなり、横方向に延びるように形成され
ている。第1GND支線81は接続孔63bを通じて第
2GND環状配線62に接続されている。論理回路素子
4bのGND端子48と第1GND環状配線61bと
は、第1GND支線81によって接続されている。論理
回路素子4bのVDD端子47と第1VDD環状配線5
1bとは第1VDD支線71によって接続されている。
【0049】以上のように、複数本に分割された第1V
DD環状配線51a,51bと第1GND環状配線61
a,61bとを設けることによって、論理回路素子の端
子と環状電源配線との接続が直線状に延びる支線配線を
用いて行なわれ得る。
【0050】図8は、図7に対応して示す電源配線の接
続構造の別の実施例の拡大図である。図7においては、
各GND端子48が論理回路素子4aと4bとの間で互
いに向かい合うように配置されている。しかしながら、
図8においては、各GND端子48は論理回路素子4a
と4bのそれぞれ上部に配置されている。このように論
理回路素子4aと4bにおいてVDDとGNDの端子4
7,48の配置が異なったとしても、図8に示すよう
に、VDDとGNDの端子47,48と環状電源配線と
の接続は、直線状に延びる第1VDD支線71と第1G
ND支線81とによって行なわれ得る。
【0051】図9は、図7に対応して示す電源配線の接
続構造のさらに別の実施例の拡大図である。図7におい
ては、VDD環状電源配線とGND環状電源配線のいず
れにおいても、2本に分割された第1VDD環状配線5
1a,51bと第1GND環状配線61a,61bとが
配置されている。これに対して、図9に示すように、V
DD電源配線においてのみ、2本に分割された第1VD
D環状配線51aと51bが配置されている。このよう
に2つの電位を供給する環状電源配線の一方のみが複数
本に分割されたとしても、本発明の効果は発揮され得
る。すなわち、環状電源配線と論理回路素子の各端子と
の接続において第1VDD支線71と第1GND支線8
1とが直線状に延びるように配置され得る。
【0052】図10は、図8の実施例に対応し、異なる
箇所での電源配線の接続構造を拡大して示す図である。
図10に示される電源配線の接続構造は図8と同様であ
るのでその説明は省略する。
【0053】図11は、図9の実施例に対応し、異なる
箇所での電源配線の接続構造を拡大して示す図である。
図11に示される電源配線の接続構造は図9に示される
ものと同様であるのでその説明を省略する。
【0054】図12は、電源配線の接続構造の別の実施
例を示す拡大図である。図12に示すように、第1VD
D環状配線51は2つに分岐した第1VDD環状配線部
分51cと51dを有する。第1VDD環状配線部分5
1cは接続孔53bを通じて第2VDD環状配線52に
接続されている。第1VDD環状配線部分51dは接続
孔53cを通じて第2VDD環状配線52に接続されて
いる。第2VDD環状配線52は第1VDD環状配線部
分51c,51dとの接続部を越えて縦方向に延びるよ
うに配置されている。第2VDD環状配線52の延長さ
れた部分と論理回路素子4のVDD端子47とが第1V
DD支線71によって接続されている。第1VDD支線
71は接続孔53aを通じて第2VDD環状配線52に
接続されている。論理回路素子4のGND端子48と第
2GND環状配線62との接続は第1GND支線81に
よって行なわれている。第1GND支線81は接続孔6
3bを通じて第2GND環状配線62に接続されてい
る。この接続は、2つに分岐された第1VDD環状配線
部分51cと51dとの間の領域において行なわれてい
る。このようにして、論理回路素子の各端子と環状電源
配線との接続において支線電源配線71,81が直線状
に延びるように配置され得る。
【0055】図13は、環状電源配線の一部分が分岐し
た構造の別の実施例を示す拡大図である。図13に示す
ように、論理回路素子4のVDD端子47とGND端子
48の配置、第1VDD環状配線51と第1GND環状
配線61の配置がそれぞれ図12に示されるものと逆に
なっている。このような場合においても、第1VDD環
状配線51のみを2つに分岐させることにより、第1V
DD支線71と第1GND支線81を直線状に配置する
ことができる。
【0056】図14は、本発明の半導体集積回路装置の
レイアウト設計方法の別の実施例に従った電源配線の配
置を示す部分拡大図である。図14に示すように、VD
D環状電源配線51,52とGND環状電源配線61,
62の幅は論理回路素子4の高さに比べて小さい。この
ような場合、環状電源配線を複数本に分割したり、分岐
させることなく、論理回路素子4のVDD端子47とG
ND端子48とがそれぞれ、第1VDD環状配線51と
第1GND環状配線61に整合するように配置されれば
よい。これにより、第1VDD支線71と第1GND支
線81とがそれぞれ、第1VDD環状配線51と第1G
ND環状配線61に整列するように配置され得る。その
結果、第1VDD支線71と第1GND支線81とが直
線状に配置され得る。
【0057】図15は、図14の実施例に対応し、論理
回路素子の各端子と環状電源配線の配置を変更した場合
の平面的配置を示す部分拡大図である。図15に示すよ
うに、VDD端子47とGND端子48の配置、第1V
DD環状配線51と第1GND環状配線61の配置が図
14に示されるものと異なっている。図16は、本発明
の半導体集積回路装置のさらに別の実施例を示す平面図
である。図17は、図16の破線部分XVIIを拡大し
て示す図である。図16を参照して、VDD環状電源配
線5とGND環状電源配線6は、横方向と縦方向のいず
れにおいても2本に分割されている。図17に示すよう
に、VDD環状電源配線5は、第1VDD環状配線51
a,51bと第2VDD環状配線52e,52fとから
構成される。GND環状電源配線6は、第1GND環状
配線61a,61bと第2GND環状電源配線62e,
62fとから構成される。第1VDD環状配線51aは
接続孔53dと53gを通じて、それぞれ第2VDD環
状配線52eと52fに電気的に接続されている。第1
VDD環状配線51bは接続孔53eと53hを通じ
て、第2VDD環状配線52eと52fのそれぞれに電
気的に接続されている。第1GND環状配線61aは接
続孔63aと63fを通じてそれぞれ、第2GND環状
配線62eと62fとに電気的に接続されている。第1
GND環状配線61bは接続孔63cと63hを通じて
それぞれ、第2GND環状配線62eと62fとに電気
的に接続されている。
【0058】論理回路素子4aのVDD端子47と第2
VDD環状配線52e,52fとは、第1VDD支線7
1によって接続されている。第1VDD支線71は接続
孔53c,53fを通じて、それぞれ第2VDD環状配
線52e,52fに電気的に接続されている。論理回路
素子4aのGND端子48と第2GND環状配線62
e,62fとは第1GND支線81によって接続されて
いる。第1GND支線81は接続孔63bと63gとを
通じてそれぞれ、第2GND環状配線62eと62fと
に電気的に接続されている。論理回路素子4bのGND
端子48と第1GND環状配線61bとは第1GND支
線81によって接続されている。論理回路素子4bのV
DD端子47と第1VDD環状配線51bとは第1VD
D支線71によって接続されている。
【0059】論理回路素子4cのVDD端子57と第1
VDD環状配線51a,51bとは第2VDD支線72
によって接続されている。第2VDD支線72は第2の
配線層からなり、縦方向に延びるように形成されてい
る。この第2VDD支線72は接続孔53aと53bを
通じてそれぞれ、第1VDD環状配線51aと51bに
電気的に接続されている。論理回路素子4cのGND端
子58と第1GND環状配線61a,61bとは第2G
ND支線82によって接続されている。第2GND支線
82は第2の配線層からなり、縦方向に延びるように形
成されている。この第2GND支線82は接続孔63d
と63eとを通じて、それぞれ、第1GND環状配線6
1aと61bとに電気的に接続されている。論理回路素
子4dのGND端子58と第2GND環状配線62fと
は第2GND支線82によって接続されている。論理回
路素子4dのVDD端子57と第2VDD環状配線52
fとは第2VDD支線72によって接続されている。
【0060】このように縦方向と横方向の両方の環状電
源配線を複数本に分割することにより、横方向と縦方向
に延びる支線電源配線の両者が直線状に延びるように配
置され得る。
【0061】図18は、この発明の一実施例による大規
模回路ブロックと環状電源配線との接続構造を示す概略
平面図である。図18を参照して、大規模回路ブロック
3のVDD端子13と第1VDD環状配線51とはVD
D接続配線21によって接続されている。また、大規模
回路ブロック3のGND端子14と第1GND環状配線
61とはGND接続配線22によって接続されている。
VDD接続配線21は第2の配線層からなり、接続孔5
3pを通じて第1VDD環状配線51に電気的に接続さ
れている。GND接続配線22は第2の配線層からな
り、接続孔63pを通じて第1GND環状配線61に接
続されている。
【0062】一方、論理回路素子4のVDD端子47と
第2VDD環状配線52とは第1VDD支線71によっ
て接続されている。論理回路素子4のGND端子48と
第2GND環状配線62とは第1GND支線81によっ
て接続されている。第1VDD支線71は接続孔53e
を通じて第2VDD環状配線52に電気的に接続されて
いる。第1GND支線81は接続孔63eを通じて第2
GND環状配線62に電気的に接続されている。
【0063】VDDとGND接続配線21と22は縦方
向に延びるように配置されている。これに対して、第1
VDD支線71と第1GND支線81とは横方向に延び
るように配置されている。これにより、大規模回路ブロ
ック3と環状電源配線との接続において、接続配線21
と22が直線状に延びるように配置され得る。
【0064】図19は、大規模回路ブロックと環状電源
配線との接続構造の別の実施例を示す概略平面図であ
る。図19に示すように、VDD接続配線21のみが縦
方向に延びるように配置されている。このように外側に
位置する第1VDD環状配線51と大規模回路ブロック
3のVDD端子13とを接続するVDD接続配線21の
みが、第1VDD支線71と第1GND支線81の延び
る方向と異なる方向に延びるように配置されてもよい。
これにより、外側に位置する環状電源配線と大規模回路
ブロックとの接続において、接続配線を直線状に配置す
ることができる。
【0065】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、環状
電源供給線に接続される電源接続線を直線状に配置する
ことができる。これにより、電源接続線によって占有さ
れる面積を低減することが可能になる。また、電源接続
線の配線長が短くなるので、配線インピーダンスを低く
することができる。その結果として、電源ノイズを低減
させることができる。さらに、半導体集積回路装置全体
において電源接続線が直線状に単純な構造に統一される
ので、レイアウト設計において配置配線の自動化が容易
に達成され得る。
【0066】これらのことから、短期間で高性能、高機
能な半導体集積回路装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
のレイアウト設計方法を示すフローチャートである。
【図2】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
のレイアウト設計方法の第1工程による配置を示す平面
図である。
【図3】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
のレイアウト設計方法の第2工程による配置を示す平面
図である。
【図4】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
のレイアウト設計方法の第3工程による配置を示す平面
図である。
【図5】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
のレイアウト設計方法の第4工程による配置を示す平面
図である。
【図6】この発明の第1実施例による半導体集積回路装
置の配置を示す平面図である。
【図7】図6の破線部分VIIを拡大して示す部分拡大
図である。
【図8】図7に対応して電源配線の接続構造の第1実施
例の別のタイプを示す部分拡大図である。
【図9】図7に対応して電源配線の接続構造の第1実施
例のさらに別のタイプを示す部分拡大図である。
【図10】図8の実施例に対応し、異なる箇所での電源
配線の接続構造を示す部分拡大図である。
【図11】図9の実施例に対応し、異なる箇所での電源
配線の接続構造を示す部分拡大図である。
【図12】この発明の第2実施例による電源配線の接続
構造を拡大して示す部分拡大図である。
【図13】図12に対応し、電源配線の接続構造の第2
実施例の別のタイプを示す部分拡大図である。
【図14】この発明の半導体集積回路装置のレイアウト
設計方法の1つの実施例によって得られる電源配線の接
続構造を示す部分拡大図である。
【図15】図14に対応し、この発明の半導体集積回路
装置のレイアウト設計方法のもう1つの実施例によって
得られる電源配線の接続構造を示す部分拡大図である。
【図16】この発明の第3実施例による半導体集積回路
装置の配置を示す平面図である。
【図17】図16の破線部分XVIIを拡大して示す部
分拡大図である。
【図18】この発明の第4実施例による半導体集積回路
装置の配置を示す概略平面図である。
【図19】図18に対応し、この発明の第4実施例の別
のタイプを示す概略平面図である。
【図20】従来のスタンダード・セル方式によって得ら
れた同一高さの論理回路素子のみから構成された半導体
集積回路装置の配置を示す平面図である。
【図21】従来の半導体集積回路装置のレイアウト設計
方法を示すフローチャートである。
【図22】従来の半導体集積回路装置のレイアウト設計
方法の第1工程による配置を示す平面図である。
【図23】従来の半導体集積回路装置のレイアウト設計
方法の第2工程による配置を示す平面図である。
【図24】従来の半導体集積回路装置のレイアウト設計
方法の第3工程による配置を示す平面図である。
【図25】従来の半導体集積回路装置の1つの配置の例
を示す平面図である。
【図26】図25の破線部分XXVIを拡大して示す部
分拡大図である。
【図27】従来の半導体集積回路装置のもう1つの配置
の例を示す平面図である。
【図28】図27の破線部分XXVIIIを拡大して示
す部分拡大図である。
【図29】従来の半導体集積回路装置のさらに別の配置
例を示す平面図である。
【図30】図29の破線部分XXXを拡大して示す部分
拡大図である。
【図31】従来の半導体集積回路装置のさらに別の配置
例を示す平面図である。
【図32】図31の破線部分XXXIIを拡大して示す
部分拡大図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路装置(チップ) 3 大規模回路ブロック 4 論理回路素子 5 VDD環状電源配線 6 GND環状電源配線 7 VDD支線電源配線 8 GND支線電源配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋爪 毅 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 菰池 達紀 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 論理機能単位ごとに予め設計された大き
    さの異なる複数個の論理回路ブロックを有する半導体集
    積回路装置であって、 基板に配置された第1の論理回路ブロックと、 前記基板に配置され、前記第1の論理回路ブロックより
    も小さい第2の論理回路ブロックと、 第1の方向に延びる第1の電源供給線と、前記第1の方
    向に交差する第2の方向に延び、前記第1の電源供給線
    に接続された第2の電源供給線とを含み、かつ前記第1
    の論理回路ブロックを囲むように前記基板に配置された
    環状電源供給線とを備え、 前記第1の電源供給線は、前記第1の方向に延び、かつ
    複数本に分割された配線部分を含み、さらに、 前記第2の論理回路ブロックと前記環状電源供給線とを
    接続し、かつ前記第1の方向に延びるように前記基板に
    配置された電源接続線とを備えた、半導体集積回路装
    置。
  2. 【請求項2】 論理機能単位ごとに予め設計された大き
    さの異なる複数個の論理回路ブロックを有する半導体集
    積回路装置であって、 基板に配置された第1の論理回路ブロックと、 前記基板に配置され、前記第1の論理回路ブロックより
    も小さい第2の論理回路ブロックと、 第1の方向に延びる第1の電源供給線と、前記第1の方
    向に交差する第2の方向に延び、前記第1の電源供給線
    に接続された第2の電源供給線とを含み、かつ前記第1
    の論理回路ブロックを囲むように前記基板に配置された
    環状電源供給線と、 前記第1の論理回路ブロックと前記第1の電源供給線と
    を接続し、かつ前記第2の方向に延びるように前記基板
    に配置された第1の電源接続線と、 前記第2の論理回路ブロックと前記第2の電源供給線と
    を接続し、かつ前記第1の方向に延びるように前記基板
    に配置された第2の電源接続線とを備えた、半導体集積
    回路装置。
  3. 【請求項3】 論理機能単位ごとに予め設計された大き
    さの異なる複数個の論理回路ブロックを有する半導体集
    積回路装置のレイアウト設計方法であって、 第1の論理回路ブロックを基板に配置する工程と、 前記第1の論理回路ブロックよりも小さい第2の論理回
    路ブロックを前記基板に配置する工程と、 第1の方向に延びる第1の電源供給線と、前記第1の方
    向に交差する第2の方向に延び、前記第1の電源供給線
    に接続された第2の電源供給線とを含み、前記第1の電
    源供給線が、前記第1の方向に延び、かつ複数本に分割
    された配線部分を含む環状電源供給線を、前記第1の論
    理回路ブロックを囲むように前記基板に配置する工程
    と、 前記第2の論理回路ブロックと前記環状電源供給線とを
    接続し、かつ前記第1の方向に延びるように電源接続線
    を前記基板に配置する工程とを備えた、半導体集積回路
    装置のレイアウト設計方法。
  4. 【請求項4】 論理機能単位ごとに予め設計された大き
    さの異なる複数個の論理回路ブロックを有する半導体集
    積回路装置のレイアウト設計方法であって、 第1の論理回路ブロックを基板に配置する工程と、 前記第1の論理回路ブロックよりも小さい第2の論理回
    路ブロックを前記基板に配置する工程と、 第1の方向に延びる第1の電源供給線と、前記第1の方
    向に交差する第2の方向に延び、前記第1の電源供給線
    に接続された第2の電源供給線とを含む環状電源供給線
    を、前記第1の論理回路ブロックを囲むように前記基板
    に配置する工程と、 前記第2の論理回路ブロックと前記第1の電源供給線と
    を接続し、かつ前記第1の方向に延びるように電源接続
    線を前記基板に配置する工程とを備え、 前記電源接続線は、前記第1の電源供給線と整列するよ
    うに配置される、半導体集積回路装置のレイアウト設計
    方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6134704A (en) * 1998-04-03 2000-10-17 International Business Machines Corporation Integrated circuit macro apparatus

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3052519B2 (ja) * 1992-01-14 2000-06-12 日本電気株式会社 集積回路の電源配線設計方法
US5691662A (en) * 1994-04-07 1997-11-25 Hitachi Microsystems, Inc. Method for minimizing clock skew in integrated circuits and printed circuits
US5663677A (en) * 1995-03-30 1997-09-02 Lucent Technologies Inc. Integrated circuit multi-level interconnection technique
JPH08288462A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US5825201A (en) * 1996-06-21 1998-10-20 Quicklogic Corporation Programming architecture for a programmable integrated circuit employing antifuses
US5828538A (en) * 1996-06-21 1998-10-27 Quicklogic Corporation Power-up circuit for field programmable gate arrays
US6028444A (en) * 1996-06-21 2000-02-22 Quicklogic Corporation Three-statable net driver for antifuse field programmable gate array
JPH10229129A (ja) * 1997-02-18 1998-08-25 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路のチップレイアウト及びその検証方法
US6191475B1 (en) * 1997-11-26 2001-02-20 Intel Corporation Substrate for reducing electromagnetic interference and enclosure
KR100272508B1 (ko) * 1997-12-12 2000-11-15 김영환 내부전압(vdd) 발생회로
US6515555B2 (en) * 2000-12-22 2003-02-04 Intel Corporation Memory module with parallel stub traces
JP2002222928A (ja) 2001-01-29 2002-08-09 Sony Corp 半導体装置
JP4492736B2 (ja) 2008-06-12 2010-06-30 ソニー株式会社 半導体集積回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0225270A (ja) * 1988-07-13 1990-01-26 Daido Steel Co Ltd 溶融金属の出湯装置
JPH0225070A (ja) * 1988-07-14 1990-01-26 Toshiba Corp 半導体集積回路装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4511914A (en) * 1982-07-01 1985-04-16 Motorola, Inc. Power bus routing for providing noise isolation in gate arrays
US4575745A (en) * 1983-06-21 1986-03-11 Rca Corporation Tailorable standard cells and method for tailoring the performance of IC designs
JPS6114734A (ja) * 1984-06-29 1986-01-22 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2668981B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-27 富士通株式会社 半導体集積回路
JPH0286145A (ja) * 1988-09-22 1990-03-27 Seiko Epson Corp 半導体集積回路
JPH065705B2 (ja) * 1989-08-11 1994-01-19 株式会社東芝 半導体集積回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0225270A (ja) * 1988-07-13 1990-01-26 Daido Steel Co Ltd 溶融金属の出湯装置
JPH0225070A (ja) * 1988-07-14 1990-01-26 Toshiba Corp 半導体集積回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6134704A (en) * 1998-04-03 2000-10-17 International Business Machines Corporation Integrated circuit macro apparatus

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