JPH0536347A - 真空管の製造方法 - Google Patents
真空管の製造方法Info
- Publication number
- JPH0536347A JPH0536347A JP18984891A JP18984891A JPH0536347A JP H0536347 A JPH0536347 A JP H0536347A JP 18984891 A JP18984891 A JP 18984891A JP 18984891 A JP18984891 A JP 18984891A JP H0536347 A JPH0536347 A JP H0536347A
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- JP
- Japan
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- substrate
- vacuum
- recess
- mask
- wall
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- Pending
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- Micromachines (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、小型化が可能で量産性を高めるこ
とを目的とする。 【構成】 基板１主面上の真空室となる凹部２ａの内壁
に露出する電極１ａ，４，６を形成する工程、凹部２ａ
の開口部を覆う蓋部８を形成する工程、真空蒸着により
蓋部８と基板１との間を密閉する工程を有することを特
徴とする。
とを目的とする。 【構成】 基板１主面上の真空室となる凹部２ａの内壁
に露出する電極１ａ，４，６を形成する工程、凹部２ａ
の開口部を覆う蓋部８を形成する工程、真空蒸着により
蓋部８と基板１との間を密閉する工程を有することを特
徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィ等
の微細加工技術を用いた真空管の製造方法に関する。
の微細加工技術を用いた真空管の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、ＬＳＩ等の開発に伴って発達した
微細加工技術を用いて真空管を製造することが注目され
ている。
微細加工技術を用いて真空管を製造することが注目され
ている。
【０００３】図２は、このような技術によって製造され
た真空管の従来例を示している（特開平１−３００５５
８号公報）。同図において、１１はＳｉ基板であり、そ
の主面上には円錐形の陰極１１ａが形成されている。ま
た、Ｓｉ基板１１上には、陰極１１ａを露呈させる開口
のある第１の絶縁層１２、陰極１１ａに対して負のバイ
アス電圧が与えられる制御電極１３、第２の絶縁層１４
及び陰極１１ａに対して正電圧が与えられる陽極１５が
順次形成されている。１６は電子の運動空間である。
た真空管の従来例を示している（特開平１−３００５５
８号公報）。同図において、１１はＳｉ基板であり、そ
の主面上には円錐形の陰極１１ａが形成されている。ま
た、Ｓｉ基板１１上には、陰極１１ａを露呈させる開口
のある第１の絶縁層１２、陰極１１ａに対して負のバイ
アス電圧が与えられる制御電極１３、第２の絶縁層１４
及び陰極１１ａに対して正電圧が与えられる陽極１５が
順次形成されている。１６は電子の運動空間である。
【０００４】そして、陽極１５に与えられた正電圧によ
り陰極１１ａ先端に１０7 Ｖ／cm以上の高電界が加えら
れると、冷陰極放出と呼ばれる強電界放出現象により陰
極１１ａから運動空間１６に電子が放出される。放出さ
れた電子は、古典的な三極管に似た動作で制御されて陽
極１５に到達するようになっている。
り陰極１１ａ先端に１０7 Ｖ／cm以上の高電界が加えら
れると、冷陰極放出と呼ばれる強電界放出現象により陰
極１１ａから運動空間１６に電子が放出される。放出さ
れた電子は、古典的な三極管に似た動作で制御されて陽
極１５に到達するようになっている。
【０００５】ところで、電子の運動空間１６は当然のこ
と乍ら真空に保持することが必要である。このため、従
来の真空管では、素子全体をガラス管等の真空容器１７
に収容して各電極用リード線１８，１９，２０を真空容
器１７外に引出し、真空容器１７内を真空ポンプ２１で
真空引きすることが行われていた。
と乍ら真空に保持することが必要である。このため、従
来の真空管では、素子全体をガラス管等の真空容器１７
に収容して各電極用リード線１８，１９，２０を真空容
器１７外に引出し、真空容器１７内を真空ポンプ２１で
真空引きすることが行われていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来は、電子の運動空
間を真空に保持するために素子全体をガラス管等の真空
容器に収容し、その真空容器から各電極用リード線の引
出しを必要としていた。しかし、この構造では、装置全
体として小型化することができず、また微細加工技術だ
けでは製造することができないため量産性に欠けるとい
う問題があった。
間を真空に保持するために素子全体をガラス管等の真空
容器に収容し、その真空容器から各電極用リード線の引
出しを必要としていた。しかし、この構造では、装置全
体として小型化することができず、また微細加工技術だ
けでは製造することができないため量産性に欠けるとい
う問題があった。
【０００７】そこで、本発明は、小型化が可能で量産性
を高めることのできる真空管の製造方法を提供すること
を目的とする。
を高めることのできる真空管の製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、真空室内に少なくとも陰極及び陽極を含む
電極を備えた真空管の製造方法であって、（ａ）基板主
面上の前記真空室となる凹部の内壁に露出する前記電極
を形成する工程、（ｂ）前記凹部の開口部を覆う蓋部を
形成する工程、（ｃ）真空蒸着により前記蓋部と基板と
の間を密閉する工程を有することを要旨とする。
するために、真空室内に少なくとも陰極及び陽極を含む
電極を備えた真空管の製造方法であって、（ａ）基板主
面上の前記真空室となる凹部の内壁に露出する前記電極
を形成する工程、（ｂ）前記凹部の開口部を覆う蓋部を
形成する工程、（ｃ）真空蒸着により前記蓋部と基板と
の間を密閉する工程を有することを要旨とする。
【０００９】蓋部と基板との間を密閉する密閉層の厚さ
は、蓋部と基板との隙間以上とする。
は、蓋部と基板との隙間以上とする。
【００１０】蓋部及び密閉層は金属で作製することが望
ましい。
ましい。
【００１１】
【作用】真空蒸着により蓋部と基板との間を密閉するこ
とにより、内壁に所要の電極が露出した真空室が形成さ
れ、ガラス管等の別途の真空容器及びその真空容器から
各電極用リード線の引出しが不要となる。したがって小
型化が可能になるとともに量産性が向上する。
とにより、内壁に所要の電極が露出した真空室が形成さ
れ、ガラス管等の別途の真空容器及びその真空容器から
各電極用リード線の引出しが不要となる。したがって小
型化が可能になるとともに量産性が向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。
する。
【００１３】なお、以下の説明において、（ａ）〜
（ｅ）の各項目記号は、図１の（ａ）〜（ｅ）のそれぞ
れに対応する。
（ｅ）の各項目記号は、図１の（ａ）〜（ｅ）のそれぞ
れに対応する。
【００１４】（ａ）（１００）面を有するｎ型のＳｉ基
板１を準備し、その主面上に、ＳｉＮ膜により平面形状
が例えば直径２μｍ程度の円形のマスクブロック２を形
成する。マスクブロック２をマスクとして、ＫＯＨエッ
チング液を用いた異方性エッチングによりＳｉ基板１を
適宜の厚み分エッチングし、円錐状の陰極１ａを形成す
る。
板１を準備し、その主面上に、ＳｉＮ膜により平面形状
が例えば直径２μｍ程度の円形のマスクブロック２を形
成する。マスクブロック２をマスクとして、ＫＯＨエッ
チング液を用いた異方性エッチングによりＳｉ基板１を
適宜の厚み分エッチングし、円錐状の陰極１ａを形成す
る。
【００１５】（ｂ）マスクブロック２を残置させたま
ま、公知の真空蒸着法やスパッタ法等の成膜技術によ
り、Ｓｉ基板１上に、厚さ１μｍ程度のＳｉＯ2からな
る第１の絶縁層３、厚さ０．１μｍ程度のＭｏからなる
制御電極４、厚さ１μｍ程度のＳｉＯ2 からなる第２の
絶縁層５、厚さ０．１μｍ程度のＭｏからなる陽極６を
順次形成する。このあと、マスクブロック２をエッチン
グ除去することで真空室となる凹部２ａが形成され、そ
の内壁に陰極１ａ、制御電極４及び陽極６が露出され
る。なお、第１、第２の絶縁層３，５としてはＳｉＮを
用いてもよく、また、制御電極４及び陽極６としてはＷ
を用いてもよい。
ま、公知の真空蒸着法やスパッタ法等の成膜技術によ
り、Ｓｉ基板１上に、厚さ１μｍ程度のＳｉＯ2からな
る第１の絶縁層３、厚さ０．１μｍ程度のＭｏからなる
制御電極４、厚さ１μｍ程度のＳｉＯ2 からなる第２の
絶縁層５、厚さ０．１μｍ程度のＭｏからなる陽極６を
順次形成する。このあと、マスクブロック２をエッチン
グ除去することで真空室となる凹部２ａが形成され、そ
の内壁に陰極１ａ、制御電極４及び陽極６が露出され
る。なお、第１、第２の絶縁層３，５としてはＳｉＮを
用いてもよく、また、制御電極４及び陽極６としてはＷ
を用いてもよい。
【００１６】（ｃ）凹部２ａに埋込むようにしてレジス
トマスク７を形成する。レジストマスク７は凹部２ａよ
りもやや大径で、凹部２ａの上面である陽極６面よりも
１μｍ程度高く形成する。
トマスク７を形成する。レジストマスク７は凹部２ａよ
りもやや大径で、凹部２ａの上面である陽極６面よりも
１μｍ程度高く形成する。
【００１７】（ｄ）レジストマスク７上に、スパッタ法
によりメッキ下地層としてＡｕ膜を数千オングストロー
ム形成する。メッキ下地層の上に、蓋部となる部分のみ
開口したレジストを形成し、その開口部に露出したメッ
キ下地層上に電気メッキにより厚さ約２μｍの金メッキ
を施して蓋部８を形成する。メッキ用のレジスト及びレ
ジストマスク７を溶解、除去することにより、蓋部８
は、凹部２ａの開口部を覆うような形となる。この状態
では、蓋部８とＳｉ基板１との間には、適当な隙間が形
成されている。
によりメッキ下地層としてＡｕ膜を数千オングストロー
ム形成する。メッキ下地層の上に、蓋部となる部分のみ
開口したレジストを形成し、その開口部に露出したメッ
キ下地層上に電気メッキにより厚さ約２μｍの金メッキ
を施して蓋部８を形成する。メッキ用のレジスト及びレ
ジストマスク７を溶解、除去することにより、蓋部８
は、凹部２ａの開口部を覆うような形となる。この状態
では、蓋部８とＳｉ基板１との間には、適当な隙間が形
成されている。
【００１８】（ｅ）真空蒸着により、厚さ約１．５μｍ
のＡｕからなる密閉層９を形成して、蓋部８とＳｉ基板
１との間を密閉し、凹部２ａの空間により、内壁に各電
極１ａ，４，６が露出した真空室を形成する。
のＡｕからなる密閉層９を形成して、蓋部８とＳｉ基板
１との間を密閉し、凹部２ａの空間により、内壁に各電
極１ａ，４，６が露出した真空室を形成する。
【００１９】上述のように、この実施例の製造方法によ
れば、真空蒸着で蓋部８とＳｉ基板１との間を密閉する
ことにより、内壁に所要の各電極１ａ，４，６が露出し
た真空室が形成され、ガラス管等の別途の真空容器が不
要となる。したがって、真空管の寸法形状が小型化され
るとともに、量産性を高めることが可能となる。
れば、真空蒸着で蓋部８とＳｉ基板１との間を密閉する
ことにより、内壁に所要の各電極１ａ，４，６が露出し
た真空室が形成され、ガラス管等の別途の真空容器が不
要となる。したがって、真空管の寸法形状が小型化され
るとともに、量産性を高めることが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空室となる凹部の開口部を覆う蓋部を形成し、真空蒸
着により蓋部と基板との間を密閉するようにしたため、
この真空蒸着による密閉工程で、内壁に所要の電極が露
出した真空室が形成されてガラス管等の別途の真空容器
及びその真空容器から各電極用リード線の引出しが不要
となる。したがって、真空管の小型化が可能になるとと
もに量産性を高めることができる。
真空室となる凹部の開口部を覆う蓋部を形成し、真空蒸
着により蓋部と基板との間を密閉するようにしたため、
この真空蒸着による密閉工程で、内壁に所要の電極が露
出した真空室が形成されてガラス管等の別途の真空容器
及びその真空容器から各電極用リード線の引出しが不要
となる。したがって、真空管の小型化が可能になるとと
もに量産性を高めることができる。
【図１】本発明に係る真空管の製造方法の実施例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図２】従来の真空管を示す構成図である。
１ Ｓｉ基板 １ａ 陰極 ２ａ 凹部 ４ 制御電極 ６ 陽極 ８ 蓋部 ９ 密閉層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 真空室内に少なくとも陰極及び陽極を含
む電極を備えた真空管の製造方法であって、 （ａ）基板主面上の前記真空室となる凹部の内壁に露出
する前記電極を形成する工程、 （ｂ）前記凹部の開口部を覆う蓋部を形成する工程、 （ｃ）真空蒸着により前記蓋部と基板との間を密閉する
工程を有することを特徴とする真空管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18984891A JPH0536347A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 真空管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18984891A JPH0536347A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 真空管の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536347A true JPH0536347A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16248211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18984891A Pending JPH0536347A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 真空管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259830A (zh) * | 2011-07-04 | 2011-11-30 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP18984891A patent/JPH0536347A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259830A (zh) * | 2011-07-04 | 2011-11-30 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 |
| CN102259830B (zh) * | 2011-07-04 | 2014-02-12 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 |
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